ADS62C15

www.ti.com

........................................................................................................................................................

SLAS577B - 2008年1月 - 修订2008年5月

双通道11位， 125 MSPS ADC，具有并行CMOS / DDR LVDS输出

1

特点

最大采样速率： 125 MSPS

11位分辨率，无失码

82 dBc的SFDR在翅片= 117 MHz的

67 dBFS的SNR在翅片= 117 MHz的

77.5 dBFS的SNR在翅片= 117兆赫， 20MHz的

使用带宽

SNRBoost

技术

92分贝串扰

并行CMOS和DDR LVDS输出选项

3.5分贝粗增益和可编程精

获得高达6分贝SNR / SFDR与贸易关

数字处理模块

有：

- 偏移校正

- 精细增益校正，以0.05 dB的步

- 通过抽取2/4/8

- 内置和自定义可编程的24 -点击

低/高/带通滤波器

支持正弦波， LVPECL ， LVDS和LVCMOS

时钟和幅度为400 mV

PP

时钟占空比稳定器

内部参考;还支持外部

参考

64 - QFN封装（9毫米

×

9mm)

应用

无线通信基础设施

软件定义无线电

电源放大器线性化器

802.16d/e

医学影像

雷达系统

测试和测量仪器

描述

ADS62C15是一个双通道11位A / D转换器，最大采样速率高达125 MSPS 。它结合

高性能和低功耗的紧凑型QFN 64封装。使用内部采样保持

和低抖动时钟缓冲器，该ADC支持高信噪比和高SFDR在高输入频率。它有粗

并且可用于精细增益选项来提高SFDR性能，更低的满量程输入范围。

ADS62C15采用专有

SNRBoost

技术，它可用于克服信噪比限制因

量化噪声（对于带宽小于奈奎斯特， Fs的/ 2）。它包括一个由一个数字处理块

几个有用的和常用的数字功能，如ADC偏移校正，精细增益校正（步

0.05 dB为单位） ，抽取由2,4,8和内置和自定义可编程滤波器。默认情况下，数字处理

块被旁路，其功能将被禁用。

两个输出接口选项存在 - 并行CMOS和DDR LVDS （双数据速率） 。 ADS62C15包括：

而传统的参考引脚和相关的去耦电容内部引用已被淘汰。

该设备还可以驱动一个外部参考。该器件工作在工业温度

范围（-40 ° C至85°C ） 。

1

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

2008 ，德州仪器

ADS62C15

SLAS577B - 2008年1月 - 修订2008年5月

........................................................................................................................................................

www.ti.com

这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

功能框图

DRGND

DRVDD

AVDD

AGND

数字处理模块

通道A

INA_P

SHA

INA_M

14位

14位ADC

ADAC

SNRBoost

11位

产量

缓冲器

通道A

DA0

DA1

DA2

DA3

DA4

DA5

DA6

DA7

DA8

DA9

DA10

CLKP

CLKM

CLOCKGEN

产量

时钟

卜FF器

CLKOUT

INB_P

SHA

INB_M

11位

14位

14位ADC

ADAC

产量

缓冲器

通道B

SNRBoost

数字处理模块

通道B

DB0

DB1

DB2

DB3

DB4

DB5

DB6

DB7

DB8

DB9

DB10

VCM

参考

控制

接口

CMOS接口

SDOUT

RESET

SCLK

SEN

SDAATA

2

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产品文件夹链接（ S） ：

ADS62C15

CTRL1

CTRL2

CTRL3

2008 ，德州仪器

ADS62C15

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SLAS577B - 2008年1月 - 修订2008年5月

限幅器

14位

从ADC

产量

输出缓冲器

LVDS或CMOS

精细增益

（0为6dB

步进为0.5 dB ）

增益校正

（0.05 dB步进）

24抽头滤波器

- 低通

- 高通

- 带通

抽取

BY 2/4/8

11位

11位

过滤器选择

0

OFFSET

估计

块

禁止失调

更正

11位

SNRBoost

旁路过滤器

冻结失调

更正

OFFSET

更正

精细增益

收益

更正

数字处理模块

数字

FILTER & DECIMATION

图1.数字处理框图

封装/订购信息

(1)

产品

套餐 -

领导

包

代号

特定网络版

温度

范围

铅/焊球

完

包

记号

订购

(2)

数

ADS62C15IRGCT

ADS62C15

QFN-64

研资局

-40 ° C至85°C

CU镍钯金

AZ62C15

ADS62C15IRGCR

运输

MEDIA ，

QUANTITY

磁带和卷轴，

250

磁带和卷轴，

2000

(1)

(2)

有关封装散热焊盘的大小，看机械图纸在此数据表的末尾。

θ

JA

= 23.17

° C / W

（ 0 LFM气流）

θ

JC

= 22.1

° C / W

用2盎司的时候使用。铜迹线和垫。 PCB直接焊接到JEDEC标准四层3英寸×3 。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

绝对最大额定值

(1)

价值

电源电压范围，AVDD DRVDD

AGND和DRGND之间的电压

V

SS

AVDD之间的电压DRVDD

电压施加到外部引脚， CM （外部参考模式）

电压施加到模拟输入引脚， INA_P ， INA_M ， INB_P ， INB_M

适用于时钟输入引脚电压， CLKP ， CLKM

T

A

T

J

T

英镑

(1)

工作自由空气的温度范围内

工作结温范围

存储温度范围

0.3 V至3.9

0.3 V至3.9

-0.3 0.3

-0.3 3.3

-0.3 2

-0.3 V至最低

（ 3.6 ， AVDD + 0.3 V ）

0.3 V至AVDD + 0.3 V

-40到85

125

-65到150

单位

V

V

V

V

V

V

V

°C

°C

°C

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作

推荐工作

条件

是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。

2008 ，德州仪器

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3

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推荐工作条件

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

耗材

模拟电源电压AVDD

V

SS

数字供电电压， DRVDD

CMOS接口

LVDS接口

3

1.65

3.0

3.3

1.8 3.3

3.3

2

1.5 ± 0.1

1.5 ±0.05

1

正弦波，交流耦合

输入时钟振幅差

(V

CLKP

–V

CLKM

)

输入时钟的占空比

数字输出

对于C

负载

≤

5 pF和DRVDD

≥

2.2 V

输出缓冲器驱动强度

(1)

对于C

负载

≥

5 pF和DRVDD

≥

2.2 V

对于DRVDD < 2.2 V

最大外部负载

每个输出引脚电容

至DRGND

CMOS接口

LVDS接口，无内部端接

LVDS接口， 100

内部端接

100

–40

85

默认

实力

最大

实力

最大

实力

5

5

10

°C

pF

LVPECL ，交流耦合

LVDS ，交流耦合

LVCMOS单端，交流耦合

35%

0.4

3

1.6

0.7

3.3

50%

65%

V

V

PP

125

3.6

3.6

3.6

V

V

喃

最大

单位

模拟输入

迪FF erential输入电压范围

输入共模电压

电压施加在CM中的外部基准模式

时钟输入

Fs

输入时钟采样率

MSPS

V

PP

V

V

C

负载

R

负载

T

A

(1)

LVDS的输出对之间的差分负载电阻（ LVDS模式）

工作自由空气的温度

见

输出缓冲力量可编程性

在应用部分

4

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SLAS577B - 2008年1月 - 修订2008年5月

电气特性

在25℃下， MIN和MAX值的典型值是在整个温度范围T

民

= -40°C至T

最大

= 85°C ， AVDD = 3.3

V， DRVDD = 1.8 V至3.3 V ，采样频率= 125 MSPS ， 50 ％时钟占空比， -1 dBFS的差分模拟输入，

内部基准模式，

SNRBoost

禁用，适用于CMOS和LVDS接口（除非另有说明） 。

参数

决议

模拟输入

迪FF erential输入电压范围

差分输入电阻（在直流）

差分输入电容

模拟输入带宽

模拟输入共模电流（每

输入引脚）

氯乙烯单体的共模电压输出

VCM输出电流能力

电源

模拟电源电流（ AVDD ）

I

SS

输出缓冲器的电源电流（ DRVDD ）

CMOS接口

总功率 - CMOS接口

总功率 - CMOS接口

总功率 - LVDS接口

全球掉电

DC精度

无失码

DNL

INL

E

O

微分非线性

积分非线性

偏移误差

失调误差温度系数

有增益误差的两个来源 - 内部参考误差和信道增益误差

E

GREF

增益误差是由于内部参考

孤独不准确

信道增益误差温度

系数

(1)

(2)

–1

–1

±0.25

±0.3

0.005

1

1

％ FS

％ FS

Δ%/°C

–0.8

–3.5

–10

注明：

IED

±0.4

±1

±3

0.05

0.8

3.5

10

最低位

最低位

mV

毫伏/°C的

DRVDD = 3.3 V ， 50 MHz的输入信号

10 pF负载电容

DRVDD = 3.3 V

0.94

30

60

DRVDD = 1.8 V ， 2.5 MHz的输入信号

无负载电容

(1)

216

17

0.74

1.22

5

mA

W

W

W

mW

SEE

图32

SEE

图33

2

>1

7

450

125

1.5

4

V

PP

M

pF

兆赫

A

V

mA

测试条件

民

TYP MAX

11

单位

位

E

GCHAN

单独通道增益误差

(2)

在CMOS模式下， DRVDD电流扩展的采样频率和输出引脚的负载电容（见

图29） 。

这是通过设计和特性规定;它不是在生产测试。

2008 ，德州仪器

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5

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双通道11位， 125 MSPS ADC，具有并行CMOS / DDR LVDS输出

1

特点

最大采样速率： 125 MSPS

11位分辨率，无失码

82 dBc的SFDR在翅片= 117 MHz的

67 dBFS的SNR在翅片= 117 MHz的

77.5 dBFS的SNR在翅片= 117兆赫， 20MHz的

使用带宽

SNRBoost

技术

92分贝串扰

并行CMOS和DDR LVDS输出选项

3.5分贝粗增益和可编程精

获得高达6分贝SNR / SFDR与贸易关

数字处理模块

有：

- 偏移校正

- 精细增益校正，以0.05 dB的步

- 通过抽取2/4/8

- 内置和自定义可编程的24 -点击

低/高/带通滤波器

支持正弦波， LVPECL ， LVDS和LVCMOS

时钟和幅度为400 mV

PP

时钟占空比稳定器

内部参考;还支持外部

参考

64 - QFN封装（9毫米× 9毫米）

应用

无线通信基础设施

软件定义无线电

电源放大器线性化器

802.16d/e

医学影像

雷达系统

测试和测量仪器

描述

ADS62C15是一个双通道11位A / D转换器，最大采样速率高达125 MSPS 。它结合

高性能和低功耗的紧凑型QFN 64封装。使用内部采样保持

和低抖动时钟缓冲器，该ADC支持高信噪比和高SFDR在高输入频率。它有粗

并且可用于精细增益选项来提高SFDR性能，更低的满量程输入范围。

ADS62C15采用专有

SNRBoost

技术，它可用于克服信噪比限制因

量化噪声（对于带宽小于奈奎斯特， Fs的/ 2）。它包括一个由一个数字处理块

几个有用的和常用的数字功能，如ADC偏移校正，精细增益校正（步

0.05 dB为单位） ，抽取由2,4,8和内置和自定义可编程滤波器。默认情况下，数字处理

块被旁路，其功能将被禁用。

两个输出接口选项存在 - 并行CMOS和DDR LVDS （双数据速率） 。 ADS62C15包括：

而传统的参考引脚和相关的去耦电容内部引用已被淘汰。

该设备还可以驱动一个外部参考。该器件工作在工业温度

范围（-40 ° C至85°C ） 。

1

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

版权所有2008-2009 ，德州仪器

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SLAS577D - 2008年1月 - 修订JULY 2009.......................................................................................................................................................

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

功能框图

DRGND

DRVDD

AVDD

AGND

数字处理模块

通道A

INA_P

SHA

INA_M

14位

14位ADC

ADAC

SNRBoost

11位

产量

缓冲器

通道A

DA0

DA1

DA2

DA3

DA4

DA5

DA6

DA7

DA8

DA9

DA10

CLKP

CLKM

CLOCKGEN

产量

时钟

卜FF器

CLKOUT

INB_P

SHA

INB_M

11位

14位

14位ADC

ADAC

产量

缓冲器

通道B

SNRBoost

数字处理模块

通道B

DB0

DB1

DB2

DB3

DB4

DB5

DB6

DB7

DB8

DB9

DB10

VCM

参考

控制

接口

CMOS接口

SDOUT

RESET

SCLK

SEN

SDAATA

2

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CTRL1

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版权所有2008-2009 ，德州仪器

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SLAS577D - 2008年1月 - 修订2009年7月

限幅器

14位

从ADC

产量

输出缓冲器

LVDS或CMOS

精细增益

（0为6dB

步进为0.5 dB ）

增益校正

（0.05 dB步进）

24抽头滤波器

- 低通

- 高通

- 带通

抽取

BY 2/4/8

11位

11位

过滤器选择

0

OFFSET

估计

块

禁止失调

更正

11位

SNRBoost

旁路过滤器

冻结失调

更正

OFFSET

更正

精细增益

收益

更正

数字处理模块

数字

FILTER & DECIMATION

图1.数字处理框图

封装/订购信息

(1)

产品

套餐 -

领导

包

代号

特定网络版

温度

范围

铅/焊球

完

包

记号

订购

(2)

数

ADS62C15IRGCT

ADS62C15

QFN-64

研资局

-40 ° C至85°C

CU镍钯金

AZ62C15

ADS62C15IRGCR

运输

MEDIA ，

QUANTITY

磁带和卷轴，

250

磁带和卷轴，

2000

(1)

(2)

有关封装散热焊盘的大小，看机械图纸在此数据表的末尾。

θ

JA

= 23.17 ℃/ W（ 0 LFM气流）

θ

JC

=用2盎司使用时22.1 ° C / W 。铜迹线和垫。 PCB直接焊接到JEDEC标准四层3英寸×3 。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

绝对最大额定值

(1)

价值

电源电压范围，AVDD DRVDD

AGND和DRGND之间的电压

V

SS

AVDD之间的电压DRVDD

电压施加到外部引脚， CM （外部参考模式）

电压施加到模拟输入引脚， INA_P ， INA_M ， INB_P ， INB_M

适用于时钟输入引脚电压， CLKP ， CLKM

T

A

T

J

T

英镑

(1)

工作自由空气的温度范围内

工作结温范围

存储温度范围

0.3 V至3.9

0.3 V至3.9

-0.3 0.3

-0.3 3.3

-0.3 2

-0.3 V至最低

（ 3.6 ， AVDD + 0.3 V ）

0.3 V至AVDD + 0.3 V

-40到85

125

-65到150

单位

V

V

V

V

V

V

V

°C

°C

°C

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作

推荐工作

条件

是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。

版权所有2008-2009 ，德州仪器

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推荐工作条件

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

耗材

模拟电源电压AVDD

V

SS

数字供电电压， DRVDD

CMOS接口

LVDS接口

3

1.65

3.0

3.3

1.8 3.3

3.3

2

1.5 ± 0.1

1.5 ±0.05

1

正弦波，交流耦合

输入时钟振幅差

(V

CLKP

–V

CLKM

)

输入时钟的占空比

数字输出

对于C

负载

≤

5 pF和DRVDD

≥

2.2 V

输出缓冲器驱动强度

(1)

对于C

负载

≥

5 pF和DRVDD

≥

2.2 V

对于DRVDD < 2.2 V

最大外部负载

每个输出引脚电容

至DRGND

CMOS接口

LVDS接口，无内部端接

LVDS接口， 100

内部端接

100

–40

85

默认

实力

最大

实力

最大

实力

5

5

10

°C

pF

LVPECL ，交流耦合

LVDS ，交流耦合

LVCMOS单端，交流耦合

35%

0.4

3

1.6

0.7

3.3

50%

65%

V

V

PP

125

3.6

3.6

3.6

V

V

喃

最大

单位

模拟输入

迪FF erential输入电压范围

输入共模电压

电压施加在CM中的外部基准模式

时钟输入

Fs

输入时钟采样率

MSPS

V

PP

V

V

C

负载

R

负载

T

A

(1)

LVDS的输出对之间的差分负载电阻（ LVDS模式）

工作自由空气的温度

见

输出缓冲力量可编程性

在应用部分

4

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版权所有2008-2009 ，德州仪器

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SLAS577D - 2008年1月 - 修订2009年7月

电气特性

在25℃下， MIN和MAX值的典型值是在整个温度范围T

民

= -40°C至T

最大

= 85°C ， AVDD = 3.3

V， DRVDD = 1.8 V至3.3 V ，采样频率= 125 MSPS ， 50 ％时钟占空比， -1 dBFS的差分模拟输入，

内部基准模式，

SNRBoost

禁用，适用于CMOS和LVDS接口（除非另有说明） 。

参数

决议

模拟输入

迪FF erential输入电压范围

差分输入电阻（在直流）

差分输入电容

模拟输入带宽

模拟输入共模电流（每

输入引脚）

氯乙烯单体的共模电压输出

VCM输出电流能力

电源

模拟电源电流（ AVDD ）

I

SS

输出缓冲器的电源电流（ DRVDD ）

CMOS接口

总功率 - CMOS接口

总功率 - CMOS接口

总功率 - LVDS接口

全球掉电

DC精度

无失码

DNL

INL

E

O

微分非线性

积分非线性

偏移误差

失调误差温度系数

有增益误差的两个来源 - 内部参考误差和信道增益误差

E

GREF

增益误差是由于内部参考

孤独不准确

信道增益误差温度

系数

(1)

(2)

–1

–1

±0.25

±0.3

0.005

1

1

％ FS

％ FS

Δ%/°C

–0.8

–3.5

–10

注明：

IED

±0.4

±1

±3

0.05

0.8

3.5

10

最低位

最低位

mV

毫伏/°C的

DRVDD = 3.3 V ， 50 MHz的输入信号

10 pF负载电容

DRVDD = 3.3 V

0.94

30

60

DRVDD = 1.8 V ， 2.5 MHz的输入信号

无负载电容

(1)

216

17

0.74

1.22

5

mA

W

W

W

mW

SEE

图32

SEE

图33

2

>1

7

450

125

1.5

4

V

PP

M

pF

兆赫

A

V

mA

测试条件

民

TYP MAX

11

单位

位

E

GCHAN

单独通道增益误差

(2)

在CMOS模式下， DRVDD电流扩展的采样频率和输出引脚的负载电容（见

图29） 。

这是通过设计和特性规定;它不是在生产测试。

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