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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第611页 > ADN2860-EVAL
3通道数字电位
非易失性存储器
ADN2860
特点
3个通道:
双512位
单128位
25 kΩ或250 kΩ的满量程电阻
低温度系数:
电位器分压为15ppm /°C的
变阻器模式为35ppm /°C的
非易失性存储器保存游标设置
永久存储器写保护
线性递增/递减
± 6分贝递增/递减
I
2
C兼容串行接口
2.7 V至5.5 V单电源供电
± 2.25 V至± 2.75 V双电源供电
上电复位时间
256字节通用的用户EEPROM
11 RDAC字节用户EEPROM
GBIC和SFP标准的EEPROM
100年的典型的数据保留在T
A
= 55°C
V
DD
V
SS
DGND
SCL
SDA
AD0
AD1
A0_EE
A1_EE
命令
解码
逻辑
POWER- ON
RESET
地址
解码
逻辑
解码
逻辑
I
2
C
串行
接口
功能框图
RDAC0
注册
256字节
用户
EEPROM
32字节
RDAC
EEPROM
数据
控制
RDAC0
A0
W0
9位
RDAC1
B0
RDAC1
注册
A1
W1
9位
RDAC2
B1
RDAC2
注册
A2
W2
RESET
7位
B2
03615-001
WP
图1 。
应用
激光二极管驱动器
光放大器
TIA增益设置
TEC控制器温度设定值
概述
该ADN2860提供了双512位和单
第128位,数字控制的可变电阻
1
(VR)中的一
一个4 mm ×4 mm LFCSP封装。该设备执行
相同的电子调整功能作为一个电位计,
修剪机,或可变电阻器。各VR提供一个完全
性的终端之间的可编程值和
擦拭器,或B端子和电刷。固定A至B
25 kΩ的终端电阻或250 kΩ的有1%的信道用于─
通道间匹配容差和温度的名义
35 PPM /°C的系数。
雨刮器位置编程, EEPROM
2
阅读和EEPROM
写作是通过标准的2线I进行
2
C接口。预
vious默认抽头位置设置可以存储在内存中,
并刷新后,系统上电。
该ADN2860的其他功能还包括预编程
线性和对数递增/递减雨刷更换。
实际电阻容差存储在EEPROM中,以使
实际的端至端的电阻是已知的,这是有价值的
校准精度的应用。
该ADN2860 EEPROM ,通道分辨率和封装尺寸
符合GBIC和SFP技术规格。该ADN2860是
可以采用4 mm × 4毫米, 24引脚LFCSP封装。所有部件
保证工作在扩展工业温度
TURE范围为-40 ° C至+ 85°C 。
1
术语可编程电阻器,可变电阻器, RDAC和数字
电位器可以互换使用。
2
非易失性存储器, EEMEM ,和EEPROM的所使用的术语
互换。
REV 。一
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规格如有变更,恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
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联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
ADN2860
目录
电气特性................................................ ................. 3
电气特性................................................ ................. 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
接口说明................................................ .................... 10
I
2
C接口................................................ ................................ 10
EEPROM接口................................................ ..................... 11
我RDAC
2
C接口................................................ .................... 12
工作原理............................................... ....................... 15
线性递增和递减命令...................... 15
对数抽头模式调整( ±6分贝/步) .............. 15
使用额外的内部非易失性EEPROM .................. 16
数字输入/输出配置........................................ 16
在一条总线上的多个器件............................................. ...... 16
电平转换的双向通信........................ 16
端电压操作范围......................................... 16
上电排序.............................................. ..................... 17
布局和电源偏置............................................ 17
RDAC结构................................................ .......................... 17
计算的可编程性............................. 17
编程电位分压器............................... 18
应用................................................. .................................... 19
激光二极管驱动器( LDD )校准................................... 19
外形尺寸................................................ ....................... 20
订购指南................................................ .......................... 20
修订历史
11月4日 - 修订版。 0到版本A
更改订购指南.............................................. ............ 20
7月4日 - 修订版0 :初始版
版本A |第20页2
ADN2860
电气特性
单电源: V
DD
= 2.7 V至5.5 V和-40°C <牛逼
A
< + 85 ℃,除非另有说明。
双电源: V
DD
= 2.25 V和2.75 V ,V
SS
= -2.25 V和-2.75 V和-40°C <牛逼
A
< + 85 ℃,除非另有说明。
表1中。
参数
直流特性,
变阻器模式
电阻微分非线性
2
符号
条件
典型值
1
最大
单位
R- DNL
电阻积分非线性
2
R- INL
R- INL
R- INL
电阻温度系数
滑动端电阻
通道电阻匹配
标称电阻容差
直流特性,
电位器分频模式
微分非线性
3
(R
WB
/R
WB
)/T × 10
6
R
WB
7位信道
R
WB
, 9位通道
R
WB
7位信道
R
WB
, 9位通道,V
DD
= 5.5 V
R
WB
, 9位通道,V
DD
= 2.7 V
V
DD
= 5 V,I
W
= 1 V / R
WB
V
DD
= 3 V,I
W
= 1 V / R
WB
通道1和通道2 R
WB
,的Dx =到0x1FF
DX = 0x3FF处
0.75
2.5
0.5
2.0
4.0
35
100
250
0.1
15
+0.75
+2.5
+0.5
+2.0
+4.0
150
400
+15
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
%
%
R
W
R
AB1
/R
AB2
R
AB
/R
AB
DNL
DNL
积分非线性
3
INL
INL
(V
W
/V
W
)/T × 10
6
V
WFSE
V
WZSE
7位的信道
9位通道
7位的信道
9位通道
CODE =半秤
7位的信道/ 9位通道,
代码=满量程
7位的信道/ 9位通道,
代码=零刻度
0.5
2.0
0.5
2.0
15
1/2.75
0/0
+0.5
+2.0
+0.5
+2.0
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
分压器温度
系数中
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
终端电压范围
4
电容
5
AX ,BX
电容
5
Wx
共模漏电流
5, 6
数字输入和输出
输入逻辑高
0/0
1/2.0
V
A,B ,W
C
A,B
C
W
I
CM
V
IH
V
SS
F = 1千赫兹,测量到GND,
CODE =半秤
F = 1千赫兹,测量到GND,
CODE =半秤
V
W
= V
DD
/2
V
DD
= 5 V, V
SS
= 0 V
V
DD
/V
SS
= +2.7 V / 0 V或
V
DD
/V
SS
= ±2.5 V
V
DD
= 5 V, V
SS
= 0 V
V
DD
/V
SS
= +2.7 V / 0 V或
V
DD
/V
SS
= ±2.5 V
R
引体向上
= 2.2 kΩ到V
DD
= 5 V,
V
SS
= 0 V
R
引体向上
= 2.2 kΩ到V
DD
= 5 V,
V
SS
= 0 V
WP = V
DD
A0 = GND
2.4
2.1
85
95
0.01
V
DD
V
pF
pF
1
A
V
V
输入逻辑低电平
V
IL
0.8
0.6
4.9
0.4
9
3
V
V
V
V
A
A
输出逻辑高电平( SDA )
输出逻辑低电平
WP漏电流
A0漏电流
V
OH
V
OL
I
WP
I
A0
版本A |第20页3
ADN2860
参数
输入漏电流(不包括WP
和A0 )
输入电容
5
电源
单电源功率范围
双电源功率范围
正电源电流
负电源电流
EEMEM数据存储模式电流
EEMEM数据恢复模式电流
功耗
7
电源灵敏度
5
符号
I
I
C
I
V
DD
V
DD
/V
SS
I
DD
I
SS
I
DD_STORE
I
DD_RESTORE
P
DISS
P
SS
V
SS
= 0 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND ,V
SS
= 0 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND ,V
DD
=
2.5 V, V
SS
= 2.5 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
= 5 V或V
IL
= GND
V
DD
= 5 V ± 10%
2.7
±2.25
5
5
35
2.5
25
0.01
条件
V
IN
= 0 V或V
DD
典型值
1
最大
±1
单位
A
pF
5.5
±2.75
15
15
V
V
A
A
mA
mA
W
%/%
5
75
0.025
1
2
典型代表平均读数在25℃ ,V
DD
= 5 V.
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。
3
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V.
4
电阻器端子A,B和W的极性没有限制相对于彼此。
5
通过设计保证,不受生产测试。
6
带宽,噪声和稳定时间取决于所选择的终端电阻值。在最快的时间解决最低的R值结果和最高
带宽。最高的R值的结果中的最小总功率消耗。
7
P
DISS
从(我计算
DD
× V
DD
) 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
t
8
SDA
t
1
t
8
t
9
t
6
SCL
P
S
t
3
t
5
S
t
7
P
t
10
图2.我
2
时序图
版本A |第20页4
03615-015
t
2
t
4
ADN2860
电气特性
单电源: V
DD
= 3 V至5.5 V和-40°C <牛逼
A
< + 85 ℃,除非另有说明。
双电源: V
DD
= 2.25 V和2.75 V ,V
SS
= -2.25 V和-2.75 V和-40°C <牛逼
A
< + 85 ℃,除非另有说明。
表2中。
参数
动态特性
2, 3
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间
符号
BW
THD
W
t
S
条件
V
DD
/V
SS
= -2.5 V ,R
AB
= 25 k/250 k.
V
A
= 1 V有效值,V
B
= 0 V , F = 1千赫。
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
V
W
= 0.50 %误差带,
代码= 0x000到0x100的,R
AB
= 25 k/250 k.
典型值
1
125/12
0.05
4/36
最大
单位
千赫
%
s
电阻的噪声频谱密度
数字串扰
e
N_WB
C
T
模拟串扰
接口时序特性( Apply(应用)
所有零件)
4, 5
SCL时钟频率
t
BUF
停止和启动之间的总线空闲时间
t
HD ; STA
保持时间(重复启动)
t
SCL时钟的低电平时间
t
高周期SCL时钟
t
SU ; STA
为启动条件建立时间
t
HD ; DAT
数据保持时间
t
SU ; DAT
数据建立时间
t
R
上升SDA和SCL信号的时间
t
F
秋季SDA和SCL信号的时间
t
SU ; STO
停止条件建立时间
EEMEM数据保存时间
EEMEM数据恢复时间在上电
EEMEM数据恢复的恢复时间
指令或复位操作
EEMEM数据可擦写时间
Flash / EE存储器可靠性
耐力
6
数据保留
7
C
AT
R
AB
= 25千欧/ 250千欧,T
A
= 25°C.
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V ,测量与大众
相邻RDAC制定全面
改变。
信号输入为A0和测量输出
在W 1中,f = 1千赫。
14/45
80
nV√Hz
dB
72
dB
f
SCL
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
t
10
t
EEMEM_STORE
t
EEMEM_RESTORE1
t
EEMEM_RESTORE2
t
EEMEM_REWRITE
400
在此期限之后,在网络连接第一个时钟脉冲是
产生的。
1.3
600
1.3
0.6
600
100
300
300
600
26
360
360
540
100
55°C.
100
千赫
s
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
s
s
kcycles
岁月
50
900
1
2
典型代表平均读数在25℃ ,V
DD
= 5 V.
所有的动态特性采用V
DD
= 5 V.
3
通过设计保证,不受生产测试。
4
带宽,噪声和稳定时间取决于所选择的终端电阻值。在最快的时间解决最低的R值结果和最高
带宽。最高的R值的结果中的最小总功率消耗。
5
参见图2为测量值的位置。
6
耐力是合格100,000次按照JEDEC标准。 22方法A117和在-40℃下测得的, + 25 ℃, + 85 ℃。典型的耐力在25 ° C为70万次。
7
保持期限相当于在结温(T
J
) = 55 ℃,按照JEDEC标准。 22 ,方法A117 。基于0.6 eV的活化能保持期限
随着结温递减。
版本A |第20页5
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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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