ADP3611
双自举,高
电压MOSFET驱动器
与输出禁用
该ADP3611是驱动两个优化的双MOSFET驱动器
N沟道开关的非隔离同步降压MOSFET的
用于电源的CPU在便携式计算机的电源转换器。该
驱动器阻抗已被选定,以提供最佳的
在多相稳压器性能,每相高达25A的。该
高侧驱动器,可自举相的交换节点
降压转换器和被设计为容纳所述高电压
浮动高边栅极驱动器相关联的压摆率。内部
同步MOSFET用于替换的外部自举
肖特基二极管。这允许更大的高边栅极电压
提高了效率。
该ADP3611包括anticross传导保护电路,
欠压锁定,以保持开关关闭,直到司机
足够高的电压为正常操作,一个短路器输入端,接通
低侧MOSFET独立于输入信号的状态,和一个
低端MOSFET禁用引脚以提供更高的光效率
负载。 SD引脚关闭两个高侧和低侧
MOSFET,以防止系统在快速输出电容放电
关机。
该ADP3611工作在扩展商业
的温度范围内
10°C
至100℃ ,并在10引线可
MSOP封装和8引脚DFN的2x2 mm封装。
特点
http://onsemi.com
1
DFN8
CP后缀
CASE 506AA
MSOP10
JRM后缀
CASE 846AC
标记DIAGRAMS
1
XX MG
G
所有功能于一身的同步降压驱动器
一个PWM信号生成两个驱动器
Anticross传导保护电路
输出禁止功能
撬棍控制
同步改写控制
这是一个Pb - Free设备
XXMG
G
X =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
应用
移动计算CPU核电源转换器
多相台音符CPU用品
单电源供电的同步降压转换器
非同步到同步驱动转换
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司, 2008年
2008年10月,
第0版
1
出版订单号:
ADP3611/D
ADP3611
简化功能框图。
图1.采用MSOP- 10封装框图
一般应用电路
图2. MSOP - 10封装应用电路
表1.订购信息
模型
ADP3611JRMZREEL*
ADP3611MNR2G*
* Z或G =无铅零件
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
温度
范围
10°C
至100℃
10°C
至100℃
包装说明
10引脚微型小外形封装( MSOP )
8引脚2×2毫米的封装
包
选项
RM10
DFN
QUANTITY
每卷
3000
3000
BRANDING
3611
D6 M
http://onsemi.com
2
ADP3611
表2.电气特性
(V
CC
= SD = 5 V , BST
SW = 5 V ,T
A
=
10°C
至100℃ ,除非另有说明)
参数
符号
条件
民
典型值
最大
单位
逻辑输入(IN , SD , DRVLSD ,撬杠)
输入电压高
输入电压低
输入电流
撬棍电阻
DRVLSD传播延迟时间
高侧驱动器
输出电阻,拉电流
输出阻抗,可吸入电流
转换时间
t
rDRVH
t
fDRVH
传播延迟时间(注1 )
t
pdhDRVH
t
pdlDRVH
低侧驱动器
输出电阻,拉电流
输出阻抗,可吸入电流
转换时间
t
rDRVL
t
fDRVL
传播延迟时间
(注1及2 )
SW转换超时(注2)
过零阈值
升压整流器
输出电阻
开关节点电阻
开关节点电阻
供应
电源电压范围
电源电流
普通模式
电源电流
关断模式
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
(注3)
V
CC
I
SYS ( NM )
I
SYS ( SD )
I
CC
+ I
BST
, IN = 0 V或5 V
I
CC
+ I
BST
, SD = 0 V
V
CC
升起
V
CC
落下
4
50
4.6
0.5
30
4.35
210
5.5
1
200
4.5
V
mA
mA
V
mV
R
SW
EN = 0 V
3
kW
R
BOOT
10
18
W
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
t
SWTO
V
ZC
C
负载
= 3 nF的,图4中
C
负载
= 3 nF的,图4中
C
负载
= 3 nF的,图4中
C
负载
= 3 nF的,图4中
SW = 2 V
150
1.7
0.8
20
15
15
15
270
1.8
3.3
2.3
30
25
40
30
450
W
W
ns
ns
ns
ns
ns
V
C
负载
= 3 nF的,图4中
C
负载
= 3 nF的,图4中
C
负载
= 3 nF的,图4中
C
负载
= 3 nF的,图4中
15
1.9
1.0
20
15
30
20
3.3
2.3
35
25
60
40
W
W
ns
ns
ns
ns
V
IH
V
IL
I
IN
R
IN
t
pdlDRVLSD
t
pdhDRVLSD
输入= 0 V或5 V ,IN , SD , DRVLSD
阻力撬棍到GND
C
负载
= 3 nF的,图3中
1
250
20
2.0
0.8
+1
V
V
mA
kW
ns
注:所有极限温度下通过的相关使用标准统计质量控制( SQC)方法。
1.对于传播延迟,T
PDH
指的是指定的信号变高,而t
PDL
指的是将低与50%测得的转换的信号。
2. DRVL的导通后开始变低,由西南要么穿越了 1 V阈值或用t到期
SWTO
.
3.通过特性保证,未经生产测试。
http://onsemi.com
3
ADP3611
表3.绝对最大额定值
(除非另有说明,所有电压都是以GND为参考)。
参数
VCC
BST , DRVH
BST到SW
BST至VCC
SW
DRVH到SW
DRVH
DRVL
所有其它输入和输出
q
JA
MSOP -10封装
2层板
4层板
DC
吨< 200纳秒
DC
吨< 200纳秒
DC
吨< 200纳秒
DC
吨< 200纳秒
等级
0.3
到+6
0.3
+26
0.3
至+31
0.3
到+6
0.3
到+21
0.3
+26
1
到+21
6
+26
0.3
到+6
SW
0.3 BST + 0.3
0.3
到+6
5
到+6
0.3
到+6
340
220
143
10
+100
10
+150
65
+150
焊接( 10秒)
气相( 60秒)
红外( 15秒)
300
215
220
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
°C
q
JA
QFN - 8 2毫米×2毫米包装
工作环境温度范围
结温范围
存储温度范围
铅温度范围
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
注:此设备ESD敏感。操作时,请使用标准的ESD防护措施。
引脚配置
IN
1
SD
2
DRVLSD
3
CROWBAR
4
VCC
5
10
9
BST
DRVH
SW
GND
DRVL
ADP3611
顶视图
(不按比例)
8
7
6
图5. 10引脚MSOP封装
IN
SD
DRVLSD
VCC
BST
ADP3611
顶视图
(不按比例)
DRVH
SW
DRVL
图6. 8引脚DFN 2 ×2毫米包装
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5
ADP3611
产品预览
双自举,高
电压MOSFET驱动器
与输出禁用
该ADP3611是驱动两个优化的双MOSFET驱动器
N沟道开关的非隔离同步降压MOSFET的
用于电源的CPU在便携式计算机的电源转换器。该
驱动器阻抗已被选定,以提供最佳的
在多相稳压器性能,每相高达25A的。该
高侧驱动器,可自举相的交换节点
降压转换器和被设计为容纳所述高电压
浮动高边栅极驱动器相关联的压摆率。内部
同步MOSFET用于替换的外部自举
肖特基二极管。这允许更大的高边栅极电压
提高了效率。
该ADP3611包括anticross传导保护电路,
欠压锁定,以保持开关关闭,直到司机
足够高的电压为正常操作,一个短路器输入端,接通
低侧MOSFET独立于输入信号的状态,和一个
低端MOSFET禁用引脚以提供更高的光效率
负载。 SD引脚关闭两个高侧和低侧
MOSFET,以防止系统在快速输出电容放电
关机。
该ADP3611工作在扩展商业
的温度范围内
10°C
至100℃ ,并在10引线可
MSOP封装和8引脚DFN的2x2 mm封装。
特点
http://onsemi.com
1
DFN8
CP后缀
CASE 506AA
MSOP10
JRM后缀
CASE 846AC
标记DIAGRAMS
1
XX MG
G
所有功能于一身的同步降压驱动器
一个PWM信号生成两个驱动器
Anticross传导保护电路
输出禁止功能
撬棍控制
同步改写控制
这是一个Pb - Free设备
XXMG
G
X =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
应用
移动计算CPU核电源转换器
多相台音符CPU用品
单电源供电的同步降压转换器
非同步到同步驱动转换
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体
保留不另行通知,以更改或终止本产品的权利。
半导体元件工业有限责任公司, 2008年
2008年10月,
牧师P0
1
出版订单号:
ADP3611/D
ADP3611
简化功能框图。
图1.采用MSOP- 10封装框图
一般应用电路
图2. MSOP - 10封装应用电路
表1.订购信息
模型
ADP3611JRMZREEL*
ADP3611MNR2GREEL*
* Z或G =无铅零件
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
温度
范围
10°C
至100℃
10°C
至100℃
包装说明
10引脚微型小外形封装( MSOP )
8引脚2×2毫米的封装
包
选项
RM10
DFN
QUANTITY
每卷
3000
3000
BRANDING
3611
D6 M
http://onsemi.com
2
ADP3611
表2.电气特性
(V
CC
= SD = 5 V , BST
SW = 5 V ,T
A
=
10°C
至100℃ ,除非另有说明)
参数
符号
条件
民
典型值
最大
单位
逻辑输入(IN , SD , DRVLSD ,撬杠)
输入电压高
输入电压低
输入电流
撬棍电阻
DRVLSD传播延迟时间
高侧驱动器
输出电阻,拉电流
输出阻抗,可吸入电流
转换时间
t
rDRVH
t
fDRVH
传播延迟时间(注1 )
t
pdhDRVH
t
pdlDRVH
低侧驱动器
输出电阻,拉电流
输出阻抗,可吸入电流
转换时间
t
rDRVL
t
fDRVL
传播延迟时间
(注1及2 )
SW转换超时(注2)
过零阈值
升压整流器
输出电阻
开关节点电阻
开关节点电阻
供应
电源电压范围
电源电流
普通模式
电源电流
关断模式
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
(注3)
V
CC
I
SYS ( NM )
I
SYS ( SD )
I
CC
+ I
BST
, IN = 0 V或5 V
I
CC
+ I
BST
, SD = 0 V
V
CC
升起
V
CC
落下
4
50
4.6
0.5
30
4.35
210
5.5
1
200
4.5
V
mA
mA
V
mV
R
SW
EN = 0 V
3
kW
R
BOOT
10
18
W
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
t
SWTO
V
ZC
C
负载
= 3 nF的,图4中
C
负载
= 3 nF的,图4中
C
负载
= 3 nF的,图4中
C
负载
= 3 nF的,图4中
SW = 2 V
150
1.7
0.8
20
15
15
15
270
1.8
3.3
2.3
30
25
40
30
450
W
W
ns
ns
ns
ns
ns
V
C
负载
= 3 nF的,图4中
C
负载
= 3 nF的,图4中
C
负载
= 3 nF的,图4中
C
负载
= 3 nF的,图4中
15
1.9
1.0
20
15
30
20
3.3
2.3
35
25
60
40
W
W
ns
ns
ns
ns
V
IH
V
IL
I
IN
R
IN
t
pdlDRVLSD
t
pdhDRVLSD
输入= 0 V或5 V ,IN , SD , DRVLSD
阻力撬棍到GND
C
负载
= 3 nF的,图3中
1
250
20
2.0
0.8
+1
V
V
mA
kW
ns
注:所有极限温度下通过的相关使用标准统计质量控制( SQC)方法。
1.对于传播延迟,T
PDH
指的是指定的信号变高,而t
PDL
指的是将低与50%测得的转换的信号。
2. DRVL的导通后开始变低,由西南要么穿越了 1 V阈值或用t到期
SWTO
.
3.通过特性保证,未经生产测试。
http://onsemi.com
3
ADP3611
表3.绝对最大额定值
(除非另有说明,所有电压都是以GND为参考)。
参数
VCC
BST , DRVH
BST到SW
BST至VCC
SW
DRVH到SW
DRVH
DRVL
所有其它输入和输出
q
JA
MSOP -10封装
2层板
4层板
DC
吨< 200纳秒
DC
吨< 200纳秒
DC
吨< 200纳秒
DC
吨< 200纳秒
等级
0.3
到+6
0.3
+26
0.3
至+31
0.3
到+6
0.3
到+21
0.3
+26
1
到+21
6
+26
0.3
到+6
SW
0.3 BST + 0.3
0.3
到+6
5
到+6
0.3
到+6
340
220
143
10
+100
10
+150
65
+150
焊接( 10秒)
气相( 60秒)
红外( 15秒)
300
215
220
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
°C
q
JA
QFN - 8 2毫米×2毫米包装
工作环境温度范围
结温范围
存储温度范围
铅温度范围
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
注:此设备ESD敏感。操作时,请使用标准的ESD防护措施。
引脚配置
IN
1
SD
2
DRVLSD
3
CROWBAR
4
VCC
5
10
9
BST
DRVH
SW
GND
DRVL
ADP3611
顶视图
(不按比例)
8
7
6
图5. 10引脚MSOP封装
IN
SD
DRVLSD
VCC
BST
ADP3611
顶视图
(不按比例)
DRVH
SW
DRVL
图6. 8引脚DFN 2 ×2毫米包装
http://onsemi.com
5