特定网络阳离子
（续）
电动
在T
A
= T
民
给T
最大
, V
DD
= +5V, V
EE
= -15V至+ 5V， 40kHz的取样频率，而f
IN
= 10kHz时，除非另有规定。
ADS574JE ，JP ， JU
参数
内部参考电压
电压
源电流可供外部载荷
电源要求
电压： V
EE (7)
V
DD
电流：I
EE (7)
(V
EE
= –15V)
I
DD
功率耗散（T
民
给T
最大
)
(V
EE
= 0V至+ 5V）
温度范围
规范
操作：
存储
民
典型值
最大
民
ADS574KE ， KP ， KU
典型值
最大
单位
+2.4
0.5
–16.5
+4.5
+2.5
+2.6
T
T
T
T
T
T
V
mA
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
V
DD
+5.5
–1
+13
65
+20
100
+70
+85
+150
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
0
–40
–65
T
T
T
T
相同规格ADS574JE ， JP ， JU 。
注： （ 1 ）用固定的50Ω的电阻从REF OUT至REF IN 。这个参数也可调节到零在+ 25 ℃。 （2） FS在本说明书表装置满刻度
范围内。也就是说，对于一个
±10V
输入范围， FS是指20V ;对于0 + 10V范围内， FS是指10V 。在T （ 3 ）最大的错误
民
和T
最大
。 （ 4 ）根据使用V
EE
=
+ 5V ，其在一个convert命令立即启动一次转换。采用V
EE
= 0V至-15V ，使ADS574 / ADS774模拟标准ADC574操作。
在此模式下，内部采样/保持获取接收到转换命令之后的输入信号，并且不假设输入电平已经稳定
前convert命令到达。 （ 5 ）使用内部参考。 （ 6 ）这是最坏的精度变化的情况下，从精度与+ 5V电源。 （ 7 ）V
EE
是可选的，
并且仅用于设置模式为内部采样/保持。当V
EE
= -15V ，我
EE
= -1mA （典型值） ;当V
EE
= 0V时，我
EE
=
±5A
（典型值） ;当V
EE
= + 5V ，我
EE
= +167A
典型值。
绝对最大额定值
V
EE
数码通用............................................... ........ + V
DD
到-16.5V
V
DD
数码通用............................................... ............... 0V至+ 7V
模拟常见的数码常见............................................. .......
±1V
控制输入（ CE ， CS ，A
O
， 12/8 ，R / C ）
数码通用............................................... ...... -0.5V到V
DD
+0.5V
模拟量输入（参考文献中，双极偏移， 10V
IN
)
以模拟共............................................... .......................
±16.5V
20V
IN
以模拟共............................................... ...................
±24V
REF OUT ................................................ ..........短不定常见，
瞬间短路到V
DD
最高结温............................................... ............. + 165℃
功耗................................................ ........................ 1000MW
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ...... + 300℃
热阻，
θ
JA
：塑料DIP封装........................................ 100 ° C / W
SOIC ................................................. .. 100 ° C / W
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤，因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
封装/订购信息
产品
ADS574JE
ADS574KE
ADS574JP
ADS574KP
ADS574JU
ADS574KU
包
0.3"塑料DIP
0.3"塑料DIP
0.6"塑料DIP
0.6"塑料DIP
SOIC
SOIC
封装图
数
(1)
246
246
215
215
217
217
SINAD
(2)
68
70
68
70
68
70
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
线性
错误（ LSB）的
±1
±1/2
±1
±1/2
±1
±1/2
注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参见数据资料的最后，还是的Burr-Brown IC数据手册附录C 。 （ 2 ） SINAD是信纳比（噪声
和失真）用dB表示。
本文提供的信息被认为是可靠的;但是， BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN承担
对于使用这些信息，所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
3
ADS574
QQ：2880707522 复制
