添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1892页 > ADP3120AJCPZ-RL
双自举， 12 V MOSFET
驱动器与输出禁用
ADP3120A
特点
ALL-IN -One的同步降压驱动器
自举高边驱动器
一个PWM信号生成两个驱动器
Anticross传导保护电路
外径为禁用驱动器输出
满足CPU VR要求当用于
ADI公司的Flex - 模式
1
调节器
概述
该ADP3120A是一款双通道，高电压MOSFET驱动器
用于驱动两个N沟道MOSFET ，所述两个开关优化
在非隔离同步降压型电源转换器。每
驱动器能够驱动3000 pF负载为45纳秒的propaga-
化延迟和25 ns的过渡时间。一司机可
自举和设计，以满足高电压摆
浮动高边栅极驱动器相关联的速率。该
ADP3120A包括重叠驱动保护，以防止
直通电流在外部MOSFET 。
的OD端子关闭两个高侧和低侧
MOSFET，以防止在快速输出电容放电
系统关机。
该ADP3120A规定工作在商用温度
提供8引脚范围为0 ° C至85° C和SOIC_N和
8引线LFCSP_VD包。
1
应用
多相台式机CPU用品
单电源同步降压转换器
Flex的模式是由美国专利6683441保护;其他专利正在申请中。
功能框图
12V
VCC
4
D1
ADP3120A
LATCH
R1
R2
Q
S
延迟
BST
1
C
BST2
C
BST1
DRVH
R
G
Q1
R
BST
SW
IN
2
8
TO
感应器
7
CMP
VCC
6
CMP
1V
控制
逻辑
DRVL
5
Q2
延迟
OD
3
保护地
05812-001
6
图1 。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2006年ADI公司保留所有权利。
ADP3120A
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 4
ESD注意事项................................................ .................................. 4
引脚配置和功能描述........................... 5
时序特性................................................ ..................... 6
典型性能特征............................................. 7
工作原理............................................... ......................... 9
低侧驱动器.............................................. .............................. 9
高侧驱动器.............................................. ............................. 9
重叠保护电路............................................... ............ 9
应用信息................................................ ................ 10
供应电容的选择............................................... ........ 10
自举电路................................................ ........................ 10
MOSFET选择................................................ ..................... 10
高边（控制）的MOSFET ........................................... ..... 10
低端（同步） MOSFET的........................................ 11
PC板布局考虑............................................. 11
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ .......................... 13
修订历史
3月6日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第16页2
ADP3120A
特定网络阳离子
V
CC
= 12 V ， BST = 4 V至26 V ，T
A
= 0℃至85 ℃，除非另有说明。
1
表1中。
参数
数字输入（ PWM ， OD）
输入电压高
输入电压低
输入电流
迟滞
高侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
输出电阻，无偏
转换时间
传播延迟时间
符号
条件
民
2.0
1
90
BST - SW = 12 V ;牛逼
A
= 25°C
BST - SW = 12 V ;牛逼
A
= 0 ° C至85°C
BST - SW = 12 V ;牛逼
A
= 25°C
BST - SW = 12 V ;牛逼
A
= 0 ° C至85°C
BST - SW = 0 V
BST - SW = 12 V ，C
负载
= 3 nF的，参见图5
BST - SW = 12 V ，C
负载
= 3 nF的，参见图5
BST - SW = 12 V ，C
负载
= 3 NF，
25C 2 T
A
≤ 85°C ，参见图5
BST - SW = 12 V ，C
负载
= 3 nF的，参见图5
参见图4
参见图4
申银万国PGND
T
A
= 25°C
T
A
= 0 ° C至85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 0 ° C至85°C
V
CC
⑩保护地
C
负载
= 3 nF的，参见图5
C
负载
= 3 nF的，参见图5
C
负载
= 3 nF的，参见图5
C
负载
= 3 nF的，参见图5
参见图4
参见图4
SW = 5 V
SW - 保护地
V
CC
I
SYS
110
110
95
4.15
BST = 12 V ， IN = 0 V
V
CC
升起
2
1.5
350
0.8
+1
250
3.3
3.9
1.8
2.6
40
30
70
35
35
55
典型值
最大
单位
V
V
μA
mV
Ω
Ω
Ω
Ω
kΩ
ns
ns
ns
ns
ns
ns
kΩ
3.3
3.9
1.8
2.6
35
30
35
45
35
Ω
Ω
Ω
Ω
kΩ
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
13.2
5
3.0
V
mA
V
mV
2.5
1.4
10
25
20
45
25
20
40
10
t
rDRVH
t
fDRVH
t
pdhDRVH
t
pdlDRVH
t
PDL
OD
OD
32
t
PDH
SW下拉电阻
低侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
输出电阻，无偏
转换时间
传播延迟时间
2.4
1.4
10
20
16
12
30
20
190
190
150
t
rDRVL
t
fDRVL
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
t
PDL
OD
OD
t
PDH
超时延迟
供应
电源电压范围
电源电流
UVLO电压
迟滞
1
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC）方法。
第0版|第16页3
ADP3120A
绝对最大额定值
表2中。
参数
VCC
BST
DC
<200 NS
BST到SW
SW
DC
<200 NS
DRVH
DC
<200 NS
DRVL
DC
<200 NS
IN， OD
θ
JA
， SOIC_N
2层电路板
4层板
θ
JA
， LFCSP_VD
1
4层板
工作环境温度
范围
结温范围
存储温度范围
焊接温度
焊接（ 10秒）
气相（60秒）
红外（ 15秒）
1
等级
0.3 V至+15 V
0.3 V到V
CC
+ 15 V
-0.3 V至+35 V
0.3 V至+15 V
-5 V至+15 V
-10 V至+25 V
SW - 0.3 V至BST + 0.3 V
SW - 2 V至BST + 0.3 V
0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
-2 V到V
CC
+ 0.3 V
0.3 V至6.5 V
123°C/W
90°C/W
50°C/W
0 ° C至85°C
0℃ 150℃
-65 ° C至+ 150°C
300°C
215°C
260°C
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件的业务部门上市
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
除非另有说明，所有电压参考到PGND。
对于LFCSP_VD ， θ
JA
根据JEDEC STD测量，带有裸焊盘焊接到PCB上。
ESD警告
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
第0版|第16页4
ADP3120A
引脚配置和功能描述
BST
1
IN
2
OD
3
VCC
4
8
DRVH
SW
05812-002
ADP3120A
顶视图
（不按比例）
7
6
5
BST 1
IN 2
外径3
4 VCC
销1
指标
8 DRVH
7 SW
6 PGND
5 DRVL
05812-003
保护地
DRVL
ADP3120A
顶视图
（不按比例）
图2. 8引脚SOIC_N引脚配置
图3. 8引脚LFCSP_VD引脚配置
表3.引脚功能描述
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
助记符
BST
IN
OD
VCC
DRVL
保护地
SW
描述
上MOSFET浮动自举电源。连接在BST和SW引脚的电容持有该
自举电压的高侧MOSFET时将其切换。
逻辑电平PWM输入。该引脚具有的驱动输出主要控制。在正常操作中，要将这个引脚
低导通低边驱动器;在高侧驱动器拉大转弯。
输出禁用。低电平时，此引脚禁用正常运转，迫使DRVH和DRVL低。
输入电源。该引脚应旁路至PGND与 1 μF陶瓷电容。
同步整流驱动器。输出驱动器的低端（同步整流） MOSFET 。
电源地。该引脚应紧密结合较低的MOSFET的源极。
开关节点连接。该引脚被连接到降压切换节点，靠近上MOSFET的源极。
它是为上部MOSFET的驱动信号的浮动回报。它也可以用来监视切换电压来
防止下MOSFET管从导通，直到电压低于 1V。
降压驱动器。输出驱动器上（降压） MOSFET 。
8
DRVH
第0版|第16页5
ADP3120A
双自举， 12 V
与输出MOSFET驱动器
关闭
该ADP3120A是单相12 V MOSFET栅极驱动器
优化，以驱动两高侧和低侧功率的栅极
MOSFET的同步降压转换器。高侧和
低侧驱动器能够驱动3000 pF负载为45纳秒
传播延迟和25 ns的过渡时间。
宽工作电压范围，高或低侧MOSFET
栅极驱动电压可以为最佳效率进行优化。国内
自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗，由
防止两个MOSFET同时导通。
浮动顶部驱动程序的设计可以容纳VBST电压为
高达35 V ，具有瞬态电压高达40 V的两个门输出
可以被驱动为低电平，通过将低逻辑电平的输出禁止
（OD）的引脚。欠压锁定功能，确保了驾驶员
输出为低电平时，电源电压为低，并且热
关断功能提供了与IC过温保护。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
3120A
ALYW
G
1
1
L3C
ALYWG
G
8
1
A
L
Y
W
G
DFN8
MN后缀
CASE 506BJ
所有功能于一身的同步降压驱动器
自举高边驱动器
一个PWM信号生成两个驱动器
Anticross传导保护电路
外径为禁用驱动器输出会见CPU VR要求
使用具有专利的FlexModet控制器时，
这些无铅器件
应用
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚连接
BST
IN
OD
V
CC
1
BST
IN
OD
V
CC
（ TOP VIEW ）
8
DRVH
SWN
保护地
DRVL
1
8
DRVH
SWN
保护地
DRVL
多相台式机CPU用品
单电源供电的同步降压转换器
订购信息
设备
ADP3120AJRZ
ADP3120AJRZRL
ADP3120AJCPZRL
包
SO8
（无铅）
航运
98单位/铁
SO8
2500磁带&卷轴
（无铅）
DFN8
5000磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年8月，
第3版
1
出版订单号：
ADP3120A/D
ADP3120A
OD
3
V
CC
TSD
UVLO
IN
2
8
DRVH
1
BST
落下
EDGE
延迟
落下
EDGE
延迟
开始
停止
非重叠
计时器
MONITOR
7
SWN
MONITOR
MIN DRVL
关闭计时器
4
5
6
V
CC
DRVL
保护地
图1.框图
引脚说明
SO8
1
DFN8
1
符号
BST
描述
上MOSFET浮动自举电源。连接BST和SW引脚之间的电容持有
这个自举电压的高侧MOSFET ，因为它被切换。推荐的电容值
100 NF和1.0之间
μF的。
外部二极管需要与ADP3120A 。
逻辑电平输入。该引脚具有的驱动输出主要控制。
输出禁用。当低，正常工作被禁止强迫DRVH和DRVL低。
输入电源。将1.0
mF
陶瓷电容应该从这个引脚PGND相连。
输出驱动器的低MOSFET。
电源地。应密切连接到下MOSFET的源极。
开关节点。连接到上部MOSFET的源极。
输出驱动器的上MOSFET 。
2
3
4
5
6
7
8
2
3
4
5
6
7
8
IN
OD
V
CC
DRVL
保护地
SWN
DRVH
http://onsemi.com
2
ADP3120A
最大额定值
等级
工作环境温度，T
A
工作结温，T
J
（注1 ）
封装热阻： SO- 8
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
（ 2层板）
封装热阻： DFN8 （注2 ）
结到外壳，R
QJC
（从模具到裸露焊盘）
结到环境，R
qJA
存储温度范围，T
S
无铅焊接温度（ 10秒） ：回流焊（ SMD风格只）
JEDEC湿度敏感度等级
无铅（注3 ）
SO- 8 （ 260峰形）
价值
0到85
0至150
45
123
7.5
55
65
150
260峰
1
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.热关断内部限制， 150℃分钟。
2. 2层电路板， 1
2
铜， 1盎司厚度。
3. 60-180秒最小值以上237 ℃。
注：此设备ESD敏感。操作时，请使用标准的ESD防护措施。
最大额定值
引脚符号
V
CC
保护地
BST
引脚名称
主电源电压输入
地
自举电源电压输入
V
最大
15 V
0V
35 V WRT /地线
40 V < 50纳秒WRT /地线
15 V WRT / SW
35 V
40 V < 50纳秒
BST + 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
6.5 V
6.5 V
V
民
0.3
V
0V
0.3
V WRT / SW
SW
DRVH
DRVL
IN
OD
注意：
开关节点
（自举电源回路）
高边驱动器输出
低边驱动器输出
DRVH和DRVL控制输入
输出禁用
5.0
V
10
V < 200纳秒
0.3
V WRT / SW
2.0
V < 200纳秒WRT / SW
0.3
V DC
5.0
V < 200纳秒
0.3
V
0.3
V
所有的电压都是相对于地线，除非另有说明。
http://onsemi.com
3
ADP3120A
电气特性
（注4 ） （V
CC
= 12 V ，T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，T
J
= 0 °C到+ 125 ℃，除非另有说明。 ）
特征
供应
电源电压范围
电源电流
OD输入
输入电压高
输入电压低
迟滞
输入电流
PWM输入
输入电压高
输入电压低
迟滞
输入电流
高侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
输出电阻，无偏
转换时间
传播延迟时间（注5 ）
t
rDRVH
t
fDRVH
t
pdhDRVH
t
pdlDRVH
t
pdlOD
t
pdhOD
SW下拉性能及其
低侧驱动器
输出电阻，拉电流
输出阻抗，可吸入电流
输出电阻，无偏
转换时间
传播延迟时间（注5 ）
t
rDRVL
t
fDRVL
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
t
pdlOD
t
pdhOD
超时延迟
欠压锁定
UVLO启动
UVLO关闭
迟滞
3.9
3.7
0.1
4.3
4.1
0.2
4.5
4.3
0.4
V
V
V
T
A
= 0
°C
85
°C
T
A
= 25
°C
T
A
= 0
°C
85
°C
T
A
= 25
°C
V
CC
⑩保护地
C
负载
= 3.0 nF的， （参见图3）
C
负载
= 3.0 nF的， （参见图3）
（注6 ，T
pdhDRVL
只）
（参见图2）
（参见图2）
DRVH
SW = 0
1.8
1.0
15
16
11
12
15
20
20
85
3.9
3.3
2.6
1.8
35
30
35
45
35
35
ns
W
W
kW
ns
ns
BST
SW = 12 V ;牛逼
A
= 0
°C
85
°C
BST
SW = 12 V ;牛逼
A
= 25
°C
BST
SW = 12 V ;牛逼
A
= 0
°C
85
°C
BST
SW = 12 V ;牛逼
A
= 25
°C
BST
SW = 0 V
BST
SW = 12 V ，C
负载
= 3.0 nF的
（参见图3）
BST
SW = 12 V ，C
负载
= 3.0 nF的
（参见图3）
BST
SW = 12 V ，C
负载
= 3.0 nF的
（参见图3）
（参见图2）
（参见图2）
申银万国PGND
32
2.2
1.0
15
20
11
45
25
20
25
15
3.9
3.3
2.6
1.8
40
30
70
35
35
55
kW
W
W
kW
ns
ns
V
PWM_HI
V
PWM_LO
没有内部上拉或下拉电阻
2.0
1.0
400
0.8
+1.0
V
V
mV
mA
V
OD_HI
V
OD_LO
没有内部上拉或下拉电阻
2.0
1.0
400
0.8
+1.0
V
V
mV
mA
V
CC
I
SYS
BST = 12 V ， IN = 0 V
4.6
0.7
13.2
5.0
V
mA
符号
条件
民
典型值
最大
单位
4.所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC ）保证。
5.对于传播延迟， “ tPDH时间”指的是指定的信号变为高电平; “保持tPDL ”是指它变低。
6.由设计保证;在生产中测试。
http://onsemi.com
4
ADP3120A
应用信息
工作原理
该ADP3120A是单相MOSFET驱动器
设计用于驱动两个N沟道MOSFET的
同步降压转换器拓扑。该ADP3120A会
从5.0 V或12 V电源供电，但都被优化用于高
目前多相降压稳压器，转换成12 V电压轨
直接通过复杂的逻辑芯片所需的核心电压。
单个PWM输入信号为所有需要正确
驱动高侧和低侧MOSFET 。每个驱动程序
能够驱动一个3 nF的负载，频率最高可达1 MHz的的。
低侧驱动器
同样地，当PWM输入引脚变低， DRVH将
传播延迟（ tpdDRVH ）后变为低电平。的时间到
关闭高侧MOSFET （ tfDRVH ）是依赖于
总栅极电荷高侧MOSFET的。 A将计时器
触发一次高边MOSFET已经停止
导通，延迟（ tpdhDRVL ）的导通的
低侧MOSFET
电源去耦
低侧驱动器设计用于驱动
接地参考的低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。该
电压轨为低侧驱动器内部连接到
在V
CC
电源和GND 。
高侧驱动器
该ADP3120A可源出或吸入比较大
电流向外部MOSFET的栅极管脚。为了
以保持恒定的和稳定的供应电压（V
CC
）低
ESR电容应放置在靠近电源和地
销。 A 1
mF
4.7
mF
多层陶瓷电容（ MLCC ）
通常苏夫网络cient 。
输入引脚
高边驱动器设计用于驱动一个浮动小
R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。的栅极电压为高
侧驱动器是通过参考一个自举电路开发
交换节点（ SW ）引脚。
自举电路包括一个外部二极管，
和外部自举电容。当ADP3120A
在启动时， SW引脚接地，这样启动
电容器充电至V
CC
通过自举二极管
参见图4，当PWM输入为高电平时，高侧
驱动器将开始使用以打开高侧MOSFET
存储电荷的自举电容。作为高侧
MOSFET导通， SW引脚将上升。当高侧
MOSFET处于完全导通时，交换节点将在12伏，而
BST引脚将在12 V加引导的费用
电容（接近24 V） 。
自举电容充电时开关
节点的下一个周期期间变低。
安全定时器和重叠保护电路
的PWM输入和输出禁用引脚
ADP3120A有静电内部保护
放电（ESD）的，但在正常操作中，他们提出了一种
相对高的输入阻抗。如果PWM控制器不
没有内置下拉电阻，就应该添加
在外部，以确保驱动器输出不高;
前控制器已经达到欠压锁定
门槛。该NCP5381控制器也包括被动
在驱动器上的输出引脚内部下拉电阻。
自举电路
自举电路使用一个电荷存储电容器
(C
BST
）和内部（或外部）的二极管。选择
这些组件可在高侧MOSFET之后进行
已被选定。自举电容必须有
额定电压，其能够承受的最大两次
电源电压。最小50 V额定建议。
电容是用下面的等式确定：
CBST
+
QGATE
DV
BST
这是非常重要的是，在MOSFET的同步降压
调节器不能同时进行的同时。过度
直通或交叉传导，可能会损坏
的MOSFET ，甚至少量交叉传导的
将导致功率转换效率的降低。
该ADP3120A防止监管交叉传导
外部MOSFET的地位和应用
“死时间”适量或之间的时间
转一个MOSFET ，另一方面之交的关
MOSFET。
当PWM输入引脚变为高电平， DRVL将变低
后的传播延迟（ tpdlDRVL ） 。所花费的时间
低侧MOSFET的关断（ tfDRVL ）是依赖于
的总电荷上的低侧MOSFET的栅极。该
ADP3120A监控两个MOSFET的栅极电压，
该switchnode电压来确定的导通状态
MOSFET的。一旦低边MOSFET关断的
内部定时器将推迟（ tpdhDRVH ）上的转
高边MOSFET
其中Q
门
是高侧的总的栅极电荷
的MOSFET ，并且
DV
BST
被电压降上允许
高边MOSFET驱动器。例如，一个NTD60N03有
总栅极电荷约30 NC 。对于允许的下垂
300 mV时，所需的自举电容为100 nF的。一
质量好的陶瓷电容应该被使用。
自举二极管额定值必须能够承受
最大电源电压加上峰值振铃电压
可存在于西南。平均正向电流即可
估计是：
中频（AVG）
+
QGATE
FMAX
其中f
最大
为最大开关频率
控制器。峰值浪涌电流额定值应检查
在电路中，由于这是依赖于源阻抗
的12 V电源和C的ESR
BST 。
http://onsemi.com
5
查看更多ADP3120AJCPZ-RLPDF信息
推荐型号
AA-A2D6NB9-FREQ
AP1084KL-13
AM29LV400B-100EE
AM2D-1207SH30
AM7204A-50JC
AM29F800BB-120DGI
AP131
AF4000
AM2923LM
AS1360-25-T
AS7C33128NTD36B-200TQC
ADR4520ARZ-R7
AEQ60A48-196
ATR0630
AM28F020A-200FI
AM29LV008B-90FE
ADIS16485AMLZ
AM27PS19135BKA
A29DL324UG-70
AYF335135
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADP3120AJCPZ-RL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
ADP3120AJCPZ-RL
ON/安森美
22+
12000
VFDFN-8
原装现货超低价，可拆包
深圳市煦洪科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2891128682 复制

电话：18820154873
联系人：李
地址：华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
ADP3120AJCPZ-RL
ON/安森美
25+
88280
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ADP3120AJCPZ-RL
ON
21+
1600
DFN-8
全新原装正品/质量有保证
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
ADP3120AJCPZ-RL
AD
25+
4500
QFP-128
全新原装现货特价销售！
深圳市俊晖半导体有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：421123133 复制

电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
ADP3120AJCPZ-RL
ADI
24+
6000
LFCSP8
原装正品现货，可开增值税专用发票
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
ADP3120AJCPZ-RL
ON/安森美
24+
8000
QFN
100%原装正品，只做原装正品
锦迅科技(香港)有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ：2942939487 复制

电话：0755-83226745/82584980
联系人：马小姐
地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室
ADP3120AJCPZ-RL
ADI
21+
1700
LFCSP8
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
深圳市杰兴微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004205530 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004205445 复制

电话：0755-23995152
联系人：林
地址：广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
ADP3120AJCPZ-RL
onsemi
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
ADP3120AJCPZ-RL
ON
1920+
9852
LFCSP
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
ADP3120AJCPZ-RL
ON/安森美
2410+
80000
TSSOP
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.
查询更多ADP3120AJCPZ-RL供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！