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电源管理单元
成像模块
ADP5020
特点
输入电压范围： 2.4 V至5.5 V
低待机电流： 1 μA
开关频率： 3 MHz的
I
2
C接口
同步降压型稳压器1 ： 600毫安
同步降压型稳压器2 ： 250毫安
低压差稳压器（ LDO ）为150mA
内部补偿
内部软启动
热关断
20引脚的4 mm× 4 mm LFCSP封装
V
IN
2.4V至5.5V
VDD1
10F
VDD2
VOUT1
VOUT1
VDD3
10F
PGND1
典型应用电路
SW1
2.2H
V
OUT1
2.5V至3.7V
ADP5020
VDDA
V
DD_IO
1.7V至3.6V
VDD_IO
10k
10k
0.1F
VOUT3
SDA
SCL
XSHTDN
EN / GPIO
DGND
AGND
SYNC
PGND2
1F
SW2
VOUT2
2.2H
V
OUT2
1.1V至1.8V
4.7F
应用
数码相机，手机
移动电视
V
OUT3
1.8V至3.3V
1F
EXT 。 FREQ
9.6/19.2MHz
图1 。
概述
该ADP5020提供了一个高度集成的电源解决方案
包括所有的电源电路中所必需的数字成像
模块。它包括两个降压式DC- DC转换器， 1
LDO ，以及电源时序控制器。所有的DC- DC转换器
集成功率的pMOSFET及nMOSFET的，使得系统
更简单，更紧凑，降低了成本。该ADP5020
已进行数字编程输出电压和降压转换器
可以提供高达600 mA的电流。固定频率操作
3 MHz的允许使用纤巧电感器和电容器。降压
转换器采用电压模式，恒定频率PWM控制
方案，并且同步整流来实现，以
减少功率损耗。降压稳压器1的运行速度高达
93 ％的效率。
该ADP5020提供高性能，降低了元件
计数和大小，以及更低的成本相比时conven-
tional设计。
ADP5020在运行输入电压从2.4 V至5.5 V
支持单节锂离子（Li + ）电池。高perfor-
曼斯LDO最大限度地抑制噪声。该ADP5020可
通过我激活
2
C接口或通过一个专用的使能输入。
在逻辑控制关断，输入断开
从输出源，以及部分绘制1微安从典型
输入源。其他主要功能包括欠压锁定
为防止深度放电的电池和软启动，以防止输入
电流过冲启动。该ADP5020是一个可
20引脚LFCSP封装。
第0版
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获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2009 ADI公司保留所有权利。
07774-001
ADP5020
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
典型应用电路............................................... ............. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
功能框图............................................... ............... 3
规格................................................. .................................... 4
开关规格................................................ .............. 5
直流 - 直流转换规范，降压稳压器1 5 .......
直流 - 直流转换规范，降压稳压器2 6 .......
VOUT3规格，低压降（ LDO ）稳压器........ 6
I
2
I2C时序规范............................................... ............. 7
绝对最大额定值............................................... ............. 8
热阻................................................ ...................... 8
ESD注意事项................................................ .................................. 8
引脚配置和功能说明............................. 9
典型性能特征........................................... 10
工作原理............................................... ....................... 13
电路工作原理................................................ ....................... 13
内部补偿................................................ .............. 13
电流限制和短路保护..................... 13
同步................................................. ......................... 13
I
2
C接口................................................ ................................ 13
欠压锁定................................................ ............... 13
热关断................................................ .................... 13
控制寄存器................................................ ............................ 14
设备地址................................................ ........................... 14
注册地图................................................ ............................... 14
注册说明................................................ ................. 14
上电/断电顺序.......................................... ..... 17
编曲................................................. ................................... 17
默认的上电顺序与EN引脚.............................. 17
上电顺序使用I
2
C接口.............................. 19
上电/掉电状态流......................................... 20
应用信息................................................ .............. 21
电源良好状态............................................... ...................... 21
XSHTDN逻辑................................................ .......................... 21
元器件选择................................................ ............... 21
LDO的输入滤波器............................................... .......................... 22
布局建议................................................ ............. 23
应用原理图................................................ ............. 23
PCB板布局建议.................................... 24
外部组件列表............................................... ........... 24
外形尺寸................................................ ....................... 25
订购指南................................................ .......................... 25
修订历史
4月9日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第28 2
ADP5020
功能框图
VDD3 VDD1 VDD2
VDDA
SW1
XSHTDN
RESET
UVLO
BUCK 1
VOUT1
VOUT1
SCL
I
2
C
SDA
BUCK 2
VDD_IO
EN / GPIO
控制
逻辑
PGND1
SW2
VOUT2
PGND2
SYNC
热
关闭
LDO
VOUT3
BUCK1_EN
VDDA
- 临近
保存
SEQUENCER
BUCK2_EN
LDO_EN
07774-002
DGND
AGND
图2中。
第0版|第3页
28
ADP5020
特定网络阳离子
T
J
= -40 ° C至+ 125°C ，V
DDX
= 3.6 V, V
DD_IO
= 1.8 V时，除非另有说明。
表1中。
参数
工作范围
VDDX工作电压范围
逻辑I / O工作电压范围
1
EN ， SDA ， SCL特性
低电平输入电压
高电平输入电压
输入逻辑电流
XSHTDN ， EN / GPIO
低电平输出电压
高电平输出电压
输出逻辑漏电流
欠压锁定阈值
落下
升起
上电复位门限
落下
升起
UVLO毛刺去抖时间
关断输出持续时间
2
POWER GOOD （ POK ）激活延迟时间
3
EN到第一稳压器
第一个第二个稳压器
第二个第三个稳压器
空载电流特性
待机电流
锁定当前
工作静态电流，开关
4
热特性
热关断，T
J
升起
热关断迟滞
内务管理BLOCK
电源正常阈值
1
2
符号
V
DD
V
DD_IO
V
IL
V
IH
I
LK
V
OL
V
OH
I
LK
V
UVLOF
V
UVLOR
V
PORF
V
PORR
t
XSHTDN
t
REG1
t
REG2
t
REG3
I
Q（ STNBY ）
I
LOCK
I
Q
T
SD
条件
民
2.4
1.7
典型值
最大
5.5
3.6
0.3 × V
DD_IO
单位
V
V
V
V
μA
V
V
μA
V
V
V
V
μs
ms
ms
ms
ms
内部上拉下来， 1 MΩ
I
RST
= 3毫安
I
RST
= -3毫安
0.7 × V
DD_IO
1
+6
0.2 × V
DD_IO
0.8 × V
DD_IO
1
参考V
DDA
参考V
DDA
参考V
DDA
参考V
DDA
V
DD
> POR水平
XSHTDN线驱动为低电平
1.8
2.0
2.2
1.4
1.6
50
1
5
5
5
2.4
1.0
1.7
EN = 0
EN = 0 ，V
DDA
＆ LT ; V
UVLOF
I
负载
= 0毫安
1
1
10
150
30
70
80
5
1
15
μA
μA
mA
°C
°C
V
PG
90
%
在V
DD_IO
电压必须小于或等于在V的电平
DDX
供应线。
使用EN引脚关断时输出时间是自动的。使用时，我得到这个延迟
2
C， FORCE_XS必须设置为1 。
3
激活的延迟只适用于该装置通过EN引脚或EN_ALL位激活（地址0×03 [4]） ;定序控制上的转弯
监管机构。
4
静态电流的计算，就好像所有的监管机构均已通电。
第0版|页4
28
ADP5020
交换特定网络阳离子
表2中。
参数
开关频率
CH1
CH2
同步时钟分频比
符号
f
SW1
f
SW2
比
DIV
比
DIV
SYNC特性
频带
f
SYNC1
f
SYNC2
f
SYNCDUTY
9.6
19.2
50
兆赫
兆赫
%
条件
同步停用
同步停用
SYNC_9P6 = 1
SYNC_19P2 = 1
民
2.5
2.5
典型值
3
3
3
6
最大
3.6
3.6
单位
兆赫
兆赫
频率占空比
信号
直流耦合度
低电平输入电压
高电平输入电压
直流耦合
AC耦合度
交流耦合电容
输入电流
40
60
V
IL
V
IH
V
SYNC
V
CAC -PP
I
SYNC
0.3 × V
DD_IO
0.7 × V
DD_IO
0
0.5
V
DD_IO
V
DD_IO
正弦波，峰 - 峰
SYNC_9P6 = 1，或SYNC_19P2 = 1
1.0
10
50
V
V
V
V
nF
μA
DC- TO- DC转换规范，降压稳压器1
表3中。
参数
输出电压
范围
1
初始精度
总精度
VOUT1调节
负载调整率
线路调整
当前
最大输出电流
静态电流
动力
低端功率NMOS场效应晶体管
高端电源PMOS场效应晶体管
开关电流限制
最小导通时间
最大占空比
软启动时间
C
OUT
放电开关导通电阻
1
2
符号
V
OUT1
条件
3比特的范围
T
A
= 25 ° C，V
DD1 2
, V
OUT1
= 3.3 V，I
负载
= 20毫安
V
DD1 3
, I
负载
= 50 mA至600毫安
I
负载
= 20 mA至600毫安
V
DDA
= 1.8 V, V
DD12, 3
民
2.5
1
5
典型值
最大
3.7
+1
+4
单位
V
%
%
%
%
0.2
0.15
600
6
250
400
1.6
95
1.3
I
BK1MAX
I
QBK1
R
DSON1
R
DSON1
I
CL1
t
MIN1
D
MAX1
t
SS1
R
DIS1
V
DD13
, V
OUT1
= 2.5 V至3.7 V
I
负载
= 0毫安
I
D
= 400毫安
I
D
= 400毫安
0.8
4
175
250
1.2
55
88
1.4
1
mA
mA
mΩ
mΩ
A
ns
%
ms
kΩ
0.7
请参阅表13 （在BUCK1_VSEL寄存器，地址0x01 ）了解详细信息。
V
DD1
= 3.1 V至5.5 V，I
负载
小于200毫安。用于精密调节，电源电压必须比输出电压为0.6V以上。
3
V
DD1
= 3.7 V至5.5 V，I
负载
超过200毫安。用于精密调节，电源电压必须是1.2V的比输出电压高。
第0版|第5
28
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