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ADS62P25 ， ADS62P24
ADS62P23 ， ADS62P22
SLAS576A - 2007年10月 - 修订2008年2月
双通道， 12位， 125/105/80/65 MSPS的DDR LVDS / CMOS输出的ADC
1
特点
最大采样速率： 125 MSPS
12位分辨率，无失码
95分贝串扰
并行CMOS和DDR LVDS输出选项
3.5分贝粗增益和可编程精
获得高达6分贝SNR / SFDR与贸易关
数字处理模块
有：
- 偏移校正
- 精细增益校正，以0.05 dB的步
- 通过抽取2/4/8
- 内置和自定义可编程的24 -点击
低/高/带通滤波器
支持正弦波， LVPECL ，LVDS和LVCMOS
时钟和幅度为400 mV
PP
时钟占空比稳定器
内部参考;支持外接
同时参考
64 - QFN封装（9毫米
×
9mm)
引脚兼容的14位家庭（ ADS62P4X ）
雷达系统
描述
ADS62P2X是一个双通道12位A / D转换器
家庭的最大采样速率高达125 MSPS 。
它结合了高性能和低功耗
在一个紧凑的QFN 64封装的消耗。运用
内部采样和保持，低抖动时钟
缓冲区， ADC支持高信噪比和高SFDR在
高输入频率。它有粗，细增益
这可以用来提高SFDR选项
表现在较低的满量程输入范围。
ADS62P2X包括数字处理块那
包括一些有用的和常用的数字
功能，如ADC偏移校正，增益精
校正（步骤0.05 dB为单位） ，抽取由2,4,8
和内置和定制的可编程滤波器。通过
缺省情况下，数字处理块被旁路，并
它的功能将被禁用。
两个输出接口选项存在 - 并行CMOS
和DDR LVDS （双数据速率） 。 ADS62P2X
包括传统的同时，内部参考
参考引脚和相关的去耦电容
已被淘汰。然而，该设备可以
也可以驱动与外部参考。该装置
工作在工业级温度范围
（ -40 ° C至85°C ） 。
应用
无线通信基础设施
软件定义无线电
电源放大器线性化器
802.16d/e
测试和测量仪器
高德网络nition视频
医学影像
ADS62P2X业绩摘要
ADS62P25
SFDR ， dBc的
SINAD ， dBFS的
F
in
= 10兆赫（0 dB增益）
F
in
= 190兆赫（3.5 dB增益）
F
in
= 10兆赫（0 dB增益）
F
in
= 190兆赫（3.5 dB增益）
88
84
71
69.5
799
ADS62P24
92
86
71.3
69.5
710
ADS62P23
93
87
71.5
69.7
594
ADS62P22
94
85
71.5
69.2
515
模拟电源，MW
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
DRVDD
数字处理
块
通道A
INA_P
INA_M
SHA
12位ADC
数字
编码器
产量
缓冲器
12位
12位
通道A
AGND
AVDD
DRGND
DA0
DA1
DA2
DA3
DA4
DA5
DA6
DA7
DA8
DA9
DA10
DA11
CLKP
CLKM
CLOCKGEN
输出时钟
卜FF器
CLKOUT
INB_P
INB_M
SHA
12位ADC
数字
编码器
12位
12位
产量
缓冲器
通道B
数字处理
块
通道B
VCM
参考
控制界面
CMOS接口
DB0
DB1
DB2
DB3
DB4
DB5
DB6
DB7
DB8
DB9
DB10
DB11
RESET
SCLK
SEN
SDAATA
CTRL1
CTRL2
CTRL3
B0286-02
ADS62PXX家庭
125 MSPS
ADS62P4X
14位
ADS62P2X
12位
ADS62P45
ADS62P25
105 MSPS
ADS62P44
ADS62P24
80 MSPS
ADS62P43
ADS62P23
65 MSPS
ADS62P42
ADS62P22
2
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封装/订购信息
(1)
产品
套餐 -
领导
QFN-64
(2)
QFN-64
(2)
QFN-64
(2)
QFN-64
(2)
包
代号
研资局
研资局
研资局
研资局
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
包
记号
AZ62P25
AZ62P24
AZ62P23
AZ62P22
订购
数
ADS62P25IRGCT
ADS62P25IRGCR
ADS62P24IRGCT
ADS62P24IRGCR
ADS62P23IRGCT
ADS62P23IRGCR
ADS62P22IRGCT
ADS62P22IRGCR
传输介质，
QUANTITY
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 2500
ADS62P25
ADS62P24
ADS62P23
ADS62P22
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
有关封装散热焊盘的大小，看机械图纸在此数据表的末尾。
θ
JA
= 23.17
° C / W
（0 LFM空气流） ，
θ
JC
= 22.1
° C / W
用2盎司的时候使用。铜走线和焊盘直接焊在JEDEC标准4层3
×
3 （ 7.62厘米
×
7.62厘米）印刷电路板。
绝对最大额定值
(1)
价值
V
I
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD
应用于VCM引脚（外部参考模式）电压
电压施加到模拟输入引脚， INP和INM
电压施加到模拟输入引脚， CLKP和CLKM
T
A
T
J
T
英镑
(1)
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
-0.3 3.9
-0.3 3.9
-0.3 0.3
-0.3 3.3
-0.3 2
-0.3为最小（ 3.6 ， AVDD + 0.3 ）
-0.3至（ AVDD + 0.3 ）
-40到85
125
-65到150
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
耗材
AVDD
模拟电源电压
(1)
喃
3.3
1.8 3.3
3.3
2
1.5 ± 0.1
最大
3.6
3.6
3.6
单位
V
V
V
V
pp
V
3
CMOS接口
LVDS接口
1.65
3
DRVDD输出缓冲器的电源电压
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
V
IC
输入共模电压
电压施加在VCM外部基准模式
时钟输入
ADS62P25
输入时钟采样率，女
S
ADS62P24
ADS62P23
ADS62P22
正弦波，交流耦合
输入时钟振幅差
(V
CLKP
– V
CLKM
)
输入时钟的占空比
数字输出
对于C
负载
≤
5 pF和DRVDD
≥
2.2 V
输出缓冲器驱动强度
(2)
1.45
1
1
1
1
0.4
1.5
1.55
125
105
80
65
V
MSPS
1.5
± 0.8
± 0.35
3.3
V
pp
LVPECL ，交流耦合
LVDS ，交流耦合
LVCMOS ，交流耦合
35%
50%
默认
实力
最大
实力
最大
实力
10
5
10
100
65%
对于C
负载
> 5 pF和DRVDD
≥
2.2 V
对于DRVDD < 2.2 V
CMOS接口，最大缓冲区
实力
C
负载
从每个最大外部负载电容
输出引脚DRGND
LVDS接口，无内部
终止
LVDS接口，与内部
终止
pF
R
负载
T
A
(1)
(2)
LVDS的输出对之间的差分负载电阻（外部）
工作自由空气的温度
-40
85
°C
为了便于迁移到下一代，更高的采样速率的设备（ > 125 MSPS ） ，使用1.8 V DRVDD电源。
SEE
输出缓冲力量可编程性
在应用部分
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电气特性
典型值是在25 ° C， AVDD = 3.3 V ， DRVDD = 1.8 V至3.3 V ，最大额定采样频率， 50 ％的时钟占空比
周期， -1 dBFS的差分模拟输入，内部基准模式，适用于CMOS和LVDS接口，除非另有
指出。
MIN和MAX值在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C ， AVDD = 3.3 V ， DRVDD = 3.3 V ，
除非另有说明。
参数
ADS62P25
F
S
= 125 MSPS
民
典型值
12
MA
X
ADS62P24
F
S
= 105 MSPS
最小值典型值
12
MA
X
ADS62P23
F
S
= 80 MSPS
民
典型值
12
MA
X
ADS62P22
F
S
= 65 MSPS
民
典型值
12
MA
X
单位
决议
模拟量输入
迪FF erential输入电压范围
差分输入电阻（ DC ）
SEE
图82
差分输入电容
SEE
图83
模拟输入带宽
模拟输入共模电流（每输入引脚
每个ADC的）
参考电压
VREFB
VREFT
V
CM
内部参考电压底部
内部基准电压最高
共模输出电压
V
CM
输出电流能力
DC精度
无失码
E
O
偏移误差
失调误差温度系数
-10
位
2
>1
7
450
1.3
2
>1
7
450
1.3
2
>1
7
450
1.3
2
>1
7
450
1.3
V
PP
M
pF
兆赫
μA / MSPS
1
2
1.5
4
1
2
1.5
4
1
2
1.5
4
1
2
1.5
4
V
V
V
mA
特定网络版
±2
0.05
10
-10
特定网络版
±2
0.05
10
-10
特定网络版
±2
0.05
10
-10
特定网络版
±2
0.05
10
mV
毫伏/°C的
有增益误差的两个来源 - 内部参考误差和信道增益误差
E
GREF
E
GCHAN
增益误差是由于内部参考不准确
独自一人， （ ΔV
REF
/2) %
单独通道增益误差
(1)
设备内的各种设备&跨渠道
通道增益误差温度系数
DNL
INL
微分非线性
积分非线性
-0.75
-2
-2
-1
±0.25
±0.3
0.005
±0.3
±0.6
2
2
1
-2
±0.2
5
2
1
-2
-1
±0.25
±0.3
0.005
-
0.75
2
-2
±0.3
±0.6
2
-
0.75
-2
2
1
-2
-1
±0.25
±0.3
0.005
±0.3
±0.6
2
2
1
％ FS
％ FS
Δ%/°C
最低位
最低位
-1 ±0.3
0.00
5
- ±0.3
0.75
-2 ±0.6
电源
I
AVDD
模拟电源电流
数字电源电流，
CMOS
接口
DRVDD = 1.8 V
F
IN
= 2 MHz的
(2)
没有外部负载
电容
10 pF的外部
负载电容
240
15
28
275
212
13
25
240
177
11.5
21
200
153
10
18
175
mA
mA
mA
I
DRVDD
I
DRVDD
P
AVDD
数字电源电流，
LVDS
接口
DRVDD = 3.3 V
100
外部端子
模拟功率耗散
数字化的功率耗散
CMOS接口
DRVDD = 1.8 V
(3)
全球掉电
没有外部负载
电容
10 pF的外部
负载电容
73
799
27
51
50
75
908
73
710
24
45
50
75
792
73
594
21
38
50
75
660
73
515
18
32
50
75
578
mA
mW
mW
mW
mW
P
DRVDD
(1)
(2)
(3)
这是通过设计和特性规定;它不是在生产测试。
在CMOS模式中， DRVDD当前鳞用的采样频率，在输出引脚上的负载电容，输入频率和电源
电压（见
图79
和
CMOS的功耗
在应用部分） 。
最大DRVDD电流取决于所述数字输出线的实际负载电容。注意，该最大
推荐的负载电容为10pF 。
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