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双自举12 V MOSFET
驱动器与输出禁用
ADP3418
特点
ALL-IN -One的同步降压驱动器
自举高边驱动器
1 PWM信号生成两个驱动器
Anticross传导保护电路
输出禁用控制关断MOSFET都飘起了
每英特尔VRM 10和AMD Opteron处理器的规格输出
概述
该ADP3418是一款双通道,高电压MOSFET驱动器优化
用于驱动两个N沟道MOSFET ,这两个开关在一个
非隔离,同步,降压型电源转换器。每个
司机是能够驱动3000 pF负载具有30 ns的过渡
时间。一司机可自举,并且被设计成
处理与浮动高相关的高压摆率
侧栅极驱动器。该ADP3418包含重叠的驱动器
保护,防止直通电流在外部
的MOSFET。的OD端子关闭两个高侧和
低端MOSFET ,以防止快速输出电容放电
在系统关机。
该ADP3418工作在商用温度
是采用8引脚SOIC范围为0 ° C至85°C ,并
封装。
应用
多相台式机CPU用品
单电源同步降压转换器
功能框图
12V
C
VCC
VCC
4
D1
C
BST2
C
BST1
Q1
R
G
R
BST1
7
ADP3418
1
BST
DRVH
IN
2
8
延迟
SW
TO
感应器
CMP
S
R
Q
Q
延迟
VCC
6
5
DRVL
保护地
Q2
CMP
1V
6
3
OD
图1 。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是,没有责任承担由Analog Devices供其使用,也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利,可能导致其使用的。
规格如有变更,恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
03229-B-001
ADP3418
目录
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 4
ESD注意事项................................................ .................................. 4
引脚配置和功能说明............................. 5
时序特性................................................ ..................... 6
典型性能特征............................................. 7
工作原理............................................... ......................... 9
低侧驱动器.............................................. .............................. 9
高侧驱动器.............................................. ............................ 9
重叠保护电路............................................... ............ 9
应用信息................................................ ................ 10
供应电容的选择............................................... ........ 10
自举电路................................................ ........................ 10
MOSFET选择................................................ ..................... 10
PC板布局考虑.............................................. ... 12
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 14
修订历史
从版本A 8月4日,数据表变更为版本B
更新了图1 ;删除图2 ............................................... ...... 1
更新的技术规格表............................................... ................ 3
更新引脚说明............................................... ....................... 5
操作更新的理论.............................................. ............... 9
更新的应用程序组............................................... ............. 10
切换到订购指南.............................................. ................... 14
4月4日,数据表,从第0更改为版本A
更新格式................................................ ......................通用
更改为一般说明.............................................. ............. 1
变化图13 .............................................. ................................ 8
切换到订购指南.............................................. ................... 12
3月3日 - 修订版0 :初始版
版本B |第16页2
ADP3418
特定网络阳离子
1
VCC = 12 V , BST = 4 V至26 V ,T
A
= 0℃至85 ℃,除非另有说明。
表1中。
参数
供应
电源电压范围
电源电流
OD输入
输入电压高
输入电压低
输入电流
传播延迟时间
PWM输入
输入电压高
输入电压低
输入电流
高侧驱动器
输出电阻,拉电流
输出阻抗,可吸入电流
转换时间
符号
V
CC
I
SYS
条件
4.15
BST = 12 V , IN = 0 V
2.6
–1
t
pdhOD
t
pdlOD
见图3
见图3
3.0
–1
V
BST
V
SW
= 12 V
V
BST
V
SW
= 12 V
参见图4 ,V
BST
V
SW
= 12 V,
C
负载
= 3 nF的
参见图4 ,V
BST
V
SW
= 12 V,
C
负载
= 3 nF的
参见图4 ,V
BST
V
SW
= 12 V
V
BST
V
SW
= 12 V
1.8
1.0
35
20
40
20
1.8
1.0
25
21
30
10
240
120
0.8
+1
3.0
2.5
45
30
65
35
3.0
2.5
35
30
60
20
25
20
0.8
+1
40
40
3
典型值
最大
13.2
6
单位
V
mA
V
V
A
ns
ns
V
V
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
rDRVH
t
fDRVH
传播延迟
2
低侧驱动器
输出电阻,拉电流
输出阻抗,可吸入电流
转换时间
传播延迟
超时延迟
2
t
pdhDRVH
t
pdlDRVH
t
rDRVL
t
fDRVL
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
参见图4 ,C
负载
= 3 nF的
参见图4 ,C
负载
= 3 nF的
参见图4
参见图4
SW = 5 V
SW - 保护地
90
1
2
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制( SQC )保证。
对于传播延迟,叔
PDH
指的是指定的信号变高,而t
PDL
指的是它要低。
版本B |第16页3
ADP3418
绝对最大额定值
表2中。
参数
VCC
BST
DC
<200 NS
BST到SW
SW
DC
< 200纳秒
DRVH
DRVL ( < 200纳秒)
所有其它输入和输出
工作环境温度
范围
工作结温
范围
存储温度范围
结到空气的热阻
JA
)
2层电路板
4层板
焊接温度(焊接, 10秒)
红外( 15秒)
等级
0.3 V至+15 V
-0.3 V至VCC + 15 V
0.3 V至36 V
0.3 V至+15 V
-5 V至+15 V
-10 V至+25 V
SW - 0.3 V至BST + 0.3 V
-2 V至VCC + 0.3 V
-0.3 V至VCC + 0.3 V
0 ° C至85°C
0℃ 150℃
-65 ° C至+ 150°C
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。绝对最大额定值分别适用
止,不结合。除非另有说明,所有电压
被引用到PGND。
123°C/W
90°C/W
300°C
260°C
ESD警告
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路,永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议,以避免性能
下降或功能丧失。
版本B |第16页4
ADP3418
引脚配置和功能描述
BST
1
IN
2
8
DRVH
03229-B-002
SW
顶视图
OD
3
(不按比例)
6
保护地
VCC
4
5
DRVL
7
AD3418
图2.引脚配置
表3.引脚功能描述
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
助记符
BST
IN
OD
VCC
DRVL
保护地
SW
DRVH
描述
上MOSFET浮动自举电源。连接在BST和SW引脚的电容持有该
自举电压的高侧MOSFET ,因为它被切换。该电容应为100 nF和1 μF之间。
逻辑电平输入。该引脚具有的驱动输出主要控制。
输出禁用。低电平时,此引脚禁用正常运转,迫使DRVH和DRVL低。
输入电源。该引脚应被绕过和PGND 1 μF陶瓷电容。
同步整流驱动器。输出驱动器的低端(同步整流) MOSFET 。
电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。
该引脚被连接到降压切换节点,靠近上MOSFET的源极。它是对所述浮动回报
上部MOSFET的驱动信号。
降压驱动器。输出驱动器上(降压) MOSFET 。
版本B |第16页5
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