【百毫安，低静态电流，CMOS线性稳压器ADP120特点输入电压范围： 2.3 V至5.5 V输出电压】,IC型号ADP120-AUJZ18R7,ADP120-AUJZ18R7 PDF资料,ADP120-AUJZ18R7经销商,ic,电子元器件-51电子网

百毫安，低静态电流，

CMOS线性稳压器

ADP120

特点

输入电压范围： 2.3 V至5.5 V

输出电压范围： 1.2 V至3.3 V

输出电流： 100毫安

低静态电流

GND

= 11 μA零负担

GND

= 22 μA ，100 mA负载

低关断电流： <1 μA

低压差

为60mV @ 100 mA负载

高PSRR

73分贝@ 1 kHz的在V

OUT

= 1.2 V

70分贝@ 10 kHz的在V

OUT

= 1.2 V

低噪音： 40 μV RMS在V

OUT

= 1.2 V

无噪声旁路电容要求

初始精度： ± 1 ％

稳定的小1 μF陶瓷输出电容

16个固定输出电压选项

电流限制和热过载保护

逻辑控制使能

5引脚TSOT封装

4球间距为0.4mm WLCSP

典型应用电路

= 2.3V

VIN

GND

VOUT

OUT

= 1.8V

NC =无连接

图1. ADP120 TSOT与固定输出电压， 1.8 V

= 2.3V

VIN

VOUT

OUT

= 1.8V

07589-001

GND

图2. ADP120 WLCSP具有固定输出电压， 1.8 V

应用

手机

数码相机和音频设备

便携式和电池供电设备

邮政监管

概述

该ADP120是一款低静态电流，低压差线性

稳压器，工作于2.3 V至5.5 V ，并提供高达

百毫安输出电流。低60 mV的压降电压

百毫安负载提高了效率，使操作过

宽输入电压范围。静态电流低25 μA时

满负荷使得ADP120非常适合电池供电的便携式

设备。

该ADP120在16种固定输出电压选项，

范围从1.2 V至3.3 V的部分稳定优化

操作小1 μF陶瓷输出电容器。该

ADP120提供良好的瞬态性能与最低

电路板面积。

短路保护和热过载保护电路

避免在不利条件下受损。该ADP120提供

在一个微小的5引脚TSOT和4球间距为0.4mm WLCSP的

在各种便携的使用最小尺寸解决方案

应用程序。

REV 。一

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传真： 781.461.3113

07589-002

ADP120

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

典型应用电路............................................... ............. 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

推荐规格：输入和输出电容4

绝对最大额定值............................................... ............. 5

热数据................................................ ................................ 5

热阻................................................ ...................... 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能描述........................... 6

典型性能特征.............................................. 7

工作原理............................................... ....................... 11

应用信息................................................ .............. 12

电容选择................................................ .................... 12

欠压锁定................................................ ............... 13

启用功能................................................ ............................ 13

电流限制和热过载保护................. 14

散热注意事项................................................ ............ 14

PCB布局考虑............................................... ....... 17

外形尺寸................................................ ....................... 18

订购指南................................................ .......................... 19

修订历史

7月8日 - 修订版。 0到版本A

删除ADP120-1 .............................................. ................通用

更改概述.............................................. ...... 1

更改压差电压参数，表1 .......................... 3

更改热数据.............................................节5 .....

图12和图14的变化........................................... 8 ....

图22 ..............................................变化.......................... 9

变为表6和表7 ........................................... .......... 14

图46和图47的字幕............................ 17变化

更改订购指南.............................................. ............ 18

6月8日 - 修订版0 ：初始版

版本A |第20页2

ADP120

特定网络阳离子

= (V

OUT

+ 0.4 V）或2.3 V ，以较大者为准; EN = V

, I

OUT

= 10毫安，C

= C

OUT

= 1 μF ，T

= 25 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

输入电压范围

工作电源电流

符号

GND

条件

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 0 μA

OUT

= 0 μA ，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 10毫安

OUT

= 10毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 100毫安

OUT

= 100毫安，吨

= -40 ° C至+ 125°C

EN = GND

EN = GND ，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 10毫安

100 μA <我

OUT

<百毫安，V

= (V

OUT

+ 0.4 V）至5.5 V

100 μA <我

OUT

<百毫安，V

= (V

OUT

+ 0.4 V）至5.5 V ，

= -40 ° C至+ 125°C

= (V

OUT

+ 0.4 V）至5.5 V，I

OUT

= 1毫安，

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 1 mA至百毫安

OUT

= 1毫安为100 mA ，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 3.3 V

OUT

= 10毫安

OUT

= 10毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 100毫安

OUT

= 100毫安，吨

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 10毫安

OUT

= 10毫安，T

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 100毫安

OUT

= 100毫安，吨

= -40 ° C至+ 125°C

OUT

= 3.3 V

民

2.3

典型值

0.1

2.5

1.5

+2.5

最大

5.5

单位

μA

关断电流

固定输出电压精度

GND -SD

OUT

规

线路调整

负载调整率

输入输出电压差

TSOT

OUT

降

0.03

0.001

+0.03

%/ V

％ / mA的

μs

°C

μA

μV RMS

0.005

120

110

120

180

150

1.2

0.4

0.05

2.25

1.5

120

350

WLCSP

启动时间

电流限制阈值

热关断

热关断阈值

热关断迟滞

EN输入

EN输入逻辑高电平

EN输入逻辑低

EN输入漏电流

欠压锁定

输入电压崛起

输入电压下降

迟滞

输出噪声

启动

极限

SD- HYS

我泄漏

UVLO

上升

UVLO

秋天

UVLO

HYS

OUT

噪音

升起

2.3 V ≤ V

≤ 5.5 V

2.3 V ≤ V

≤ 5.5 V

EN = V

或GND

EN = V

或GND ，T

= -40 ° C至+ 125°C

10赫兹至100千赫兹，V

= 5 V, V

OUT

= 3.3 V

10赫兹至100千赫兹，V

= 5 V, V

OUT

= 2.5 V

10赫兹至100千赫兹，V

= 5 V, V

OUT

= 1.2 V

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ADP120

参数

电源抑制比

符号

PSRR

条件

10千赫，V

= 5 V, V

OUT

= 3.3 V

10千赫，V

= 5 V, V

OUT

= 2.5 V

10千赫，V

= 5 V, V

OUT

= 1.2 V

民

典型值

最大

单位

基于使用1毫安和100mA负载的端点计算。参见图6为典型负载调节性能的负载小于1mA 。

电压差被定义为当输入电压被设置为标称输出电压的输入 - 输出电压差。这仅适用于输出

电压高于2.3 V.

启动时间被定义为EN的上升沿到V之间的时间

OUT

处于90 ％的标称值。

限流阈值被定义为在所述输出电压下降到90％的指定的典型值的电流。例如，电流限制为3.0 V

输出电压被定义为当前使输出电压下降为3.0V至90％，或2.7 V.

推荐规格：输入和输出电容器

表2中。

参数

最小输入和输出电容

电容的ESR

符号

民

ESR

条件

= -40 ° C至+ 125°C

民

0.70

0.001

典型值

最大

单位

μF

最小输入和输出电容应大于0.70 μF的整个范围内的运行条件。全范围的操作条件

应用程序必须在设备的选择来考虑，以确保最小电容要求。 X7R-和X5R型电容建议，

Y5V和Z5U电容不推荐在任何LDO使用。

版本A |第20页4

ADP120

绝对最大额定值

表3中。

参数

VIN至GND引脚

VOUT到GND引脚

EN到GND引脚

存储温度范围

工作结温范围

焊接条件

等级

0.3 V至6 V

-0.3 V至VIN

0.3 V至6 V

-65 ° C至+ 150°C

-40 ° C至+ 125°C

JEDEC J- STD- 020

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

结点至环境热阻（ θ

）的包

基于使用四层板的建模和计算。

结点至环境热阻高度依赖

上的应用程序和电路板布局。在应用中，高

最大功率耗散存在，密切关注热

电路板设计是必需的。 θ的值

可能会发生变化，这取决于

PCB材料，布局和环境条件。这个说明

θ的值田间

是基于一个四层， 4英寸× 3英寸PCB上。

请参阅JESD 51-7和51-9 JESD详细信息

关于板施工。有关更多信息，请参阅

应用笔记AN- 617 ，

MicroCSP

晶圆级芯片规模

封装。

是结到电路板的热特性参数

与℃/单位W的Ψ

包是基于建模和

采用四层板的计算。 JESD51-12 ，

指南

报告和使用封装的热信息，

指出，

热特性的参数是不一样的

热阻。 Ψ

测量元件功率

通过多个热路径，而不是一个单一的路径作为

热阻， θ

。因此， Ψ

热通路中包括

从封装的顶部以及从辐射对流

包装，使Ψ因素

在现实世界中更加有用

应用程序。最高结温（T

）被计算

从电路板温度（T

）和功耗（P

)

使用下面的公式

+ (P

)

请参考JESD51-8 ， JESD51-9和JESD51-12更详细

关于Ψ信息

热数据

绝对最大额定值仅适合单独应用，而不是在

组合。该ADP120可能会被损坏，当结

温度超过极限。监测环境温度

不能保证那件T

是在规定的温度范围内

极限。在具有高功率耗散和贫困应用

耐热性，最高环境温度可以

必须降低。

在功耗适中，低PCB应用

耐热性，最高环境温度可以

超过最大限制，只要结温

在规定范围内限制。结温（T

）的

该装置是取决于环境温度（T

），则

该装置的功率消耗（P

），和结点到环境

封装的热阻（ θ

最高结温（T

）从所计算的

环境温度（T

）和功耗（P

）使用

公式

+ (P

)

热阻

和

对于最坏情况的条件下被指定，也就是一个

器件焊接在电路板上进行表面贴装封装。

表4.热阻

套餐类型

5引脚TSOT

4球，0.4 mm间距WLCSP

170

260

单位

° C / W

ESD警告

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