ADS62C17

www.ti.com

.............................................................................................................................................................

SLAS631A - 2009年4月 - 修订2009年7月

双通道11位， 200 MSPS ADC，具有

SNRBoost

1

特点

最大采样速率： 200 MSPS

11位分辨率，无失码

90 dBc的SFDR在翅片= 10 MHz的

79.8 dBFS的SNR为125 MHz的IF ， 20 MHz带宽

采用TI专有的SNRBoost技术

在200 MSPS总功率1.1 W

90分贝串扰

双倍数据速率（ DDR） LVDS和并行

CMOS输出选项

可编程增益高达6分贝的SNR / SFDR

权衡

直流偏移校正

增益调节能力，精细的步骤（ 0.001

分贝）允许通道到通道增益匹配

支持输入时钟幅度低至400

mV的P-P差分

内部和外部参考支持

64 - QFN封装（ 9毫米× 9毫米）

描述

ADS62C17是一个双通道11位， 200 MSPS A / D转换器，它结合了高动态性能与低

功率消耗在一个紧凑的64 QFN封装。这使得它非常适合于多载波，宽带宽

通信应用。

ADS62C17采用TI专有的

SNRBoost

技术，它可用于克服信噪比限制因

量化噪声为带宽小于奈奎斯特（ Fs的/ 2）。它包括一些有用的和常用的数字

功能，如ADC偏移校正，增益（ 0 6 dB，步长为0.5 dB为单位）和增益调整（细步0.001

dB为单位） 。

可以使用增益选项，以提高SFDR性能，更低的满量程输入范围。使用增益

调谐能力，每个通道的增益可以独立地设置，以提高信道到信道增益匹配。

该装置还包括可以用于取消了ADC偏移的直流偏移校正环路。

两者的DDR LVDS （双数据速率）和并行CMOS数字输出接口可用。它包括

而传统的基准电压引脚和相关的去耦电容已经内部参考

消除了。然而，该装置也可被驱动与外部参考。

该器件可在工业温度范围（-40° C至85°C ） 。

1

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

版权所有 2009年，德州仪器

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

DRGND

DRVDD

AVDD

AGND

LVDS

接口

DA0P/M

数字

处理

块

DA2P/M

DA4P/M

DDR

串行器

INA_P

INA_M

样品

＆放大器;

HOLD

14位

ADC

SNRBoost

11位

通道A

DA6P/M

DA8P/M

DA10P/M

CLKP

CLKM

CLOCKGEN

产量

时钟

卜FF器

CLKOUTP / M

DB0P/M

数字

处理

块

DB2P/M

DB4P/M

DDR

串行器

INB_P

INB_M

样品

＆放大器;

HOLD

14位

ADC

SNRBoost

11位

通道B

DB6P/M

DB8P/M

DB10P/M

VCM

参考

控制

接口

SDOUT

RESET

SCLK

SEN

SDATA

CTRL1

CTRL2

CTRL3

ADS62C17

图1. ADS62C17框图

封装/订购信息

产品

套餐 -

领导

QFN-64

包

代号

研资局

特定网络版

温度范围

-40 ° C至85°C

包装标志

订购数量

ADS62C17IRGCR

ADS62C17IRGCT

运输

MEDIA ，

QUANTITY

磁带和卷轴

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热特性

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

参数

R

θJA

R

θJT

(1)

(2)

(3)

(2)

测试条件

焊接热垫，没有空气流动

焊接散热垫， 200 LFM

包的底部（散热片）

典型值

22

15

0.57

单位

° C / W

(3)

与JEDEC标准高K值董事会和5x5的阵列通过。请参阅应用信息的裸露焊盘。

R

θJA

是从结到环境的热阻。

R

θJT

是从结到热垫的热阻。

绝对最大额定值

(1)

价值

电源电压范围AVDD

电源电压范围DRVDD

AGND和DRGND之间的电压

AVDD之间的电压DRVDD时（ AVDD导致DRVDD ）

DRVDD之间的电压AVDD （当DRVDD导致AVDD ）

电压施加到外部引脚，氯乙烯单体（在外部refersnce模式）

适用于模拟输入引脚电压 - INP_A ， INM_A ， INP_B ， INM_B

施加到输入端子的电压 - CLKP ， CLKM

(2)

， RESET ， SCLK ， SDATA ， SEN ， CTRL1 ，

CTRL2 ， CTRL3

T

A

T

J

T

英镑

工作自由空气的温度范围内

工作结温范围

存储温度范围

ESD，人体模型

(1)

(2)

-0.3 3.9

-0.3 2.2

-0.3 0.3

0至3.3

-1.5 1.8

-0.3 2.0

-0.3V到最低

（ 3.6 ， AVDD + 0.3V ）

-0.3V到ADD + 0.3V

-40到85

125

-54至150

2

°C

°C

°C

kV

V

V

单位

V

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只有与设备，在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作

条件“是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

当AVDD被关断时，建议关掉输入时钟（或确保CLKP的电压， CLKM是< | 0.3V | ，这

防止ESD保护二极管在从接通时钟输入管脚。

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3

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推荐工作条件

(1)

民

耗材

AVDD

DRVDD

模拟电源电压

数字电源电压

迪FF erential输入电压范围

输入共模电压

电压施加在CM中的外部基准模式

最大模拟输入频率为2V PP输入幅度

最大模拟输入频率与场1V pp输入幅度

时钟输入

输入时钟采样率

输入时钟幅度差（V

CLKP

– V

CLKM

)

正弦波，交流耦合

LVPECL ，交流耦合

LVDS ，交流耦合

LVCMOS单端，交流耦合

输入时钟的占空比

数字输出

C

L

R

L

T

A

(1)

从每个输出引脚的最大外部负载电容来DRGND

在LVDS输出（ LVDS接口）之间的差异外部负载电阻

工作自由空气的温度

SEE

工作原理

在应用程序部分。

–40

5

100

85

pF

°C

40%

0.2

3.0

1.6

0.7

3.3

50%

60%

V

PP

V

PP

V

PP

V

1

200 MSPS

(1)

(1)

典型值

3.3

1.8

2

1.5 ± 0.1

1.5 ± 0.05

500

800

最大

3.8

1.9

单位

V

V

V

PP

V

V

兆赫

兆赫

3.15

1.7

模拟输入

4

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电气特性

(1)

典型值是在25℃下， AVDD = 3.3V， DRVDD = 1.8V ，采样频率= 200 MSPS ，50％的时钟占空比， -1dBFS

差分模拟输入，内部基准模式， LVDS和CMOS输出接口，除非另有说明。

MIN和MAX值在整个温度范围T

民

= -40°C至T

最大

= 85°C ， AVDD = 3.3V ， DRVDD = 1.8V

参数

决议

模拟输入

迪FF erential输入电压范围

差分输入电阻（在直流）

差分输入电容

模拟输入带宽

模拟输入共模电流（每通道）

氯乙烯单体的共模电压输出

VCM输出电流能力

电源

IAVDD

IDRVDD

IDRVDD

模拟电源电流

输出缓冲器的电源电流LVDS接口

输出缓冲器的电源电流的CMOS接口

模拟电源

数字电源LVDS接口

全球掉电

无失码

DC精度

DNL

INL

微分非线性

积分非线性

偏移误差

失调误差温度系数

与供应失调误差变化

有增益误差的两个来源 - 内部参考误差和信道增益误差

增益误差仅由于内部参考不准确

单独通道增益误差

(2)

测试条件

民

典型值

最大

11

单位

位

V

PP

M

pF

兆赫

μA / MSPS

V

mA

mA

mA

mA

2.0

SEE

图44

SEE

图45

>1

3.5

700

3.6

1.5

±4

262

100

外

终止

没有外部负载

电容

120

87

865

216

45

保证

在fIN = 170 MHz的

在fIN = 170 MHz的

-0.6

-2.5

-20

±0.2

±0.75

±2

0.02

0.5

-1

-1

差增益误差

两个信道之间

在同一设备内

差增益误差

两个信道之间

在两个设备

±0.2

+0.2

0.002

-2

2

1

1

0.6

2.5

20

1025

306

75

mW

mW

mW

最低位

最低位

mV

毫伏/ C

mV / V的

％ FS

％ FS

Δ%/°C

通道增益误差温度系数

增益匹配

(3)

％ FS

-4

4

(1)

(2)

(3)

在CMOS中的接口，所述DRVDD当前缩放的采样频率和输出引脚上的负载电容。

这是通过设计和特性规定;它不是在生产测试。

对于同一设备内的两个信道，只有信道增益误差的问题，作为基准是常见的两个通道。

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双通道11位， 200 MSPS ADC，具有

SNRBoost

1

特点

最大采样速率： 200 MSPS

11位分辨率，无失码

90 dBc的SFDR在翅片= 10 MHz的

79.8 dBFS的SNR为125 MHz的IF ， 20 MHz带宽

采用TI专有的SNRBoost技术

在200 MSPS总功率1.1 W

90分贝串扰

双倍数据速率（ DDR） LVDS和并行

CMOS输出选项

可编程增益高达6分贝的SNR / SFDR

权衡

直流偏移校正

增益调节能力，精细的步骤（ 0.001

分贝）允许通道到通道增益匹配

支持输入时钟幅度低至400

mV的P-P差分

内部和外部参考支持

64 - QFN封装（ 9毫米× 9毫米）

描述

ADS62C17是一个双通道11位， 200 MSPS A / D转换器，它结合了高动态性能与低

功率消耗在一个紧凑的64 QFN封装。这使得它非常适合于多载波，宽带宽

通信应用。

ADS62C17采用TI专有的

SNRBoost

技术，它可用于克服信噪比限制因

量化噪声为带宽小于奈奎斯特（ Fs的/ 2）。它包括一些有用的和常用的数字

功能，如ADC偏移校正，增益（ 0 6 dB，步长为0.5 dB为单位）和增益调整（细步0.001

dB为单位） 。

可以使用增益选项，以提高SFDR性能，更低的满量程输入范围。使用增益

调谐能力，每个通道的增益可以独立地设置，以提高信道到信道增益匹配。

该装置还包括可以用于取消了ADC偏移的直流偏移校正环路。

两者的DDR LVDS （双数据速率）和并行CMOS数字输出接口可用。它包括

而传统的基准电压引脚和相关的去耦电容已经内部参考

消除了。然而，该装置也可被驱动与外部参考。

该器件可在工业温度范围（-40° C至85°C ） 。

1

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

版权所有 2009年，德州仪器

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.............................................................................................................................................................

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

DRGND

DRVDD

AVDD

AGND

LVDS

接口

DA0P/M

数字

处理

块

DA2P/M

DA4P/M

DDR

串行器

INA_P

INA_M

样品

＆放大器;

HOLD

14位

ADC

SNRBoost

11位

通道A

DA6P/M

DA8P/M

DA10P/M

CLKP

CLKM

CLOCKGEN

产量

时钟

卜FF器

CLKOUTP / M

DB0P/M

数字

处理

块

DB2P/M

DB4P/M

DDR

串行器

INB_P

INB_M

样品

＆放大器;

HOLD

14位

ADC

SNRBoost

11位

通道B

DB6P/M

DB8P/M

DB10P/M

VCM

参考

控制

接口

SDOUT

RESET

SCLK

SEN

SDATA

CTRL1

CTRL2

CTRL3

ADS62C17

图1. ADS62C17框图

封装/订购信息

产品

套餐 -

领导

QFN-64

包

代号

研资局

特定网络版

温度范围

-40 ° C至85°C

包装标志

订购数量

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运输

MEDIA ，

QUANTITY

磁带和卷轴

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热特性

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

参数

R

θJA

R

θJT

(1)

(2)

(3)

(2)

测试条件

焊接热垫，没有空气流动

焊接散热垫， 200 LFM

包的底部（散热片）

典型值

22

15

0.57

单位

° C / W

(3)

与JEDEC标准高K值董事会和5x5的阵列通过。请参阅应用信息的裸露焊盘。

R

θJA

是从结到环境的热阻。

R

θJT

是从结到热垫的热阻。

绝对最大额定值

(1)

价值

电源电压范围AVDD

电源电压范围DRVDD

AGND和DRGND之间的电压

AVDD之间的电压DRVDD时（ AVDD导致DRVDD ）

DRVDD之间的电压AVDD （当DRVDD导致AVDD ）

电压施加到外部引脚，氯乙烯单体（在外部refersnce模式）

适用于模拟输入引脚电压 - INP_A ， INM_A ， INP_B ， INM_B

施加到输入端子的电压 - CLKP ， CLKM

(2)

， RESET ， SCLK ， SDATA ， SEN ， CTRL1 ，

CTRL2 ， CTRL3

T

A

T

J

T

英镑

工作自由空气的温度范围内

工作结温范围

存储温度范围

ESD，人体模型

(1)

(2)

-0.3 3.9

-0.3 2.2

-0.3 0.3

0至3.3

-1.5 1.8

-0.3 2.0

-0.3V到最低

（ 3.6 ， AVDD + 0.3V ）

-0.3V到ADD + 0.3V

-40到85

125

-54至150

2

°C

°C

°C

kV

V

V

单位

V

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只有与设备，在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作

条件“是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

当AVDD被关断时，建议关掉输入时钟（或确保CLKP的电压， CLKM是< | 0.3V | ，这

防止ESD保护二极管在从接通时钟输入管脚。

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推荐工作条件

(1)

民

耗材

AVDD

DRVDD

模拟电源电压

数字电源电压

迪FF erential输入电压范围

输入共模电压

电压施加在CM中的外部基准模式

最大模拟输入频率为2V PP输入幅度

最大模拟输入频率与场1V pp输入幅度

时钟输入

输入时钟采样率

输入时钟幅度差（V

CLKP

– V

CLKM

)

正弦波，交流耦合

LVPECL ，交流耦合

LVDS ，交流耦合

LVCMOS单端，交流耦合

输入时钟的占空比

数字输出

C

L

R

L

T

A

(1)

从每个输出引脚的最大外部负载电容来DRGND

在LVDS输出（ LVDS接口）之间的差异外部负载电阻

工作自由空气的温度

SEE

工作原理

在应用程序部分。

–40

5

100

85

pF

°C

40%

0.2

3.0

1.6

0.7

3.3

50%

60%

V

PP

V

PP

V

PP

V

1

200 MSPS

(1)

(1)

典型值

3.3

1.8

2

1.5 ± 0.1

1.5 ± 0.05

500

800

最大

3.8

1.9

单位

V

V

V

PP

V

V

兆赫

兆赫

3.15

1.7

模拟输入

4

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电气特性

(1)

典型值是在25℃下， AVDD = 3.3V， DRVDD = 1.8V ，采样频率= 200 MSPS ，50％的时钟占空比， -1dBFS

差分模拟输入，内部基准模式， LVDS和CMOS输出接口，除非另有说明。

MIN和MAX值在整个温度范围T

民

= -40°C至T

最大

= 85°C ， AVDD = 3.3V ， DRVDD = 1.8V

参数

决议

模拟输入

迪FF erential输入电压范围

差分输入电阻（在直流）

差分输入电容

模拟输入带宽

模拟输入共模电流（每通道）

氯乙烯单体的共模电压输出

VCM输出电流能力

电源

IAVDD

IDRVDD

IDRVDD

模拟电源电流

输出缓冲器的电源电流LVDS接口

输出缓冲器的电源电流的CMOS接口

模拟电源

数字电源LVDS接口

全球掉电

无失码

DC精度

DNL

INL

微分非线性

积分非线性

偏移误差

失调误差温度系数

与供应失调误差变化

有增益误差的两个来源 - 内部参考误差和信道增益误差

增益误差仅由于内部参考不准确

单独通道增益误差

(2)

测试条件

民

典型值

最大

11

单位

位

V

PP

M

pF

兆赫

μA / MSPS

V

mA

mA

mA

mA

2.0

SEE

图44

SEE

图45

>1

3.5

700

3.6

1.5

±4

262

100

外

终止

没有外部负载

电容

120

87

865

216

45

保证

在fIN = 170 MHz的

在fIN = 170 MHz的

-0.6

-2.5

-20

±0.2

±0.75

±2

0.02

0.5

-1

-1

差增益误差

两个信道之间

在同一设备内

差增益误差

两个信道之间

在两个设备

±0.2

+0.2

0.002

-2

2

1

1

0.6

2.5

20

1025

306

75

mW

mW

mW

最低位

最低位

mV

毫伏/ C

mV / V的

％ FS

％ FS

Δ%/°C

通道增益误差温度系数

增益匹配

(3)

％ FS

-4

4

(1)

(2)

(3)

在CMOS中的接口，所述DRVDD当前缩放的采样频率和输出引脚上的负载电容。

这是通过设计和特性规定;它不是在生产测试。

对于同一设备内的两个信道，只有信道增益误差的问题，作为基准是常见的两个通道。

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