ADP3413
绝对最大额定值*
订购指南
模型
温包
范围
描述
8引脚标准
小外形封装( SOIC )
包
选项
SO-8
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+8 V
BST 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+30 V
BST到SW 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+8 V
SW 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5.0 V至+25 V
OD,
IN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至VCC + 0.3 V
工作环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 0∞C到70∞C
工作结温范围。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
θ
JA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 155 ° C / W
θ
JC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 ° C / W
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*本
是一个额定值;超出这些限制的操作可能会导致设备
永久损坏。除非另有规定ED ,所有电压参考
至PGND 。
ADP3413JR 0 ° C至70℃
引脚配置
BST
1
IN
2
8
DRVH
ADP3413
顶视图
(不按比例)
7
SW
6
保护地
5
DRVL
OD
3
VCC
4
引脚功能描述
针
1
助记符
BST
功能
浮动自举电源的MOSFET上。连接BST和SW引脚之间的电容
持有该自举电压的高侧MOSFET ,因为它被切换。该电容应
100 NF和1楼之间的选择
TTL电平的输入信号,它具有的驱动器输出的主控制。
输出禁用。低电平时,此引脚禁用正常运转,迫使DRVH和DRVL低。
输入电源。该引脚应被绕过和PGND 1
F
陶瓷电容器。
同步整流驱动器。输出驱动器的低端(同步整流) MOSFET 。
电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。
该引脚被连接到降压 - 交换节点,靠近上部MOSFET的源极。它是浮动的
回报上MOSFET驱动信号。它也可以用来监视切换电压,以防止开启
在下部的MOSFET ,直到电压低于 1V。因此,根据运行条件,将
高低电平的转换延迟在此引脚决定。
降压驱动器。输出驱动器上(降压) MOSFET 。
2
3
4
5
6
7
IN
OD
VCC
DRVL
保护地
SW
8
DRVH
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
该ADP3413具有专用ESD保护电路,永久性损害可能发生
器件经受高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
第0版
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