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双自举， 12 V MOSFET

驱动器与输出禁用

ADP3110A

特点

ALL-IN -One的同步降压驱动器

自举高边驱动器

一个PWM信号生成两个驱动器

Anticross传导保护电路

外径为禁用驱动器输出

满足CPU VR要求当用于

ADI公司的Flex -Mode的

调节器

概述

该ADP3110A是一款双通道，高电压MOSFET驱动器

用于驱动两个N沟道MOSFET的优化，这两个

交换机在非隔离同步降压电源转换器。

每个驱动器能够驱动3000 pF负载为25纳秒

传播延迟和30 ns的过渡时间。中的一个

驱动器可自举而被设计为处理高

浮动高边栅极驱动器相关的电压摆率。

该ADP3110A包括重叠驱动保护

防止直通电流在外部MOSFET 。

的OD端子关闭两个高侧和低侧

MOSFET，以防止在快速输出电容放电

系统关机。

该ADP3110A规定工作在商用温度

是，可以在一个8引脚SOIC_N或范围为0℃至85 ℃，并

8引线LFCSP_VD包。

应用

多相台式机CPU用品

单电源同步降压转换器

的Flex -Mode的由美国专利6683441保护;其他专利正在申请中。

功能框图

12V

VCC

BST

ADP3110A

LATCH

延迟

BST2

BST1

DRVH

感应器

BST

CMP

VCC

DRVL

CMP

控制

逻辑

图1 。

第0版

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05832-001

延迟

保护地

ADP3110A

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

概述................................................ ......................... 1

功能框图............................................... ............... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 4

ESD注意事项................................................ .................................. 4

引脚配置和功能说明............................. 5

时序特性................................................ ..................... 6

典型性能特征............................................. 7

工作原理............................................... .......................... 9

低侧驱动器.............................................. .............................. 9

高侧驱动器.............................................. ............................. 9

重叠保护电路............................................... ............ 9

应用信息................................................ ................ 10

供应电容的选择............................................... ........ 10

自举电路................................................ ........................ 10

MOSFET选择................................................ ..................... 10

PC板布局考虑............................................. 11

外形尺寸................................................ ....................... 13

订购指南................................................ .......................... 13

修订历史

3月6日 - 修订版0 ：初始版

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ADP3110A

特定网络阳离子

= 12 V ， BST = 4 V至26 V ，T

= 25 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

数字输入（ PWM ， OD）

输入电压高

输入电压低

输入电流

迟滞

高侧驱动器

输出电阻，拉电流

输出阻抗，可吸入电流

输出电阻，无偏

转换时间

传播延迟时间

符号

条件

民

2.0

BST到SW = 12 V

BST到SW = 0 V

BST到SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，见图4

BST到SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，见图4

BST到SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，见图4

BST到SW = 12 V ，C

负载

= 3 nF的，见图4

见图3

申银万国PGND

0.8

250

2.6

1.4

2.5

1.4

110

4.15

BST = 12 V ， IN = 0 V

升起

1.5

350

190

150

13.2

3.0

3.4

1.8

3.4

1.8

典型值

最大

单位

μA

kΩ

rDRVH

fDRVH

pdhDRVH

pdlDRVH

PDL

PDH

SW下拉电阻

低侧驱动器

输出电阻，拉电流

输出阻抗，可吸入电流

输出电阻，无偏

转换时间

传播延迟时间

rDRVL

fDRVL

pdhDRVL

pdlDRVL

PDL

⑩保护地

负载

= 3 nF的，见图4

负载

= 3 nF的，见图4

负载

= 3 nF的，见图4

负载

= 3 nF的，见图4

见图3

SW = 5 V

SW - 保护地

PDH

超时延迟

供应

电源电压范围

电源电流

UVLO电压

迟滞

SYS

所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制（ SQC）方法。

规范适用于在整个工作温度范围T

= 0 ° C至85°C 。

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ADP3110A

绝对最大额定值

表2中。

参数

VCC

BST

<200 NS

BST到SW

<200 NS

DRVH

<200 NS

DRVL

<200 NS

IN， OD

， SOIC_N

2层电路板

4层板

工作环境温度

范围

结温范围

存储温度范围

焊接温度

焊接（ 10秒）

气相（60秒）

红外（ 15秒）

等级

0.3 V至+15 V

0.3 V到V

+ 15 V

-0.3 V至+35 V

0.3 V至+15 V

-5 V至+15 V

-10 V至+25 V

SW - 0.3 V至BST + 0.3 V

SW - 2 V至BST + 0.3 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

-2 V到V

+ 0.3 V

0.3 V至6.5 V

123°C/W

90°C/W

0 ° C至85°C

0℃ 150℃

-65 ° C至+ 150°C

300°C

215°C

260°C

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

除非另有说明，所有电压参考到PGND。

ESD警告

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在

人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点

专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置

静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能

下降或功能丧失。

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ADP3110A

引脚配置和功能描述

BST

VCC

DRVH

DRVL

05832-002

ADP3110A

顶视图

（不按比例）

保护地

图2.引脚配置

表3.引脚功能描述

PIN号

助记符

BST

VCC

DRVL

保护地

描述

上MOSFET浮动自举电源。连接在BST和SW引脚的电容持有该

自举电压的高侧MOSFET时将其切换。

逻辑电平PWM输入。该引脚具有的驱动器输出的主控制。在正常操作中，要将这个引脚

低导通低边驱动器;在高侧驱动器拉大转弯。

输出禁用。低电平时，此引脚禁用正常运转，迫使DRVH和DRVL低。

输入电源。该引脚应被绕过和PGND 1 μF陶瓷电容。

同步整流驱动器。输出驱动器的低端（同步整流） MOSFET 。

电源地。紧密连接该引脚为低MOSFET的源极。

开关节点连接。该引脚被连接到降压 - 交换节点，靠近上MOSFET的源极。

它是为上部MOSFET的驱动信号的浮动回报。它也可以用来监视切换电压来

防止下MOSFET管从导通，直到电压低于 1V。

降压驱动器。输出驱动器上（降压） MOSFET 。

DRVH

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