特定网络阳离子
(续)
所有特定网络阳离子牛逼
民
给T
最大
, AV
DD
DV
DD
= + 5V ,女
XIN
= 10MHz时, 1 , 1 Turbo模式速率,楼盘可编程增益放大器设置
OUT
残疾人,V
BIAS
禁用,
和外部2.5V基准,除非另有规定。
ADS1210U , P / ADS1211U , P,E
参数
电源要求
电源电压
电源电流:
模拟电流
数字电流
其他模拟电流与
REF
OUT
启用
V
BIAS
启用
功耗
条件
民
4.75
2
3.5
1.6
1
26
37
17
27
11
–40
–60
典型值
最大
5.25
单位
V
mA
mA
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
空载
16 TMR
f
XIN
= 2.5MHz的
= 2.5MHz的, 16的TMR
睡眠模式
40
60
f
XIN
温度范围
特定网络版
存储
+85
+125
注: ( 1 )为了实现转换器的满量程范围,输入必须是全差分(A
IN
N = 2 REF
IN
– A
IN
P) 。如果输入是单端(A
IN
N或
A
IN
P是固定的) ,则满刻度范围是二分之一,该差动范围。 (2 )此范围设定与外部电阻和V
BIAS
(如文中所述)。
其它范围也是可能的。 (3)输入阻抗是与较小的f更高
XIN
。 (4)在校准后应用。 ( 5 )系统校准后,这些错误将是订单
的转换器的有效分辨率。是指适用于所需的工作模式的典型性能曲线。 ( 6 )重新校准可以消除
这些错误。 (7)本说明书中也适用于在f
数据
/ i,其中i为2 ,3,4 ,等。( 8)的电压,在模拟输入端必须保持在AGND至AV
DD
。 (9)共
模抑制试验,以100mV差分输入进行。
绝对最大额定值
模拟输入:当前.............................................. ..
±100mA,
瞬间
±10mA,
连续
电压................................... AGND -0.3V至AV
DD
+0.3V
AV
DD
以DV
DD
.................................................. ......................... -0.3V至6V
AV
DD
到AGND ................................................ ......................... -0.3V至6V
DV
DD
到DGND ................................................ ......................... -0.3V至6V
AGND至DGND ............................................... .................................
±0.3V
REF
IN
电压AGND ............................................ -0.3V以AV
DD
+0.3V
数字输入电压至DGND .................................. -0.3V到DV
DD
+0.3V
数字输出电压DGND ............................... -0.3V到DV
DD
+0.3V
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
功率消耗(任何套餐) ............................................ 500mW的......
封装/订购信息
包
制图
数
(1)
218
219
243
239
324
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
产品
ADS1210P
ADS1210U
ADS1211P
ADS1211U
ADS1211E
包
18引脚塑料DIP
18引脚SOIC
24引脚塑料DIP
24引脚SOIC
28引脚SSOP
注: ( 1 )有关详细的图纸和维表,请参阅数据结束
片,或的Burr-Brown IC数据手册附录C 。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与AP-处理
propriate注意事项。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
静电放电可能会损坏不等
性能下降,完成设备故障。 Burr-
布朗公司建议所有集成电路
处理,并使用适当的ESD保护存储
的方法。
3
ADS1210 , 1211