【a非易失性存储器，双1024位可编程电阻器ADN2850*功能框图ADN2850CSCLKSDISD】,IC型号ADN2850BCP250,ADN2850BCP250 PDF资料,ADN2850BCP250经销商,ic,电子元器件-51电子网

非易失性存储器，双

1024位可编程电阻器

ADN2850

功能框图

ADN2850

CLK

SDI

SDO

RDY

GND

PWR ON

预设

EEMEM

控制

EEMEM2

RDAC2

当前

MONITOR

串行

接口

EEMEM1

RDAC1

ADDR

解码

RDAC1

特点

双通道， 1024位分辨率

25 K， 250 ■全面，规模性

低温度系数： 35 PPM / C

非易失性存储器

预设保持雨刮器设置

永久存储器写保护

游标设置回读

实际公差存储在EEMEM

线性递增/递减

登录锥度递增/递减

SPI兼容串行接口

3 V至5 V单电源或2.5 V双电源供电

26字节用户非易失性存储器常量存储

电流监控功能的配置

100年的典型数据保留牛逼

= 55 C

应用

SONET ， SDH ， ATM ，千兆以太网， DWDM激光器

二极管驱动器光监控系统

概述

RDAC2

26个字节

USER EEMEM

RWB （ D） - ％的满量程

该ADN2850提供了双通道，数字控制编程

梅布尔电阻

在1024的位置分辨率。这些设备

执行相同的电子调整功能作为机械

变阻器具有增强的分辨率，固态可靠性，并

出色的低温度系数性能。该ADN2850的

通过标准串行接口通用的编程允许

16种操作模式和调整，包括便笺亲

编程，记忆存储和检索，递增/递减，

登录锥度调整，抽头设置回读，和额外的用户

定义EEMEM

该ADN2850的另一个关键特征是，实际的公差

被存储在EEMEM 。实际的满量程电阻可以

因此，公知的，这是因为容差匹配的宝贵

和校准。

在高速暂存编程模式下，一个特定的设置可

直接编程至RDAC

寄存器，它设置电阻

终端W和B的RDAC寄存器之间tance还可以

加载与预先存储在EEMEM寄存器的值。

在EEMEM的值是可以改变的或受保护的。当

更改至RDAC寄存器作出新的价值

设置可以被保存到EEMEM 。此后，这样的价值会

将系统中自动传送到寄存器RDAC

电源ON时，它是由内部预设选通脉冲使能。

EEMEM也可以通过直接的编程检索和

外部预设引脚控制。

*专利

PENDING

笔记

100

256

512

CODE - 十进制

768

1023

图1。R

（四）与十进制码

直线步递增和递减命令启用

在RDAC寄存器的设置来进行向上或向下移动，一步到位

的时间。对于抽头设置对数的变化，左/右

位移位指令调整的级别

6分贝步骤。

该ADN2850是在5mm×5mm的16引脚框芯片可用

规模LFCSP和薄16引脚TSSOP封装。所有部分都

保证工作在扩展工业级温度

范围为-40 ° C至+ 85°C 。

术语非易失性存储器和EEMEM可互换使用。

术语可编程电阻器和RDAC可互换使用。

版本B

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可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2002年

ADN2850–SPECIFICATIONS

电气特性25 K， 250

参数

符号

条件

版本

= 3 V至5.5 V和-40℃ <牛逼

< + 85℃ ，

除非另有说明）。

民

–2

–4

200

0.1

–30

+30

0.01

2.4

0.8

2.1

0.6

2.0

0.5

4.9

0.4

2.25

100

典型值

最大

单位

最低位

PPM /°C的

%/%

纳伏/赫兹÷

直流特性变阻器模式（规格适用于所有RDACs ）

R- DNL

电阻微分非线性

电阻积分非线性

R- INL

电阻温度COEF网络cient

= 5 V，I

= 100

滑动端电阻

代码=半刻度

= 3 V，I

= 100

代码=半刻度

通道电阻匹配

通道1和2 R

，的Dx = 3FF

标称电阻容差

电阻端子

终端电压范围

电容

电容蜡质

共模漏电流

W，B

DD （ PG ）

DD （ XFR ）

DISS

N_WB

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

= V

相对于GND ，V

= 5 V

相对于GND ，V

= 5 V

相对于GND ，V

= 3 V

相对于GND ，V

= 3 V

相对于GND ，

= +2.5 V, V

= –2.5 V

相对于GND ，

= +2.5 V, V

= –2.5 V

引体向上

= 2.2 kΩ至5 V

= 1.6毫安， V

逻辑

= 5 V

= 0 V或V

数字输入和输出

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输出逻辑高电平（ SDO ， RDY ）

输出逻辑低电平

输入电流

输入电容

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

正电源电流

编程模式电流

阅读模式电流

负电源电流

功耗

电源灵敏度

电流监控端子

吸电流在V

动态特性

5, 10

电阻的噪声频谱密度

模拟串扰（C

)

= 0 V

= V

或V

= GND ，

= 25

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND ，

= +2.5 V, V

= –2.5 V

= V

或V

= GND

= 5 V

10%

3.0

2.25

3.5

0.002

0.0001

5.5

2.75

4.5

6.0

0.01

20/64

0.3

WB_FS

= 25千欧/ 250千欧， F = 1千赫

= V

= 0 V ，测得V

同

= 100 mV的P-P @ F = 100 kHz时，

码1码= 2 = 200

–65

–2–

版本B

ADN2850

参数

符号

条件

民

0.15

140

0.3

典型值

最大

单位

CYC

接口时序特性（适用于所有部分）

5, 11

时钟周期时间（T

CYC

)

建立时间

CLK关机时间

上升

输入时钟脉冲宽度

, t

时钟电平高或低

从积极CLK转型

数据建立时间

从积极CLK转型

数据保持时间

到SDO - SPI线收购

到SDO - SPI线发布

= 2.2千欧，C

< 20 pF的

CLK到SDO传输延迟

高脉冲宽度

高

RDY崛起

秋天

上升到RDY下降时间

适用于命令2

, 3

, 9

读取/保存到非易失性EEMEM

上升到时钟边沿设置

预置脉冲宽度（异步）

PRW

未显示在时序图

低脉冲刷新

预置的响应时间抽头设置吨

PRESP

滑动端位置

Flash / EE存储器可靠性

耐力

数据保留

100

k个圈

岁月

笔记

零部件可以在2.7 V单电源供电，除了从08C至-408C ，其中最小的3 V是必要的。

标准结构代表平均读数258C和V

= 5 V.

电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻抽头之间的理想值之间的偏差。

R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。我

~ 50

对于V

= 2.7 V和I

~ 400

对于V

= 5 V.

电阻端子W和B具有极性没有限制，相对于彼此。

通过设计保证，不受生产测试。

共模泄漏电流的测量，从任何终端B的直流泄漏和W与V的共模偏置电平

/2.

转移（ XFR ）模式下的电流是不连续的。电流消耗而EEMEM位置被读出并传送至RDAC寄存器。见TPC 9 。

DISS

从（我计算

) + (I

适用于光接收器的光电二极管。

所有的动态特性采用V

= + 2.5V和V

= –2.5 V.

看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定

= t

= 2.5纳秒（10％至90％的3 V）和从1.5 V的电压电平的定时

开关特性同时使用V测

= 3 V和5 V.

传播延迟取决于V的价值

, R

PULL -UP

和C

。参见应用部分。

有效的命令不激活RDY引脚。

RDY引脚为低电平，只为命令2 ， 3 ， 8 ， 9 ， 10 ，和PR硬件脉： CMD_8 1毫秒; CMD_9 ，10 0.1毫秒; CMD_2 ，3 20毫秒。在T设备操作

= –40°C

和V

< 3 V延长保存时间为35毫秒。

耐力是合格100,000次按照JEDEC标准。 22方法A117和在-40测

°C,

+ 25 ℃， + 85 ℃;典型的耐力+ 25° C为70万次。

保持期限相当于在结温（T

） = 55 ℃，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。基于0.6 V意志的激活能保持期限

减免与结温。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

该ADN2850包含16000个晶体管。芯片尺寸： 93万103万， 10197万平方米。

版本B

–3–

ADN2850

时序图

CPHA = 1

CLK

CPOL = 1

LSB OUT

SDO

最高位

SDI

最高位

最低位

RDY

*不

的定义，但通常LSB CHARACTER先前已传送。

THE CPOL = 1微控制器命令对齐，输入的数据在时钟的上升沿。

图2a。 CPHA = 1时序图

CPHA = 0

CLK

CPOL = 0

SDO

MSB OUT

最低位

SDI

在MSB

最低位

RDY

*不

的定义，但通常最高位字符的刚刚收到。

THE CPOL = 0单片机对齐命令输入的数据在时钟的上升沿。

图2b 。 CPHA = 0时序图

–4–

版本B

ADN2850

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。）

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V， + 7V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +0.3 V， -7 V

到V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

, V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。 V

– 0.3 V, V

+ 0.3 V

, I

断断续续的

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 ±20 mA的

连续的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

2毫安

数字输入和输出电压

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

+ 0.3 V

工作温度范围

。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

最高结温（T

j max的情况

) . . . . . . . . . 150°C

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

热阻结到环境

JA ，

LFCSP - 16 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 35 ° C / W

TSSOP -16 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150 ° C / W

热阻结到外壳

JC ，

TSSOP -16 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 28 ° C / W

封装功耗= （T

j max的情况

– T

)/θ

笔记

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力等级;该装置的功能操作

在这些或以上的在这个业务部门所列出的条件

特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间可能会影响器件的可靠性。

最大终端电流通过的最大电流处理界

开关，封装的最大功耗和最大应用

在任意两个B和W端子的电压在给定的阻力。

包括非易失性存储器进行编程。

只适用于TSSOP- 16 。对于LFCSP - 16 ，请咨询工厂的细节。

订购指南

模型

ADN2850BCP25

ADN2850BCP25-RL7

ADN2850BCP250

ADN2850BCP250-RL7

ADN2850BRU25

ADN2850BRU25-RL7

WB_FS

(k )

250

RDNL RINL

（ LSB ）（ LSB ）

温包

范围（° C）

描述

-40至+85

LFCSP-16

7"卷轴

LFCSP-16

7"卷轴

TSSOP-16

7"卷轴

包

选项

CP-16

RU-16

订购

QUANTITY

1,000

顶标*

BCP25

BCP250

2850B25

*线

1包含产品编号， ADN2850 ， 2号线顶标品牌包含了部分类型的详细区分，第3行中包含大量的数字，第4行中包含的产品

日期代码YYWW 。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

该ADN2850具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生

设备受到高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施

建议避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

版本B

–5–