a
特点
低压差： 150 mV的@ 200毫安
低功耗CMOS ： 20
A
静态电流
关断模式： 0.2
A
静态电流
250 mA输出电流
引脚兼容MAX667
稳定10
F
负载电容
低电池电压检测
固定的+ 5V或可调输出
3.5 V至16.5 V输入范围
压差检测器输出
应用
手持式仪器
移动电话
电池供电设备
便携式设备
太阳能供电的仪表
高英法fi效率线性电源
+5 V固定，可调
低压差线性稳压器
ADP667
功能框图
IN
OUT
DD
ADP667
SHDN
A1
SET
LBO
C2
LBI
GND
1.255V
REF
50mV
C1
概述
该ADP667是一个低压差电压精密稳压器，
可以提供高达250 mA的输出电流。它可以被用于给
一个固定的+ 5V输出，无需额外的外部元件或
从1.3 V到使用两个外部电阻+ 16V可调节
器。固定或可调的操作是通过自动选择
SET输入。低静态电流（ 20
A)
要结合
化与待机或关机模式（ 0.2
A)
这使得
器件特别适用于电池供电系统。该
供应100当电压差
A
只有5毫伏允许
操作以最小净空和延长电池
使用寿命。在较高的输出电流水平差依然
低供应200毫安时增加至仅有150毫伏。宽
输入电压范围为3.5 V至16.5 V是允许的。
其他功能还包括一个压差检测器和一个低电源/
电池监测比较。辍学探测器可
用于信号调节的损失，而低电压检测
可用于监控输入电源电压。
该ADP667是引脚兼容的替代MAX667 。
它工作在工业温度范围-40 ° C至
+ 85°C ，并采用8引脚DIP和窄面
贴（SOIC ）封装。
模型
典型工作电路
+6V
输入
+
IN
OUT
+
ADP667
SET GND SHDN
C1
10F
+5V
产量
订购指南
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
描述
包
选项
ADP667AN
ADP667AR
8引脚塑料DIP的N- 8
8引脚SOIC
SO-8
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
ADI公司， 1995年
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德。 MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
ADP667–SPECIFICATIONS
参数
输入电压V
IN
输出电压V
OUT
最大输出电流
静态电流
I
GND
：关断模式
I
GND
：正常模式
民
3.5
4.8
250
(V
IN
= 9 V， GND = 0 V ，V
OUT
= +5 V ，C
L
= 10
F,
T
A
= T
民
给T
最大
除非
另有说明）
典型值
最大
16.5
5.0
5.2
单位测试条件/评论
V
V
mA
A
A
A
A
mA
A
A
mA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
nA
nA
A
mA
mA
V
nA
nA
V
V
V
nA
nA
V
V
SET
= 0 V, V
IN
= 6 V，I
OUT
= 10毫安
V
IN
= 6 V， 4.5 V < V
OUT
＆ LT ; +5.5 V
V
SHDN
= 2 V ，T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
V
SHDN
= 0 V, V
SET
= 0 V ，T
A
= +25°C
I
OUT
= 0
A
I
OUT
= 100
A
I
OUT
= 200毫安
T
A
= T
民
给T
最大
I
OUT
= 0
A
I
OUT
= 100
A
I
OUT
= 200毫安
I
OUT
= 100
A,
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
I
OUT
= 200毫安，T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
I
OUT
= 10毫安200毫安，V
IN
= 6 V ，T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
V
IN
= 6 V至10 V，I
OUT
= 10毫安，T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
V
SET
= 1.5 V，T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
V
SHDN
= 2 V
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
V
LBI
= 1.5 V，T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
V
LBI
＆ LT ;
1.215 V，I
LBO
= 10毫安，T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
V
SHDN
= 0 V到V
IN
, T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
(V
SET
= 0 V, V
SHDN
= 0 V ，R
DD
= 100 k
V
IN
= 7 V，I
OUT
= 10 mA）的
(V
SET
= 0 V, V
SHDN
= 0 V ，R
DD
= 100 k
V
IN
= 4.5 V，I
OUT
= 10 mA）的
0.2
1
2
25
30
15
35
50
20
20
20
5
输入输出电压差
5
150
60
75
250
350
100
250
10
15
1.28
±
10
±
1000
1
400
450
1.295
±
10
±
1000
0.25
0.40
±
10
±
1000
0.25
负载调整率
线路调整
设定的参考电压，V
SET
SET输入漏电流，I
SET
输出漏电流，I
OUT
短路电流I
OUT
低电池电压检测输入阈值，V
LBI
LBI输入漏电流，I
LBI
低电池电压检测输出电压，V
LBO
关断输入阈值电压，V
SHDN
关断输入漏电流，I
SHDN
压差检测器输出电压
4.0
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
50
5
1.23
1.255
±
0.01
0.1
1.215
1.255
±
0.01
1.5
±
0.01
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
输入电压V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +18 V
输出短路到地时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1秒
LBO输出灌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
LBO输出电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND到V
OUT
SHDN输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V（V
IN
+ 0.3 V)
LBI ， SET输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V（V
IN
+ 0.3 V)
功耗，N - 8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 625毫瓦
（减免8.3毫瓦/ ° C以上+ 50 ° C）
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120 ° C / W
功耗， SO- 8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
（减免6毫瓦/ ° C以上+ 50 ° C）
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 170 ° C / W
工作温度范围
工业（A版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 > 6000 V
*这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何
上述其他条件本规范的操作部分显示
化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
时间周期会影响其可靠性。
–2–
第0版
ADP667
引脚功能说明
一般信息
指令码功能
DD
V
IN
GND
LBI
LBO
SHDN
SET
压差检测器输出。 PNP集电极输出
其中源电流差为止。
稳压器的输入。
接地引脚。必须连接到0V。
低电池电压检测输入。用1.255 V.比较
低电池电压检测输出。开漏输出
即变低时LBI低于阈值。
数字输入。可用于禁用设备
使功率消耗最小化。
电压设定输入。连接至GND + 5V
输出或连接到电阻分压器进行调整
能输出。
调节输出电压。连接筛选
电容。
DIP & SOIC引脚配置
该ADP667包含一个微隙参考电压
源，一个误差放大器A1中，两个比较器（ C1，C2）和一个
系列PNP输出旁路晶体管。
电路描述
内部带隙参考电压微调至1.255 V
和被用作参考输入到误差放大器A1中。该
来自调节器输出的反馈信号被提供给
通过芯片上的分压器或由两个外部其他输入
电阻器。当SET输入为地，内部分隔
为误差放大器的反馈信号给一个+ 5V输出
放。当设置为超过50毫伏地上， compara-
器C1直接切换误差放大器的输入SET
销，和外部电阻来设置输出电压。
外部电阻器进行选择，使得所期望的输出
电压给出1.255 V的SET输入。
来自误差放大器用品碱输出到电流
PNP输出通过晶体管，它提供输出电流。向上
250 mA的输出电流可提供的设备
功耗不超标。
比较器C2的比较电压低电池输入，
LBI ，引脚与内部1.255 V参考电压。输出
从比较器驱动一个开漏场效应晶体管连接到所述
低电池输出引脚， LBO 。在低电池电压阈值
可以使用适当的分压器连接至LBI被设置。
当在LBI的电压低于1.255 V时，开漏
输出， LBO ，被拉低。
关断（ SHDN）输入，可用于禁用
误差放大器，因此输出电压也是可用的。
在关断电源电流小于1
A.
OUT
DD
OUT
LBI
GND
1
2
3
4
8
IN
LBO
SET
SHDN
ADP667
顶视图
（不按比例）
7
6
5
术语
压差电压：
输入/输出电压差。
该稳压器不再保留规定对进一
疗法降低输入电压。它被测量时的输出
从它的标称值减小100毫伏。标称值是
将测量值与V
IN
= V
OUT
+2 V.
线路调整：
在输出电压的结果的变化
改变输入电压。它被指定用于输入的变化
从6 V至10 V的电压
负载调整率：
要改变输出电压的变化
在输出电流。它被指定为一个输出电流的变化
从10毫安到200毫安。
静态电流（我
GND
):
输入偏置电流而
流入不包括负载电流的调节器。这是测
sured上的GND线和在关断并且还用于指定
不同值的负载电流。
关机：
禁止稳压器和功率消耗
被最小化。
差检测器：
一个输出，指示该调节器
被退学的监管。
最大功率耗散：
最大总设备
耗散其监管机构将继续工作
在规定范围内。
IN
OUT
DD
ADP667
SHDN
A1
SET
LBO
C2
LBI
GND
1.255V
REF
50mV
C1
图1. ADP667功能框图
第0版
–3–
ADP667
应用信息
电路配置
关断输入（ SHDN ）
对于一个固定的+ 5V输出的设定输入应接地，
无需外部电阻器是必要的。这个基本结构与
在图2所示的输入电压的范围可以从5.15 V
为16.5 V，输出电流高达250 mA的可
所提供的最大功率为不
超标。
IN
+
OUT
+
+5V
产量
C1
10F
SHDN输入允许稳压器被关闭了
逻辑电平信号。这将禁用输出并降低
漏电流对低静态（1
A
最大）电流。这
对于低功耗应用中非常有用。驱动SHDN IN-
投入大于1.5 V地方部分关闭。
如果关机功能没有被使用，那么SHDN应
连接到GND 。
低电源或低电池电量检测
ADP667
SET GND SHDN
该ADP667包含片上电路低电源或
电池检测。如果LBI引脚上的电压低于
内部1.255 V基准电压源，则开漏输出LBO会
变为低电平。低阈值电压可以被设置为任何电压
上述1.255 V通过适当的电阻分压器的选择。
图2.固定+ 5V输出电路
输出电压设定
V
R3
=
R4
×
BATT
–1
V
LBI
其中R3和R4是电阻分压器电阻器和第五
BATT
is
所需的低电压阈值。
由于LBI输入漏电流小于10 nA的，较大的数值
的UE可以以最小化加载选择R3和R4 。
例如，一个6伏的低阈值时，可以使用10兆欧姆为设置
R3和2.7 MΩ为R4。
在LBO输出为开漏输出变为低电平下沉
目前，当LBI小于1.255 V的上拉电阻
10kΩ或更大可被用于获得一个逻辑输出电平与
上拉电阻连接到V
OUT
.
V
IN
IN
OUT
R3
LBI
R4
SHDN GND
LBO
SET
V
OUT
+
10k
C1
10F
LOW BATTERY
状态输出
如果SET输入端被连接到一个电阻分压网络，所述
输出电压是根据下面的公式设定：
V
OUT
=V
SET
×
哪里
V
SET
= 1.255 V.
V
IN
IN
OUT
V
OUT
+
R2
SET
R1
SHDN
GND
C1
10F
R1
+
R2
R1
ADP667
ADP667
图3.可调式输出电路
电阻值可以通过首先选择一个值被选择
R 1 ，然后选择根据以下等式R 2 ：
图4.低电池/电源检测电路
V
R2
=
R1
×
OUT
1
V
SET
设置的输入漏电流为10 nA（最大值） 。这
允许大的电阻值，以R1和R2中进行选择以
小劣化的精度。例如， 1 MΩ电阻
可被选择用于R 1 ，然后R 2可以计算出与符合
多地。上设定的公差可以保证在低于
±
25毫伏，
因此，在大多数应用中的固定电阻器将是合适的。
–4–
第0版
ADP667
压差检测器
该ADP667具有一个非常低的压差制作
它适合于低电压系统，其中裕量是有限的。一
压差检测器也被提供。辍学检测器输出，
DD ，变化的压差电压接近其极限。这是
用于警告规有用不再能维持。
辍学检测器的输出是一个输出集电极开路
PNP晶体管。根据与在 - 正常工作条件
把电压超过300 mV以上输出时，PNP晶体管
体管截止，没有电流流出来的DD引脚。作为电压
少于300 mV的差减小，晶体管开关
上电流源。这种情况表明调控
不再能够维持。请参考图10中的
“典型性能特征。 ”电流输出可
可以通过从连接一个电阻器转换成电压输出
DD到GND 。 100千欧的电阻值是合适的。数字
可以使用一个比较器来获得状态信号。片上
如果它不被使用并监控一个比较LBI可以使用
电池电压。这示于图5中。
IN
OUT
+
+5V
产量
R2
10k
降
状态
产量
tained和大基极电流的PNP输出晶体管流
企图完全就拿着它。最低静态电流
租金，它因此重要的是在输入电压就会维持
tained比所希望的输出电平高。如果该设备正被
使用电池，可以降低排放的市盈率低于供电
ommended水平，有几个方法，可以是
施加以减小静态电流，但在牺牲
压差。第一，这些示于图6。
DD连接到SHDN稳压器与部分禁用
输入电压低于期望的输出电压，因此
的静态电流显着减少。
+
IN
OUT
+ C1
+5V
产量
V
IN
ADP667
DD
SET
GND SHDN
10F
R1
47k
C2
0.1F
V
IN
+
ADP667
LBI
LBO
DD
SET
GND SHDN
C1
10F
图6.智商降低1
R1
100k
图5.降状态输出
输出电容的选择
一个输出电容是必需的ADP667保持
稳定性，同时还提高了负载瞬态响应。钙
从10 pacitor值
F
向上是合适的。所有规格
系统蒸发散经过测试，保证10
F.
电容越大
比10
F
将进一步改善动态瞬态响应
稳压器的特点。钽电容或铝电解电 -
lytics是适用于大多数应用。对于温度低于
约-25℃ ，固体钽应使用尽可能多的alumi-
民电解质冻结在该温度下。
静态电流注意事项
另一种技术，用于减少静态电流接近滴
出被示于图7中的DD输出用于修改
输出电压以便为V
IN
下降，所需的输出电压
年龄设定值也下降。这种技术只克斯特工作时，
纳尔电阻来设置输出电压。随着V
IN
更大
比V
OUT
， DD没有任何效果。由于V
IN
减少和辍学是
到达后， DD输出开始拉电流进入设置
通过R3的输入。这增加了设置电压，使得
稳压器的反馈回路不开车内部PNP晶体管
TOR难，因为它，否则会。随着输入电压的持续
减少，更多的电流源，从而降低了PNP型
进一步推动。这个方案的优点是，它main-
含有一个低静态电流降低到V的极低值
IN
at
而此时的电池以及它们的有用的工作之外
范围内。输出电压跟踪输入电压减去
辍学。在SHDN功能也不会受到影响，可能会
通常需要时可以使用。
IN
OUT
+5V
产量
V
IN
+
ADP667
SHDN
GND
DD
SET
R2
1M
+ C1
10F
该ADP667采用PNP输出级，实现低压差
电压加上高输出电流能力。下
调节正常条件下的静态电流非常
低。然而，如果输入电压下降，使其低于
期望的输出电压，静态电流的增加考虑 -
干练。这是因为规定不能再main-
R1
332k
R3
1M
图7.智商降低2
第0版
–5–
QQ：2880707522 复制
