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ADS
774
ADS
774
ADS774
ADS
774
微处理器兼容采样
CMOS模拟到数字转换器
特点
q
REPLACES ADC574 , ADC674和ADC774
可用于新设计
q
完整采样A / D与
参考,时钟和
微处理器接口
q
快速采集和转换:
8.5
s最大温度过高
q
无需外部采样/保持
在大多数应用
q
保证AC和DC PERFOR-
曼斯
q
+ 5V单电源操作
q
低功耗:最大120MW
q
封装选项: 0.6"和0.3"骤降,
SOIC
描述
该ADS774是一款12位逐次逼近型
使用一个创新的模拟 - 数字转换器
电容器阵列( CDAC )在低功率实现
CMOS技术。这是一个简易替换为
ADC574 , ADC674 , ADC774和车型最
应用,具有内部采样,低得多的功率
耗,并从单个操作的能力
+ 5V电源。
该ADS774是完整的内部时钟,微
处理器接口,三态输出和内部
调整电阻为0V输入范围为+ 10V , 0V至
+20V,
±5V,
or
±10V.
最大吞吐量时间
为8.5μs在整个工作温度范围内,
包括采集和转换。
在内部采样功能完整的用户控制
化有利于减少外部采样/保持
放大器在大多数现有的设计。
该ADS774需要+ 5V , -15V与可选。没有
+ 15V电源是必需的。可用的软件包包括:
0.3"或0.6"宽28引脚塑料DIP和28引脚SOIC封装。
状态
控制
输入
双极偏移
20V范围
10V范围
2.5V参考
输入
2.5V参考
产量
控制逻辑
三态缓冲器
华助会
+
时钟
连续
近似
注册
并行
数据
产量
比较
2.5V
参考
国际空港工业园邮寄地址:PO Box 11400 ,图森,亚利桑那州85734 街道地址: 6730 S.图森大道,图森,亚利桑那州85706 电话: ( 520 ) 746-1111 TWX : 910-952-1111
互联网: http://www.burr-brown.com/图文传真: ( 800 ) 548-6133 (美国/加拿大)电缆: BBRCORP 电传: 066-6491 传真: ( 520 ) 889-1510 立即产品信息: ( 800 ) 548-6132
1991的Burr-Brown公司
PDS-1109F
美国印刷1995年7月
特定网络阳离子
电动
在T
A
= T
给T
最大
, V
DD
= +5V, V
EE
= -15V到+ 5V , 117kHz的采样频率f
IN
= 10kHz的;除非另有规定。
ADS774JE ,JP , JU
参数
决议
输入
类似物
电压范围:单极
双极
阻抗:
0 + 10V ,
±5V
±10V,
0V至+ 20V
数字
( CE , CS ,R / C,A
O
, 12/8)
电压:逻辑1
逻辑0
当前
电容
传输特性
DC精度
AT + 25°C
线性误差
单极性偏移误差(可调至零)
双极性失调误差(可调至零)
满量程校准误差
(1)
(可调至零)
无漏码分辨率
T
给T
最大值(3)
线性误差
满量程校准误差
单极性偏移
双极偏移
无漏码分辨率
AC精度
(4)
无杂散动态范围
总谐波失真
信噪比
信号与(噪声+失真)比
互调失真
(F
IN1
= 20kHz的,女
IN2
= 23kHz )
温度系数
单极性偏移
双极偏移
满量程校准
电源灵敏度
变化满刻度校准
(6)
+ 4.75V < V
DD
< + 5.25V
最大变化
转换时间
(包括采集时间)
t
AQ
+ t
C
在25 ℃下的
8位周期
12位周期
12位周期,T
给T
最大
:
采样动态
在25 ℃的采样率
T
给T
最大
孔径延迟,T
AP
随着V
EE
= +5V
随着V
EE
= 0V至-15V
孔径不确定性(抖动)
随着V
EE
= +5V
随着V
EE
= 0V至-15V
建立时间0.01 %的
满量程输入电平变化
125
117
20
1.6
300
10
1.4
(5)
ADS774KE , KP , KU
最大
12
典型值
最大
T
单位
典型值
8.5
35
+2.0
–0.5
–5
12
50
0 10 0 20
±5, ±10
T
T
+5.5
+0.8
+5
T
T
T
T
T
T
T
T
V
V
k
k
V
V
A
pF
0.1
5
T
T
±1
±2
±10
±0.25
12
±1
±0.47
±4
±12
12
73
69
68
78
–77
72
71
–75
12
76
–72
71
70
T
T
T
T
T
12
±1/2
T
±4
T
最低位
最低位
最低位
% FS的
(2)
±1/2
±0.37
±3
±5
最低位
% FS的
最低位
最低位
dB
dB
dB
dB
–75
±1
±2
±12
T
T
T
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
±1/2
T
最低位
5.5
7.5
8
5.9
8
8.5
T
T
T
T
T
T
T
T
s
s
s
千赫
千赫
T
T
T
T
T
ns
s
PS河毫秒
NS河毫秒
s
ADS774
2
特定网络阳离子
(续)
电动
在T
A
= T
给T
最大
, V
DD
= +5V, V
EE
= -15V到+ 5V , 117kHz的采样频率f
IN
= 10kHz的;除非另有规定。
ADS774JE ,JP , JU
参数
输出
数字
( DB
11
- DB
0
, STATUS )
输出代码:单极
双极
逻辑电平:逻辑0 (I
SINK
= 1.6毫安)
逻辑1(I
来源
= 500A)
漏,数据位只,高阻态
电容
内部参考电压
电压
源电流可供外部载荷
电源要求
电压: V
EE (7)
V
DD
电流:I
EE (7)
(V
EE
= –15V)
I
DD
功率耗散(T
给T
最大
)
(V
EE
= 0V至+ 5V)
温度范围
规范
操作:
存储温度范围
单极标准二进制( USB )
双极偏移二进制( BOB )
+0.4
T
+5
T
典型值
最大
ADS774KE , KP , KU
典型值
最大
单位
T
T
T
T
T
+2.4
–5
0.1
5
+2.5
V
V
A
pF
V
mA
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
+2.4
0.5
–16.5
+4.5
+2.6
T
T
T
T
T
V
DD
+5.5
–1
+15
75
+24
120
+70
+85
+150
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
0
–40
–65
T
T
T
T
相同规格ADS774JE , JP , JU 。
注: ( 1 )用固定的50Ω的电阻从REF OUT至REF IN 。这个参数也可调节到零在+ 25 ℃。 (2) FS在本说明书表装置满刻度
范围内。也就是说,对于一个
±10V
输入范围, FS是指20V ;对于0 + 10V范围内, FS是指10V 。在T ( 3 )最大的错误
和T
最大
。 ( 4 )根据使用V
EE
=
+ 5V ,这是控制模式。请参见"S / H控制模式和ADC774仿真Mode." ( 5 )使用内部参考。 ( 6 )这是最坏的情况变化
在准确的精度与+ 5V电源。 ( 7 )V
EE
是可选的,并且仅用于设置模式为内部采样/保持。当V
EE
= -15V ,我
EE
= -1mA
(典型值) ;当V
EE
= 0V时,我
EE
=
±5A
(典型值) ;当V
EE
= + 5V ,我
EE
= + 167μA (典型值) 。
本文提供的信息被认为是可靠的;但是, BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN承担
对于使用这些信息,所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
3
ADS774
绝对最大额定值
V
EE
数码通用............................................... ........ + V
DD
到-16.5V
V
DD
数码通用............................................... ............... 0V至+ 7V
模拟常见的数码常见............................................. .......
±1V
控制输入( CE , CS ,A
O
, 12/8 ,R / C )
数码通用............................................... ...... -0.5V到V
DD
+0.5V
模拟量输入(参考文献中,双极偏移, 10V
IN
)
以模拟共............................................... .......................
±16.5V
20V
IN
以模拟共............................................... ...................
±24V
REF OUT ................................................ ..........短不定常见,
瞬间短路到V
DD
最高结温............................................... ............. + 165℃
功耗................................................ ........................ 1000MW
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ...... + 300℃
热阻,
θ
JA
:塑料DIP封装........................................ 100 ° C / W
SOIC ................................................. .. 100 ° C / W
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序,会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤,因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
封装/订购信息
产品
ADS774JE
ADS774KE
ADS774JP
ADS774KP
ADS774JU
ADS774KU
SINAD
(1)
68dB
70dB
68dB
70dB
68dB
70dB
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
线性
错误
±1LSB
±1/2LSB
±1LSB
±1/2LSB
±1LSB
±1/2LSB
28引脚0.3"塑料DIP
28引脚0.3"塑料DIP
28 -PIN 0.6"塑料DIP
28 -PIN 0.6"塑料DIP
28引脚SOIC
28引脚SOIC
封装图
(2)
246
246
215
215
217
217
注: ( 1 ) SINAD是信纳比(噪声+失真),以dB表示。 ( 2 )有关详细的图纸和维表,请参见数据资料的最后,还是Burr-的附录C
布朗IC数据手册。
接线图
+ 5VDC电源
(V
DD
)
12/8
CS
A
O
的R / C
CE
NC *
2.5V REF
OUT
类似物
常见
2.5V REF
In
V
EE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
控制
逻辑
上电复位
28
27
一个半字节
状态
DB11 (MSB)
DB10
DB9
DB8
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0 ( LSB )
数字
常见
26
25
24
23
Succesive逼近寄存器
时钟
三态缓冲器和控制
四位B
四位
22
21
20
19
18
17
16
15
2.5V
参考
12位
12
双极性12
OFFSET
10V范围13
20V范围
14
华助会
+
*没有内部连接
ADS774
4
典型性能曲线
在T
A
= + 25 ° C,V
DD
= V
EE
= + 5V ;双极
±10V
输入范围; 110kHz的采样频率;除非另有规定。所有地块使用4096点的FFT 。
频率段( ± 10V , 2kHz的输入)
0
–20
SIGNAL / (噪声+失真) VS
输入频率和环境温度
75
信号/ (噪音+失真)( dB)的
的S /( N + D ) = 72.6分贝
THD = -93.5dB
SNR = 72.6分贝
量(dB )
–40
–60
–80
–100
–120
0
10
20
30
40
50
55
输入频率(千赫)
–55°C
70
+25°C
+125°C
65
0.1
1
10
100
输入频率(千赫)
频率段( ± 10V , 20kHz的输入)
0
–20
量(dB )
频率段( ± 1V , 20kHz的输入)
0
的S /( N + D ) = 53.1分贝
THD = -74.2dB
SNR = 53.1分贝
的S /( N + D ) = 70.6分贝
THD = -77.5dB
SNR = 71.5分贝
量(dB )
–20
–40
–60
–80
–100
–120
–40
–60
–80
–100
–120
0
10
20
30
40
50
55
输入频率(千赫)
0
10
20
30
40
50
55
输入频率(千赫)
无杂散动态范围,信噪比,总谐波失真(分贝)
无杂散动态范围,信噪比,总谐波失真
与输入频率
无杂散动态范围
电源抑制比(V / V以dB为单位)
电源抑制
与电源纹波频率
80
100
90
总谐波失真( THD )
80
信号 - 噪声比( SNR)的
70
60
40
20
60
0.1
1
10
100
输入频率(千赫)
10
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
供给脉动频率(Hz)
5
ADS774
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADS774KU
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
ADS774KU
BURR-BROWN
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4000
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100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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电话:0755- 82556029/82532511
联系人:高小姐/李先生
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
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BB
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SOP
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电话:0755-83240490 82781578 83997461 82568894
联系人:李
地址:福田区中航路都会B座26楼26U室
ADS774KU
TI
2021+
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NA
主营TI,ST,欢迎来电洽谈
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
ADS774KU
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联系人:何小姐
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联系人:陈小姐 付先生
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BB
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电话:0755-83223957 83247340
联系人:李先生/吴小姐/ 朱先生
地址:深圳市福田区航都大厦17F1 可提供13%增值税发票
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联系人:甘先生
地址:深圳市龙岗区布澜路76号东久创新科技园7栋A1306室/香港九龙观塘成业街19-21号成业工业大厦8/F14室
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电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
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