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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第122页 > ADP172ACBZ-1.0-R7
300毫安,低静态电流,
CMOS线性稳压器
ADP172
特点
最大输出电流: 300毫安
输入电压范围: 1.6 V至3.6 V
低静态电流
I
GND
= 23 μA 0 mA负载
I
GND
= 170 μA 300 mA负载
低关断电流: <1 μA
低压差电压: 50 mV的300 mA负载
输出电压精度: ± 1 %
多达31个可用的固定输出电压选项
从0.8 V至3.0 V
准确度线,负载和温度:±3%
稳定的小1 μF陶瓷输出电容
70dB的PSRR性能在10 kHz和73分贝1千赫
低噪音: 30 μV RMS在V
OUT
= 0.8 V
电流限制和热过载保护
逻辑控制使能
微小的4球,0.5 mm间距WLCSP封装
典型应用电路
V
IN
= 2.3V
C1
ON
关闭
EN
VIN
VOUT
U1
GND
V
OUT
= 1.8V
C2
06111-001
图1. ADP172具有固定输出电压, 1.8 V
应用
手机
数码相机和音频设备
便携式和电池供电设备
DSP / FPGA /微处理器电源
交直流 - 直流调节
概述
该ADP172是一款低电压输入,低静态电流,低
,工作于1.6 V至3.6 V差(LDO )线性稳压器
并提供最大输出电流为300毫安。低50毫伏
压差电压在300 mA负载时提高效率,使
工作在较宽的输入电压范围。低23 μA
在无负载静态电流使得ADP172非常适合
电池供电的便携式设备。
该ADP172能够31固定输出电压选项,范围
从0.8 V至3.0 V的ADP172为稳定操作进行了优化
小1 μF陶瓷输出电容器。理想的供电
数字处理器, ADP172具有良好的瞬态perform-
ANCE ,占用最少的电路板空间。相比
商品型LDO不同, ADP172提供20分贝40分贝
更好的电源抑制比( PSRR)在100 kHz时,使
ADP172的理想电源的模拟 - 数字转换器
器(ADC)的混合信号处理器的系统,并允许使用
更小的尺寸旁路电容。此外,低输出噪声
而不需要额外的旁路电容器的性能
进一步降低了印刷电路板( PCB)上的元件数量。
短路保护和热过载保护电路
避免在不利条件下受损。该ADP172提供
在一个微小的4球,0.5 mm间距WLCSP封装的最小尺寸
解决方案以满足各种便携式电源应用。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
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2010 ADI公司保留所有权利。
ADP172
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
典型应用电路............................................... ............. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
输入和输出电容,推荐规格。4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
热数据................................................ ................................ 5
热阻................................................ ...................... 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征.............................................. 7
工作原理............................................... ....................... 11
应用信息................................................ .............. 12
电容选择................................................ .................... 12
欠压锁定................................................ ............... 13
启用功能................................................ ............................ 13
电流限制和热过载保护................. 14
散热注意事项................................................ ............ 14
印刷电路板布局考虑....................... 16
外形尺寸................................................ ....................... 17
订购指南................................................ .......................... 17
修订历史
5/10 -REV 。 A到版本B
图1 ..............................................变化............................ 1
4月10日 - 修订版。 0到版本A
更改订购指南.............................................. ............ 17
2月10日 - 修订版0 :初始版
版本B |第20页2
ADP172
特定网络阳离子
V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V)或1.6 V(以较高者为准) , EN = V
IN
, I
OUT
= 10毫安,C
IN
= C
OUT
= 1 μF ,T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
表1中。
参数
输入电压范围
工作电源电流
1
符号
V
IN
I
GND
条件
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 0 μA
I
OUT
= 0 μA ,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1毫安,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 150毫安,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 300毫安
I
OUT
= 300毫安,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
EN = GND
EN = GND ,V
IN
= 3.6 V ,T
J
= -40 ° C至+ 85°C
EN = GND ,V
IN
= 3.6 V ,T
J
= 85 ° C至125°C
I
OUT
= 10毫安
1毫安<我
OUT
< 300毫安,V
IN
= (V
OUT
+ 0.5 V)至3.6 V
1毫安<我
OUT
< 300毫安,V
IN
= (V
OUT
+ 0.5 V)至3.6 V ,
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
IN
= (V
OUT
+ 0.5 V)至3.6 V ,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 1 mA至300毫安
I
OUT
= 1 mA至300毫安,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10 mA时, V
OUT
≥ 1.8 V
I
OUT
= 10 mA时, V
OUT
= 1.8 V ,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 150毫安, V
OUT
≥ 1.8 V
I
OUT
= 150毫安, V
OUT
= 1.8 V ,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 300毫安, V
OUT
≥ 1.8 V
I
OUT
= 300毫安, V
OUT
= 1.8 V ,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
OUT
= 1.8 V
1.6
典型值
23
60
50
100
130
210
170
260
0.1
2
25
+1
+1.5
+1.5
+0.25
0.001
0.005
2
7
25
50
50
100
400
T
J
升起
120
450
150
15
1.2
0.4
0.1
1
1.5
0.7
80
72
50
40
30
800
最大
3.6
单位
V
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
%
%
%
%/V
% / mA的
% / mA的
mV
mV
mV
mV
mV
mV
μs
mA
°C
°C
V
V
μA
μA
V
V
mV
μV RMS
μV RMS
μV RMS
μV RMS
关断电流
I
GND -SD
输出电压精度
V
OUT
1
2
3
0.25
线路调整
负载调整率
2
输入输出电压差
3
V
OUT
/V
IN
V
OUT
/I
OUT
V
启动时间
限流门限
5
热关断
热关断阈值
热关断迟滞
EN输入
逻辑高电压
逻辑低电压
漏电流电压
欠压锁定
输入电压崛起
输入电压下降
迟滞
输出噪声
4
t
启动
I
极限
TS
SD
TS
SD- HYS
V
IH
V
IL
V
我泄漏
UVLO
UVLO
上升
UVLO
秋天
UVLO
HYS
OUT
噪音
1.6 V ≤ V
IN
≤ 3.6 V
1.6 V ≤ V
IN
≤ 3.6 V
EN = VIN或GND
EN = VIN或GND ,T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
10赫兹至100千赫兹,V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 3.0 V
10赫兹至100千赫兹,V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 1.8 V
10赫兹至100千赫兹,V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 1.2 V
10赫兹至100千赫兹,V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 0.8 V
版本B |第20页3
ADP172
参数
电源抑制比
符号
PSRR
条件
1千赫,V
IN
= 3.6 V,I
OUT
= 10 mA时, V
OUT
= 0.8 V
10千赫,V
IN
= 3.6 V,I
OUT
= 10 mA时, V
OUT
= 0.8 V
10千赫,V
IN
= (V
OUT
1 + V) ,我
OUT
= 10 mA至300毫安
100千赫兹,V
IN
= (V
OUT
1 + V) ,我
OUT
= 10 mA至300毫安
典型值
73
70
50
47
最大
单位
dB
dB
dB
dB
1
2
从在可调电压输出的情况下,外部电阻分压器网络的电流(与ADP172 )应该被减去测量的接地电流。
基于使用1毫安和300毫安负载的一端点计算。参见图4为典型负载调节性能的负载小于1mA 。
3
仅用于输出电压应用于以上1.6 V电压差定义为当输入电压被设置为标称的输入 - 输出电压差
输出电压。
4
启动时间被定义为EN和VOUT的上升沿之间的时间,在90 %的标称值。
5
限流阈值被定义为输出电压下降到90%的指定的典型值的电流。例如,电流限制为3.0 V
输出电压被定义为当前使输出电压下降为3.0V至90%,或2.7 V.
输入和输出电容,推荐规格
表2中。
参数
最小输入和输出
电容
1
电容的ESR
1
符号
C
R
ESR
条件
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
0.45
0.001
典型值
最大
单位
μF
Ω
1
最小输入和输出电容应大于0.45 μF的整个范围内的运行条件。全范围的操作条件
应用程序必须在设备的选择来考虑,以确保最小电容要求。 X7R和X5R型电容建议;
Y5V和Z5U电容不推荐在任何LDO使用。
版本B |第20页4
ADP172
绝对最大额定值
表3中。
参数
VIN至GND
VOUT到GND
EN到GND
存储温度范围
工作结温范围
工作环境温度范围
焊接条件
等级
0.3 V至4.0 V
-0.3 V至VIN
0.3 V至4.0 V
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
JEDEC J- STD- 020
应用和电路板布局。在应用中,高
最大功率耗散存在,密切关注热
电路板设计是必需的。 θ的值
JA
可能会发生变化,这取决于
在PCB材料,布局和环境条件。该
θ的值规定
JA
是基于一个4层, 4英寸× 3英寸PCB上。
请参考JESD51-7的有关电路板的详细信息
建设。
Ψ
JB
是结到电路板的热特性参数
与℃/单位W的该Ψ
JB
封装的基于模型
并用计算的4层电路板。该
准则报告
并结合电子封装的热信息: JESD51-12
指出,热特性的参数是不一样的
热电阻。 Ψ
JB
测量元件功率
通过多个热路径,而不是一个单一的路径作为
热阻, θ
JB
。因此, Ψ
JB
热通路中包括
从封装的顶部以及从辐射对流
包因素,使Ψ
JB
在现实世界中更加有用
应用程序。最高结温(T
J
)被计算
从电路板温度(T
B
)和功耗(P
D
)
使用下面的公式
T
J
=
T
B
+ (P
D
×
Ψ
JB
)
请参考JESD51-8和JESD51-12更多详细信息
关于Ψ
JB
.
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
等级只与所述设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
热数据
绝对最大额定值仅适用于单独,而不是在
组合。该ADP172可能会被损坏,当结
温度超过极限。环境监测
温度不保证那件T
J
是在规定的
温度限制。在高功耗应用
和耐热性较差,最高环境温度
可能要降级。
在功耗适中,低PCB应用
耐热性,最高环境温度可以
超过最大限制,只要结温
在规定范围内限制。结温(T
J
)的
该装置是取决于环境温度(T
A
),则
该装置的功率消耗(P
D
) ,以及结点到
封装环境的热阻( θ
JA
).
最高结温(T
J
)从所计算的
环境温度(T
A
)和功耗(P
D
)使用
下式:
T
J
=
T
A
+ (P
D
×
θ
JA
)
结点至环境热阻( θ
JA
)的包
基于使用4层板的建模和计算。该
结点至环境热阻高度依赖
热阻
θ
JA
JB
对于最坏情况的条件下被指定,也就是一个
器件焊接在电路板上进行表面贴装封装。
表4.热阻
套餐类型
4球,0.5 mm间距WLCSP
θ
JA
260
Ψ
JB
58
单位
° C / W
ESD警告
版本B |第20页5
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