ADS58C28
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SBAS509B - 2010年6月 - 修订2010年10月
双通道IF接收器，具有SNRBoost
3G
检查样品：
ADS58C28
1
特点
最大采样率： 200MSPS
高动态性能：
- 83dBc SFDR为140MHz的
- 72.5dBFS SNR与60MHz的带宽使用
SNRBoost
3G
技术
SNRBoost
3G
亮点：
- 支持宽带（高达60MHz ）
- 可编程带宽：
为20MHz ， 30MHz的，和40MHz的
- 内带白噪声基准
- 独立SNRBoost
3G
系数
两个通道
输出接口：
- 双数据速率（ DDR ） LVDS与
可编程Swing和力量：
- 标准的Swing ： 350mV的
- 低摆幅： 200mV的
- 默认强度： 100Ω端接
- 2X强度： 50Ω端接
- 兼容GC6016
- 1.8V的CMOS并行接口还
支持
超低功耗与1.8V单电源供电：
- 470mW总功率
- 710mW总功率（ 200MSPS ）与
SNRBoost
3G
在两个通道
可编程增益高达6分贝的
SNR / SFDR权衡
直流偏移校正
支持低输入时钟幅度
包装： QFN - 64 （9毫米× 9毫米）
描述
该ADS58C28是一款双通道， 11位
模拟 - 数字转换器（ADC ）采样率
高达200MSPS 。该设备采用了创新的设计
技术，以实现高动态性能，
同时消耗极低的功耗在1.8V供电。
这种体系结构使得它非常适合于多载波，
宽的带宽的通信应用。
该ADS58C28采用第三代SNRBoost
3G
技术来克服的SNR限制，而导致
量化噪声（对于带宽小于奈奎斯特，
f
S
/ 2）。在SNRBoost增强
3G
技术
允许信噪比改进了广泛的支持
带宽（高达60MHz ） 。此外，分离
SNRBoost
3G
系数也可以被编程为
每个通道。
该装置具有一个数字增益函数，可以是
用于改善SFDR性能较低
满量程输入范围。它包括一个直流偏置
这可用于抵消了ADC校正环
抵消。所有通道的数字输出输出
为双倍数据速率（ DDR ）低电压差分
信号（LVDS ）和一个LVDS时钟输出。
此接口的低数据速率（ 400MBPS在
200MSPS采样率），使得有可能使用
廉价
现场可编程
门
ARRAY
（ FPGA）的接收器。 LVDS的实力
输出缓冲器可以增加支持50Ω
差分端接。这一增长使
输出时钟信号被连接到两个单独的
接收器芯片的有效50Ω终端（如
为GC5330的两个时钟端口）。相同
数字输出引脚也可被配置为并行
1.8V CMOS接口。
该装置包括当内部参考
传统的参考引脚和相关脱钩
电容器已被淘汰。该ADS58C28是
在整个工业温度范围
（ -40 ° C至+ 85°C ） 。
23
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
ADS58C28
套餐 -
领导
QFN-64
包
代号
研资局
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
环保计划
(2)
绿色环保（RoHS ，无
锑/溴）
铅/焊球
完
铜/镍钯金
包
记号
AZ58C28
ADS58C28IRGC
磁带和卷轴
订购
数
ADS58C28IRGC
传输介质
磁带和卷轴
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
生态规划是计划的环保分级。绿色环保（RoHS ，无锑/溴） ： TI定义
绿色
意味着无铅（符合RoHS标准）和
游离溴素（Br）和锑（ Sb）的基阻燃剂的。参阅
质量与无铅（无铅）数据
网站了解更多
信息。
该ADS58C28是引脚兼容上一代ADS62C17转换器;这种架构使
轻松迁移。但是，也有后代，总结在之间的重要差别
表1中。
表1.从ADS62C17迁移
ADS62C17
引脚
销22是NC（未连接）
引脚38和58 DRVDD
引脚39和59 DRGND
供应
AVDD为3.3V
DRVDD为1.8V
输入共模电压
CM是1.5V
串行接口
协议： 8位的寄存器地址和8位寄存器中的数据
并行配置
SCLK引脚控制内部和外部基准模式
外部参考
支持
不支持
SCLK引脚使低速模式
在协议中没有变化
新的串行寄存器映射
CM是0.95V
AVDD为1.8V
没有变化
引脚22为AVDD
引脚38和58是NC （不连接引脚）
引脚39和59 NC （不连接引脚）
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绝对最大额定值
(1)
ADS58C28
民
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD时（ AVDD导致DRVDD ）
DRVDD之间的电压AVDD （当DRVDD导致AVDD ）
INP ， INM
电压施加到输入引脚
CLKP ， CLKM
(2)
RESET ， SCLK ， SDATA ， SEN ，
CTRL1 ， CTRL2 ， CTRL3
工作的自由空气的温度范围内，T
A
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
ESD，人体模型（ HBM ）
(1)
(2)
–65
–0.3
–0.3
–0.3
–2.4
–2.4
–0.3
–0.3
–0.3
–40
最大
2.1
2.1
0.3
2.4
2.4
最低
（ 1.9 ， AVDD + 0.3 ）
AVDD + 0.3
+3.9
+85
+125
+150
2
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
当AVDD被关断时，建议关掉输入时钟（或确保CLKP的电压， CLKM小于| 0.3V | 。
这防止了静电保护二极管在从接通时钟输入管脚。
热信息
ADS58C28
热公制
q
JA
q
JCtop
q
JB
y
JT
y
JB
q
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
(1)
研资局
64针
23.9
10.9
4.3
0.1
4.4
0.6
单位
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
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推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
民
耗材
模拟电源电压AVDD
数字供电电压， DRVDD
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
输入共模电压
最大模拟输入频率为2V
PP
输入幅度
时钟输入
输入时钟采样率
(3)
复位后，低速模式默认情况下禁用
低速模式启用
正弦波，交流耦合
输入时钟振幅差
(V
CLKP
– V
CLKM
)
输入时钟的占空比
数字输出
每个输出引脚DRGND ， C最大外部负载电容
负载
LVDS的输出对之间的差的负载电阻（LVDS模式）中，R
负载
高性能模式
高性能模式
(4) (5)
(2)
喃
1.8
1.8
2
1.6
最大
1.9
1.9
单位
V
V
V
PP
V
PP
V
兆赫
兆赫
1.75
1.7
默认情况下， SNRBoost
3G
残
SNRBoost
3G
启用
VCM
(1)
± 0.05
400
600
> 80
1
0.2
1.5
1.6
0.7
1.8
35
40
50
50
10
100
65
60
200
80
最大模拟输入频率1V
PP
输入幅度
(2)
MSPS
V
PP
V
PP
V
PP
V
%
%
pF
Ω
LVPECL ，交流耦合
LVDS ，交流耦合
LVCMOS单端，交流耦合
复位后，低速模式默认情况下禁用
低速模式启用
设置此寄存器位获得对面注册地址= 03H最好的性能，
采样时钟和输入信号的频率
数据= 03H
设置这些寄存器位为高输入信号
频率（ > 200MHz的）
注册地址= 4Ah可，
数据= 01H
注册地址= 58H ，
数据= 01H
–40
+85
°C
高频模式
经营自由的空气温度，T
A
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
VCM ，通常0.95V ，是当输入时钟关闭的VCM引脚测得的电压。
见
工作原理
应用信息节
见说明在低速模式
串行接口配置
部分。
它建议使用这些模式，以获得最佳的性能。
见
串行接口配置
部分对寄存器编程的详细信息。
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电气特性
典型值为+ 25 ° C， AVDD = 1.8V ， DRVDD = 1.8V ，采样频率= 200MSPS ， 50 ％时钟占空比， -1dBFS
差分模拟输入和LVDS和CMOS接口，除非另有说明。
最低和最高值是在整个温度范围：T已
民
= -40°C至T
最大
= + 85°C ， AVDD = 1.8V ，并
DRVDD = 1.8V 。
参数
决议
决议
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
差分输入电阻
（在200MHz ，见
图55）
差分输入电容
（在200MHz ，见
图56）
模拟输入带宽
模拟输入共模电流
（每个信道的输入端子）
氯乙烯单体的共模电压输出
VCM输出电流能力
电源
IAVDD
IDRVDD
模拟电源电流
输出缓冲器的电源电流LVDS接口
模拟电源
数字电源LVDS接口
全球掉电
DC精度
DNL
INL
微分非线性
积分非线性
偏移误差
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 170MHz的
跨设备和指定
一个设备内的信道
跨设备和指定
一个设备内的信道
跨设备和指定
一个设备内的信道
–0.6
–1.5
–15
0.3
0.6
1.5
15
最低位
最低位
mV
350mV的LVDS摆幅与100Ω
外部复位结束后，
141
120
254
216
15
163
130
mA
mA
mW
mW
mW
2
0.75
3.7
550
1.5
0.95
4
V
PP
kΩ
pF
兆赫
μA / MSPS
V
mA
11
位
测试条件
民
典型值
最大
单位
有增益误差的两个来源：内部参考误差和信道增益误差
增益误差作为内部参考的结果
孤独不准确
单独通道增益误差
(1)
通道增益误差温度系数
(1)
通过设计和特性参数;在生产中测试。
–2
±0.1
0.002
2
±1
％ FS
％ FS
Δ%/°C
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5
QQ：2881677436 复制
