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1212
ADS
121
3
ADS
121
2
ADS1212
ADS1213
在DS
1213
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121
3
SBAS064B - 1996年1月 - 修订2004年2月
22位模拟数字转换器
特点
q
Δ-Σ A / D转换器
q
22位无失码
q
20比特的有效分辨率为10Hz
和16位1000Hz的
q
低功耗： 1.4MW
q
差分输入
q
可编程增益放大器
q
SPI
兼容SSI接口
q
可编程截止频率
UP TO 6.25kHz的
q
内部/外部基准
q
片内自校准
q
ADS1213包含4通道MUX
描述
该ADS1212与ADS1213是高精度，宽动态
范围， Δ-Σ模数（A / D ）转换器与
24位分辨率从单一+ 5V电源供电。该
差分输入非常适合直接连接到transduc-
器或低电平电压信号。 Δ-Σ architec-
TURE用于宽的动态范围，并确保22位的
无遗漏码的性能。 20的有效分辨率
位是通过使用非常低的噪声输入的实现
放大器的转换速率高达10Hz的。有效分辨率
16位令可以维持到一个采样率
通过使用独有的睿频调制模式为1kHz
的操作。该转换器的动态范围是进一步
增加通过提供一种低噪声可编程增益
放大器具有1至16中的二进制的步骤的增益范围。
该ADS1212和ADS1213设计用于高分辨率
在智能变送器测量应用，工业
过程控制，电子秤，色谱和便携式
仪器仪表。这两款转换器包括一个灵活的同步的
理性的串行接口， SPI兼容，还提供了一个
两线控制模式为低成本隔离。
该ADS1212是一个单信道转换器，并且提供在
两个DIP- 18和SO- 18封装。该ADS1213包括
4路输入多路转换器，是采用DIP -24可用
SO- 24和SSOP -28封装。
应用
q
q
q
q
q
q
q
工业过程控制
仪器仪表
血液分析
智能变送器
便携式仪器
电子秤
压力传感器
AGND AV
DD
REF
OUT
REF
IN
V
BIAS
X
IN
X
OUT
A
IN
1P
A
IN
1N
A
IN
2P
A
IN
2N
A
IN
3P
A
IN
3N
A
IN
4P
A
IN
4N
MUX
A
IN
P
+2.5V
参考
+ 3.3V偏置
发电机
时钟发生器
DGND
DV
DD
微控制器
二阶
∑
调制器
三阶
数字滤波器
指令寄存器
命令寄存器
数据输出寄存器
偏移寄存器
满量程注册
SCLK
SDIO
SDOUT
PGA
A
IN
N
调制器控制
串行接口
ADS1213只
ADS1212 ， 1213
DSYNC
CS
模式
DRDY
专利正在申请中
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有 1996-2004年，德州仪器
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特定网络阳离子
所有特定网络阳离子牛逼
民
给T
最大
， AV
DD
DV
DD
= + 5V ，女
XIN
= 1MHz时的1个可编程增益放大器设置为1的Turbo模式的频率，楼盘
OUT
残疾人，V
BIAS
禁用，
和外部2.5V基准，除非另有规定。
ADS1212U ， P / ADS1213U ， P，E
参数
模拟量输入
输入电压范围
(1)
输入阻抗
可编程增益放大器
输入电容
输入漏电流
系统的性能
无失码
随着V
BIAS(2)
G =增益， TMR = Turbo模式速率
用户可编程的： 1 ，2，4 ，8或16
AT + 25°C
T
民
给T
最大
f
数据
= 10Hz的
f
数据
= 60Hz的
f
数据
= 100Hz的， 4 TMR
f
数据
= 250Hz之间， 8 TMR
f
数据
= 500Hz的， 16的TMR
f
数据
= 1000Hz的， 16的TMR
f
数据
= 60Hz的
f
数据
= 1000Hz的， 16的TMR
22
19
21
20
20
18
±0.0015
±0.0015
0.01
见注5
1
见注5
4
100
条件
民
典型值
最大
单位
0
–10
20 / （G TMR ）
(3)
1
5
5
+5
+10
16
50
1
V
V
M
pF
pA
nA
位
位
位
位
位
位
％ FSR
％ FSR
％ FSR
PPM /°C的
PPM /°C的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
积分线性度
积分非线性（单端）
单极性偏移误差
(4)
单极性偏移漂移
(6)
增益误差
(4)
增益误差漂移
(6)
共模抑制
(9)
常模抑制
输出噪声
电源抑制
参考电压
内部基准电压（ REF
OUT
)
漂移
噪音
负载电流
输出阻抗
外部参照（ REF
IN
)
负载电流
V
BIAS
产量
漂移
负载电流
数字输入/输出
逻辑系列
逻辑电平： （除了X
IN
)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
X
IN
输入电平： V
IH
V
IL
X
IN
频率范围（F
XIN
)
输出数据速率（F
数据
)
在DC ，T
民
给T
最大
50HZ ，女
数据
= 50Hz的
(7)
60HZ ，女
数据
= 60Hz的
(7)
50HZ ，女
数据
= 50Hz的
(7)
60HZ ，女
数据
= 60Hz的
(7)
DC ，50赫兹， 60赫兹和
90
160
160
100
100
60
2.4
见典型性能曲线
2.5
25
50
2
2.6
源或汇
2.0
使用内部参考
源或汇
TTL兼容的CMOS
I
IH
= +5A
I
IL
= +5A
= 2 TTL负载
= 2 TTL负载
2.0
–0.3
2.4
3.5
–0.3
0.5
0.96
0.48
2.4
二进制补码
或偏移二进制
0.7 （ 2 REF
IN
)/G
3.15
3.3
50
1
3.0
2.5
3.45
10mA
V
PPM /°C的
μVp -P
mA
V
A
V
PPM /°C的
DV
DD
+0.3
0.8
0.4
DV
DD
+0.3
0.8
2.5
6,250
3,125
15,625
I
OH
I
OL
数据格式
系统校准
偏移和满量程限制
V
FS
– | V
OS
|
用户可编程的， TMR = 1 16
f
XIN
= 500kHz的
f
XIN
= 2.5MHz的
用户可编程
V
V
V
V
V
V
兆赫
Hz
Hz
Hz
V
FS
=满量程差分电压
(8)
V
OS
=失调电压差
(8)
1.3 （ 2 REF
IN
)/G
2
ADS1212 ， 1213
SBAS064A
特定网络阳离子
（续）
所有特定网络阳离子牛逼
民
给T
最大
， AV
DD
DV
DD
= + 5V ，女
XIN
= 1MHz时的1个可编程增益放大器设置为1的Turbo模式的频率，楼盘
OUT
残疾人，V
BIAS
禁用，
和外部2.5V基准，除非另有规定。
ADS1212U ， P / ADS1213U ， P，E
参数
电源要求
电源电压
电源电流：
模拟电流
数字电流
其他模拟电流与
REF
OUT
启用
V
BIAS
启用
功耗
条件
民
4.75
95
185
1.8
1
1.4
6
2.2
7.5
0.45
–40
–60
1.8
8.5
典型值
最大
5.25
单位
V
A
A
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
f
XIN
温度范围
特定网络版
存储
空载
AT + 25°C
T
民
给T
最大
16 TMR
f
XIN
= 2.5MHz的
= 2.5MHz的， 16的TMR
睡眠模式
+85
+125
注： （ 1 ）为了实现转换器的满量程范围，输入必须是全差分（A
IN
N = 2 REF
IN
– A
IN
P） 。如果输入是单端（A
IN
N或
A
IN
P是固定的），则满刻度范围是二分之一，该差动范围。 （2 ）此范围设定与外部电阻和V
BIAS
（如文中所述）。
其它范围也是可能的。 （3）输入阻抗是与较小的f更高
XIN
。 （4）在校准后应用。 （ 5 ）系统校准后，这些错误将是订单
的转换器的有效分辨率。是指适用于所需的工作模式的典型性能曲线。 （ 6 ）重新校准可以消除
这些错误。 （7）本说明书中也适用于在f
数据
/ i，其中i为2 ，3，4 ，等。（ 8）的电压，在模拟输入端必须保持在AGND至AV
DD
。 （9）共
模抑制试验，具有100mV差分输入进行。
绝对最大额定值
模拟输入：当前.............................................. ..
±100mA,
瞬间
±10mA,
连续
电压................................... AGND -0.3V至AV
DD
+0.3V
AV
DD
以DV
DD
.................................................. ......................... -0.3V至6V
AV
DD
到AGND ................................................ ......................... -0.3V至6V
DV
DD
到DGND ................................................ ......................... -0.3V至6V
AGND至DGND ............................................... .................................
±0.3V
REF
IN
电压AGND ............................................ -0.3V以AV
DD
+0.3V
数字输入电压至DGND .................................. -0.3V到DV
DD
+0.3V
数字输出电压DGND ............................... -0.3V到DV
DD
+0.3V
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
功率消耗（任何套餐） ............................................ 500mW的......
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路处理
用适当的预防措施。如果不遵守正确han-
危及周围并安装程序可能导致的损害。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤，因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
封装/订购信息
有关最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录位于该数据的末尾
表。
ADS1212 ， 1213
SBAS064A
3
QQ：2880707522 复制
