【数据表特点精度1.200 V基准电压源超小型3毫米× 3毫米SOT- 23封装无需外部电容低输出噪声】,IC型号ADR512ARTZ-REEL7,ADR512ARTZ-REEL7 PDF资料,ADR512ARTZ-REEL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

精度1.200 V基准电压源

超小型3毫米× 3毫米SOT- 23封装

无需外部电容

低输出噪声： 4 μV峰 - 峰值（ 0.1 Hz至10 Hz ）

初始精度： ± 0.3 ％最大

温度系数为60ppm / ° C（最大值）

工作电流范围： 100 μA 10 mA的

输出阻抗： 0.3 Ω最大

温度范围： -40 ° C至+ 85°C

1.2 V精密，低噪声

并联型电压基准

ADR512

引脚配置

ADR512

V+

TRIM / NC

V–

顶视图

（不按比例）

03700-001

NC =无连接。别

连接到该引脚。

图1. 3引脚SOT- 23

表1中。

模型

ADR512ARTZ-REEL7

产量

电压（V

)

1.200

初始

准确性

（毫伏）

(%)

3.5

0.3

温度

系数

（ PPM / ° C）

应用

精密数据采集系统

电池供电设备：

手机，笔记本电脑， PDA ，

和GPS

3 V / 5 V ， 8位/ 12位数据转换器

便携式医疗仪器

工业过程控制系统

精密仪器

概述

专为空间受限的应用中， ADR512是一款低

电压（ 1.200 V）中，在精密并联模式电压参考

超小型（ 3毫米× 3毫米）， SOT-23封装。该ADR512

具有低温度漂移（ 60 PPM / ° C），精度高

（ ± 0.30 ％）和超低噪声（ 4 μV峰峰值）性能。

该ADR512先进的设计省去了一

外部电容器，但它是稳定的任何电容性负载。该

最小工作电流的增加，从一个缺乏100 μA到

+ I

最大为10mA 。这种低工作电流和易用性

使得ADR512非常适合手持式电池供电

应用程序。

修剪终端可在ADR512提供

调整输出电压超过±0.5％，而不会影响

器件的温度系数。此功能提供

用户可以灵活地修剪出任何系统错误。

BIAS

OUT

= 1.2V

OUT

（可选）

BIAS

– V

OUT

+ I

03700-002

ADR512

图2.典型工作电路

REV 。一

文档反馈

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

技术支援

www.analog.com

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ADR512

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

引脚配置................................................ ............................. 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

电气特性................................................ ............. 3

绝对最大额定值............................................... ............. 4

热阻................................................ .......................... 4

ESD注意事项................................................ .................................. 4

典型性能特征............................................. 5

数据表

参数定义................................................ ....................... 7

温度系数................................................ ............... 7

热滞................................................ ....................... 7

应用部分................................................ .......................... 8

可调式精密电压源.......................................... 8

输出电压微调............................................... ...................... 8

使用带有精密数据转换器................的ADR512 8

精确的负参考电压............................................ 9

外形尺寸................................................ ....................... 10

订购指南................................................ .......................... 10

修订历史

11/12 -REV 。 0到版本A

更改表1 .............................................. ............................... 1

更新的外形尺寸............................................... ......... 10

更改订购指南.............................................. ............. 10

版本A |第12页2

数据表

特定网络阳离子

电气特性

= 100 μA 10 mA的@ T

= 25 ℃，除非另有说明。

表2中。

参数

输出电压

初始精度

温度系数A级

输出电压随我

动态输出阻抗

最小工作电流

电压噪声

开启建立时间

输出电压迟滞

ADR512

符号

OERR

OERR ％

TCV

ΔV

(ΔV

/ΔI

)

p-p

O_HYS

测试条件/评论

民

1.1965

3.5

0.3

典型值

1.2

-40°C <牛逼

＆ LT ; + 85°C

= 0.1 mA至10毫安

= 1毫安±100 μA

-40°C <牛逼

＆ LT ; + 85°C

F = 0.1赫兹到10赫兹

要在输出的0.1 ％

最大

1.2035

+3.5

+0.3

0.3

100

单位

PPM /°C的

μV P-P

PPM

在-1 mA的正向二极管电压特性通常是0.65 V.

测量无负载电容器。

版本A |第12页3

ADR512

绝对最大额定值

表3中。

参数

反向电流

正向电流

存储温度范围

RT套餐

工作温度范围

结温范围

RT套餐

铅温度范围（焊接， 60秒）

等级

25毫安

20毫安

-65 ° C至+ 150°C

-40 ° C至+ 85°C

-65 ° C至+ 150°C

300°C

数据表

热阻

被指定为最坏的条件下，也就是说，一个设备

焊在电路板的表面贴装封装。

表4.热阻

套餐类型

3引脚SOT -23 （ RT ）

JA2

230

146

单位

° C / W

封装功耗= （T

JMAX

)/θ

被指定为最坏的条件下，即， θ

被指定为设备

焊接。

ESD警告

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

版本A |第12页4

数据表

典型性能特性

1.204

1.203

1.202

ADR512

- 2V / DIV

1.201

OUT

(V)

1.200

1.199

1.198

OUT

= 1V / DIV

1.197

03700-003

1.196

–40

–15

温度（℃）

TIME （ 400μS / DIV ）

图3.典型的V

OUT

与温度的关系

图6.关断时间

- 2V / DIV

OUT

= 1V / DIV

OUT

= 1V / DIV

03700-004

03700-007

时间（ 100μS / DIV ）

TIME （为200ps / DIV ）

图4.开启时间

图7.关断时间为1 μF的输入电容

- 2V / DIV

ΔI

= 100A

OUT

= 1V / DIV

OUT

=为20mV / DIV

03700-005

时间（ 100μS / DIV ）

TIME （为2μs / DIV ）

图5.开启时间为1 μF的输入电容

图8.输出响应为100 μA输入电流的变化

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03700-008

03700-006