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双自举12 V MOSFET

驱动器与输出禁用

ADP3120

特点

ALL-IN -One的同步降压驱动器

自举高边驱动器

一个PWM信号生成两个驱动器

Anticross传导保护电路

输出禁用控制关闭两个MOSFET的

浮动每英特尔VRM 10规范的输出

概述

该ADP3120是一款双通道，高电压MOSFET驱动器优化

用于驱动两个N沟道MOSFET ，这两个开关在非

隔离同步降压型电源转换器。各驱动器的

能够驱动3000 pF负载为45 ns的传播

延迟和25 ns的过渡时间。一司机可

自举和设计，以满足高电压摆

浮动高边栅极驱动器相关联的速率。该

ADP3120包含重叠驱动保护，以防止

直通电流在外部MOSFET 。

的OD端子关闭两个高侧和低侧

MOSFET，以防止在快速输出电容放电

系统关机。

该ADP3120工作在商用温度

采用8引脚SOIC和8引脚可用范围为0 ° C至85° C和

LFCSP封装。

应用

多相台式机CPU用品

单电源同步降压转换器

简化功能框图。

12V

VCC

ADP3120

BST

BST2

BST1

DRVH

BST

延迟

感应器

CMP

VCC

CMP

控制

逻辑

DRVL

延迟

保护地

05591-001

图1 。

第0版

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ADP3120

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 4

ESD注意事项................................................ .................................. 4

引脚配置和功能描述........................... 5

时序特性................................................ ..................... 6

典型性能特征............................................. 7

工作原理............................................... ......................... 9

低侧驱动器.............................................. .............................. 9

高侧驱动器.............................................. ............................ 9

重叠保护电路............................................... ........... 9

应用信息................................................ ................ 10

供应电容的选择............................................... ........ 10

自举电路................................................ ........................ 10

MOSFET选择................................................ ..................... 10

高边（控制）的MOSFET ........................................... ..... 10

低端（同步） MOSFET的........................................ 11

PC板布局考虑............................................. 11

外形尺寸................................................ ....................... 13

订购指南................................................ .......................... 13

修订历史

7月5日 - 修订版0 ：初始版

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ADP3120

特定网络阳离子

VCC = 12 V ， BST = 4 V至26 V ，T

= 0℃至85 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

PWM输入

输入电压高

输入电压低

输入电流

迟滞

OD输入

输入电压高

输入电压低

输入电流

迟滞

传播延迟时间

高侧驱动器

输出电阻，拉电流

输出阻抗，可吸入电流

输出电阻，无偏

转换时间

传播延迟时间

符号

条件

民

2.0

pdhl OD

参见图4

BST - SW = 12 V

BST - SW = 0 V

BST - SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，参见图5

BST - SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，参见图5

BST - SW = 12 V ，C

负载

= 3 NF，

25C 2 T

≤ 85°C ，参见图5

BST - SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，参见图5

申银万国PGND

0.8

250

2.2

1.0

2.0

1.0

190

150

3.5

2.5

0.8

250

典型值

最大

单位

μA

kΩ

rDRVH

fDRVH

pdhDRVH

pdlDRVH

SW下拉电阻

低侧驱动器

输出电阻，拉电流

输出阻抗，可吸入电流

输出电阻，无偏

转换时间

传播延迟时间

超时延迟

供应

电源电压范围

电源电流

UVLO电压

迟滞

3.2

2.5

rDRVL

fDRVL

pdhDRVL

pdlDRVL

VCC - 保护地

负载

= 3 nF的，图5中

负载

= 3 nF的，图5中

负载

= 3 nF的，图5中

负载

= 3 nF的，图5中

SW = 5 V

SW - 保护地

110

4.15

VCC

SYS

BST = 12 V ， IN = 0 V

VCC上升

1.5

350

13.2

3.0

所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC）方法。

对于传播延迟，叔

PDH

指的是指定的信号变高，而t

PDL

指的是它要低。

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ADP3120

绝对最大额定值

表2中。

参数

VCC

BST

BST到SW

<200 NS

DRVH

<200 NS

DRVL

<200 NS

IN， OD

， SOIC

2层电路板

4层板

， LFCSP

4层板

工作环境温度

范围

结温范围

存储温度范围

铅温度范围

焊接（ 10秒）

气相（60秒）

红外（ 15秒）

等级

0.3 V至+15 V

-0.3 V至VCC + 15V

0.3 V至+15 V

-5 V至+15 V

-10 V至+25 V

SW - 0.3 V至BST + 0.3 V

SW - 2 V至BST + 0.3 V

-0.3 V至VCC + 0.3 V

-2 V至VCC + 0.3 V

0.3 V至6.5 V

123°C/W

90°C/W

50°C/W

0 ° C至85°C

0℃ 150℃

-65 ° C至+ 150°C

300°C

215°C

260°C

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件的业务部门上市

本规范是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

除非另有说明，所有电压参考到PGND。

对于LFCSP封装， θ

根据JEDEC STD测量，带有裸焊盘焊接到PCB上。

ESD警告

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在

人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点

专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置

静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能

下降或功能丧失。

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ADP3120

引脚配置和功能描述

BST

DRVH

05591-002

BST 1

IN 2

外径3

4 VCC

销1

指标

8 DRVH

7 SW

6 PGND

5 DRVL

05591-003

ADP3120

顶视图

（不按比例）

保护地

顶视图

（不按比例）

DRVL

VCC

图2. 8引脚SOIC引脚配置

图3. 8引脚LFCSP封装引脚配置

表3.引脚功能描述

PIN号

助记符

BST

VCC

DRVL

保护地

描述

上MOSFET浮动自举电源。连接在BST和SW引脚的电容持有该

自举电压的高侧MOSFET ，因为它被切换。

逻辑电平PWM输入。该引脚具有的驱动输出主要控制。在正常操作中，要将这个引脚

低导通低边驱动器;在高侧驱动器拉大转弯。

输出禁用。低电平时，此引脚禁用正常运转，迫使DRVH和DRVL低。

输入电源。该引脚应旁路至PGND与 1 μF陶瓷电容。

同步整流驱动器。输出驱动器的低端（同步整流） MOSFET 。

电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。

该引脚被连接到降压 - 交换节点，靠近上MOSFET的源极。它是对所述浮动回报

上部MOSFET的驱动信号。它也可以用来监视切换电压，以防止下MOSFET管

从接通到的电压低于 1V。

降压驱动器。输出驱动器上（降压） MOSFET 。

DRVH

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