ADS62P15
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SLAS572B - 2007年10月 - 修订2009年4月
双通道11位, 125 MSPS ADC,具有并行CMOS / DDR LVDS输出
1
特点
最大采样速率: 125 MSPS
11位分辨率,无失码
84 dBc的SFDR在翅片= 50 MHz的
67.1 dBFS的SNR在翅片= 50 MHz的
92分贝串扰
并行CMOS和DDR LVDS输出选项
3.5分贝粗增益和可编程精
获得高达6分贝SNR / SFDR与贸易关
数字处理模块
有:
- 偏移校正
- 精细增益校正,以0.05 dB的步
- 通过抽取2/4/8
- 内置和自定义可编程的24 -点击
低/高/带通滤波器
支持正弦波, LVPECL , LVDS & LVCMOS
钟&幅度为400 mV
PP
时钟占空比稳定器
内部参考;支持外接
同时参考
64 - QFN封装(9毫米× 9毫米)
引脚兼容的14位和12位家庭
(ADS62P4X/ADS62P2X)
应用
无线通信基础设施
软件定义无线电
电源放大器线性化器
802.16d/e
医学影像
雷达系统
测试和测量仪器
表1. ADS62PXX双通道系列
125 MSPS
ADS62P4X
( 14位)
ADS62P2X
( 12位)
( 11位)
ADS62P45
ADS62P25
ADS62P15
105 MSPS
ADS62P44
ADS62P24
-
80 MSPS
ADS62P43
ADS62P23
-
65 MSPS
ADS62P42
ADS62P22
-
描述
ADS62P15是一个双通道11位A / D转换器,最大采样速率高达125 MSPS 。它结合了高
高性能和低功耗的紧凑型QFN 64封装。使用内部采样保持和
低抖动时钟缓冲器,该ADC支持高信噪比和高SFDR在高输入频率。它有粗
可用于改善SFDR性能较低的满量程输入范围精细的增益选项。
ADS62P15包括由几个有用的和常用的数字的一个数字处理块
功能,如ADC偏移校正,精细增益校正(步骤0.05 dB为单位) ,抽取由2,4,8和
内置的和定制的可编程滤波器。默认情况下,数字处理块被旁路,并且它的功能
被禁用。
两个输出接口选项存在 - 并行CMOS和DDR LVDS (双数据速率) 。包括ADS62P15
而传统的参考引脚和相关的去耦电容内部引用已被淘汰。
然而,该装置也可被驱动与外部参考。该器件工作在工业
温度范围(-40 ° C至85°C ) 。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2007-2009 ,德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
功能框图
DRGND
DRVDD
数字处理
块
通道A
INA_P
SHA
INA_M
11位ADC
产量
缓冲器
11位
11位
通道A
DA0
DA1
DA2
DA3
DA4
DA5
DA6
DA7
DA8
DA9
DA10
数字
编码器
产量
时钟
卜FF器
CLKP
CLKM
AGND
AVDD
CLOCKGEN
CLKOUT
INB_P
SHA
INB_M
11位ADC
11位
数字
编码器
11位
产量
缓冲器
通道B
数字处理
块
通道B
VCM
参考
控制
接口
DB0
DB1
DB2
DB3
DB4
DB5
DB6
DB7
DB8
DB9
DB10
CMOS接口
2
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RESET
SCLK
SEN
SDATA
CTRL1
CTRL2
CTRL3
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从ADC
11bits
产量
限幅器
11bits
11bits
11bits
11位
要LVDS或CMOS
输出缓冲器
精细增益
( 0-6分贝, 0.5分贝
步骤)
收益
更正
( 0.05分贝步)
24TAP FILTER
- 低通
- 高通
- 带通
抽取
BY2/4/8
11bits
0
OFFSET
估计
块
FREEZE
OFFSET
更正
关闭
OFFSET
更正
滤波器
选择
绕行
滤波器
绕行
抽取
数字
处理模块
图1.数字处理框图
封装/订购信息
(1)
产品
套餐 -
领导
QFN-64
包
代号
研资局
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至85°C
铅/焊球
完
CU镍钯金
包
记号
AZ62P15
订购
(2)
数
ADS62P15RGCT
ADS62P15RGCR
运输
MEDIA ,
QUANTITY
250磁带/卷
2000磁带/卷
ADS62P15
(1)
(2)
有关封装散热焊盘的大小,看机械图纸在此数据表的末尾。
θ
JA
= 23.17 ℃/ W( 0 LFM气流)
θ
JC
=用2盎司使用时22.1 ° C / W 。铜迹线和垫。 PCB直接焊接到JEDEC标准四层3英寸×3 。
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
价值
电源电压范围,AVDD DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
V
SS
AVDD之间的电压DRVDD
电压施加到外部引脚, CM (外部参考模式)
电压施加到模拟输入引脚, INA_P , INA_M , INB_P , INB_M
适用于时钟输入引脚电压, CLKP , CLKM
T
A
T
J
T
英镑
(1)
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
0.3 V至3.9
0.3 V至3.9
-0.3 0.3
-0.3 3.3
-0.3 2
-0.3V到最低
( 3.6 , AVDD + 0.3 V )
0.3 V至AVDD + 0.3 V
-40到85
125
-65到150
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件,仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
耗材
模拟电源电压AVDD
V
SS
数字供电电压, DRVDD
CMOS接口
LVDS接口
3
1.65
3.0
3.3
1.8 3.3
3.3
2
1.5 ± 0.1
1.5 ±0.05
1
正弦波,交流耦合
输入时钟振幅差
(V
CLKP
–V
CLKM
)
输入时钟的占空比
数字输出
对于C
负载
≤
5 pF和DRVDD
≥
2.2 V
输出缓冲器驱动强度
(1)
对于C
负载
≥
5 pF和DRVDD
≥
2.2 V
对于DRVDD < 2.2 V
最大外部负载
每个输出引脚电容
至DRGND
CMOS接口
LVDS接口,无内部端接
LVDS接口, 100
内部端接
100
–40
85
默认
实力
最大
实力
最大
实力
5
5
10
°C
pF
LVPECL ,交流耦合
LVDS ,交流耦合
LVCMOS单端,交流耦合
35%
0.4
3
1.6
0.7
3.3
50%
65%
V
V
PP
125
3.6
3.6
3.6
V
V
喃
最大
单位
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
输入共模电压
电压施加在CM中的外部基准模式
时钟输入
Fs
输入时钟采样率
MSPS
V
PP
V
V
C
负载
R
负载
T
A
(1)
LVDS的输出对之间的差分负载电阻( LVDS模式)
工作自由空气的温度
见
输出缓冲力量可编程性
在应用部分
4
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电气特性
在25℃下, MIN和MAX值的典型值是在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C , AVDD =
3.3V , DRVDD = 1.8V至3.3V ,采样频率= 125 MSPS , 50 %时钟占空比, -1dBFS差分模拟输入,
内部基准模式,适用于CMOS和LVDS接口(除非另有说明) 。
参数
决议
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
差分输入电阻(在直流)
差分输入电容
模拟输入带宽
模拟输入共模电流(每输入引脚)
氯乙烯单体的共模电压输出
VCM输出电流能力
电源
模拟电源电流( AVDD )
I
SS
输出缓冲器的电源电流( DRVDD )
CMOS接口
总功率 - CMOS接口
总功率 - CMOS接口
总功率 - LVDS接口
全球掉电
DC精度
无失码
DNL
INL
E
O
微分非线性
积分非线性
偏移误差
失调误差温度系数
有增益误差的两个来源 - 内部参考误差和信道增益误差
E
GREF
E
GCHAN
增益误差是由于内部参考不准确
ALONE
单独通道增益误差
(2)
通道增益误差温度系数
(1)
(2)
-1
-1
±0.25
±0.3
0.005
1
1
% FS
% FS
Δ%/°C
-0.8
-3.5
-10
特定网络版
±0.4
±1
±3
0.05
0.8
3.5
10
最低位
最低位
mV
毫伏/°C的
DRVDD = 3.3V , 50MHz的输入信号
10pF的负载电容
DRVDD = 3.3V
0.94
30
60
DRVDD = 1.8V , 2.5 MHz的输入信号
无负载电容
(1)
216
17
0.74
1.225
mA
W
W
W
mW
SEE
图33
SEE
图34
2
>1
7
450
125
1.5
4
V
PP
M
pF
兆赫
A
V
mA
测试条件
民
典型值
最大
11
单位
位
在CMOS模式下, DRVDD电流扩展的采样频率和输出引脚的负载电容(见
图30)。
这是通过设计和特性规定;它不是在生产测试。
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双通道11位, 125 MSPS ADC,具有并行CMOS / DDR LVDS输出
1
特点
最大采样速率: 125 MSPS
11位分辨率,无失码
84 dBc的SFDR在翅片= 50 MHz的
67.1 dBFS的SNR在翅片= 50 MHz的
92分贝串扰
并行CMOS和DDR LVDS输出选项
3.5分贝粗增益和可编程精
获得高达6分贝SNR / SFDR与贸易关
数字处理模块
有:
- 偏移校正
- 精细增益校正,以0.05 dB的步
- 通过抽取2/4/8
- 内置和自定义可编程的24 -点击
低/高/带通滤波器
支持正弦波, LVPECL , LVDS & LVCMOS
钟&幅度为400 mV
PP
时钟占空比稳定器
内部参考;支持外接
同时参考
64 - QFN封装(9毫米× 9毫米)
引脚兼容的14位和12位家庭
(ADS62P4X/ADS62P2X)
应用
无线通信基础设施
软件定义无线电
电源放大器线性化器
802.16d/e
医学影像
雷达系统
测试和测量仪器
表1. ADS62PXX双通道系列
125 MSPS
ADS62P4X
( 14位)
ADS62P2X
( 12位)
( 11位)
ADS62P45
ADS62P25
ADS62P15
105 MSPS
ADS62P44
ADS62P24
-
80 MSPS
ADS62P43
ADS62P23
-
65 MSPS
ADS62P42
ADS62P22
-
描述
ADS62P15是一个双通道11位A / D转换器,最大采样速率高达125 MSPS 。它结合了高
高性能和低功耗的紧凑型QFN 64封装。使用内部采样保持和
低抖动时钟缓冲器,该ADC支持高信噪比和高SFDR在高输入频率。它有粗
可用于改善SFDR性能较低的满量程输入范围精细的增益选项。
ADS62P15包括由几个有用的和常用的数字的一个数字处理块
功能,如ADC偏移校正,精细增益校正(步骤0.05 dB为单位) ,抽取由2,4,8和
内置的和定制的可编程滤波器。默认情况下,数字处理块被旁路,并且它的功能
被禁用。
两个输出接口选项存在 - 并行CMOS和DDR LVDS (双数据速率) 。包括ADS62P15
而传统的参考引脚和相关的去耦电容内部引用已被淘汰。
然而,该装置也可被驱动与外部参考。该器件工作在工业
温度范围(-40 ° C至85°C ) 。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
功能框图
DRGND
DRVDD
数字处理
块
通道A
INA_P
SHA
INA_M
11位ADC
产量
缓冲器
11位
11位
通道A
DA0
DA1
DA2
DA3
DA4
DA5
DA6
DA7
DA8
DA9
DA10
数字
编码器
产量
时钟
卜FF器
CLKP
CLKM
AGND
AVDD
CLOCKGEN
CLKOUT
INB_P
SHA
INB_M
11位ADC
11位
数字
编码器
11位
产量
缓冲器
通道B
数字处理
块
通道B
VCM
参考
控制
接口
DB0
DB1
DB2
DB3
DB4
DB5
DB6
DB7
DB8
DB9
DB10
CMOS接口
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从ADC
11bits
产量
限幅器
11bits
11bits
11bits
11位
要LVDS或CMOS
输出缓冲器
精细增益
( 0-6分贝, 0.5分贝
步骤)
收益
更正
( 0.05分贝步)
24TAP FILTER
- 低通
- 高通
- 带通
抽取
BY2/4/8
11bits
0
OFFSET
估计
块
FREEZE
OFFSET
更正
关闭
OFFSET
更正
滤波器
选择
绕行
滤波器
绕行
抽取
数字
处理模块
图1.数字处理框图
封装/订购信息
(1)
产品
套餐 -
领导
QFN-64
包
代号
研资局
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至85°C
铅/焊球
完
CU镍钯金
包
记号
AZ62P15
订购
(2)
数
ADS62P15RGCT
ADS62P15RGCR
运输
MEDIA ,
QUANTITY
250磁带/卷
2000磁带/卷
ADS62P15
(1)
(2)
有关封装散热焊盘的大小,看机械图纸在此数据表的末尾。
θ
JA
= 23.17 ℃/ W( 0 LFM气流)
θ
JC
=用2盎司使用时22.1 ° C / W 。铜迹线和垫。 PCB直接焊接到JEDEC标准四层3英寸×3 。
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
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绝对最大额定值
(1)
价值
电源电压范围,AVDD DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
V
SS
AVDD之间的电压DRVDD
电压施加到外部引脚, CM (外部参考模式)
电压施加到模拟输入引脚, INA_P , INA_M , INB_P , INB_M
适用于时钟输入引脚电压, CLKP , CLKM
T
A
T
J
T
英镑
(1)
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
0.3 V至3.9
0.3 V至3.9
-0.3 0.3
-0.3 3.3
-0.3 2
-0.3V到最低
( 3.6 , AVDD + 0.3 V )
0.3 V至AVDD + 0.3 V
-40到85
125
-65到150
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件,仅及功能操作
推荐工作
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是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
耗材
模拟电源电压AVDD
V
SS
数字供电电压, DRVDD
CMOS接口
LVDS接口
3
1.65
3.0
3.3
1.8 3.3
3.3
2
1.5 ± 0.1
1.5 ±0.05
1
正弦波,交流耦合
输入时钟振幅差
(V
CLKP
–V
CLKM
)
输入时钟的占空比
数字输出
对于C
负载
≤
5 pF和DRVDD
≥
2.2 V
输出缓冲器驱动强度
(1)
对于C
负载
≥
5 pF和DRVDD
≥
2.2 V
对于DRVDD < 2.2 V
最大外部负载
每个输出引脚电容
至DRGND
CMOS接口
LVDS接口,无内部端接
LVDS接口, 100
内部端接
100
–40
85
默认
实力
最大
实力
最大
实力
5
5
10
°C
pF
LVPECL ,交流耦合
LVDS ,交流耦合
LVCMOS单端,交流耦合
35%
0.4
3
1.6
0.7
3.3
50%
65%
V
V
PP
125
3.6
3.6
3.6
V
V
喃
最大
单位
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
输入共模电压
电压施加在CM中的外部基准模式
时钟输入
Fs
输入时钟采样率
MSPS
V
PP
V
V
C
负载
R
负载
T
A
(1)
LVDS的输出对之间的差分负载电阻( LVDS模式)
工作自由空气的温度
见
输出缓冲力量可编程性
在应用部分
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电气特性
在25℃下, MIN和MAX值的典型值是在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C , AVDD =
3.3V , DRVDD = 1.8V至3.3V ,采样频率= 125 MSPS , 50 %时钟占空比, -1dBFS差分模拟输入,
内部基准模式,适用于CMOS和LVDS接口(除非另有说明) 。
参数
决议
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
差分输入电阻(在直流)
差分输入电容
模拟输入带宽
模拟输入共模电流(每输入引脚)
氯乙烯单体的共模电压输出
VCM输出电流能力
电源
模拟电源电流( AVDD )
I
SS
输出缓冲器的电源电流( DRVDD )
CMOS接口
总功率 - CMOS接口
总功率 - CMOS接口
总功率 - LVDS接口
全球掉电
DC精度
无失码
DNL
INL
E
O
微分非线性
积分非线性
偏移误差
失调误差温度系数
有增益误差的两个来源 - 内部参考误差和信道增益误差
E
GREF
E
GCHAN
增益误差是由于内部参考不准确
ALONE
单独通道增益误差
(2)
通道增益误差温度系数
(1)
(2)
-1
-1
±0.25
±0.3
0.005
1
1
% FS
% FS
Δ%/°C
-0.8
-3.5
-10
特定网络版
±0.4
±1
±3
0.05
0.8
3.5
10
最低位
最低位
mV
毫伏/°C的
DRVDD = 3.3V , 50MHz的输入信号
10pF的负载电容
DRVDD = 3.3V
0.94
30
60
DRVDD = 1.8V , 2.5 MHz的输入信号
无负载电容
(1)
216
17
0.74
1.225
mA
W
W
W
mW
SEE
图33
SEE
图34
2
>1
7
450
125
1.5
4
V
PP
M
pF
兆赫
A
V
mA
测试条件
民
典型值
最大
11
单位
位
在CMOS模式下, DRVDD电流扩展的采样频率和输出引脚的负载电容(见
图30)。
这是通过设计和特性规定;它不是在生产测试。
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ADS62P15
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ADS62P15
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双通道11位, 125 MSPS ADC,具有并行CMOS / DDR LVDS输出
1
特点
最大采样速率: 125 MSPS
11位分辨率,无失码
84 dBc的SFDR在翅片= 50 MHz的
67.1 dBFS的SNR在翅片= 50 MHz的
92分贝串扰
并行CMOS和DDR LVDS输出选项
3.5分贝粗增益和可编程精
获得高达6分贝SNR / SFDR与贸易关
数字处理模块
有:
- 偏移校正
- 精细增益校正,以0.05 dB的步
- 通过抽取2/4/8
- 内置和自定义可编程的24 -点击
低/高/带通滤波器
支持正弦波, LVPECL , LVDS & LVCMOS
钟&幅度为400 mV
PP
时钟占空比稳定器
内部参考;支持外接
同时参考
64 - QFN封装(9毫米
×
9mm)
引脚兼容的14位和12位家庭
(ADS62P4X/ADS62P2X)
应用
无线通信基础设施
软件定义无线电
电源放大器线性化器
802.16d/e
医学影像
雷达系统
测试和测量仪器
表1. ADS62PXX双通道系列
125 MSPS
ADS62P4X
( 14位)
ADS62P2X
( 12位)
( 11位)
ADS62P45
ADS62P25
ADS62P15
105 MSPS
ADS62P44
ADS62P24
-
80 MSPS
ADS62P43
ADS62P23
-
65 MSPS
ADS62P42
ADS62P22
-
描述
ADS62P15是一个双通道11位A / D转换器,最大采样速率高达125 MSPS 。它结合了高
高性能和低功耗的紧凑型QFN 64封装。使用内部采样保持和
低抖动时钟缓冲器,该ADC支持高信噪比和高SFDR在高输入频率。它有粗
可用于改善SFDR性能较低的满量程输入范围精细的增益选项。
ADS62P15包括由几个有用的和常用的数字的一个数字处理块
功能,如ADC偏移校正,精细增益校正(步骤0.05 dB为单位) ,抽取由2,4,8和
内置的和定制的可编程滤波器。默认情况下,数字处理块被旁路,并且它的功能
被禁用。
两个输出接口选项存在 - 并行CMOS和DDR LVDS (双数据速率) 。包括ADS62P15
而传统的参考引脚和相关的去耦电容内部引用已被淘汰。
然而,该装置也可被驱动与外部参考。该器件工作在工业
温度范围(-40 ° C至85°C ) 。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
功能框图
DRGND
DRVDD
数字处理
块
通道A
INA_P
SHA
INA_M
11位ADC
产量
缓冲器
11位
11位
通道A
DA0
DA1
DA2
DA3
DA4
DA5
DA6
DA7
DA8
DA9
DA10
数字
编码器
产量
时钟
卜FF器
CLKP
CLKM
AGND
AVDD
CLOCKGEN
CLKOUT
INB_P
SHA
INB_M
11位ADC
11位
数字
编码器
11位
产量
缓冲器
通道B
数字处理
块
通道B
VCM
参考
控制
接口
DB0
DB1
DB2
DB3
DB4
DB5
DB6
DB7
DB8
DB9
DB10
CMOS接口
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RESET
SCLK
SEN
SDATA
CTRL1
CTRL2
CTRL3
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从ADC
11bits
产量
限幅器
11bits
11bits
11bits
11位
要LVDS或CMOS
输出缓冲器
精细增益
( 0-6分贝, 0.5分贝
步骤)
收益
更正
( 0.05分贝步)
24TAP FILTER
- 低通
- 高通
- 带通
抽取
BY2/4/8
11bits
0
OFFSET
估计
块
FREEZE
OFFSET
更正
关闭
OFFSET
更正
滤波器
选择
绕行
滤波器
绕行
抽取
数字
处理模块
图1.数字处理框图
封装/订购信息
(1)
产品
套餐 -
领导
QFN-64
包
代号
研资局
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至85°C
铅/焊球
完
CU镍钯金
包
记号
AZ62P15
订购
(2)
数
ADS62P15RGCT
ADS62P15RGCR
运输
MEDIA ,
QUANTITY
250磁带/卷
2000磁带/卷
ADS62P15
(1)
(2)
有关封装散热焊盘的大小,看机械图纸在此数据表的末尾。
θ
JA
= 23.17
° C / W
( 0 LFM气流)
θ
JC
= 22.1
° C / W
用2盎司的时候使用。铜迹线和垫。 PCB直接焊接到JEDEC标准四层3英寸×3 。
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
价值
电源电压范围,AVDD DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
V
SS
AVDD之间的电压DRVDD
电压施加到外部引脚, CM (外部参考模式)
电压施加到模拟输入引脚, INA_P , INA_M , INB_P , INB_M
适用于时钟输入引脚电压, CLKP , CLKM
T
A
T
J
T
英镑
(1)
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
0.3 V至3.9
0.3 V至3.9
-0.3 0.3
-0.3 3.3
-0.3 2
-0.3V到最低
( 3.6 , AVDD + 0.3 V )
0.3 V至AVDD + 0.3 V
-40到85
125
-65到150
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件,仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
耗材
模拟电源电压AVDD
V
SS
数字供电电压, DRVDD
CMOS接口
LVDS接口
3
1.65
3.0
3.3
1.8 3.3
3.3
2
1.5 ± 0.1
1.5 ±0.05
1
正弦波,交流耦合
输入时钟振幅差
(V
CLKP
–V
CLKM
)
输入时钟的占空比
数字输出
对于C
负载
≤
5 pF和DRVDD
≥
2.2 V
输出缓冲器驱动强度
(1)
对于C
负载
≥
5 pF和DRVDD
≥
2.2 V
对于DRVDD < 2.2 V
最大外部负载
每个输出引脚电容
至DRGND
CMOS接口
LVDS接口,无内部端接
LVDS接口, 100
内部端接
100
–40
85
默认
实力
最大
实力
最大
实力
5
5
10
°C
pF
LVPECL ,交流耦合
LVDS ,交流耦合
LVCMOS单端,交流耦合
35%
0.4
3
1.6
0.7
3.3
50%
65%
V
V
PP
125
3.6
3.6
3.6
V
V
喃
最大
单位
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
输入共模电压
电压施加在CM中的外部基准模式
时钟输入
Fs
输入时钟采样率
MSPS
V
PP
V
V
C
负载
R
负载
T
A
(1)
LVDS的输出对之间的差分负载电阻( LVDS模式)
工作自由空气的温度
见
输出缓冲力量可编程性
在应用部分
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电气特性
在25℃下, MIN和MAX值的典型值是在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C , AVDD =
3.3V , DRVDD = 1.8V至3.3V ,采样频率= 125 MSPS , 50 %时钟占空比, -1dBFS差分模拟输入,
内部基准模式,适用于CMOS和LVDS接口(除非另有说明) 。
参数
决议
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
差分输入电阻(在直流)
差分输入电容
模拟输入带宽
模拟输入共模电流(每输入引脚)
氯乙烯单体的共模电压输出
VCM输出电流能力
电源
模拟电源电流( AVDD )
I
SS
输出缓冲器的电源电流( DRVDD )
CMOS接口
总功率 - CMOS接口
总功率 - CMOS接口
总功率 - LVDS接口
全球掉电
DC精度
无失码
DNL
INL
E
O
微分非线性
积分非线性
偏移误差
失调误差温度系数
有增益误差的两个来源 - 内部参考误差和信道增益误差
E
GREF
E
GCHAN
增益误差是由于内部参考不准确
ALONE
单独通道增益误差
(2)
通道增益误差温度系数
(1)
(2)
-1
-1
±0.25
±0.3
0.005
1
1
% FS
% FS
Δ%/°C
-0.8
-3.5
-10
Specifie
d
±0.4
±1
±3
0.05
0.8
3.5
10
最低位
最低位
mV
毫伏/°C的
DRVDD = 3.3V , 50MHz的输入信号
10pF的负载电容
DRVDD = 3.3V
0.94
30
60
DRVDD = 1.8V , 2.5 MHz的输入信号
无负载电容
(1)
216
17
0.74
1.225
mA
W
W
W
mW
SEE
图31
SEE
图32
2
>1
7
450
125
1.5
4
V
PP
M
pF
兆赫
A
V
mA
测试条件
民
典型值
最大
11
单位
位
在CMOS模式下, DRVDD电流扩展的采样频率和输出引脚的负载电容(见
图28)。
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