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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1087页 > ADP150ACBZ-2.75R7
超低噪声，
150毫安CMOS线性稳压器
ADP150
特点
超低噪声： 9 μV rms的，独立的V
OUT
无需额外的噪声旁路电容
稳定与1 μF陶瓷输入和输出电容器
最大输出电流为150mA
输入电压范围： 2.2 V至5.5 V
低静态电流
I
GND
= 10 μA零负担
低关断电流： <1 μA
低压差： 105 mV的在150 mA负载
初始输出电压精度： ± 1 ％
多达14种固定输出电压选项： 1.8 V至3.3 V
70分贝，在10 kHz的PSRR性能
电流限制和热过载保护
逻辑控制使能
5引脚TSOT封装
4球， 0.8毫米×0.8毫米，间距为0.4mm WLCSP
典型应用电路
V
IN
= 2.3V
C
IN
1F
ON
关闭
NC =无连接
1
2
3
VIN
GND
EN
VOUT
5
V
OUT
= 1.8V
C
OUT
1F
NC
4
08343-001
图1. 5引脚TSOT与固定输出电压， 1.8 V
1
V
IN
= 2.3V
C
IN
1F
ON
关闭
VIN
2
V
OUT
= 1.8V
VOUT
A
顶视图
（不按比例）
EN
GND
B
C
OUT
1F
08343-002
图2. 4球WLCSP具有固定输出电压， 1.8 V
应用
手机
数码相机和音频设备
便携式和电池供电设备
交直流 - 直流调节
便携式医疗设备
RF ， PLL，VCO和时钟电源
概述
该ADP150是一款超低噪声（ 9 μV ） ，低压差线性
稳压器，采用2.2 V至5.5 V ，并提供高达
可输出150 mA电流。低105 mV的压降电压
150毫安负载提高了效率，使操作过
宽输入电压范围。
采用创新的电路拓扑结构，实现ADP150超低
无需额外噪声的必要性噪声性能
旁路电容，从而非常适用于对噪声敏感的模拟和
RF应用。该ADP150还实现了超低噪声
不影响PSRR或线路和负载性能
瞬态性能。该ADP150提供了最好的组合
超低噪声和静态电流消耗，最大限度地
电池使用寿命的便携式应用。
该ADP150是专门为稳定运行与设计
微小的1 μF ± 30 ％陶瓷输入和输出电容器，以满足
的高性能的要求，空间受限
应用程序。
该ADP150在14种固定输出电压选项，
范围从1.8 V至3.3 V.
短路和热过载保护电路可以防止
损坏在不利条件。该ADP150是微小的可
5引脚TSOT和4球，0.4 mm间距WLCSP封装的
最小尺寸解决方案，以满足各种便携式电源
应用程序。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2009 ADI公司保留所有权利。
ADP150
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
典型应用电路............................................... ............. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
推荐规格：输入和输出电容。4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
热数据................................................ ................................ 5
热阻................................................ ...................... 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能描述........................... 6
典型性能特征.............................................. 7
工作原理............................................... ....................... 11
应用信息................................................ .............. 12
电容选择................................................ .................... 12
欠压锁定................................................ ............... 13
启用功能................................................ ............................ 13
电流限制和热过载保护................. 13
散热注意事项................................................ ............ 14
PCB布局考虑............................................... ....... 17
外形尺寸................................................ ....................... 18
订购指南................................................ .......................... 19
修订历史
10月9日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第20页2
ADP150
特定网络阳离子
V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）或2.2 V ，以较大者为准; EN = V
IN
, I
OUT
= 10毫安，C
IN
= C
OUT
= 1 μF ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
输入电压范围
工作电源电流
符号
V
IN
I
GND
条件
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 0 μA
I
OUT
= 0 μA ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 100 μA
I
OUT
= 100 μA ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 150毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
EN = GND
EN = GND ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10毫安
100 μA <我
OUT
< 150毫安，V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）至5.5 V ，
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10毫安
100 μA <我
OUT
< 150毫安，V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）至5.5 V ，
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）至5.5 V ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 100 μA至150毫安
I
OUT
= 100 μA至150毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 100 μA至150毫安
I
OUT
= 100 μA至150毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 150毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
OUT
= 3.3 V
190
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
升起
民
2.2
典型值
10
22
20
40
60
100
220
320
0.2
1.0
1
2.5
1
2.0
+1
+1.5
+1
+1.5
最大
5.5
单位
V
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
%
%
%
%
关断电流
输出电压精度
5引脚TSOT
I
GND -SD
V
OUT
4引脚WLCSP
V
OUT
规
线路调整
负载调整率
1
5引脚TSOT
4引脚WLCSP
输入输出电压差
2
V
OUT
/V
IN
V
OUT
/I
OUT
V
OUT
/I
OUT
V
降
0.05
0.003
+0.05
%/V
％ / mA的
％ / mA的
％ / mA的
％ / mA的
mV
mV
mV
mV
μs
mA
V
V
mV
°C
°C
V
V
μA
μA
μV RMS
μV RMS
μV RMS
0.0075
0.002
0.006
10
35
105
160
150
260
400
1.96
1.28
115
150
15
1.2
0.4
0.001
1
9
9
9
启动时间
3
电流限制阈值
4
欠压锁定
输入电压崛起
输入电压下降
迟滞
热关断
热关断阈值
热关断迟滞
EN输入
EN输入逻辑高电平
EN输入逻辑低
EN输入漏电流
输出噪声
T
启动
I
极限
UVLO
UVLO
上升
UVLO
秋天
UVLO
HYS
TS
SD
TS
SD- HYS
V
IH
V
IL
V
我泄漏
OUT
噪音
2.2 V ≤ V
IN
≤ 5.5 V
2.2 V ≤ V
IN
≤ 5.5 V
EN = IN或GND
EN = IN或GND ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 5 V, V
OUT
= 3.3 V
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 5 V, V
OUT
= 2.5 V
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 5 V, V
OUT
= 1.8 V
第0版|第20页3
ADP150
参数
电源抑制比
(V
IN
= V
OUT
+ 0.5 V)
符号
PSRR
条件
10千赫，V
IN
= 3.8 V, V
OUT
= 3.3 V，I
OUT
= 10毫安
10千赫，V
IN
= 2.3 V, V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 10毫安
100千赫兹，V
IN
= 3.8 V, V
OUT
= 3.3 V，I
OUT
= 10毫安
100千赫兹，V
IN
= 2.3 V, V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 10毫安
10千赫，V
IN
= 4.3 V, V
OUT
= 3.3 V，I
OUT
= 10毫安
100千赫兹，V
IN
= 4.3 V, V
OUT
= 3.3 V，I
OUT
= 10毫安
1
2
民
典型值
70
70
55
55
70
55
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
电源抑制比
(V
IN
= V
OUT
+ 1 V)
基于使用1毫安和150毫安负载的一端点计算。参见图6为典型负载调节性能的负载小于1mA 。
电压差被定义为当输入电压被设置为标称输出电压的输入 - 输出电压差。这仅适用于输出
电压高于2.2 V.
3
启动时间被定义为EN的上升沿到V之间的时间
OUT
处于90 ％的标称值。
4
限流阈值被定义为在所述输出电压下降到90％的指定的典型值的电流。例如，电流限制为3.0 V
输出电压被定义为当前使输出电压下降为3.0V或2.7V。以90％的
推荐规格：输入和输出电容
表2中。
参数
输入和输出电容
最小输入和输出电容
1
电容的ESR
1
符号
C
民
R
ESR
条件
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
民
0.7
0.001
典型值
最大
单位
μF
Ω
0.2
最小输入和输出电容应大于0.7 μF的整个范围内的运行条件。全范围的操作条件
应用程序必须在设备的选择来考虑，以确保最小电容要求。 X7R型和X5R型电容
推荐和Y5V和Z5U电容不推荐在任何LDO使用。
第0版|第20页4
ADP150
绝对最大额定值
表3中。
参数
VIN至GND
VOUT到GND
EN到GND
存储温度范围
工作结温范围
工作环境温度范围
焊接条件
等级
0.3 V至6.5 V
-0.3 V至VIN
0.3 V至6.5 V
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
JEDEC J- STD- 020
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
结点到环境的热阻（ θ
JA
）的包
是一种基于建模，并使用4层板的计算。
结点至环境热阻高度依赖
上的应用程序和电路板布局。在应用中，高
最大功率耗散存在，密切关注热
电路板设计是必需的。 θ的值
JA
可以有所不同，这取决于
PCB材料，布局和环境条件。指定
θ的值
JA
是基于一个4层， 4英寸×3英寸的电路板。
请参阅JESD 51-7和51-9 JESD详细信息
在董事会建设。有关更多信息，请参阅
在AN- 617应用笔记，
MicroCSP 晶圆级芯片
级封装。
Ψ
JB
是结到电路板的热特性参数
与℃/单位W的Ψ
JB
包是基于建模和
使用4层板的计算。该JESD51-12 ，
方针
报告和使用封装的热信息，
指出，
热特性的参数是不一样的热
电阻。 Ψ
JB
测量元件功率通量
多个导热路径，而不是一个单一的路径中的热
电阻， θ
JB
。因此， Ψ
JB
热通路中包括对流
从封装的顶部以及从封装辐射，
使Ψ因素
JB
更多有用的在现实世界的应用程序。
最高结温（T
J
）从所计算的
电路板温度（T
B
）和功耗（P
D
）通过
T
J
=
T
B
+ (P
D
× Ψ
JB
)
请参考JESD51-8和JESD51-12更多详细信息
关于Ψ
JB
.
热数据
绝对最大额定值仅适合单独应用，而不是在
组合。该ADP150可能会被损坏，当结
温度超过极限。监测环境温度
不能保证那件T
J
是在规定的温度范围内
极限。在具有高功率耗散和贫困应用
耐热性，最高环境温度可以
必须降低。
在功耗适中，低应用
印刷电路板（PCB）的耐热性，最大
环境温度可能超过最大限制，只要
随着结温范围内的技术指标。该
结温（T
J
）该装置的依赖于
环境温度（T
A
） ，该装置的功耗（P
D
),
和封装的结到环境的热阻
(θ
JA
).
最高结温（T
J
）从所计算的
环境温度（T
A
）和功耗（P
D
）通过
T
J
=
T
A
+ (P
D
×
θ
JA
)
热阻
θ
JA
和
JB
对于最坏情况的条件下被指定，也就是一个
器件焊接在电路板上进行表面贴装封装。
表4.热阻
套餐类型
5引脚TSOT
4球，0.4 mm间距WLCSP
θ
JA
170
260
Ψ
JB
43
58
单位
° C / W
° C / W
ESD警告
第0版|第20页5
超低噪声，
150毫安CMOS线性稳压器
ADP150
特点
超低噪声： 9 μV rms的，独立的V
OUT
无需额外的噪声旁路电容
稳定与1 μF陶瓷输入和输出电容器
最大输出电流为150mA
输入电压范围： 2.2 V至5.5 V
低静态电流
I
GND
= 10 μA零负担
低关断电流： <1 μA
低压差： 105 mV的在150 mA负载
初始输出电压精度： ± 1 ％
多达14种固定输出电压选项： 1.8 V至3.3 V
70分贝，在10 kHz的PSRR性能
电流限制和热过载保护
逻辑控制使能
5引脚TSOT封装
4球， 0.8毫米×0.8毫米，间距为0.4mm WLCSP
典型应用电路
V
IN
= 2.3V
C
IN
1F
ON
关闭
NC =无连接
1
2
3
VIN
GND
EN
VOUT
5
V
OUT
= 1.8V
C
OUT
1F
NC
4
08343-001
图1. 5引脚TSOT与固定输出电压， 1.8 V
1
V
IN
= 2.3V
C
IN
1F
ON
关闭
VIN
2
V
OUT
= 1.8V
VOUT
A
顶视图
（不按比例）
EN
GND
B
C
OUT
1F
08343-002
图2. 4球WLCSP具有固定输出电压， 1.8 V
应用
手机
数码相机和音频设备
便携式和电池供电设备
交直流 - 直流调节
便携式医疗设备
RF ， PLL，VCO和时钟电源
概述
该ADP150是一款超低噪声（ 9 μV ） ，低压差线性
稳压器，采用2.2 V至5.5 V ，并提供高达
可输出150 mA电流。低105 mV的压降电压
150毫安负载提高了效率，使操作过
宽输入电压范围。
采用创新的电路拓扑结构，实现ADP150超低
无需额外噪声的必要性噪声性能
旁路电容，从而非常适用于对噪声敏感的模拟和
RF应用。该ADP150还实现了超低噪声
不影响PSRR或线路和负载性能
瞬态性能。该ADP150提供了最好的组合
超低噪声和静态电流消耗，最大限度地
电池使用寿命的便携式应用。
该ADP150是专门为稳定运行与设计
微小的1 μF ± 30 ％陶瓷输入和输出电容器，以满足
的高性能的要求，空间受限
应用程序。
该ADP150在14种固定输出电压选项，
范围从1.8 V至3.3 V.
短路和热过载保护电路可以防止
损坏在不利条件。该ADP150是微小的可
5引脚TSOT和4球，0.4 mm间距WLCSP封装的
最小尺寸解决方案，以满足各种便携式电源
应用程序。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
www.analog.com
联系电话： 781.329.4700
传真： 781.461.3113 2009-2010 ADI公司保留所有权利。
ADP150
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
典型应用电路............................................... ............. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
推荐规格：输入和输出电容。4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
热数据................................................ ................................ 5
热阻................................................ ...................... 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能描述........................... 6
典型性能特征.............................................. 7
工作原理............................................... ....................... 11
应用信息................................................ .............. 12
电容选择................................................ .................... 12
欠压锁定................................................ ............... 13
启用功能................................................ ............................ 13
电流限制和热过载保护................. 13
散热注意事项................................................ ............ 14
PCB布局考虑............................................... ....... 17
外形尺寸................................................ ....................... 18
订购指南................................................ .......................... 19
修订历史
4月10日 - 修订版。 0到版本A
图21 ..............................................变化.......................... 9
10月9日 - 修订版0 ：初始版
版本A |第20页2
ADP150
特定网络阳离子
V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）或2.2 V ，以较大者为准; EN = V
IN
, I
OUT
= 10毫安，C
IN
= C
OUT
= 1 μF ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
输入电压范围
工作电源电流
符号
V
IN
I
GND
条件
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 0 A
I
OUT
= 0 μA ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 100 A
I
OUT
= 100 μA ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 150毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
EN = GND
EN = GND ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10毫安
100 μA <我
OUT
< 150毫安，V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）至5.5 V ，
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10毫安
100 μA <我
OUT
< 150毫安，V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）至5.5 V ，
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）至5.5 V ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 100 μA至150毫安
I
OUT
= 100 μA至150毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 100 μA至150毫安
I
OUT
= 100 μA至150毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 150毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
OUT
= 3.3 V
190
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
升起
民
2.2
典型值
10
22
20
40
60
100
220
320
0.2
1.0
1
2.5
1
2.0
+1
+1.5
+1
+1.5
最大
5.5
单位
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
%
%
%
%
关断电流
输出电压精度
5引脚TSOT
I
GND -SD
V
OUT
4引脚WLCSP
V
OUT
规
线路调整
负载调整率
1
5引脚TSOT
4引脚WLCSP
输入输出电压差
2
V
OUT
/V
IN
V
OUT
/I
OUT
V
OUT
/I
OUT
V
降
0.05
0.003
+0.05
%/V
％ / mA的
％ / mA的
％ / mA的
％ / mA的
mV
mV
mV
mV
s
mA
V
V
mV
°C
°C
V
V
A
A
μV RMS
μV RMS
μV RMS
0.0075
0.002
0.006
10
35
105
160
150
260
400
1.96
1.28
115
150
15
1.2
0.4
0.001
1
9
9
9
启动时间
3
电流限制阈值
4
欠压锁定
输入电压崛起
输入电压下降
迟滞
热关断
热关断阈值
热关断迟滞
EN输入
EN输入逻辑高电平
EN输入逻辑低
EN输入漏电流
输出噪声
T
启动
I
极限
UVLO
UVLO
上升
UVLO
秋天
UVLO
HYS
TS
SD
TS
SD- HYS
V
IH
V
IL
V
我泄漏
OUT
噪音
2.2 V ≤ V
IN
≤ 5.5 V
2.2 V ≤ V
IN
≤ 5.5 V
EN = IN或GND
EN = IN或GND ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 5 V, V
OUT
= 3.3 V
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 5 V, V
OUT
= 2.5 V
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 5 V, V
OUT
= 1.8 V
版本A |第20页3
ADP150
参数
电源抑制比
(V
IN
= V
OUT
+ 0.5 V)
符号
PSRR
条件
10千赫，V
IN
= 3.8 V, V
OUT
= 3.3 V，I
OUT
= 10毫安
10千赫，V
IN
= 2.3 V, V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 10毫安
100千赫兹，V
IN
= 3.8 V, V
OUT
= 3.3 V，I
OUT
= 10毫安
100千赫兹，V
IN
= 2.3 V, V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 10毫安
10千赫，V
IN
= 4.3 V, V
OUT
= 3.3 V，I
OUT
= 10毫安
100千赫兹，V
IN
= 4.3 V, V
OUT
= 3.3 V，I
OUT
= 10毫安
1
2
民
典型值
70
70
55
55
70
55
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
电源抑制比
(V
IN
= V
OUT
+ 1 V)
基于使用1毫安和150毫安负载的一端点计算。参见图6为典型负载调节性能的负载小于1mA 。
电压差被定义为当输入电压被设置为标称输出电压的输入 - 输出电压差。这仅适用于输出
电压高于2.2 V.
3
启动时间被定义为EN的上升沿到V之间的时间
OUT
处于90 ％的标称值。
4
限流阈值被定义为在所述输出电压下降到90％的指定的典型值的电流。例如，电流限制为3.0 V
输出电压被定义为当前使输出电压下降为3.0V或2.7V。以90％的
推荐规格：输入和输出电容
表2中。
参数
输入和输出电容
最小输入和输出电容
1
电容的ESR
1
符号
C
民
R
ESR
条件
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
民
0.7
0.001
典型值
最大
单位
F
0.2
最小输入和输出电容应大于0.7 μF的整个范围内的运行条件。全范围的操作条件
应用程序必须在设备的选择来考虑，以确保最小电容要求。 X7R型和X5R型电容
推荐和Y5V和Z5U电容不推荐在任何LDO使用。
版本A |第20页4
ADP150
绝对最大额定值
表3中。
参数
VIN至GND
VOUT到GND
EN到GND
存储温度范围
工作结温范围
工作环境温度范围
焊接条件
等级
0.3 V至6.5 V
-0.3 V至VIN
0.3 V至6.5 V
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
JEDEC J- STD- 020
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
结点到环境的热阻（ θ
JA
）的包
是一种基于建模，并使用4层板的计算。
结点至环境热阻高度依赖
上的应用程序和电路板布局。在应用中，高
最大功率耗散存在，密切关注热
电路板设计是必需的。的值
JA
可以有所不同，这取决于
θ
PCB材料，布局和环境条件。指定
θ的值是基于一个4层， 4英寸×3英寸的电路板。
JA
请参阅JESD 51-7和51-9 JESD详细信息
在董事会建设。有关更多信息，请参阅
在AN- 617应用笔记，
MicroCSP 晶圆级芯片
级封装。
Ψ
JB
是结到电路板的热特性参数
与℃/单位W的Ψ
JB
包是基于建模和
使用4层板的计算。该JESD51-12 ，
方针
报告和使用封装的热信息，
指出，
热特性的参数是不一样的热
电阻。 Ψ
JB
测量元件功率通量
多个导热路径，而不是一个单一的路径中的热
电阻， θ
JB
。因此， Ψ
JB
热通路中包括对流
从封装的顶部以及从封装辐射，
使Ψ因素
JB
更多有用的在现实世界的应用程序。
最高结温（T
J
）从所计算的
电路板温度（T
B
）和功耗（P
D
）通过
T
J
=
T
B
+ (P
D
× Ψ
JB
)
请参考JESD51-8和JESD51-12更多详细信息
关于Ψ
JB
.
热数据
绝对最大额定值仅适合单独应用，而不是在
组合。该ADP150可能会被损坏，当结
温度超过极限。监测环境温度
不能保证那件T
J
是在规定的温度范围内
极限。在具有高功率耗散和贫困应用
耐热性，最高环境温度可以
必须降低。
在功耗适中，低应用
印刷电路板（PCB）的耐热性，最大
环境温度可能超过最大限制，只要
随着结温范围内的技术指标。该
结温（T
J
）该装置的依赖于
环境温度（T
A
） ，该装置的功耗（P
D
),
和封装的结到环境的热阻
(θ
JA
).
最高结温（T
J
）从所计算的
环境温度（T
A
）和功耗（P
D
）通过
T
J
=
T
A
+ (P
D
×
θ
JA
)
热阻
θ
JA
和
JB
对于最坏情况的条件下被指定，也就是一个
器件焊接在电路板上进行表面贴装封装。
表4.热阻
套餐类型
5引脚TSOT
4球，0.4 mm间距WLCSP
θ
JA
170
260
Ψ
JB
43
58
单位
° C / W
° C / W
ESD警告
版本A |第20页5
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