a
特点
ALL-IN -One的同步降压驱动器
自举高侧驱动器
一个PWM信号生成两个驱动器
Anticross传导保护电路
脉冲由脉冲控制禁用
IN
VCC
双自举
MOSFET驱动器
ADP3416
功能框图
BST
DRVH
交叠
保护
电路
应用
移动计算CPU核电源转换器
多相台式机CPU用品
单电源同步降压转换器
标准对同步器改编
SW
DRVL
ADP3416
保护地
概述
该ADP3416是驱动优化的双MOSFET驱动器
两个N沟道MOSFET ;这些都是一个的两个开关
非隔离同步降压型电源转换器。中的一个
驱动程序可以被自举的并且被设计来处理
与“浮动”高端相关联的高压摆率
栅极驱动器。该ADP3416包含重叠的驱动器亲
保护（ ODP ），以防止直通电流在外部
的MOSFET。
该ADP3416工作在商用温度
是采用8引脚SOIC封装范围为0 ° C至70 ° C和。
7V
D1
VCC
12V
ADP3416
BST
C
BST
DRVH
IN
Q1
SW
延迟
1V
DRVL
1V
保护地
Q2
图1.应用电路
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
ADP3416–SPECIFICATIONS
（T = 0 ℃至70℃， Vcc = 7伏， BST = 4 V至26 V时，除非另有说明。 ）
A
1
参数
供应
电源电压范围
静态电流
PWM输入
输入电压高
2
输入电压低
2
高端驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
转换时间
3
（参见图2）
传播延迟
3, 4
（参见图2）
低侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
转换时间
3
（参见图2）
传播延迟
3, 4
（参见图2）
符号
VCC
ICC
Q
条件
民
4.15
典型值
最大
7.5
5
单位
V
mA
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
2.3
0.8
V
BST
– V
SW
= 5 V
V
BST
– V
SW
= 7 V
V
BST
– V
SW
= 5 V
V
BST
– V
SW
= 7 V
V
BST
– V
SW
= 7 V ，C
负载
= 3 nF的
V
BST
– V
SW
= 7 V ，C
负载
= 3 nF的
V
BST
– V
SW
= 7 V
V
BST
– V
SW
= 7 V
VCC = 5 V
VCC = 7 V
VCC = 5 V
VCC = 7 V
VCC = 7 V ，C
负载
= 3 nF的
VCC = 7 V ，C
负载
= 3 nF的
VCC = 7 V
VCC = 7 V
3.0
2.0
2.0
1.0
25
20
65
25
3.0
2.0
2.0
1.0
25
20
30
15
5.0
4.0
4.0
2.5
40
30
90
35
5.0
4.0
4.0
2.5
40
30
40
25
tr
DRVH
tf
DRVH
tPDH时间
DRVH
保持tPDL
DRVH
tr
DRVL
tf
DRVL
tPDH时间
DRVL
保持tPDL
DRVL
笔记
1
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC）方法。
2
逻辑输入符合典型的CMOS I / O条件下的拉/灌电流（ 1
A).
3
AC规格是由特性保证，但未经生产测试。
4
对于传播延迟， “ TPDH ”指的是指定的信号变为高电平; “保持tPDL ”是指它变低。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADP3416
绝对最大额定值*
订购指南
模型
温包
范围
描述
8引脚标准
小外形封装（ SOIC ）
包
选项
SOIC-8
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+8 V
BST 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+30 V
BST到SW 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+8 V
SW 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5.0 V至+25 V
IN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至VCC + 0.3 V
工作环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 0∞C到70∞C
工作结温范围。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
θ
JA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 155 ° C / W
θ
JC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 ° C / W
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*本
是一个额定值;超出这些限制的操作可能会导致设备
永久损坏。除非另有规定ED ，所有电压参考
至PGND 。
ADP3416JR 0 ° C至70℃
引脚配置
BST
1
IN
NC
2
3
8
DRVH
SW
保护地
DRVL
ADP3416
顶视图
（不按比例）
7
6
5
VCC
4
NC =无连接
引脚功能描述
针
1
助记符
BST
功能
浮动自举电源的MOSFET上。连接BST和SW引脚之间的电容
持有该自举电压高侧MOSFET ，它的切换。该电容应
100 NF和1楼之间的选择
TTL电平输入信号具有的驱动输出主要控制。
无连接。
输入电源。该引脚应被绕过和PGND 1
F
陶瓷电容器。
同步整流驱动器。输出驱动器的低端（同步整流） MOSFET 。
电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。
该引脚被连接到降压 - 交换节点，靠近上部MOSFET的源极。它是浮动的
回报上MOSFET驱动信号。它也可以用来监视切换电压，以防止开启
在下部的MOSFET ，直到电压低于 1V。因此，根据运行条件，将
高低电平的转换延迟在此引脚决定。
降压驱动器。输出驱动器上（降压） MOSFET 。
2
3
4
5
6
7
IN
NC
VCC
DRVL
保护地
SW
8
DRVH
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
该ADP3416具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
REV 。一
–3–
ADP3416
IN
保持tPDL
DRVL
DRVL
tf
DRVL
保持tPDL
DRVH
tr
DRVL
tf
DRVH
tPDH时间
DRVH
tr
DRVH
DRVH -SW
V
TH
V
TH
tPDH时间
DRVL
SW
1V
图2.非重叠时序图（时序参考的90 ％和10 ％点数除非另有说明）
–4–
REV 。一
典型性能特征 - ADP3416
50
C
负载
= 3nF的
T
DRVH
5V/DIV
R3
T
A
= 25 C
VCC = 5V
T
T
A
= 25 C
VCC = 5V
R3
DRVL
2V/DIV
DRVH
5V/DIV
时间 - NS
45
DRVH @ VCC = 5V
40
DRVH @ VCC = 7V
DRVL @ VCC = 5V
35
IN
R2
R1
2V/DIV
40ns/DIV
DRVL
5V/DIV
R2
R1
30
25
IN
2V/DIV
40ns/DIV
DRVL @ VCC = 7V
20
0
25
100
50
75
结温 - C
125
TPC 1. DRVH秋季和DRVL崛起
时
35
DRVL @ VCC = 7V
30
25
DRVL @ VCC = 5V
TPC 2. DRVL秋季和DRVH崛起
时
55
50
DRVH @ VCC = 5V
45
40
TPC 3. DRVH和DRVL上升时间
与温度的关系
37
32
DRVL @ VCC = 7V
27
时间 - NS
20
15
10
5
0
DRVH @ VCC = 7V
DRVH @ VCC = 5V
时间 - NS
35
30
25
20
15
DRVL @ VCC = 5V
DRVL @ VCC = 7V
时间 - NS
DRVH @ VCC = 7V
22
17
DRVH @ VCC = 5V
DRVH @ VCC = 7V
DRVL @ VCC = 5V
12
0
25
50
75
100
结温 - C
125
10
1.0
2.0
3.0
4.0
负载电容 - nF的
5.0
7
1.0
1.5
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
负载电容 - nF的
5.0
TPC 4. DRVH和DRVL下降时间
与温度的关系
35
30
电源电流 - 毫安
25
VCC = 7V
20
15
10
5
0
VCC = 5V
T
A
= 25 C
C
负载
= 3nF的
TPC 5. DRVH和DRVL上升时间
与负载电容
8.5
8.0
电源电流 - 毫安
TPC 6. DRVH和DRVL下降时间
与负载电容
VCC = 7V
7.5
7.0
6.5
6.0
VCC = 5V
5.5
5.0
C
负载
= 3nF的
f
IN
= 250kHz的
0
200
400 600 800 1000 1200 1400
在频率 - 千赫
0
100
25
50
75
结温 - C
125
TPC 7.电源电流与
频率
TPC 8.电源电流与
温度
REV 。一
–5–
a
特点
ALL-IN -One的同步降压驱动器
自举高侧驱动器
一个PWM信号生成两个驱动器
Anticross传导保护电路
脉冲由脉冲控制禁用
IN
VCC
双自举
MOSFET驱动器
ADP3416
功能框图
BST
DRVH
交叠
保护
电路
应用
移动计算CPU核电源转换器
多相台式机CPU用品
单电源同步降压转换器
标准对同步器改编
SW
DRVL
ADP3416
保护地
概述
该ADP3416是驱动优化的双MOSFET驱动器
两个N沟道MOSFET ;这些都是一个的两个开关
非隔离同步降压型电源转换器。中的一个
驱动程序可以被自举的并且被设计来处理
与“浮动”高端相关联的高压摆率
栅极驱动器。该ADP3416包含重叠的驱动器亲
保护（ ODP ），以防止直通电流在外部
的MOSFET。
该ADP3416工作在商用温度
是采用8引脚SOIC封装范围为0 ° C至70 ° C和。
7V
D1
VCC
12V
ADP3416
BST
C
BST
DRVH
IN
Q1
SW
延迟
1V
DRVL
1V
保护地
Q2
图1.应用电路
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
ADP3416–SPECIFICATIONS
（T = 0 ℃至70℃， Vcc = 7伏， BST = 4 V至26 V时，除非另有说明。 ）
A
1
参数
供应
电源电压范围
静态电流
PWM输入
输入电压高
2
输入电压低
2
高端驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
转换时间
3
（参见图2）
传播延迟
3, 4
（参见图2）
低侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
转换时间
3
（参见图2）
传播延迟
3, 4
（参见图2）
符号
VCC
ICC
Q
条件
民
4.15
典型值
最大
7.5
5
单位
V
mA
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
2.3
0.8
V
BST
– V
SW
= 5 V
V
BST
– V
SW
= 7 V
V
BST
– V
SW
= 5 V
V
BST
– V
SW
= 7 V
V
BST
– V
SW
= 7 V ，C
负载
= 3 nF的
V
BST
– V
SW
= 7 V ，C
负载
= 3 nF的
V
BST
– V
SW
= 7 V
V
BST
– V
SW
= 7 V
VCC = 5 V
VCC = 7 V
VCC = 5 V
VCC = 7 V
VCC = 7 V ，C
负载
= 3 nF的
VCC = 7 V ，C
负载
= 3 nF的
VCC = 7 V
VCC = 7 V
3.0
2.0
2.0
1.0
25
20
65
25
3.0
2.0
2.0
1.0
25
20
30
15
5.0
4.0
4.0
2.5
40
30
90
35
5.0
4.0
4.0
2.5
40
30
40
25
tr
DRVH
tf
DRVH
tPDH时间
DRVH
保持tPDL
DRVH
tr
DRVL
tf
DRVL
tPDH时间
DRVL
保持tPDL
DRVL
笔记
1
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC）方法。
2
逻辑输入符合典型的CMOS I / O条件下的拉/灌电流（ 1
A).
3
AC规格是由特性保证，但未经生产测试。
4
对于传播延迟， “ TPDH ”指的是指定的信号变为高电平; “保持tPDL ”是指它变低。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADP3416
绝对最大额定值*
订购指南
模型
温包
范围
描述
8引脚标准
小外形封装（ SOIC ）
包
选项
SOIC-8
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+8 V
BST 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+30 V
BST到SW 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+8 V
SW 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5.0 V至+25 V
IN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至VCC + 0.3 V
工作环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 0∞C到70∞C
工作结温范围。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
θ
JA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 155 ° C / W
θ
JC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 ° C / W
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*本
是一个额定值;超出这些限制的操作可能会导致设备
永久损坏。除非另有规定ED ，所有电压参考
至PGND 。
ADP3416JR 0 ° C至70℃
引脚配置
BST
1
IN
NC
2
3
8
DRVH
SW
保护地
DRVL
ADP3416
顶视图
（不按比例）
7
6
5
VCC
4
NC =无连接
引脚功能描述
针
1
助记符
BST
功能
浮动自举电源的MOSFET上。连接BST和SW引脚之间的电容
持有该自举电压高侧MOSFET ，它的切换。该电容应
100 NF和1楼之间的选择
TTL电平输入信号具有的驱动输出主要控制。
无连接。
输入电源。该引脚应被绕过和PGND 1
F
陶瓷电容器。
同步整流驱动器。输出驱动器的低端（同步整流） MOSFET 。
电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。
该引脚被连接到降压 - 交换节点，靠近上部MOSFET的源极。它是浮动的
回报上MOSFET驱动信号。它也可以用来监视切换电压，以防止开启
在下部的MOSFET ，直到电压低于 1V。因此，根据运行条件，将
高低电平的转换延迟在此引脚决定。
降压驱动器。输出驱动器上（降压） MOSFET 。
2
3
4
5
6
7
IN
NC
VCC
DRVL
保护地
SW
8
DRVH
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
该ADP3416具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
REV 。一
–3–
ADP3416
IN
保持tPDL
DRVL
DRVL
tf
DRVL
保持tPDL
DRVH
tr
DRVL
tf
DRVH
tPDH时间
DRVH
tr
DRVH
DRVH -SW
V
TH
V
TH
tPDH时间
DRVL
SW
1V
图2.非重叠时序图（时序参考的90 ％和10 ％点数除非另有说明）
–4–
REV 。一
典型性能特征 - ADP3416
50
C
负载
= 3nF的
T
DRVH
5V/DIV
R3
T
A
= 25 C
VCC = 5V
T
T
A
= 25 C
VCC = 5V
R3
DRVL
2V/DIV
DRVH
5V/DIV
时间 - NS
45
DRVH @ VCC = 5V
40
DRVH @ VCC = 7V
DRVL @ VCC = 5V
35
IN
R2
R1
2V/DIV
40ns/DIV
DRVL
5V/DIV
R2
R1
30
25
IN
2V/DIV
40ns/DIV
DRVL @ VCC = 7V
20
0
25
100
50
75
结温 - C
125
TPC 1. DRVH秋季和DRVL崛起
时
35
DRVL @ VCC = 7V
30
25
DRVL @ VCC = 5V
TPC 2. DRVL秋季和DRVH崛起
时
55
50
DRVH @ VCC = 5V
45
40
TPC 3. DRVH和DRVL上升时间
与温度的关系
37
32
DRVL @ VCC = 7V
27
时间 - NS
20
15
10
5
0
DRVH @ VCC = 7V
DRVH @ VCC = 5V
时间 - NS
35
30
25
20
15
DRVL @ VCC = 5V
DRVL @ VCC = 7V
时间 - NS
DRVH @ VCC = 7V
22
17
DRVH @ VCC = 5V
DRVH @ VCC = 7V
DRVL @ VCC = 5V
12
0
25
50
75
100
结温 - C
125
10
1.0
2.0
3.0
4.0
负载电容 - nF的
5.0
7
1.0
1.5
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
负载电容 - nF的
5.0
TPC 4. DRVH和DRVL下降时间
与温度的关系
35
30
电源电流 - 毫安
25
VCC = 7V
20
15
10
5
0
VCC = 5V
T
A
= 25 C
C
负载
= 3nF的
TPC 5. DRVH和DRVL上升时间
与负载电容
8.5
8.0
电源电流 - 毫安
TPC 6. DRVH和DRVL下降时间
与负载电容
VCC = 7V
7.5
7.0
6.5
6.0
VCC = 5V
5.5
5.0
C
负载
= 3nF的
f
IN
= 250kHz的
0
200
400 600 800 1000 1200 1400
在频率 - 千赫
0
100
25
50
75
结温 - C
125
TPC 7.电源电流与
频率
TPC 8.电源电流与
温度
REV 。一
–5–
QQ：2880707522 复制
