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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第153页 > ADP3181
5位或6位可编程2-,3-, 4-相
同步降压控制器
ADP3181
特点
可选择的2-,3-,或4相操作在每高达1MHz
± 14.5 mV的最坏情况mV的差分感测误差过
温度
逻辑电平PWM输出,用于连接外部高
功率驱动器
所有输出相位之间的有功电流平衡
内置电源良好/撬棍消隐支持上的飞
VID代码更改
数字可编程输出之间可以切换
VRM 9 ( 5比特)和VRD 10(6位)的VID的代码
ADP3181JRU 。 ( VRD10 ( 6位),仅用于ADP3181JRQ )
可编程短路保护,可编程
锁存关断延迟
功能框图
VCC
28
RAMPADJ RT
14
13
ADP3181
EN
11
GND
19
DAC + 300mV的
CSREF
电流 -
平衡
电路
CMP
RESET
2-/3-/4-PHASE
驱动器逻辑
RESET
RESET
当前
极限
23
SW1
22
SW2
26
PWM2
UVLO
关闭
和偏置
振荡器
CMP
SET
RESET
EN
27
PWM1
CMP
DAC - 为250mV
CMP
PWRGD
10
延迟
25
PWM3
24
PWM4
CROWBAR
应用
台式PC电源的
下一代英特尔处理器
VRM模块
ILIMIT
15
EN
电流 -
限制
电路
21
SW3
20
SW4
17
CSSUM
16
CSREF
延迟
12
18
CSCOMP
开始
COMP
9
8
FB
精确
参考
VID
DAC
1
2
3
4
5
04796-0-001
7
6
FBRTN CPUID
VID4 VID3 VID2 VID1 VID0
图1 。
概述
该ADP3181是一款高效多相同步
降压型开关稳压控制器,用于将优化
一个12 V主电源到所需要的内核供电电压
高性能的英特尔处理器。它使用一个内部的6位
DAC读取电压识别( VID)码直接从
处理器,其用于设置输出电压。该
CPUID输入选择是否DAC码匹配
VRM 9或VRD 10规范。它使用了一个多模的PWM
体系结构来驱动逻辑电平输出在可编程
开关频率可以为VR的大小和被优化
效率。的输出信号的相位关系可以
进行编程,以提供2-,3-,或4相操作,
允许多达四个互补的结构
降压转换阶段。
该ADP3181还包括可编程空载偏移和
斜坡函数来调整输出电压作为一个功能
负载电流,使得它总是最佳地定位成用于一
系统暂态。该ADP3181提供准确和可靠的
短路保护,可调限流,和一个
可以容纳上的即时延迟电源良好输出
由CPU请求的输出电压的变化。
该器件规定在商用温度范围
0° C至+ 85°C ,并采用28引脚QSOP (仅VRD10可用
选项)和TSSOP封装。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是,没有责任承担由Analog Devices供其使用,也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利,可能导致其使用的。
规格如有变更,恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113
2005 ADI公司保留所有权利。
ADP3181
目录
规格................................................. .................................... 3
测试电路................................................ ....................................... 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
工作原理............................................... ......................... 9
启动时序.............................................. .......................... 9
主时钟频率............................................... ............. 10
输出电压差检测........................................ 10
输出电流检测............................................... ............. 10
主动阻抗控制模式............................................. 10
电流控制模式和热平衡........................ 10
电压控制模式............................................... ................. 11
软启动................................................ ...................................... 12
电流限制,短路和闭锁保护....... 12
动态VID ................................................ .............................. 12
电源良好监视............................................... ............ 13
输出短路器................................................ ......................... 13
输出使能和UVLO .............................................. .......... 13
应用................................................. .................................... 15
设置时钟频率.............................................. ....... 15
软启动和电流限制闭锁延迟时间............ 15
电感的选择................................................ ...................... 15
设计一个电感............................................... ................ 16
输出上的衰减电阻............................................... ........... 16
电感器DCR温度补偿................................. 17
输出偏移................................................ .............................. 17
C
OUT
选择................................................. .............................. 17
功率MOSFET ................................................ ........................ 18
斜坡电阻的选择............................................... ............. 19
电流限制设定点............................................... ............... 20
反馈回路补偿设计.................................... 20
C
IN
选择和输入电流的di / dt减少.............. 21
建立一个可切换的VR9 / VR10设计............................... 22
元件的布局和.............................................. 23
一般建议................................................ ....... 23
外形尺寸................................................ ....................... 24
订购指南................................................ .......................... 24
修订历史
7月5日 - 修订版。 0到版本A
新增QSOP封装............................................... ................. 25
切换到订购指南.............................................. .......... 25
4月4日 - 修订版0 :初始版
版本A |页24 2
ADP3181
特定网络阳离子
V
CC
= 12 V , FBRTN = GND ,T
A
= 0 °C到+ 85 ℃,除非另有说明。
1
表1中。
参数
误差放大器器
输出电压范围
2
准确性
线路调整
输入偏置电流
FBRTN电流
输出电流
增益带宽积
压摆率
VID输入
输入低电压
输入高电压
输入电流
上拉电阻
内部上拉电压
VID转换延迟时间
2
没有CPU检测关闭延迟时间
2
CPUID输入
输入低电压
输入高电压
9 VR检测阈值电压
输入电流
上拉电阻
振荡器
频带
2
频率变化
符号
V
COMP
V
FB
ΔV
FB
I
FB
I
FBRTN
I
O( ERR )
GBW
( ERR )
条件
0.7
14.5
0.05
15.5
100
500
20
25
典型值
最大
3.1
+14.5
单位
V
mV
%
17
140
μA
μA
μA
兆赫
V / μs的
V
V
V
V
μA
μA
V
V
ns
ns
V
V
V
μA
兆赫
千赫
千赫
千赫
V
mV
μA
mV
nA
兆赫
V / μs的
V
mV
V
μA
相对于标称DAC输出,参考
FBRTN , CSSUM = CSCOMP 。参见图3 。
VCC = 10 V至14 V.
14
FB被迫V
OUT
3%.
COMP = FB 。
C
COMP
= 10 pF的。
CPUID > 4.5 V.
CPUID < 4.0 V.
CPUID > 4.5 V.
CPUID < 4.0 V.
VID (X ) = 0 V , CPUID > 4.5 V.
VID (X ) = 0 V , CPUID < 4.0 V.
CPUID > 4.5 V.
CPUID < 4.0 V.
VID代码更改为FB的变化。
VID代码更改为11111 ,以PWM变低。
V
白细胞介素( VID )
V
IH( VID)
I
VID
R
VID
0.8
0.4
2.0
0.8
40
20
60
2.5
1.25
70
35
2.75
1.4
40
2.25
1.1
400
400
V
白细胞介素( CPUID )
V
IH ( CPUID )
I
CPUID
R
CPUID
f
OSC
f
CPUID = 0 V.
0.8
4.0
4.0
0.25
155
20
60
0.4
4.0
4.5
3.5
输出电压
RAMPADJ输出电压
RAMPADJ输入电流范围
电流检测放大器
失调电压
输入偏置电流
增益带宽积
压摆率
输入共模范围
定位精度
输出电压范围
输出电流
V
RT
V
RAMPADJ
I
RAMPADJ
V
操作系统( CSA)的
I
BIAS ( CSSUM )
GBW
( CSA)的
T
A
= + 25 ° C,R
T
= 250千欧, 4相。
T
A
= + 25 ° C,R
T
= 115千欧, 4相。
T
A
= + 25 ° C,R
T
= 75千欧, 4相。
R
T
= 100 kΩ到GND 。
RAMPADJ - FB 。
1.9
50
0
3
50
200
400
600
2.0
4
245
2.1
+50
100
+3
+50
CSSUM - CSREF 。参见图2 。
ΔV
FB
I
CSCOMP
C
CSCOMP
= 10 pF的。
CSSUM和CSREF 。
参见图4 。
10
10
0
77
0.05
80
500
2.7
83
2.7
版本A |第24 3
ADP3181
参数
电流平衡电路
共模范围
输入阻抗
输入电流
输入电流匹配
电流限制比较
输出电压
普通模式
在关闭
输出电流,正常模式
最大输出电流
2
电流限制门限电压
电流限制设定比率
延迟正常模式电压
延时过流阈值
锁断延迟时间
软启动
输出电流,软启动模式
软启动延迟时间
使能输入
输入低电压
输入高电压
输入电流,输入电压低
输入电流,输入电压高
电源良好比较
欠压阈值
过电压阈值
输出低电压
电源良好延迟时间
在软启动
2
VID代码更改
VID代码静态
撬棍跳变点
撬棍复位点
撬棍延迟时间
VID代码更改
VID代码静态
PWM输出
输出低电压
输出高电压
供应
直流电源电流
UVLO阈值电压
UVLO迟滞
符号
V
SW ( X) CM
R
SW ( X)
I
SW ( X)
ΔI
SW ( X)
条件
600
20
4
5
典型值
最大
+200
40
10
+5
单位
mV
μA
%
SW( X)= 0V。
SW( X)= 0V。
SW( X)= 0V。
30
7
V
ILIMIT ( NM )
V
ILIMIT ( SD )
I
ILIMIT ( NM )
V
CL
V
DELAY ( NM )
V
DELAY ( OC )
t
延迟
I
DELAY ( SS )
t
DELAY ( SS )
V
白细胞介素( EN )
V
IH ( EN )
I
白细胞介素( EN )
I
IH ( EN )
V
PWRGD (UV)的
V
PWRGD ( OV )
V
OL ( PWRGD )
EN > 0.8 V ,R
ILIMIT
= 250 kΩ.
EN < 0.4 V,I
ILIMIT
= 100
μA.
EN > 0.8 V ,R
ILIMIT
= 250 kΩ.
V
CSREF
– V
CSCOMP
, R
ILIMIT
= 250 kΩ.
V
CL
/I
ILIMIT 。
R
延迟
= 250 kΩ.
R
延迟
= 250 kΩ.
R
延迟
= 250 kΩ的,C
延迟
= 12 nF的。
在启动过程中,延迟< 2.4 V.
R
延迟
= 250 kΩ的,C
延迟
= 12 nF的, VID代码= 011111 。
2.9
3
12
3.1
400
V
mV
μA
μA
mV
毫伏/ μA
V
V
ms
μA
ms
V
V
μA
μA
mV
mV
mV
ms
60
105
2.9
1.7
125
10.4
3
1.8
1.5
20
1
145
3.1
1.9
15
25
0.4
EN = 0 V.
EN = 1.25 V.
相对于标称DAC输出。
相对于标称DAC输出。
I
PWRGD ( SINK )
= 4毫安。
R
延迟
= 250 kΩ的,C
延迟
= 12 nF的, VID代码= 011111 。
0.8
1
10
180
230
250
300
225
1
25
320
370
400
1
100
230
630
100
V
CROWBAR
t
CROWBAR
相对于标称DAC输出。
相对于FBRTN 。
过电压为PWM变低。
250
200
300
700
250
400
160
5
5
6.9
0.9
370
770
μs
ns
mV
mV
μs
ns
V
OL (PWM)的
V
OH (PWM)的
I
PWM ( SINK )
= 400
μA.
I
PWM ( SOURCE )
= 400
μA.
500
4.0
mV
V
mA
V
V
V
UVLO
V
CC
不断攀升。
6.5
0.7
10
7.3
1.1
1
2
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制( SQC )保证。
通过设计保证,不在生产中测试。
版本A |第24 4
ADP3181
测试电路
ADP3181
12V
28
ADP3181
12V
28
VCC
VCC
18
CSCOMP
8
FB
39kΩ
100nF
17
CSSUM
10kΩ
COMP
9
1kΩ
16
CSREF
CSCOMP–1V
40
200kΩ
18
04796-0-005
CSCOMP
1.0V
19
GND
V
OS
=
200kΩ
100nF
CSSUM
17
Δ
V
CSREF
16
1.0V
GND
19
04796-0-006
Δ
V
FB
FB =
Δ
V = 80mV的
FB =
Δ
V = 0mV
图2.电流检测放大器V
OS
图4.电压定位
ADP3181
1
2
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
CPUID
FBRTN
FB
COMP
PWRGD
EN
延迟
VCC
28
PWM1
27
PWM2
26
PWM3
25
PWM4
24
SW1
23
SW2
22
SW3
21
SW4
20
GND
19
CSCOMP
18
+
1μF
12V
100nF
5位码
3
4
5
6
7
8
9
1kΩ
10
1.25V
11
12
20kΩ
CSSUM
17
CSREF
16
ILIMIT
15
250kΩ
100nF
12nF
250kΩ
13
RT
14
RAMPADJ
图3.闭环输出电压精度
04796-0-004
版本A |第24 5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:李先生,夏小姐
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联系人:朱咸华
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