【数据表特点双通道， 1024位分辨率为25kΩ ， 250 kΩ的标称阻值最大± 8 ％标称电阻容差】,IC型号ADN2850BCPZ25-RL7,ADN2850BCPZ25-RL7 PDF资料,ADN2850BCPZ25-RL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

双通道， 1024位分辨率

为25kΩ ， 250 kΩ的标称阻值

最大± 8 ％标称电阻容差误差

低温度系数为35ppm /°C的

2.7 V至5 V单电源或± 2.5 V双电源供电

电流监控功能的配置

SPI兼容串行接口

非易失性存储器存储游标设置

上电刷新着EEMEM设置

永久存储器写保护

电阻容差存储在EEMEM

26字节额外的非易失性存储器，用于用户定义

信息

1M编程周期

100年的典型的数据保留

非易失性存储器，双

1024位数字电位器

ADN2850

功能框图

CLK

SDI

SDO

RDY

GND

满量程的耐受性。

RTOL *

26个字节

USER EEMEM

POWER- ON

RESET

EEMEM

控制

EEMEM2

RDAC2

当前

MONITOR

串行

接口

EEMEM1

RDAC1

ADDR

解码

ADN2850

RDAC1

应用

SONET ， SDH ， ATM ，千兆以太网， DWDM激光二极管

司机，光监控系统

机械变阻器更换

仪表增益调整

可编程滤波器，延迟，时间常数

传感器校准

图1 。

暂存器中的编程模式，具体设置可以

直接编程至RDAC

寄存器，它设置

端W和B端，此设置可以之间的电阻

被存储到EEMEM和自动恢复到

在系统上电RDAC寄存器。

该EEMEM内容可以动态或通过恢复

外部PR选通和WP功能保护EEMEM

内容。为了简化编程，独立或

联立线性步递增或递减命令

可用于移动RDAC雨刮器向上或向下，一步一个脚印

时间。对数± 6分贝变化雨刮器设置，

左或右位移位指令可用于加倍或减半

RDAC抽头设置。

概述

该ADN2850是一款双通道，非易失性存储器，数字

控制电阻

1024步的分辨率，提供

为± 8 ％，最高额保证低电阻容差误差。该

装置执行相同的电子调整功能作为

机械变阻器具有增强的分辨率，固态

可靠性和出色的低温度系数

性能。该ADN2850通过多功能编程

一个SPI兼容串行接口允许16个模式

操作和调整，包括暂存器编程

记忆存储和恢复，递增/递减， ±6分贝/步

登录锥度调整，抽头设置回读，并额外EEMEM

用户定义的信息，例如用于其它存储器的数据

元件，查找表或系统识别

信息。

该ADN2850图案的电阻容差存储在

EEMEM 。实际的满量程电阻，因此，要

通过在回读模式下，主机处理器已知的。主机可以

通过执行软件的适当性一步

常规，简化开环应用，以及

精密校准和容差匹配应用。

该ADN2850是在5 10mm×5mm的16引脚框可用

芯片级LFCSP封装，超薄， 16引脚TSSOP封装。的部分是

保证工作在扩展工业级温度

范围为-40 ° C至+ 85°C 。

术语非易失性存储器和EEMEM可互换使用。

术语数字电阻和RDAC可互换使用。

英文内容

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

02660-001

ADN2850

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

概述................................................ ......................... 1

功能框图............................................... ............... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

电气特性，为25kΩ ， 250 kΩ的版本............... 3

接口时序和EEMEM可靠性特征 -

为25kΩ ， 250 kΩ的版本............................................ ................... 5

绝对最大额定值............................................... ............. 7

ESD注意事项................................................ .................................. 7

引脚配置和功能说明............................. 8

典型性能特征........................................... 10

测试电路................................................ ................................. 12

工作原理............................................... ....................... 13

暂存器和EEMEM程序.................................. 13

基本操作................................................ .......................... 13

EEMEM保护................................................ .................... 14

数字输入和输出配置................................. 14

串行数据接口............................................... .................... 14

数据表

菊花链运作.............................................. ............... 14

终端电压工作范围......................................... 15

先进的控制方式............................................... .......... 17

RDAC结构................................................ .......................... 18

编程可变电阻......................................... 19

编程实例................................................ ............ 19

EVAL- ADN2850SDZ评估套件....................................... 20

应用信息................................................ .............. 21

增益控制补偿............................................... ..... 21

可编程低通滤波器............................................. ... 21

可编程振荡器................................................ .......... 21

光发射机的校准与ADN2841 ................... 22

输入光功率监测...................................... 22

阻力缩放................................................ ...................... 23

电阻容差，漂移和温度系数

不匹配的注意事项................................................ ......... 24

RDAC电路仿真模型............................................. 24

外形尺寸................................................ ....................... 25

订购指南................................................ .......................... 25

修订历史

6/12 -REV 。 D钮英文内容

更改表1的条件............................................. .......... 4

除去正电源电流RDY和/或SDO浮动

参数和负电源电流RDY和/或SDO

浮动参数，表1 ............................................. .............. 4

更新的外形尺寸............................................... ........ 25

增加了尾注2订购指南.......................................... 25

4月11日 - 修订版。 C到Rev. D的

图10 ..............................................变化........................ 10

4月11日 - 修订版。 B到C版

更新格式................................................ ..................通用

更改EEMEM性能...................................通用

更改功能部分.............................................. .............. 1

更改应用程序组.............................................. ...... 1

更改概述第...................................... 1

图1 ..............................................变化............................ 1

更改规格第.............................................. 3 ....

更改表2 .............................................. .............................. 5

更改绝对最大额定值部分......................... 7

更改引脚配置和功能描述

部分................................................. ............................................... 8

更改典型性能特性部分........ 10

补充图15 ，图16 ，图17 ........................................ 11

图21 ..............................................变化........................ 12

更改工作组.................................... 13理论

图25 ..............................................变化........................ 14

更改程序变量反抗者第................. 19

更改表13 .............................................. ......................... 19

更改EVAL- ADN2850EBZ评估套件第20 ........

增加增益控制补偿部分.............................. 21

新增的可编程低通滤波器部分.......................... 21

新增的可编程振荡器部分.................................... 21

附加电阻容差，漂移和温度系数可

Mistmatch考虑部分.............................................. 24

更改外形尺寸第.................................... 25

更改订购指南.............................................. ............ 25

9/02 -REV 。 A到版本B

更改概述.............................................. 1 .......

更改电气特性............................................. 2

更改计算实际满量程电阻第9 .....

更改表VI .............................................. ............................ 9

更新的外形尺寸............................................... ........

修订版E |页28 2

数据表

特定网络阳离子

电气特性，为25kΩ ， 250 kΩ的

ADN2850

= 2.7 V至5.5 V ，V

= 0 V; V

= 2.5 V, V

= V

, V

= V

， -40°C <牛逼

< + 85 ℃，除非另有说明。这些

规范适用于具有日期代码1209或更高版本。

表1中。

参数

直流特性， RHEOSTAT

MODE （ ALL RDACs ）

决议

电阻微分非线性

电阻积分非线性

标称电阻容差

电阻温度COEF网络cient

滑动端电阻

符号

条件

民

典型值

最大

单位

R- DNL

R- INL

T × 10

代码=满量程

CODE =半秤

= 5 V

= 3 V

代码=满量程

最低位

PPM /°C的

标称电阻匹配

电阻端子

终端电压范围

电容的Bx

电容蜡质

共模漏电流

3, 4

数字输入和输出

输入逻辑

高

WB1

WB2

, V

±0.1

0.01

±1

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

= V

低

输出逻辑高电平（ SDO ， RDY ）

输出逻辑低电平

输入电流

输入电容

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

正电源电流

负电源电流

EEMEM商店模式电流

（存储）

（还原）

DISS

= 5 V

= 2.7 V

= +2.5 V, V

= 2.5 V

= 5 V

= 2.7 V

= +2.5 V, V

= 2.5 V

引体向上

= 2.2千欧至5 V （参见图25）

= 1.6毫安， V

逻辑

= 5V （参见图25）

= 0 V或V

2.4

2.1

2.0

0.8

0.6

0.5

4.9

0.4

±1

%/%

= 0 V

= V

或V

= GND

= +2.5 V, V

= 2.5 V

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND ，

= GND ，我

≈ 0

= +2.5 V, V

= 2.5 V

= V

或V

= GND ，

= GND ，我

≈ 0

= +2.5 V, V

= 2.5 V

= V

或V

= GND

= 5 V ± 10%

2.7

±2.25

320

0.006

5.5

±2.75

EEMEM恢复模式电流

功耗

电源灵敏度

0.01

修订版E |第28 3

ADN2850

参数

电流监控端子

吸电流在V

动态特性

3, 7

电阻噪声密度

模拟串扰

符号

N_WB

代码=满量程

= 25千欧/ 250千欧，T

= 25°C

= GND ，实测V

随着V

1 V

RMS

， F = 1 kHz时，代码1 =中间值，

代码2 =中间值，

= 25 k/250 k

条件

民

0.0001

典型值

数据表

最大

单位

20/64

95/80

纳伏/赫兹÷

标准结构代表平均读数在25℃和V

= 5 V.

电阻位置非线性误差（R- INL）是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差

位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。在每个码的最大电流由I定义

= (V

1)/R

（参见图20）。

通过设计保证，不受生产测试。

共模泄漏电流的测量，从任何接线端B的直流泄漏，或端W与V的共模偏置电平

/2.

EEMEM恢复模式的电流是不连续的。而EEMEM位置被读出并传送至RDAC寄存器电流被消耗。

DISS

从（我计算

× V

) + (I

× V

所有的动态特性采用V

= + 2.5V和V

= 2.5 V.

修订版E |第28 4

数据表

接口时序EEMEM可靠性的特点，为25kΩ ， 250 kΩ的

ADN2850

通过设计保证，不受生产测试。参见测量值的位置的时序图部分。所有输入

控制电压与T指定

= t

= 2.5纳秒（10％至90％的3 V）和定时从1.5V的开关特性是一个电压电平

同时使用V测

= 3 V和V

= 5 V.

表2中。

参数

时钟周期时间（T

CYC

)

CS建立时间

CLK关机时间CS上升

输入时钟脉冲宽度

数据建立时间

数据保持时间

CS到SDO -SPI线收购

CS到SDO -SPI线发布

CLK到SDO传输延迟

CLK为SDO数据保持时间

CS高脉冲宽度

CS高到CS高

RDY崛起CS下降

CS上升到RDY下降时间

商店EEMEM时间

4, 5

阅读EEMEM时间

CS上升到时钟的上升/下降设置

预置脉冲宽度（异步）

预置的响应时间抽头设置

上电EEMEM恢复时间

Flash / EE存储器可靠性

耐力

10F

12F

13F

14F

15F

符号

, t

PRW

PRESP

EEMEM

条件

时钟电平高或低

从积极CLK转型

民

典型值

最大

= 2.2千欧，C

< 20 pF的

= 2.2千欧，C

< 20 pF的

0.15

0.3

适用于指导0X2 ， 0x3的

适用于指令地址0x8 ， 0x9 ， 0x10的

PR低脉冲刷新抽头

100

单位

CYC

Mcycles

kcycles

岁月

= 25°C

数据保留

16F

标准结构代表平均读数在25℃和V

= 5 V.

传播延迟取决于V的值

, R

引体向上

和C

有效的命令不激活RDY引脚。

RDY引脚为低电平仅供指令2 ，指令3 ，指令8 ， 9指令，指令10， PR硬件脉冲： CMD_8 20微秒; CMD_9 ， CMD_10 7微秒;

CMD_2 ， CMD_3 15毫秒， PR硬件脉冲 30微秒。

商店EEMEM时间取决于温度和EEMEM写周期。更高的定时预期在较低的温度和较高的写入周期。

未示出在图2和图3 。

耐力有资格根据JEDEC 22标准方法A117 10万次，并在-40°C测量， + 25 ° C和+ 85°C 。

保持期限相当于在结温（T

） =每JEDEC标准22 85°C ，方法A117 。根据1电子伏特的活化能保持期限

减额与在Flash / EE存储器的结温。

修订版E |第28 5