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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第797页 > ADP120-15-EVALZ
百毫安，低静态电流，
CMOS线性稳压器
ADP120
特点
输入电压范围： 2.3 V至5.5 V
输出电压范围： 1.2 V至3.3 V
输出电流： 100毫安
低静态电流
I
GND
= 11 μA零负担
I
GND
= 22 μA ，100 mA负载
低关断电流： <1 μA
低压差
为60mV @ 100 mA负载
高PSRR
73分贝@ 1 kHz的在V
OUT
= 1.2 V
70分贝@ 10 kHz的在V
OUT
= 1.2 V
低噪音： 40 μV RMS在V
OUT
= 1.2 V
无噪声旁路电容要求
初始精度： ± 1 ％
稳定的小1 μF陶瓷输出电容
16个固定输出电压选项
电流限制和热过载保护
逻辑控制使能
5引脚TSOT封装
4球间距为0.4mm WLCSP
典型应用电路
V
IN
= 2.3V
1
VIN
GND
EN
VOUT
5
V
OUT
= 1.8V
+
1F
+
1F
2
3
NC =无连接
图1. ADP120 TSOT与固定输出电压， 1.8 V
V
IN
= 2.3V
+
1F
VIN
VOUT
V
OUT
= 1.8V
+
1F
07589-001
NC
4
EN
GND
图2. ADP120 WLCSP具有固定输出电压， 1.8 V
应用
手机
数码相机和音频设备
便携式和电池供电设备
邮政监管
概述
该ADP120是一款低静态电流，低压差线性
稳压器，工作于2.3 V至5.5 V ，并提供高达
百毫安输出电流。低60 mV的压降电压
百毫安负载提高了效率，使操作过
宽输入电压范围。静态电流低25 μA时
满负荷使得ADP120非常适合电池供电的便携式
设备。
该ADP120在16种固定输出电压选项，
范围从1.2 V至3.3 V的部分稳定优化
操作小1 μF陶瓷输出电容器。该
ADP120提供良好的瞬态性能与最低
电路板面积。
短路保护和热过载保护电路
避免在不利条件下受损。该ADP120提供
在一个微小的5引脚TSOT和4球间距为0.4mm WLCSP的
在各种便携的使用最小尺寸解决方案
应用程序。
REV 。一
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www.analog.com
传真： 781.461.3113
2008 ADI公司保留所有权利。
07589-002
ADP120
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
典型应用电路............................................... ............. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
推荐规格：输入和输出电容4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
热数据................................................ ................................ 5
热阻................................................ ...................... 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能描述........................... 6
典型性能特征.............................................. 7
工作原理............................................... ....................... 11
应用信息................................................ .............. 12
电容选择................................................ .................... 12
欠压锁定................................................ ............... 13
启用功能................................................ ............................ 13
电流限制和热过载保护................. 14
散热注意事项................................................ ............ 14
PCB布局考虑............................................... ....... 17
外形尺寸................................................ ....................... 18
订购指南................................................ .......................... 19
修订历史
7月8日 - 修订版。 0到版本A
删除ADP120-1 .............................................. ................通用
更改概述.............................................. ...... 1
更改压差电压参数，表1 .......................... 3
更改热数据.............................................节5 .....
图12和图14的变化........................................... 8 ....
图22 ..............................................变化.......................... 9
变为表6和表7 ........................................... .......... 14
图46和图47的字幕............................ 17变化
更改订购指南.............................................. ............ 18
6月8日 - 修订版0 ：初始版
版本A |第20页2
ADP120
特定网络阳离子
V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）或2.3 V ，以较大者为准; EN = V
IN
, I
OUT
= 10毫安，C
IN
= C
OUT
= 1 μF ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
输入电压范围
工作电源电流
符号
V
IN
I
GND
条件
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 0 μA
I
OUT
= 0 μA ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 100毫安，吨
J
= -40 ° C至+ 125°C
EN = GND
EN = GND ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10毫安
100 μA <我
OUT
<百毫安，V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）至5.5 V
100 μA <我
OUT
<百毫安，V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）至5.5 V ，
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
IN
= (V
OUT
+ 0.4 V）至5.5 V，I
OUT
= 1毫安，
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 1 mA至百毫安
I
OUT
= 1毫安为100 mA ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
OUT
= 3.3 V
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 100毫安，吨
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10毫安，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 100毫安，吨
J
= -40 ° C至+ 125°C
V
OUT
= 3.3 V
民
2.3
典型值
11
21
15
29
22
35
0.1
1
2
2.5
1.5
+1
+2
+2.5
最大
5.5
单位
V
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
%
%
%
关断电流
固定输出电压精度
I
GND -SD
V
OUT
规
线路调整
负载调整率
1
输入输出电压差
TSOT
2
V
OUT
/V
IN
V
OUT
/I
OUT
V
降
0.03
0.001
+0.03
%/ V
％ / mA的
％ / mA的
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
μs
mA
°C
°C
V
V
μA
μA
V
V
mV
μV RMS
μV RMS
μV RMS
0.005
8
12
80
120
6
9
60
90
110
120
180
150
15
1.2
0.4
0.05
1
2.25
1.5
120
65
52
40
350
WLCSP
启动时间
电流限制阈值
4
热关断
热关断阈值
热关断迟滞
EN输入
EN输入逻辑高电平
EN输入逻辑低
EN输入漏电流
欠压锁定
输入电压崛起
输入电压下降
迟滞
输出噪声
3
t
启动
I
极限
TS
SD
TS
SD- HYS
V
IH
V
IL
V
我泄漏
UVLO
UVLO
上升
UVLO
秋天
UVLO
HYS
OUT
噪音
T
J
升起
2.3 V ≤ V
IN
≤ 5.5 V
2.3 V ≤ V
IN
≤ 5.5 V
EN = V
IN
或GND
EN = V
IN
或GND ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 5 V, V
OUT
= 3.3 V
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 5 V, V
OUT
= 2.5 V
10赫兹至100千赫兹，V
IN
= 5 V, V
OUT
= 1.2 V
版本A |第20页3
ADP120
参数
电源抑制比
符号
PSRR
条件
10千赫，V
IN
= 5 V, V
OUT
= 3.3 V
10千赫，V
IN
= 5 V, V
OUT
= 2.5 V
10千赫，V
IN
= 5 V, V
OUT
= 1.2 V
民
典型值
60
66
70
最大
单位
dB
dB
dB
1
2
基于使用1毫安和100mA负载的端点计算。参见图6为典型负载调节性能的负载小于1mA 。
电压差被定义为当输入电压被设置为标称输出电压的输入 - 输出电压差。这仅适用于输出
电压高于2.3 V.
3
启动时间被定义为EN的上升沿到V之间的时间
OUT
处于90 ％的标称值。
4
限流阈值被定义为在所述输出电压下降到90％的指定的典型值的电流。例如，电流限制为3.0 V
输出电压被定义为当前使输出电压下降为3.0V至90％，或2.7 V.
推荐规格：输入和输出电容器
表2中。
参数
最小输入和输出电容
1
电容的ESR
1
符号
C
民
R
ESR
条件
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
民
0.70
0.001
典型值
最大
1
单位
μF
Ω
最小输入和输出电容应大于0.70 μF的整个范围内的运行条件。全范围的操作条件
应用程序必须在设备的选择来考虑，以确保最小电容要求。 X7R-和X5R型电容建议，
Y5V和Z5U电容不推荐在任何LDO使用。
版本A |第20页4
ADP120
绝对最大额定值
表3中。
参数
VIN至GND引脚
VOUT到GND引脚
EN到GND引脚
存储温度范围
工作结温范围
焊接条件
等级
0.3 V至6 V
-0.3 V至VIN
0.3 V至6 V
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 125°C
JEDEC J- STD- 020
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
结点至环境热阻（ θ
JA
）的包
基于使用四层板的建模和计算。
结点至环境热阻高度依赖
上的应用程序和电路板布局。在应用中，高
最大功率耗散存在，密切关注热
电路板设计是必需的。 θ的值
JA
可能会发生变化，这取决于
PCB材料，布局和环境条件。这个说明
θ的值田间
JA
是基于一个四层， 4英寸× 3英寸PCB上。
请参阅JESD 51-7和51-9 JESD详细信息
关于板施工。有关更多信息，请参阅
应用笔记AN- 617 ，
MicroCSP
TM
晶圆级芯片规模
封装。
Ψ
JB
是结到电路板的热特性参数
与℃/单位W的Ψ
JB
包是基于建模和
采用四层板的计算。 JESD51-12 ，
指南
报告和使用封装的热信息，
指出，
热特性的参数是不一样的
热阻。 Ψ
JB
测量元件功率
通过多个热路径，而不是一个单一的路径作为
热阻， θ
JB
。因此， Ψ
JB
热通路中包括
从封装的顶部以及从辐射对流
包装，使Ψ因素
JB
在现实世界中更加有用
应用程序。最高结温（T
J
）被计算
从电路板温度（T
B
）和功耗（P
D
)
使用下面的公式
T
J
=
T
B
+ (P
D
×
Ψ
JB
)
请参考JESD51-8 ， JESD51-9和JESD51-12更详细
关于Ψ信息
JB
.
热数据
绝对最大额定值仅适合单独应用，而不是在
组合。该ADP120可能会被损坏，当结
温度超过极限。监测环境温度
不能保证那件T
J
是在规定的温度范围内
极限。在具有高功率耗散和贫困应用
耐热性，最高环境温度可以
必须降低。
在功耗适中，低PCB应用
耐热性，最高环境温度可以
超过最大限制，只要结温
在规定范围内限制。结温（T
J
）的
该装置是取决于环境温度（T
A
），则
该装置的功率消耗（P
D
） ，和结点到环境
封装的热阻（ θ
JA
).
最高结温（T
J
）从所计算的
环境温度（T
A
）和功耗（P
D
）使用
公式
T
J
=
T
A
+ (P
D
×
θ
JA
)
热阻
θ
JA
和
JB
对于最坏情况的条件下被指定，也就是一个
器件焊接在电路板上进行表面贴装封装。
表4.热阻
套餐类型
5引脚TSOT
4球，0.4 mm间距WLCSP
θ
JA
170
260
Ψ
JB
43
58
单位
° C / W
° C / W
ESD警告
版本A |第20页5
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ACT-S1M32B-120F14M
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