a
超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V /
3.00 V / 5.00 V XFET
电压参考
ADR420/ADR421/ADR423/ADR425
引脚配置
表面贴装封装
8引脚SOIC
8引脚Mini_SOIC
TP
1
V
IN 2
网卡
3
8
TP
特点
低噪声（ 0.1 Hz至10 Hz ）
ADR420 ： 1.75 V P-P
ADR421 ： 1.75 V P-P
ADR423 ： 2.0 V P-P
ADR425 ： 3.4 V P-P
低温度系数： 3 PPM /℃
长期稳定性： 50 PPM /千小时
负载调整率： 70 PPM / MA
线路调整率： 35 PPM / V
低滞后： 40 ppm（典型）
宽工作范围
ADR420 ： 4 V至18 V
ADR421 ： 4.5 V至18 V
ADR423 ： 5 V至18 V
ADR425 ： 7 V至18 V
静态电流：0.5 mA（最大值）
高输出电流： 10毫安
宽温度范围： -40°C至+ 125
应用
精密数据采集系统
高分辨率转换器
电池供电仪器仪表
便携式医疗仪器
工业过程控制系统
精密仪器
光网络的控制电路
概述
ADR42x
7
网卡
6
V
OUT
顶视图
GND
4
（不按比例）
5
TRIM
NIC =无内部连接
TP =测试引脚（ DO NOT CONNECT ）
表一ADR42x产品
该ADR42x系列是超精密第二代XFET
参考电压，具有低噪声，高精度和优异
在SOIC和Mini_SOIC脚印长期稳定。专利
温度漂移曲率校正技术和XFET （ EXTRA
植入的结型场效应管）技术最小化的非线性
电压随温度变化。该XFET架构提供
卓越的精度和热滞的带隙
引用。它也工作在更低的功耗和更低的电源
头部空间比埋齐纳参考。
ADR42x高超的噪音，稳定，准确的特点
使它们非常适用于精密转换应用，如
光网络和医疗设备。该ADR42x装饰
终端也可以被用来调整输出电压在
±0.5%
范围不影响任何其他性能。该
ADR42x系列电压基准提供了两种电气等级和
都在扩展工业级温度范围
-40 ° C至+ 125°C 。器件采用8引脚SOIC- 8或
30％的小型8引脚Mini_SOIC - 8封装。
XFET是ADI公司的注册商标。
ADR420
制品
ADR420
ADR421
ADR423
ADR425
产量
电压
V
O
2.048
2.50
3.00
5.00
初始
准确性
mV
%
1, 3
1, 3
1.5, 4
2, 6
0.05, 0.15
0.04, 0.12
0.04, 0.12
0.04, 0.12
温度系数
PPM /
°
C
3, 10
3, 10
3, 10
3, 10
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
ADR420/ADR421/ADR423/ADR425
ADR423电气规范
参数
输出电压
初始精度
输出电压
初始精度
A级
符号
V
O
V
OERR
V
O
V
OERR
TCV
O
V
IN
V
O
V
O
/V
IN
V
O
/I
负载
I
IN
e
N
p-p
e
N
t
R
V
O
V
O_HYS
RRR
I
SC
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
2
V
IN
= 5 V至18 V
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
I
负载
= 0 mA至10毫安
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
空载
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
0.1赫兹到10赫兹
1千赫
千小时
f
IN
= 10千赫
10
35
70
390
2
90
10
50
40
75
27
500
600
(@ V
IN
= 5.0 V至15.0 V，T
A
= 25℃，除非另有说明。 ）
条件
民
2.996
–4
–0.13
2.9985
–1.5
–0.04
典型值
3.000
最大
3.004
+4
+0.13
3.0015
+1.5
+0.04
10
3
单位
V
mV
%
V
mV
%
PPM /°C的
PPM /°C的
V
PPM / V
PPM / MA
A
A
V
p-p
纳伏/赫兹÷
s
PPM
PPM
dB
mA
B级
3.000
温度系数A级
B级
电源电压裕量
线路调整
负载调整率
静态电流
电压噪声
电压噪声密度
开启建立时间
长期稳定性
输出电压迟滞
纹波抑制比
短路到GND
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
2
1
ADR425电气规范
(@ V
参数
输出电压
初始精度
输出电压
初始精度
A级
符号
V
O
V
OERR
V
O
V
OERR
TCV
O
V
IN
– V
O
V
O
/V
IN
V
O
/I
负载
I
IN
e
N
p-p
e
N
t
R
V
O
V
O_HYS
RRR
I
SC
IN
= 7.0 V至15.0 V，T
A
= 25℃，除非另有说明。 ）
民
4.994
–6
–0.12
4.998
–2
–0.04
典型值
5.000
最大
5.006
+6
+0.12
5.002
+2
+0.04
10
3
35
70
390
3.4
110
10
50
40
75
27
500
600
单位
V
mV
%
V
mV
%
PPM /°C的
PPM /°C的
V
PPM / V
PPM / MA
A
A
V
p-p
纳伏/赫兹÷
s
PPM
PPM
dB
mA
条件
B级
5.000
温度系数A级
B级
电源电压裕量
线路调整
负载调整率
静态电流
电压噪声
电压噪声密度
开启建立时间
长期稳定性
输出电压迟滞
纹波抑制比
短路到GND
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
2
V
IN
= 7 V至18 V
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
I
负载
= 0 mA至10毫安
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
空载
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
0.1赫兹到10赫兹
1千赫
千小时
f
IN
= 10千赫
2
1
10
版本B
–3–
ADR420/ADR421/ADR423/ADR425
绝对最大额定值
*
引脚功能描述
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18 V
输出短路持续时间至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
存储温度范围
R， RM包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
ADR42x 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
结温范围
R， RM包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 300∞C
*绝对
最大额定值适用于25 ° C，除非另有说明。
针
1, 8
助记符说明
TP
测试引脚。有在TP实际连接
销，但他们保留了工厂测试
的目的。用户不应连接任何─
东西向TP销，否则器件可
不能正常工作。
输入电压
没有内部连接。网卡有没有内部
连接。
接地引脚 - 0 V
修剪终端。它可以用来调整
输出电压在
±
0.5 ％的范围内而不
影响的温度系数。
输出电压
θ
JA
*
190
130
单位
° C / W
° C / W
2
3, 7
4
5
V
IN
网卡
GND
TRIM
销刀豆网络gurations
SOIC-8
TP
1
V
IN 2
网卡
3
GND
4
8
TP
Mini_SOIC-8
TP
1
V
IN 2
网卡
3
GND
4
8
TP
6
V
OUT
ADR42x
7
网卡
6
ADR42x
7
网卡
6
V
OUT
V
OUT
套餐类型
8引脚Mini_SOIC （ RM ）
8引脚SOIC （R ）
5
TRIM
5
TRIM
NIC =无内部连接
TP =测试引脚（ DO NOT CONNECT ）
NIC =无内部连接
TP =测试引脚（ DO NOT CONNECT ）
*θ
JA
被指定为最坏的条件下，即
θ
JA
被指定为设备焊接
在电路板的表面贴装封装。
订购指南
模型
ADR420AR
ADR420AR-Reel7
ADR420BR
ADR420BR-Reel7
ADR420ARM-Reel7
ADR421AR
ADR421AR-Reel7
ADR421BR
ADR421BR-Reel7
ADR421ARM-Reel7
ADR423AR
ADR423AR-Reel7
ADR423BR
ADR423BR-Reel7
ADR423ARM-Reel7
ADR425AR
ADR425AR-Reel7
ADR425BR
ADR425BR-Reel7
ADR425ARM-Reel7
产量
电压
V
O
2.048
2.048
2.048
2.048
2.048
2.50
2.50
2.50
2.50
2.50
3.00
3.00
3.00
3.00
3.00
5.00
5.00
5.00
5.00
5.00
初始
准确性
mV
%
3
3
1
1
3
3
3
1
1
3
4
4
1.5
1.5
4
6
6
2
2
6
0.15
0.15
0.05
0.05
0.15
0.12
0.12
0.04
0.04
0.12
0.13
0.13
0.04
0.04
0.13
0.12
0.12
0.04
0.04
0.12
温度
系数
包
PPM /°C的
描述
10
10
3
3
10
10
10
3
3
10
10
10
3
3
10
10
10
3
3
10
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
Mini_SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
Mini_SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
Mini_SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
Mini_SOIC
包装顶部
选项
标志
SO-8
SO-8
SO-8
SO-8
RM-8
SO-8
SO-8
SO-8
SO-8
RM-8
SO-8
SO-8
SO-8
SO-8
RM-8
SO-8
SO-8
SO-8
SO-8
RM-8
ADR420
ADR420
ADR420
ADR420
R4A
ADR421
ADR421
ADR421
ADR421
R5A
ADR423
ADR423
ADR423
ADR423
数
每件
REEL
98
3,000
98
3,000
1,000
98
3,000
98
3,000
1,000
98
3,000
98
3,000
1,000
98
3,000
98
3,000
1,000
温度
范围
°C
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
ADR425
ADR425
ADR425
ADR425
R7A
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在AD42x具有专用ESD保护电路，造成永久性损坏可能对设备产生
经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
版本B
ADR420/ADR421/ADR423/ADR425
参数德网络nitions
温度COEF网络cient
热滞
输出电压在工作温度的变化
范围和归一化的输出电压在25℃时，表示
以ppm / °以下。公式如下：
热滞后的定义为输出电压的变化
之后该装置通过温度为+ 25℃循环至
-40 ° C至+ 125°C ，并返回到+ 25°C 。这是一个典型的值
从零件通过这样的循环放的样品。
V
O
_
HYS
=
V
O
(25
°
C
) –
V
O
_
TC
V
O
_
HYS
(
PPM
)
=
V
O
(25
°
C
) –
V
O
_
TC
V
O
(25
°
C
)
×
10
6
TCV
O
(
PPM
/
°
C
)
=
哪里
V
O
（ 25℃） = V
O
在25℃下
V
O
(
T
2
) –
V
O
(
T
1
)
×
10
6
V
O
(25
°
C
)
×
(
T
2
–
T
1
)
哪里
V
O
（ 25℃） = V
O
在25℃下
V
O_TC
= V
O
在温度循环在+ 25℃至-40 ℃，然后25℃下
至+ 125°C ，并返回到+ 25°C 。
输入电容
V
O
(T
1
) = V
O
在温度1
V
O
(T
2
) = V
O
在温度2 。
线路调整
由于输入的指定改变输出电压变化
电压。它包括自加热的影响。行规是
以每伏用百分比，分之万元左右伏，
或者在输入电压每伏变化毫伏
负载调整率
由于在负载指定的变化的输出电压变化
电流。它包括自加热的影响。负载调整率
用每毫安或者微伏，分之百万
每毫安或直流输出电阻欧姆。
长期稳定性
输入电容不需要在ADR42x 。没有
限制为在输入中使用的电容器的值，而是一个1
F
to
10
F
电容器上的输入将改善瞬态响应
当电源电压突然变化。另外一个
0.1
F
平行也将有助于减少电源噪声。
输出电容
输出电压的典型的换档，在25 ℃下对部分样品
经过1000小时的运行寿命试验，在125 ℃下的
V
O
=
V
O
(
t
0
) –
V
O
(
t
1
)
V
O
(
PPM
)
=
哪里
V
O
(t
0
) = V
O
在25℃下，在时间0
V
O
(t
1
) = V
O
在25℃下1000小时后的操作在125℃ 。
V
O
(
t
0
) –
V
O
(
t
1
)
×
10
6
V
O
(
t
0
)
该ADR42x不需要输出电容器的稳定性
在任何载荷条件。一个输出电容器，通常为0.1
F,
将筛选出的任何低电平噪声电压，并不会影响
该部分的操作。另一方面，负载的瞬态
反应可以用一个额外的改进
F
10
F
输出电容并联。这里的电容器将作为源
的储存能量为在负载电流突然增加。唯一
参数，它会降低，通过增加一个输出电容器，是
开启时间和它取决于所选择的电容器的大小。
版本B
–5–
QQ：2881677436 复制
