a
特点
最佳补偿的有源电压定位
与增益和偏移调整（ ADOPT ）的
出色的负载瞬态响应
符合VRM规范与最低
系统成本
4位数字式可编程1.3 V至2.05 V输出
N通道同步降压驱动器
总精度0.8 ％过温
两个片上线性稳压器控制器设计
以满足系统电源排序要求
高效率电流模式操作
短路保护开关稳压器
过压保护撬棒保护微
无需额外的外部元件处理器
应用
内核电源电压产生的：
英特尔奔腾
III
英特尔赛扬
4位可编程
同步降压控制器
ADP3158/ADP3178
功能框图
VCC
CT
ADP3158 / ADP3178
UVLO
&偏差
振荡器
PWM
DRIVE
DRVL
参考
REF
GND
DRVH
V
LR1
LRFB1
CMP
– +
LRDRV1
V
LR2
LRFB2
DAC+20%
CSの
CS +
g
m
LRDRV2
COMP
REF
VID DAC
VID3
VID2
VID1
VID0
概述
的ADP3158和ADP3178是高效同步
降压型开关稳压控制器，用于将优化
5 V主电源到了高要求的内核供电电压
高性能处理器。这些器件采用一个内置的4位DAC
读取电压识别（VID ）直接代码从
处理器，其用于设置1.3 V的输出电压
和2.05 V.他们使用了一种电流模式，恒定关断时间架构设计师用手工
tecture驱动两个N沟道MOSFET的可编程
开关频率可以为调节器的尺寸和优化
EF网络效率。
该ADP3158和ADP3178还采用了独特的补充
所谓ADI公司的最佳定位调节技术
技术（ ADOPT ） ，以提高负载瞬态性能。
有源电压定位导致的dc / dc转换器，它
符合严格的输出电压规格为高
性能的处理器，与输出的最小数量
电容和最小的占用空间。不同于电压模式和
标准电流模式架构，有源电压定位
调节输出电压作为负载电流的函数，因此
总是最佳位置的系统暂态。他们还
提供准确而可靠的短路保护和
可调限流。该器件包括一个集成的
过压保护电路的功能，以保护微处理器
从破坏的情况下，内核电源超过额定
超过20％的编程电压。
该ADP3158和ADP3178包含两个线性稳压器
被设计来驱动外部N通道控制器
的MOSFET。输出在内部被固定在2.5 V和1.8 V
在ADP3158 ，而ADP3178提供可调输出
正在使用一个外部电阻分压器设置看跌期权。这些
线性调节器被用于产生辅助电压
（AGP ， GTL等），在大多数主板设计要求
并已被设计成提供一个高带宽的负载
瞬态响应。
该ADP3158和ADP3178均规定在商用
是在一个16引脚的0℃的温度范围内，以70 ℃，并
SOIC封装。
ADOPT是ADI公司的商标。
Pentium是Intel Corporation的注册商标。
赛扬是英特尔公司的注册商标。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2001
ADP3158/ADP3178–SPECIFICATIONS
（VCC = 12 V，T = 0 ℃至70℃，除非另有说明。 ）
A
参数
开关稳压器
输出精度
1.3 V输出
1.65 V输出
2.05 V输出
线路调整
撬棍跳变点
撬棍复位点
撬棍响应时间
VID输入
输入低电压
输入高电压
输入电流
上拉电阻
内部上拉电压
振荡器
OFF时间
CT充电电流
误差放大器器
输出电阻
跨
输出电流
最大输出电压
输出关断阈值
-3 dB带宽
电流检测
阈值电压
符号
V
CSの
条件
民
典型值
最大
单位
V
OUT
V
CROWBAR
t
CROWBAR
V
白细胞介素（ VID ）
V
IH（ VID）
I
VID
R
VID
图1
图1
图1
VCC = 10 V至14 V
％的额定电压DAC
％的额定电压DAC
过电压DRVL变高
1.289
1.637
2.034
115
40
1.3
1.65
2.05
0.06
120
50
400
1.311
1.663
2.066
125
60
V
V
V
%
%
%
ns
V
V
A
k
V
s
A
A
M
mmho
A
V
mV
千赫
mV
mV
mV
A
ns
0.6
2.0
VID （ X）= 0 V
20
5.0
T
A
= 25°C ， CT = 200 pF的
T
A
= 25 ° C，V
OUT
在监管
T
A
= 25 ° C，V
OUT
= 0 V
3.5
130
25
185
30
5.4
4.0
150
35
1
2.2
625
3.0
750
500
78
45
1
0.5
50
250
5.7
4.5
170
45
I
CT
R
O（ ERR ）
g
M（ ERR ）
I
O（ ERR ）
V
COMP （ MAX）
V
COMP （ OFF ）
BW
ERR
V
CS （ TH ）
I
CS +
, I
CSの
t
CS
2.05
CS-被迫V
OUT
– 3%
CS-被迫V
OUT
– 3%
600
COMP =打开
CS-被迫V
OUT
– 3%
CSの
≤
0.45 V
0.8 V
≤
COMP
≤
1 V
CS + = CS- = V
OUT
CS + - （ CS - ）
＆ GT ;
87 mV至DRVH
走出低
I
L
= 50毫安
C
L
= 3000 pF的
69
35
2.35
900
输入偏置电流
响应时间
输出驱动器
输出电阻
输出转换时间
线性稳压器
反馈电流
LR1反馈电压
87
54
5
5
R
O（ DRV （ X） ）
t
R
, t
F
I
FB （ X）
V
LRFB(1)
6
80
0.3
2.5
1.0
1.8
1.0
1
2.56
1.03
1.85
1.03
ns
A
V
V
V
V
V
LR2反馈电压
V
LRFB(2)
驱动器输出电压
供应
直流电源电流
2
UVLO阈值电压
UVLO迟滞
V
LRDRV （ X）
I
CC
V
UVLO
ADP3158 ，图2 ，
VCC = 4.5 V至12.6 V
ADP3178 ，图2 ，
VCC = 4.5 V至12.6 V
ADP3158 ，图2 ，
VCC = 4.5 V至12.6 V
ADP3178 ，图2 ，
VCC = 4.5 V至12.6 V
VCC = 4.5 V ，V
LRFB （ X）
= 0 V
2.44
0.97
1.75
0.97
4.2
6.75
0.8
7
7
1
9
7.25
1.2
mA
V
V
笔记
1
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC ）保证。
2
动态电源电流较高，由于栅极电荷被传递到外部的MOSFET。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADP3158/ADP3178
绝对最大额定值*
引脚功能描述
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+15 V
DRVH ， DRVL ， LRDRV1 ， LRDRV2 。 。 。 。 。 -0.3 V至VCC + 0.3 V
所有其他的输入和输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+10 V
工作环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 0∞C到70∞C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
θ
JA
双层板。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C / W
四层板。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81∞C / W
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
*本
是一个额定值;超出这些限制的操作可能会导致设备
永久损坏。除非另有规定ED ，所有电压参考
到GND 。
针
1–4
助记符
VID0–VID3
功能
电压Identi科幻阳离子DAC输入。
这些引脚被上拉至一个内部
基准，提供了逻辑1 ，如果离开
开。 DAC输出方案CS-
从1.3 V至2.05 V.调节电压
反馈连接的线性
稳压器控制器。
栅极驱动为各自的线性
调节器的N沟道MOSFET 。
电流检测负节点。负
输入的电流比较。该引脚
还可以连接到内部误差放大器
费里，其感测输出电压。
电流检测正节点。积极
输入的电流比较。该
输出电流检测为在此电压
引脚相对于CS- 。
外部电容器连接从CT到
地设置器件的关断时间。
误差放大器的输出ER和补偿
点。在此输出节目的电压
间的输出电流控制电平
CS +和CS- 。
电源电压的设备。
低边MOSFET驱动器。门驱动器
同步整流器的N沟道
MOSFET。在DRVL波动的电压
从GND到VCC 。
高边MOSFET驱动器。栅极驱动
对于降压开关的N沟道MOSFET 。
在DRVH的电压摆幅从GND
至VCC。
接地参考。 GND应该有一个
低阻抗路径的所述源
同步MOSFET。
5 ， 12 LRFB1 ，
LRFB2
6，11 LRDRV1 ，
LRDRV2
7
CSの
引脚配置
VID0
1
VID1
2
VID2
3
VID3
4
16
GND
15
DRVH
8
CS +
13
VCC
顶视图
LRFB1
5
（不按比例）
12
LRFB2
ADP3158/
ADP3178
14
DRVL
9
10
CT
COMP
LRDRV1
6
CSの
7
CS +
8
11
LRDRV2
10
COMP
9
CT
13
14
VCC
DRVL
15
DRVH
16
GND
订购指南
模型
ADP3158JR
ADP3178JR
温度
范围
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
LDO
电压
2.5 V, 1.8 V
可调整的
包
描述
SO =小外形封装
SO =小外形封装
包
选项
R- 16A （SO -16）
R- 16A （SO -16）
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在ADP3158 / ADP3178采用了专有的ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD防范措施
建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
REV 。一
–3–
ADP3158 / ADP3178 - 典型性能特征
TEK RUN
60
TRIG'D
50
电源电流 - 毫安
40
VCC
30
1
20
10
2
V
CORE
0
0
100
200
300
400
500
600
振荡器频率 - 千赫
700
800
CH1 5.00V BW
CH2
500mV的BW M 10.0ms一个CH1
0.00000 s
5.90V
TPC 1.电源电流与工作频率使用
图3中的MOSFET的
TPC 4.上电启动波形
TEK RUN
TRIG'D
25
T
A
= 25 C
V
OUT
= 1.65V
20
DRVH
零件数量 - ％
15
1
10
DRVL
5
CH1 5.00V BW
CH2
5.00V BW M 1.00秒的CH1
–2.6500 s
5.90V
0
–0.5
0
输出精度 - ％的名义
0.5
TPC 2.门开关波形用的MOSFET
科幻gure 3
TPC 5.输出精度分布
TEK RUN
TRIG'D
DRVH
DRVL
CH1 2.00V BW
CH2
2.00V BW M 1.00ns一个CH1
150.000 s
5.88V
TPC 3.驱动波形转换使用的MOSFET
科幻gure 3
–4–
REV 。一
ADP3158/ADP3178
ADP3158/
ADP3178
1
VID0
GND
16
DRVH
15
DRVL
14
VCC
13
LRFB2
12
LRDRV2
11
COMP
10
CT
9
+
1.2V
100
AD820
100nF
+
1 F
100nF
12V
4位代码
2
VID1
3
VID2
4
VID3
5
LRFB1
6
LRDRV1
这样的技术不容许的最小可能数
要使用的输出电容。 ADOPT ，如在ADP3158使用
和ADP3178 ，提供了带宽为瞬态响应该
仅由寄生输出电感的限制。这就产生opti-
与输出的最小数目发作的负载瞬态响应
电容器。
逐周期操作
V
CSの
7
CSの
8
CS +
图1.闭环输出电压精度
测试电路
ADP3158/
ADP3178
1
VID0
2
VID1
3
VID2
4
VID3
GND
16
DRVH
15
DRVL
14
VCC
13
LRFB2
12
LRDRV2
11
COMP
10
CT
9
10nF
V
LR2
+
VCC
1 F
100nF
V
LR1
5
LRFB1
6
LRDRV1
10nF
7
CSの
8
CS +
图2.线性稳压器的输出电压精度
测试电路
工作原理
在正常操作期间（当输出电压被调节） ，
电压误差放大器和电流比较器是
主控制元件。在高侧的导通时间
MOSFET ，电流比较器监视之间的电压
在CS +和CS-引脚。当这两者之间的电压电平
销达到阈值水平，则DRVH输出切换
到地，从而关断高侧MOSFET 。时机
电容CT然后在由摘确定的速率充电
时间控制器。而定时电容充电时， DRVL
输出变高，导通的低侧MOSFET 。当
在定时电容器的电压电平已装入到上部
阈值电压电平，一个比较器复位锁存器。输出
闩锁力的低侧驱动器输出变为低电平，并且
高侧驱动器输出变高。作为其结果，低压侧开关
截止，高侧开关导通。顺序
然后重复。随着负载电流的增加，输出电压
开始减小。这会导致增加的输出
电压误差放大器，其反过来又导致增加在
目前比较器阈值，从而跟踪负载电流
租。为了防止外部MOSFET的交叉传导，
反馈结合到感测驱动输出的状态
销。之前的低侧驱动器输出可以变为高，高侧
驱动器的输出必须是低的。同样地，在高边驱动器的输出是
无法变高而低侧驱动器输出为高。
输出短路器
该ADP3158和ADP3178采用电流模式，恒场外
时间控制方法来切换的一对外部N沟道的
MOSFET的同步降压拓扑结构。恒定关断时间
操作提供了几种性能优势，包括
没有斜率补偿所需的稳定运行。独特
恒定关断时间控制技术的特征在于，由于
在关断时间是固定的，该转换器的开关频率是
函数的输入电压与输出电压之比的。该
固定关断时间由外部电容的值编程
器连接到CT引脚。的导通时间而变化以这样的方式
按如下所述经调节的输出电压保持
在逐周期的操作。导通时间下不变化
定输入电源的条件下，它仅稍有变化作为
功能负荷。这意味着，在开关频率保持
相当恒定在一个标准的计算机应用程序。
有源电压定位
使用N沟道MOSFET作为同步的一个附加特征
异步的开关是撬棍与输出能力
同样的MOSFET。如果输出电压小于大于20％的
目标值，则控制器IC将打开下MOSFET管，
这将电流限制电源供电，或吹了导火索，
拉断输出电压，从而节省了微处理器
从破坏。撬棍功能的版本，在近似
左右的额定输出电压的50％。例如，如果
输出被编程为1.5伏，而上拉至1.85伏或
以上，短路器会开启下MOSFET管。如果在这
情况下，输出被下拉到低于0.75V，短路器
将释放，使输出电压恢复到1.5伏，如果
故障条件已经消除。
板载线性稳压控制器
的输出电压进行检测的CS-引脚。电压误差
放大器（G
m
） ，放大的输出之间的差
电压和可编程参考电压。参考
电压是由一个跨编程之间的1.3 V和2.05 V
纳尔4位的DAC ，在所述电压识别读取代码
（ VID ）引脚。 （请参考表一为输出电压与VID针码
信息）被称为独特的辅助调节技术
ADI公司的最佳定位技术（ ADOPT ）
调节输出电压作为负载电流的函数，因此
总是最佳地定位成用于负载瞬变。标准
（被动）电压定位，有时推荐使用
与其他架构，具有动态性能差而
使得它在严格重复的瞬时失效
英特尔VRM文件中规定的条件。因此，
REV 。一
该ADP3158和ADP3178包括两个线性稳压器CON-
制器，以提供用于产生额外的低成本解决方案
电源轨。在ADP3158 ，这些稳压器在内部设置
以2.5 V （ LR1 ）和1.8 V（ LR2 ）与
±
2.5％的精度。该
ADP3178被设计为允许在输出到外部设置
使用一个电阻分压器。输出电压由高感测
输入阻抗LRFB （ X）引脚和比较，内部
固定参考。
该LRDRV （ X）引脚控制一个外部N沟道栅极
MOSFET的产生的负反馈环路。唯一的额外
需要tional组件是一个电容器和电阻
稳定。最大输出负载电流由下式确定
尺寸和外部功率MOSFET的热阻抗
被放置在与电源串联。
–5–
a
特点
最佳补偿的有源电压定位
与增益和偏移调整（ ADOPT ）的
出色的负载瞬态响应
符合VRM规范与最低
系统成本
4位数字式可编程1.3 V至2.05 V输出
N通道同步降压驱动器
总精度0.8 ％过温
两个片上线性稳压器控制器设计
以满足系统电源排序要求
高效率电流模式操作
短路保护开关稳压器
过压保护撬棒保护微
无需额外的外部元件处理器
应用
内核电源电压产生的：
英特尔奔腾
III
英特尔赛扬
4位可编程
同步降压控制器
ADP3158/ADP3178
功能框图
VCC
CT
ADP3158 / ADP3178
UVLO
&偏差
振荡器
PWM
DRIVE
DRVL
参考
REF
GND
DRVH
V
LR1
LRFB1
CMP
– +
LRDRV1
V
LR2
LRFB2
DAC+20%
CSの
CS +
g
m
LRDRV2
COMP
REF
VID DAC
VID3
VID2
VID1
VID0
概述
的ADP3158和ADP3178是高效同步
降压型开关稳压控制器，用于将优化
5 V主电源到了高要求的内核供电电压
高性能处理器。这些器件采用一个内置的4位DAC
读取电压识别（VID ）直接代码从
处理器，其用于设置1.3 V的输出电压
和2.05 V.他们使用了一种电流模式，恒定关断时间架构设计师用手工
tecture驱动两个N沟道MOSFET的可编程
开关频率可以为调节器的尺寸和优化
EF网络效率。
该ADP3158和ADP3178还采用了独特的补充
所谓ADI公司的最佳定位调节技术
技术（ ADOPT ） ，以提高负载瞬态性能。
有源电压定位导致的dc / dc转换器，它
符合严格的输出电压规格为高
性能的处理器，与输出的最小数量
电容和最小的占用空间。不同于电压模式和
标准电流模式架构，有源电压定位
调节输出电压作为负载电流的函数，因此
总是最佳位置的系统暂态。他们还
提供准确而可靠的短路保护和
可调限流。该器件包括一个集成的
过压保护电路的功能，以保护微处理器
从破坏的情况下，内核电源超过额定
超过20％的编程电压。
该ADP3158和ADP3178包含两个线性稳压器
被设计来驱动外部N通道控制器
的MOSFET。输出在内部被固定在2.5 V和1.8 V
在ADP3158 ，而ADP3178提供可调输出
正在使用一个外部电阻分压器设置看跌期权。这些
线性调节器被用于产生辅助电压
（AGP ， GTL等），在大多数主板设计要求
并已被设计成提供一个高带宽的负载
瞬态响应。
该ADP3158和ADP3178均规定在商用
是在一个16引脚的0℃的温度范围内，以70 ℃，并
SOIC封装。
ADOPT是ADI公司的商标。
Pentium是Intel Corporation的注册商标。
赛扬是英特尔公司的注册商标。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2001
ADP3158/ADP3178–SPECIFICATIONS
（VCC = 12 V，T = 0 ℃至70℃，除非另有说明。 ）
A
参数
开关稳压器
输出精度
1.3 V输出
1.65 V输出
2.05 V输出
线路调整
撬棍跳变点
撬棍复位点
撬棍响应时间
VID输入
输入低电压
输入高电压
输入电流
上拉电阻
内部上拉电压
振荡器
OFF时间
CT充电电流
误差放大器器
输出电阻
跨
输出电流
最大输出电压
输出关断阈值
-3 dB带宽
电流检测
阈值电压
符号
V
CSの
条件
民
典型值
最大
单位
V
OUT
V
CROWBAR
t
CROWBAR
V
白细胞介素（ VID ）
V
IH（ VID）
I
VID
R
VID
图1
图1
图1
VCC = 10 V至14 V
％的额定电压DAC
％的额定电压DAC
过电压DRVL变高
1.289
1.637
2.034
115
40
1.3
1.65
2.05
0.06
120
50
400
1.311
1.663
2.066
125
60
V
V
V
%
%
%
ns
V
V
A
k
V
s
A
A
M
mmho
A
V
mV
千赫
mV
mV
mV
A
ns
0.6
2.0
VID （ X）= 0 V
20
5.0
T
A
= 25°C ， CT = 200 pF的
T
A
= 25 ° C，V
OUT
在监管
T
A
= 25 ° C，V
OUT
= 0 V
3.5
130
25
185
30
5.4
4.0
150
35
1
2.2
625
3.0
750
500
78
45
1
0.5
50
250
5.7
4.5
170
45
I
CT
R
O（ ERR ）
g
M（ ERR ）
I
O（ ERR ）
V
COMP （ MAX）
V
COMP （ OFF ）
BW
ERR
V
CS （ TH ）
I
CS +
, I
CSの
t
CS
2.05
CS-被迫V
OUT
– 3%
CS-被迫V
OUT
– 3%
600
COMP =打开
CS-被迫V
OUT
– 3%
CSの
≤
0.45 V
0.8 V
≤
COMP
≤
1 V
CS + = CS- = V
OUT
CS + - （ CS - ）
＆ GT ;
87 mV至DRVH
走出低
I
L
= 50毫安
C
L
= 3000 pF的
69
35
2.35
900
输入偏置电流
响应时间
输出驱动器
输出电阻
输出转换时间
线性稳压器
反馈电流
LR1反馈电压
87
54
5
5
R
O（ DRV （ X） ）
t
R
, t
F
I
FB （ X）
V
LRFB(1)
6
80
0.3
2.5
1.0
1.8
1.0
1
2.56
1.03
1.85
1.03
ns
A
V
V
V
V
V
LR2反馈电压
V
LRFB(2)
驱动器输出电压
供应
直流电源电流
2
UVLO阈值电压
UVLO迟滞
V
LRDRV （ X）
I
CC
V
UVLO
ADP3158 ，图2 ，
VCC = 4.5 V至12.6 V
ADP3178 ，图2 ，
VCC = 4.5 V至12.6 V
ADP3158 ，图2 ，
VCC = 4.5 V至12.6 V
ADP3178 ，图2 ，
VCC = 4.5 V至12.6 V
VCC = 4.5 V ，V
LRFB （ X）
= 0 V
2.44
0.97
1.75
0.97
4.2
6.75
0.8
7
7
1
9
7.25
1.2
mA
V
V
笔记
1
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC ）保证。
2
动态电源电流较高，由于栅极电荷被传递到外部的MOSFET。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADP3158/ADP3178
绝对最大额定值*
引脚功能描述
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+15 V
DRVH ， DRVL ， LRDRV1 ， LRDRV2 。 。 。 。 。 -0.3 V至VCC + 0.3 V
所有其他的输入和输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+10 V
工作环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 0∞C到70∞C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
θ
JA
双层板。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C / W
四层板。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81∞C / W
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
*本
是一个额定值;超出这些限制的操作可能会导致设备
永久损坏。除非另有规定ED ，所有电压参考
到GND 。
针
1–4
助记符
VID0–VID3
功能
电压Identi科幻阳离子DAC输入。
这些引脚被上拉至一个内部
基准，提供了逻辑1 ，如果离开
开。 DAC输出方案CS-
从1.3 V至2.05 V.调节电压
反馈连接的线性
稳压器控制器。
栅极驱动为各自的线性
调节器的N沟道MOSFET 。
电流检测负节点。负
输入的电流比较。该引脚
还可以连接到内部误差放大器
费里，其感测输出电压。
电流检测正节点。积极
输入的电流比较。该
输出电流检测为在此电压
引脚相对于CS- 。
外部电容器连接从CT到
地设置器件的关断时间。
误差放大器的输出ER和补偿
点。在此输出节目的电压
间的输出电流控制电平
CS +和CS- 。
电源电压的设备。
低边MOSFET驱动器。门驱动器
同步整流器的N沟道
MOSFET。在DRVL波动的电压
从GND到VCC 。
高边MOSFET驱动器。栅极驱动
对于降压开关的N沟道MOSFET 。
在DRVH的电压摆幅从GND
至VCC。
接地参考。 GND应该有一个
低阻抗路径的所述源
同步MOSFET。
5 ， 12 LRFB1 ，
LRFB2
6，11 LRDRV1 ，
LRDRV2
7
CSの
引脚配置
VID0
1
VID1
2
VID2
3
VID3
4
16
GND
15
DRVH
8
CS +
13
VCC
顶视图
LRFB1
5
（不按比例）
12
LRFB2
ADP3158/
ADP3178
14
DRVL
9
10
CT
COMP
LRDRV1
6
CSの
7
CS +
8
11
LRDRV2
10
COMP
9
CT
13
14
VCC
DRVL
15
DRVH
16
GND
订购指南
模型
ADP3158JR
ADP3178JR
温度
范围
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
LDO
电压
2.5 V, 1.8 V
可调整的
包
描述
SO =小外形封装
SO =小外形封装
包
选项
R- 16A （SO -16）
R- 16A （SO -16）
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在ADP3158 / ADP3178采用了专有的ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD防范措施
建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
REV 。一
–3–
ADP3158 / ADP3178 - 典型性能特征
TEK RUN
60
TRIG'D
50
电源电流 - 毫安
40
VCC
30
1
20
10
2
V
CORE
0
0
100
200
300
400
500
600
振荡器频率 - 千赫
700
800
CH1 5.00V BW
CH2
500mV的BW M 10.0ms一个CH1
0.00000 s
5.90V
TPC 1.电源电流与工作频率使用
图3中的MOSFET的
TPC 4.上电启动波形
TEK RUN
TRIG'D
25
T
A
= 25 C
V
OUT
= 1.65V
20
DRVH
零件数量 - ％
15
1
10
DRVL
5
CH1 5.00V BW
CH2
5.00V BW M 1.00秒的CH1
–2.6500 s
5.90V
0
–0.5
0
输出精度 - ％的名义
0.5
TPC 2.门开关波形用的MOSFET
科幻gure 3
TPC 5.输出精度分布
TEK RUN
TRIG'D
DRVH
DRVL
CH1 2.00V BW
CH2
2.00V BW M 1.00ns一个CH1
150.000 s
5.88V
TPC 3.驱动波形转换使用的MOSFET
科幻gure 3
–4–
REV 。一
ADP3158/ADP3178
ADP3158/
ADP3178
1
VID0
GND
16
DRVH
15
DRVL
14
VCC
13
LRFB2
12
LRDRV2
11
COMP
10
CT
9
+
1.2V
100
AD820
100nF
+
1 F
100nF
12V
4位代码
2
VID1
3
VID2
4
VID3
5
LRFB1
6
LRDRV1
这样的技术不容许的最小可能数
要使用的输出电容。 ADOPT ，如在ADP3158使用
和ADP3178 ，提供了带宽为瞬态响应该
仅由寄生输出电感的限制。这就产生opti-
与输出的最小数目发作的负载瞬态响应
电容器。
逐周期操作
V
CSの
7
CSの
8
CS +
图1.闭环输出电压精度
测试电路
ADP3158/
ADP3178
1
VID0
2
VID1
3
VID2
4
VID3
GND
16
DRVH
15
DRVL
14
VCC
13
LRFB2
12
LRDRV2
11
COMP
10
CT
9
10nF
V
LR2
+
VCC
1 F
100nF
V
LR1
5
LRFB1
6
LRDRV1
10nF
7
CSの
8
CS +
图2.线性稳压器的输出电压精度
测试电路
工作原理
在正常操作期间（当输出电压被调节） ，
电压误差放大器和电流比较器是
主控制元件。在高侧的导通时间
MOSFET ，电流比较器监视之间的电压
在CS +和CS-引脚。当这两者之间的电压电平
销达到阈值水平，则DRVH输出切换
到地，从而关断高侧MOSFET 。时机
电容CT然后在由摘确定的速率充电
时间控制器。而定时电容充电时， DRVL
输出变高，导通的低侧MOSFET 。当
在定时电容器的电压电平已装入到上部
阈值电压电平，一个比较器复位锁存器。输出
闩锁力的低侧驱动器输出变为低电平，并且
高侧驱动器输出变高。作为其结果，低压侧开关
截止，高侧开关导通。顺序
然后重复。随着负载电流的增加，输出电压
开始减小。这会导致增加的输出
电压误差放大器，其反过来又导致增加在
目前比较器阈值，从而跟踪负载电流
租。为了防止外部MOSFET的交叉传导，
反馈结合到感测驱动输出的状态
销。之前的低侧驱动器输出可以变为高，高侧
驱动器的输出必须是低的。同样地，在高边驱动器的输出是
无法变高而低侧驱动器输出为高。
输出短路器
该ADP3158和ADP3178采用电流模式，恒场外
时间控制方法来切换的一对外部N沟道的
MOSFET的同步降压拓扑结构。恒定关断时间
操作提供了几种性能优势，包括
没有斜率补偿所需的稳定运行。独特
恒定关断时间控制技术的特征在于，由于
在关断时间是固定的，该转换器的开关频率是
函数的输入电压与输出电压之比的。该
固定关断时间由外部电容的值编程
器连接到CT引脚。的导通时间而变化以这样的方式
按如下所述经调节的输出电压保持
在逐周期的操作。导通时间下不变化
定输入电源的条件下，它仅稍有变化作为
功能负荷。这意味着，在开关频率保持
相当恒定在一个标准的计算机应用程序。
有源电压定位
使用N沟道MOSFET作为同步的一个附加特征
异步的开关是撬棍与输出能力
同样的MOSFET。如果输出电压小于大于20％的
目标值，则控制器IC将打开下MOSFET管，
这将电流限制电源供电，或吹了导火索，
拉断输出电压，从而节省了微处理器
从破坏。撬棍功能的版本，在近似
左右的额定输出电压的50％。例如，如果
输出被编程为1.5伏，而上拉至1.85伏或
以上，短路器会开启下MOSFET管。如果在这
情况下，输出被下拉到低于0.75V，短路器
将释放，使输出电压恢复到1.5伏，如果
故障条件已经消除。
板载线性稳压控制器
的输出电压进行检测的CS-引脚。电压误差
放大器（G
m
） ，放大的输出之间的差
电压和可编程参考电压。参考
电压是由一个跨编程之间的1.3 V和2.05 V
纳尔4位的DAC ，在所述电压识别读取代码
（ VID ）引脚。 （请参考表一为输出电压与VID针码
信息）被称为独特的辅助调节技术
ADI公司的最佳定位技术（ ADOPT ）
调节输出电压作为负载电流的函数，因此
总是最佳地定位成用于负载瞬变。标准
（被动）电压定位，有时推荐使用
与其他架构，具有动态性能差而
使得它在严格重复的瞬时失效
英特尔VRM文件中规定的条件。因此，
REV 。一
该ADP3158和ADP3178包括两个线性稳压器CON-
制器，以提供用于产生额外的低成本解决方案
电源轨。在ADP3158 ，这些稳压器在内部设置
以2.5 V （ LR1 ）和1.8 V（ LR2 ）与
±
2.5％的精度。该
ADP3178被设计为允许在输出到外部设置
使用一个电阻分压器。输出电压由高感测
输入阻抗LRFB （ X）引脚和比较，内部
固定参考。
该LRDRV （ X）引脚控制一个外部N沟道栅极
MOSFET的产生的负反馈环路。唯一的额外
需要tional组件是一个电容器和电阻
稳定。最大输出负载电流由下式确定
尺寸和外部功率MOSFET的热阻抗
被放置在与电源串联。
–5–
QQ：2880707522 复制
