ADS5527
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SLWS196 - 2006年12月
12 - BIT ， 210 MSPS的DDR LVDS / CMOS输出的ADC
特点
最大采样速率： 210 MSPS
12位分辨率
无失码
总功率耗散1.23 W
内部采样和保持
70.5 - dBFS的SNR为70 MHz的IF
84 dBc的SFDR为70 MHz的IF ， 0 dB增益
高模拟带宽高达800 MHz的
双倍数据速率（ DDR） LVDS和并行
CMOS输出选项
可编程增益高达6分贝SNR / SFDR
权衡在高IF
低功耗模式在较低的采样
价格
支持输入时钟幅度向下
400毫伏
PP
时钟占空比稳定器
无需外部参考去耦要求
内部和外部参考支持
可编程输出时钟的位置，以缓解
数据采集
3.3 V模拟和数字电源
48 - QFN封装（ 7毫米
×
7 mm)
描述
ADS5527是一款高性能的12位，210 MSPS
A / D转换器。它提供了先进国家的功能
并采用性能先进的技术，
最大限度地减少电路板空间。具有较高的模拟带宽
和低抖动时钟输入缓冲器，ADC的支撑
兼具高信噪比和高SFDR在高输入
频率。它具有可编程增益选项
可用于改善SFDR性能在
较低的满量程模拟输入范围。
在一个紧凑的48引脚QFN封装，该器件具有完全
差分LVDS DDR （双倍数据速率）接口
而并行CMOS输出，也可以选择。
灵活的输出时钟的位置是可编程
可缓解捕获和权衡设置为持有
次。以较低的采样率时，ADC可以是
在按比例缩小的动力操作，在不损失
性能。该ADS5527包括内部
基准，同时消除了传统参考
引脚和相关的外部去耦。该装置
还支持外部参考模式。
该器件规定工作
温度范围（-40 ° C至85°C ） 。
该
产业
ADS5527产品系列
210 MSPS
14位
12位
ADS5547
ADS5527
190 MSPS
ADS5546
-
170 MSPS
ADS5545
ADS5525
应用
无线通信基础设施
软件定义无线电
电源放大器线性化器
802.16d/e
测试和测量仪器
高德网络nition视频
医学影像
雷达系统
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
CLKP
CLKM
DRGND
DRVDD
AGND
AVDD
CLOCKGEN
CLKOUTP
CLKOUTM
D0_D1_P
D0_D1_M
D2_D3_P
D2_D3_M
D4_D5_P
D4_D5_M
INP
SHA
INM
12-Bit
ADC
数字
编码器
和
串行器
D6_D7_P
D6_D7_M
D8_D9_P
D8_D9_M
D10_D11_P
D10_D11_M
VCM
参考
控制
接口
OVR
IREF
SDATA
RESET
OE
DFS
模式
SCLK
SEN
LVDS模式
封装/订购信息
(1)
产品
套餐 -
领导
包
代号
特定网络版
温度
范围
包
记号
订购
数
ADS5527IRGZT
ADS5527
QFN-48
(2)
罗格列酮
-40 ° C至85°C
AZ5527
ADS5527IRGZR
(1)
(2)
运输
MEDIA ，
QUANTITY
磁带和卷轴，
250
磁带和卷轴，
2500
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
有关封装散热焊盘的大小，看机械图纸在此数据表的末尾。
θ
JA
= 25.41 ℃/ W（ 0 LFM气流） ，
θ
JC
=用2盎司使用时16.5 ° C / W 。铜迹线和焊盘直接焊接在JEDEC标准4层3 ×3中的PCB 。
2
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SLWS196 - 2006年12月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD
应用于VCM引脚（外部参考模式）电压
电压施加到模拟输入引脚， INP和INM
电压施加到输入时钟管脚， CLKP和CLKM
T
A
T
J
T
英镑
(1)
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
0.3 V至3.9
0.3 V至3.9
-0.3 0.3
-0.3 3.3
-0.3 1.8
0.3 V至最低（ 3.6 ， AVDD + 0.3 V ）
0.3 V至AVDD + 0.3 V
-40到85
125
-65到150
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
耗材
模拟电源电压AVDD
数字供电电压， DRVDD
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
输入共模电压
电压施加在VCM外部基准模式
时钟输入
输入时钟采样率
(1)
典型值
3.3
3.3
2
1.5
±0.1
最大
3.6
3.6
单位
V
V
V
PP
V
3
3
1.45
1.5
1.55
V
MSPS
默认速度模式
低速模式
输入时钟幅度差（V
（ CLKP ）
- V
（ CLKM ）
)
正弦波，交流耦合
LVPECL ，交流耦合
LVDS ，交流耦合
LVCMOS单端，交流耦合
输入时钟的占空比（见
图31）
数字输出
C
L
50
1
0.4
1.5
1.6
0.7
3.3
35%
50%
210
60
MSPS
V
PP
V
PP
V
PP
V
65%
每个输出引脚的最大外部负载电容DRGND （ LVDS和CMOS模式）
如果没有内部终端（违约后
复位）
100
内部端接
(2)
5
10
100
–40
85
pF
pF
°C
R
L
LVDS的输出对之间的差分负载电阻（ LVDS模式）
工作自由空气的温度
(1)
(2)
查看该节
较低的采样频率工作
了解更多信息。
查看该节
LVDS缓冲器内部终端
了解更多信息。
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3
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SLWS196 - 2006年12月
电气特性
典型值是在25℃ ，最小值和最大值是在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C,
AVDD = DRVDD = 3.3 V ，采样率= 210 MSPS ，正弦波输入时钟， 1.5 V
PP
差分时钟的幅度， 50 ％的时钟
占空比， -1 dBFS的差分模拟输入，内部基准模式， 0 dB增益， DDR LVDS数据输出（除非另有
说明）
参数
决议
模拟量输入
迪FF erential输入电压范围
差分输入电容
模拟输入带宽
模拟输入共模电流
（每输入引脚）
参考电压
V
（ REFB ）
V
（ REFT ）
V
CM
内部参考电压底部
内部基准电压最高
共模输出电压
VCM输出电流能力
DC精度
无失码
DNL
INL
微分非线性
积分非线性
偏移误差
偏移温度系数
增益误差
增益温度COEF网络cient
PSRR
I
（ AVDD ）
直流电源抑制比
模拟电源电流
LVDS模式下，我
O
= 3.5毫安，
R
L
= 100
,
C
L
= 5 pF的
CMOS模式下，女
IN
= 2.5 MHz时，
C
L
= 5 pF的
LVDS模式
LVDS模式
在待机时钟停止模式
与输入时钟停止
电源
306
66
47
372
1.23
100
100
1.375
150
150
mA
mA
mA
mA
W
mW
mW
-0.8
-2
-10
保证
0.5
1
5
0.002
±
1
0.01
0.6
1.0
2
10
最低位
最低位
mV
PPM /°C的
％ FS
%/°C
mV / V的
内部基准模式
内部基准模式
内部基准模式
内部基准模式
0.5
2.5
1.5
±4
V
V
V
mA
2
7
800
342
V
PP
pF
兆赫
A
测试条件
民
典型值
12
最大
单位
位
I
（ DRVDD ）
数字电源电流
I
CC
总电源电流
总功耗
待机功耗
时钟停止供电
4
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电气特性
典型值是在25℃ ，最小值和最大值是在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C,
AVDD = DRVDD = 3.3 V ，采样率= 210 MSPS ，正弦波输入时钟， 1.5 V
PP
差分时钟的幅度， 50 ％的时钟
占空比， -1 dBFS的差分模拟输入，内部基准模式， 0 dB增益， DDR LVDS数据输出（除非另有
说明）
参数
AC特性
F
IN
= 20 MHz的
F
IN
± 70兆赫
F
IN
= 100兆赫
F
IN
= 170兆赫
SNR
信噪比
F
IN
= 230兆赫
F
IN
= 300 MHz的
F
IN
= 400兆赫
RMS输出噪声
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
(1)
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
68
70.7
70.5
70.3
69.5
69.4
68
68.5
67.4
67.3
66.4
0.35
86
75
84
78
79
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
67.5
75
78
74
76
68
70
70.5
70.2
69.3
68.0
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
F
IN
= 300 MHz的
F
IN
= 400兆赫
F
IN
= 20 MHz的
F
IN
± 70兆赫
F
IN
= 100兆赫
F
IN
= 170兆赫
HD2
二次谐波
F
IN
= 230兆赫
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
F
IN
= 300 MHz的
F
IN
= 400兆赫
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
75
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
67.4
67.1
66.4
66.3
63.5
65.0
91
88
87
87
86
88
78
80
69
71
dBc的
dBFS的
dBc的
最低位
dBFS的
测试条件
民
典型值
最大
单位
INPUTS绑共模
F
IN
= 20 MHz的
F
IN
± 70兆赫
F
IN
= 100兆赫
F
IN
= 170兆赫
SFDR
无杂散动态范围
F
IN
= 230兆赫
F
IN
= 300 MHz的
F
IN
= 400兆赫
F
IN
= 20 MHz的
F
IN
± 70兆赫
F
IN
= 100兆赫
F
IN
= 170兆赫
F
IN
= 230兆赫
SINAD
信噪比和失真比
(1)
FS =满量程范围
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SLWS196A - 2006年12月 - 修订2007年5月
12 - BIT ， 210 MSPS的DDR LVDS / CMOS输出的ADC
特点
最大采样速率： 210 MSPS
12位分辨率
无失码
总功率耗散1.23 W
内部采样和保持
70.5 - dBFS的SNR为70 MHz的IF
84 dBc的SFDR为70 MHz的IF ， 0 dB增益
高模拟带宽高达800 MHz的
双倍数据速率（ DDR） LVDS和并行
CMOS输出选项
可编程增益高达6分贝SNR / SFDR
权衡在高IF
低功耗模式在较低的采样
价格
支持输入时钟幅度向下
400毫伏
PP
时钟占空比稳定器
无需外部参考去耦要求
内部和外部参考支持
可编程输出时钟的位置，以缓解
数据采集
3.3 V模拟和数字电源
48 - QFN封装（ 7毫米
×
7 mm)
描述
ADS5527是一款高性能的12位，210 MSPS
A / D转换器。它提供了先进国家的功能
并采用性能先进的技术，
最大限度地减少电路板空间。具有较高的模拟带宽
和低抖动时钟输入缓冲器，ADC的支撑
兼具高信噪比和高SFDR在高输入
频率。它具有可编程增益选项
可用于改善SFDR性能在
较低的满量程模拟输入范围。
在一个紧凑的48引脚QFN封装，该器件具有完全
差分LVDS DDR （双倍数据速率）接口
而并行CMOS输出，也可以选择。
灵活的输出时钟的位置是可编程
可缓解捕获和权衡设置为持有
次。以较低的采样率时，ADC可以是
在按比例缩小的动力操作，在不损失
性能。该ADS5527包括内部
基准，同时消除了传统参考
引脚和相关的外部去耦。该装置
还支持外部参考模式。
该器件规定工作
温度范围（-40 ° C至85°C ） 。
该
产业
ADS5527产品系列
210 MSPS
14位
12位
ADS5547
ADS5527
190 MSPS
ADS5546
-
170 MSPS
ADS5545
ADS5525
应用
无线通信基础设施
软件定义无线电
电源放大器线性化器
802.16d/e
测试和测量仪器
高德网络nition视频
医学影像
雷达系统
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2006-2007 ，德州仪器
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
CLKP
CLKM
DRGND
DRVDD
AGND
AVDD
CLOCKGEN
CLKOUTP
CLKOUTM
D0_D1_P
D0_D1_M
D2_D3_P
D2_D3_M
D4_D5_P
D4_D5_M
INP
SHA
INM
12-Bit
ADC
数字
编码器
和
串行器
D6_D7_P
D6_D7_M
D8_D9_P
D8_D9_M
D10_D11_P
D10_D11_M
VCM
参考
控制
接口
OVR
IREF
SDATA
RESET
OE
DFS
模式
SCLK
SEN
LVDS模式
封装/订购信息
(1)
产品
套餐 -
领导
包
代号
特定网络版
温度
范围
包
记号
订购
数
ADS5527IRGZT
ADS5527
QFN-48
(2)
罗格列酮
-40 ° C至85°C
AZ5527
ADS5527IRGZR
(1)
(2)
运输
MEDIA ，
QUANTITY
磁带和卷轴，
250
磁带和卷轴，
2500
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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有关封装散热焊盘的大小，看机械图纸在此数据表的末尾。
θ
JA
= 25.41 ℃/ W（ 0 LFM气流） ，
θ
JC
=用2盎司使用时16.5 ° C / W 。铜走线和焊盘直接焊接在JEDEC标准4层3 ×3 （7.62厘米× 7.62
厘米）印刷电路板。
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
电源电压范围， AVDD
电源电压范围， DRVDD
AGND和DRGND之间的电压
AVDD之间的电压DRVDD
应用于VCM引脚（外部参考模式）电压
电压施加到模拟输入引脚， INP和INM
电压施加到输入时钟管脚， CLKP和CLKM
T
A
T
J
T
英镑
(1)
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
0.3 V至3.9
0.3 V至3.9
-0.3 0.3
-0.3 3.3
-0.3 1.8
0.3 V至最低（ 3.6 ， AVDD + 0.3 V ）
0.3 V至AVDD + 0.3 V
-40到85
125
-65到150
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
耗材
模拟电源电压AVDD
数字供电电压， DRVDD
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
输入共模电压
电压施加在VCM外部基准模式
时钟输入
输入时钟采样率
(1)
典型值
3.3
3.3
2
1.5
±0.1
最大
3.6
3.6
单位
V
V
V
PP
V
3
3
1.45
1.5
1.55
V
MSPS
默认速度模式
低速模式
输入时钟幅度差（V
（ CLKP ）
- V
（ CLKM ）
)
正弦波，交流耦合
LVPECL ，交流耦合
LVDS ，交流耦合
LVCMOS单端，交流耦合
输入时钟的占空比（见
图31）
数字输出
C
L
50
1
0.4
1.5
1.6
0.7
3.3
35%
50%
210
60
MSPS
V
PP
V
PP
V
PP
V
65%
每个输出引脚的最大外部负载电容DRGND （ LVDS和CMOS模式）
如果没有内部终端（违约后
复位）
100
内部端接
(2)
5
10
100
–40
85
pF
pF
°C
R
L
LVDS的输出对之间的差分负载电阻（ LVDS模式）
工作自由空气的温度
(1)
(2)
查看该节
较低的采样频率工作
了解更多信息。
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LVDS缓冲器内部终端
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SLWS196A - 2006年12月 - 修订2007年5月
电气特性
典型值是在25℃ ，最小值和最大值是在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C,
AVDD = DRVDD = 3.3 V ，采样率= 210 MSPS ，正弦波输入时钟， 1.5 V
PP
差分时钟的幅度， 50 ％的时钟
占空比， -1 dBFS的差分模拟输入，内部基准模式， 0 dB增益， DDR LVDS数据输出（除非另有
说明）
参数
决议
模拟量输入
迪FF erential输入电压范围
差分输入电容
模拟输入带宽
模拟输入共模电流
（每输入引脚）
参考电压
V
（ REFB ）
V
（ REFT ）
V
（ REF ）
V
CM
内部参考电压底部
内部基准电压最高
内部引用错误
共模输出电压
VCM输出电流能力
DC精度
无失码
DNL
INL
微分非线性
积分非线性
偏移误差
偏移温度系数
增益误差是由于内部参考
独错误
增益误差不包括内部基准电压源
错误
(1)
增益温度COEF网络cient
PSRR
I
（ AVDD ）
直流电源抑制比
模拟电源电流
LVDS模式下，我
O
= 3.5毫安，
R
L
= 100
,
C
L
= 5 pF的
CMOS模式下，女
IN
= 2.5 MHz时，
C
L
= 5 pF的
LVDS模式
LVDS模式
在待机时钟停止模式
与输入时钟停止
电源
306
66
47
372
1.23
100
100
1.375
150
150
mA
mA
mA
mA
W
mW
mW
(V
（ REF ）
/ 2.0V)%
-3
-2
-0.8
-2
-10
保证
0.5
1
5
0.002
±1
±
1
0.01
0.6
3
2
1.0
2
10
最低位
最低位
mV
PPM /°C的
％ FS
％ FS
%/°C
mV / V的
内部基准模式
内部基准模式
V
（ REFT ）
- V
（ REFB ）
内部基准模式
内部基准模式
-60
0.5
2.5
±25
1.5
±4
60
V
V
mV
V
mA
2
7
800
342
V
PP
pF
兆赫
A
测试条件
民
典型值
12
最大
单位
位
I
（ DRVDD ）
数字电源电流
I
CC
总电源电流
总功耗
待机功耗
时钟停止供电
(1)
从设计和特性指定的增益误差;它不是在生产测试。
4
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ADS5527
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SLWS196A - 2006年12月 - 修订2007年5月
电气特性
典型值是在25℃ ，最小值和最大值是在整个温度范围T
民
= -40°C至T
最大
= 85°C,
AVDD = DRVDD = 3.3 V ，采样率= 210 MSPS ，正弦波输入时钟， 1.5 V
PP
差分时钟的幅度， 50 ％的时钟
占空比， -1 dBFS的差分模拟输入，内部基准模式， 0 dB增益， DDR LVDS数据输出（除非另有
说明）
参数
AC特性
F
IN
= 20 MHz的
F
IN
± 70兆赫
F
IN
= 100兆赫
F
IN
= 170兆赫
SNR
信噪比
F
IN
= 230兆赫
F
IN
= 300 MHz的
F
IN
= 400兆赫
RMS输出噪声
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
(1)
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
68
70.7
70.5
70.3
69.5
69.4
68
68.5
67.4
67.3
66.4
0.35
86
75
84
78
79
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
67.5
75
78
74
76
68
70
70.5
70.2
69.3
68.0
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
F
IN
= 300 MHz的
F
IN
= 400兆赫
F
IN
= 20 MHz的
F
IN
± 70兆赫
F
IN
= 100兆赫
F
IN
= 170兆赫
HD2
二次谐波
F
IN
= 230兆赫
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
F
IN
= 300 MHz的
F
IN
= 400兆赫
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
75
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
增益为0 dB ， 2 V
PP
FS
3分贝增益， 1.4 V
PP
FS
67.4
67.1
66.4
66.3
63.5
65.0
91
88
87
87
86
88
78
80
69
71
dBc的
dBFS的
dBc的
最低位
dBFS的
测试条件
民
典型值
最大
单位
INPUTS绑共模
F
IN
= 20 MHz的
F
IN
± 70兆赫
F
IN
= 100兆赫
F
IN
= 170兆赫
SFDR
无杂散动态范围
F
IN
= 230兆赫
F
IN
= 300 MHz的
F
IN
= 400兆赫
F
IN
= 20 MHz的
F
IN
± 70兆赫
F
IN
= 100兆赫
F
IN
= 170兆赫
F
IN
= 230兆赫
SINAD
信噪比和失真比
(1)
FS =满量程范围
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