ADS5545
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SLWS180 - 2005年9月
14位， 170 MSPS ADC，具有LVDS / CMOS输出
特点
最大采样速率： 170 MSPS
14位分辨率
无失码
功耗
- 核心功率： 1 W
- 总功率： 1.22 W
内部采样和保持
73.5 - dBFS的SNR为70 MHz的IF
85 dBc的SFDR为70 MHz的IF
并行CMOS和LVDS输出选项
内部基准，外部基准
支持
3.3 V模拟和数字电源
48引脚QFN封装（ 7毫米
×
7 mm)
应用
无线通信
软件定义无线电
电源放大器线性化器
802.16d/e
测试和测量仪器
高德网络nition视频
医学影像
雷达系统
描述
该ADS5545是一个高性能的14位170 MSPS ADC 。使用内部采样与保持，低抖动
时钟缓冲器该ADC支持高信噪比和高SFDR在高IF 。随着并行可编程选项
CMOS和LVDS输出，该器件采用紧凑的48引脚QFN封装。该装置提供
内部参考值或可任选被驱动与外部参考。该器件规定在-40° C至
85 ° C温度范围。
CLKP
CLKM
PLL
CLKOUT
INP
SH
INM
14位ADC
数字
编码器
D13D0
参考
VCMOUT /
REFIN
控制I / F
OVR
SCLK
SEN
SDATA
RESET
OE
IREF
在CMOS模式
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
产品预览资料涉及产品的
发展形成或设计阶段。特征数据和
其他规格的设计目标。德州仪器储备
有权改变或者恕不另行通知停止这些产品。
版权所有 2005年，德州仪器
产品预览
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PACKAG /订货信息
(1)
产品
ADS5545
(1)
套餐 -
领导
48-QFN
包
代号
罗格列酮
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至85°C
包
记号
ADS5545IRGZ
订购
数
运输
MEDIA ，
QUANTITY
θ
JA
=待定，
θ
JC
=待定
绝对最大额定值
(1)
价值
AVDD
电源电压范围
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD
CM
T
A
T
J
T
英镑
电压施加到外部销
电压施加到模拟输入引脚
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
从10秒的情况下，铅温度1.6毫米（1/16英寸）的
(1)
0.3 V至3.9
0.3 V至3.9
-0.3 0.3
-0.3 3.3
-0.3 2
0.3 V至最低（ 3.6 ， AVDD + 0.3 V ）
-40到85
125
-65 150
220
DRVDD电源电压范围
单位
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
°C
产品预览
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
耗材及参考
AVDD
DRVDD
模拟电源电压
数字电源电压
输入时钟采样率
输入时钟的幅度，差
输入时钟的占空比
工作自由空气的温度
–40
50%
85
°C
3
3
1
3.3
3.3
3.6
3.6
170
V
V
MSPS
VPP
喃
最大
单位
时钟输入
电气特性
在25℃ ，最小值典型值最大值是在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C ， AVDD = DRVDD
= 3.3 V ，采样率= 170 MSPS ， 50 ％时钟占空比， -1 dBFS的差分模拟输入，内部基准模式， LVDS
数据输出（除非另有说明）
参数
DC精度
决议
无失码
DNL
INL
微分非线性
积分非线性
偏移误差
偏移温度系数
增益误差
增益温度COEF网络cient
–0.9
14
保证
0.5
±3
±10
待定
±1
待定
待定
最低位
最低位
mV
PPM /°C的
％ FS
/°C
位
测试条件
民
典型值
最大
单位
2
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电气特性（续）
在25℃ ，最小值典型值最大值是在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C ， AVDD = DRVDD
= 3.3 V ，采样率= 170 MSPS ， 50 ％时钟占空比， -1 dBFS的差分模拟输入，内部基准模式， LVDS
数据输出（除非另有说明）
参数
电源
ICC
IAVDD
IDRVDD
总电源电流
模拟电源电流
数字电源电流
总功耗
关机功耗
参考电压
VREFB
VREFT
VCM
参考下
参考顶部
共模电压（内部）
VCM输出电流
模拟量输入
差分输入电容
模拟输入共模范围
迪FF erential输入电压范围
模拟输入带宽
动态的交流特性
F
IN
= 10 MHz的
SFDR
无杂散动态范围
F
IN
± 70兆赫
F
IN
= 150 MHz的
F
IN
= 10 MHz的
SNR
信噪比
F
IN
± 70兆赫
F
IN
= 150 MHz的
90
85
84
74
73.5
72
dBFS的
dBc的
-3 dB时，信号源阻抗50
7
VCM
±
0.1
2
400
pF
V
VPP
兆赫
0.5
2.5
1.5
±4
V
V
V
mA
F
IN
=待定
F
IN
=待定
LVDS模式下，女
IN
=待定，C
L
= 5 pF的
CMOS模式下，女
IN
=待定，C
L
= 5 pF的
LVDS模式下，女
IN
=待定
时钟运行
369
315
54
70
1.22
待定
mA
mA
mA
mA
W
mW
测试条件
民
典型值
最大
单位
3
产品预览
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数字特性
该DC规格参考，其中数字输出不交换条件，但长期在一个有效的逻辑
0级或1 AVDD = DRVDD = 3.3 V，I
O
= 3.5毫安，R
L
= 100
.
(1)
所有的LVDS和CMOS规格的特点，但在生产中测试。
参数
数字输入
高电平输入电压
低电平输入电压
高层次的输入电流
低电平输入电流
输入电容
数字输出 - CMOS模式
高电平输出电压
低电平输出电压
输出电容
数字输出 - LVDS模式
高电平输出电压
低电平输出电压
差分输出电压， | V
OD
|
V
OS
输出失调
电压
(1)
OUTP和OutM中的共模电压的
输出电容的装置内，从任
输出对地
输出电容
改变| V
OD
|, |V
OD
|
改变| V
OS
|, |V
OS
|
(1)
I
O
指LVDS缓冲器当前设置，R
L
是LVDS的输出对之间的差是负载电阻。
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
0
10
20
30
40
50
测试条件
民
2.4
典型值
最大
单位
V
0.8
10
10
4
3.3
0
输出电容的装置内，从任
输出对地
4
V
A
A
pF
V
V
pF
1375
1025
350
1200
4
25
25
mV
mV
mV
mV
pF
mV
mV
产品预览
F
S
= 170 MSPS
F
IN
= 10.1兆赫
SFDR = 91.5 dBc的
SNR = 74.09
dBFS的
60
70
80
图1. ADS5545 FFT图在170 MSPS和10 MHz输入
4
ADS5545
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0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
0
10
F
S
= 170 MSPS
F
IN
= 70.1兆赫
SFDR = 87.8 dBc的
SNR = 73.5 dBFS的
20
30
40
50
60
70
80
图2 ADS5545 FFT图在170 MSPS和70 - MHz输入
5
产品预览
QQ：2881677436 复制
