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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第370页 > ADN2847ACP-32-RL
a
特点
50 Mbps至3.3 Gbps的运行
采用3.3 V单操作
典型的上升/下降时间80 ps的
偏置电流范围2毫安为100 mA
调制电流范围5 mA至80毫安
监控光电二极管电流50 A至1200 A
双MPD功能的DWDM
50毫安电源电流在3.3 V
功率和消光比闭环控制
全电流参数监控
激光失效和激光降级报警
激光器自动关断, ALS
可选的定时数据
支持FEC速率
48引脚( 7毫米7毫米) LFCSP封装
32引脚( 5毫米
5毫米)的LFCSP封装
提供裸片形式
3 V双回路50 Mbps至3.3 Gbps的
激光二极管驱动器
ADN2847
应用
SONET OC -1 /3 / 48分之12
SDH STM- 0/1 /一十六分之四
光纤通道
千兆以太网
DWDM MPD双波长控制
概述
该ADN2847采用独特的控制算法来控制两个
平均功率和所述激光二极管的消光比,LD后
出厂初始设置。外部元件数量和PCB面积都
低功率和消光比的控制是完全集成。
提供激光可编程报警失败(寿命终结)和
激光降级(即将失效) 。
可选的双MPD电流监控设计成
ADN2847专门针对DWDM波长控制。
功能框图
IMPDMON2
DEGRADE
IMPDMON
IMMON
IBMON
V
CC
CLKSEL
GND
失败
ALS
V
CC
IMODN
V
CC
LD
IMODP
V
CC
MPD
IMPD
I
MOD
IMPD2
控制
GND
PSET
I
BIAS
GND ERSET
DATAP
数据N
CLKP
CLKN
I
BIAS
ASET
ADN2847
GND
GND
ERCAP
PAVCAP
IDTONE
LBWSET
GND
GND
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标是其各自公司的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
ADN2847–SPECIFICATIONS
参数
激光器偏置( BIAS )
输出电流I
BIAS
顺从电压
I
BIAS
在ALS
ALS响应时间
CCBIAS顺从电压
调制电流( IMODP , IMODN )
2
输出电流I
MOD
顺从电压
I
MOD
在ALS
上升时间(参见图4为典型分布)
3
下降时间(参见图5为典型分布)
3
随机抖动
3
脉冲宽度失真
3
MONITOR PD ( MPD , MPD2 )
当前
顺从电压
电源设置输入( PSET )
电容
监控光电二极管电流为RPSET电阻
电压
消光比设置输入( ERSET )
允许电阻范围
电压
ALARM SET ( ASET )
允许电阻范围
电压
迟滞
控制回路
时间常数
数据输入( DATAP ,大滩, CLKP , CLKN )
4
V P-P (单端,峰 - 峰)
输入阻抗(单端)
t
SETUP5
(参见图1)
t
HOLD5
(参见图1)
逻辑输入( ALS , LBWSET , CLKSEL )
V
IH
V
IL
报警输出(内部30 kΩ上拉)
V
OH
V
OL
IDTONE
顺从电压
I
OUT
I
IN
f
IN6
(V
CC
= 3.0 V至3.6 V.所有规格牛逼
给T
最大
除非
另有说明。
1
如在25℃规定的典型值)
2
1.2
典型值
最大
100
V
CC
0.1
5
V
CC
80
V
CC
0.1
120
120
1.5
单位
mA
V
mA
s
V
mA
V
mA
ps
ps
ps
ps
A
V
pF
A
V
k
V
k
V
%
s
s
500
50
50
100
2.4
0.8
2.4
0.8
V
CC
–1.5
2
0.01
100
1
0
2
V
CC
–1.2
1
兆赫
A/A
A/A
%
V
用户提供灌电流
在50的范围
A
为4 mA
mV
ps
ps
V
V
V
V
V
低环路带宽的选择
LBWSET = GND
LBWSET = V
CC
数据和时钟输入
AC耦合
条件/评论
I
BIAS
标称< 10 %
1.2
5
1.5
80
80
1
15
50
RMS
I
MOD
= 40毫安
平均电流
1200
1.65
80
1200
1.3
25
1.3
25
1.3
50
1.1
1.2
1.1
1.2
1.1
平均电流
1.2
1.2
1.2
5
0.22
2.25
100
IBMON , IMMON , IMPDMON , IMPDMON2
IBMON , IMMON分频比
IMPDMON , IMPDMON2
IMPDMON到IMPDMON2匹配
顺从电压
I
MPD
= 1200
A
–2–
第0版
ADN2847
参数
供应
I
CC7
V
CC8
典型值
50
3.3
最大
单位
mA
V
条件/评论
I
BIAS
= I
MOD
= 0
3.0
3.6
笔记
1
温度范围: -40 ° C至+ 85°C 。
2
可以用图3所示的键合图时,可以实现对ADN2847的模版的高速性能。
3
测到25
W
加载用11110000的模式,在2.5 Gbps的。
4
当上DATAP的电压大于对数据N的电压,所述调制电流流在IMODP销。
5
通过设计和特性保证。未经生产测试。
6
IDTONE可能会导致眼睛变形。
7
I
CCmin
对于功率计算第8页上是典型的我
CC
给出。
8
所有V
CC
引脚应短接在一起。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
订购指南
V
CC
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.2 V
数字输入( ALS , LBWSET , CLKSEL ) 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
IMODN , IMODP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
+ 1.2 V
工作温度范围
工业。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温(T
J
最大值)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
48引脚LFCSP封装
功耗
2
. . . . . . . . . . . . . . . . (T
J
马克斯 - T的
A
)/q
JA
W
q
JA
热阻抗
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25∞C / W
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300∞C
32引脚LFCSP封装
功耗
2
. . . . . . . . . . . . . . . . (T
J
马克斯 - T的
A
)/q
JA
W
q
JA
热阻抗
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32 ° C / W
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300∞C
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
提供了8页上的功耗的公式。
3
q
JA
定义为当部分被焊接在4层基板。
模型
ADN2847ACP-32
ADN2847ACP-48
ADN2847ACP-32-RL
ADN2847ACP-32-RL7
ADN2847ACP-48-RL
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
格局
描述
32引脚LFCSP封装
48引脚LFCSP封装
32引脚LFCSP封装
32引脚LFCSP封装
48引脚LFCSP封装
HOLD
t
S
t
H
DATAP /大潭
CLKP
图1.建立和保持时间
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
ADN2847具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
第0版
–3–
ADN2847
2620 m
2280 m
GND2
GND2
IMMON
GND3
V
CC
3
失败
CLKSEL
GND
IDTONE
IBMON
ALS
DEGRADE GND
DIE旋转90封装
GND2
V
CC
2
IMODN
IMODN
GND2
IMODP
IMODP
GND2
GND2
I
BIAS
I
BIAS
CCBIAS
GND
CLKN
CLKP
GND1
DATAP
数据N
GND1
V
CC
1
GND
PAVCAP
ERCAP
底部
2280 m
1
顶部
2620 m
GND
ASET
PSET
GND
IMPD
IMPDMON2
GND4
IMPD2
V
CC
4
LBWSET
ERSET
IMPDMON
图2.金属化照片
图3.键合图
模垫坐标系下*
盘数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
垫名称
TP1 (GND)的
LBWSET
ASET
ERSET
PSET
TP2 (GND)的
IMPD
IMPDMON
IMPDMON2
IMPD2
GND4
V
CC
4
ERCAP
PAVCAP
TP3 (GND)的
V
CC
1
GND1
数据N
DATAP
GND1
CLKP
CLKN
TP4 (GND)的
TP5 ( GND )
TP6 (GND)的
CLKSEL
DEGRADE
失败
ALS
X [ M]。
–996
–996
–996
–996
–996
–996
–996
–996
–996
–996
–996
–995
–925
–777
–606
–389
–200
–70
83
263
442
596
762
996
996
996
996
996
996
Y [ M]。
1026
853
679
506
332
159
–15
506
–361
–534
–724
–964
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1109
–935
–762
–589
–415
–242
–4–
盘数
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
垫名称
V
CC
3
GND3
IMMON
IBMON
GND2
IDTONE
GND2
GND2
V
CC
2
IMODN
IMODN
GND2
IMODP
IMODP
GND2
GND2
I
BIAS
I
BIAS
CCBIAS
X [ M]。
996
996
996
996
996
995
995
867
713
500
396
242
88
–16
–239
–443
–633
–772
–912
Y [ M]。
–19
251
441
614
804
993
1133
1191
1191
1191
1191
1191
1191
1191
1191
1191
1191
1191
1191
*带
在模具的中心的原点(参照图2)。
第0版
ADN2847
引脚配置
48引脚LFCSP封装
32引脚LFCSP封装
32 CCBIAS
31 I
BIAS
30 GND2
29 GND2
28 IMODP
27 GND2
26 IMODN
25 V
CC
2
48 CCBIAS
47 I
BIAS
46 I
BIAS
45 GND2
44 GND2
43 IMODP
42 IMODP
41 GND2
40 IMODN
39 IMODN
38 V
CC
2
37 GND2
ERCAP 13
PAVCAP 14
TP3 15
V
CC
1 16
17 GND1
大滩18
DATAP 19
20 GND1
CLKP 21
CLKN 22
TP4 23
TP5 24
引脚功能描述
引脚数
48-Lead
32-Lead
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
第0版
1
2
3
4
5
6
助记符
TP1
LBWSET
ASET
ERSET
PSET
TP2
IMPD
IMPDMON
IMPDMON2
IMPD2
GND4
V
CC
4
ERCAP
PAVCAP
TP3
V
CC
1
GND1
数据N
DATAP
GND1
CLKP
CLKN
TP4
TP5
TP6
CLKSEL
DEGRADE
失败
ALS
V
CC
3
GND3
IMMON
IBMON
功能
测试引脚。在正常操作中, TP1 = GND。
选择低环路带宽
报警电流门限设置引脚
消光比设置引脚
平均光功率设定引脚
测试引脚。在正常操作中, TP2 = GND。
监测光电二极管输入
镜像电流的监测光电二极管
镜像电流从监视器Photodiode2 (对于使用双MPDS)
监测光电二极管输入2 (用于使用双MPDS)
供应地
电源电压
消光比回路电容器
平均电源回路电容器
测试引脚。在正常操作中, TP3 = GND。
电源电压
供应地
数据显示,负微分终端
数据显示,正差分终端
供应地
数据时钟正差分终端,用于当CLKSEL = V
CC
数据时钟负微分终端,用于当CLKSEL = V
CC
测试引脚。在正常操作中, TP4 = GND。
测试引脚。在正常操作中, TP5 = GND。
测试引脚。在正常操作中, TP6 = GND。
时钟选择(活动= V
CC
) ,如果使用的数据移入芯片
DEGRADE报警输出
故障报警
激光器自动关断
电源电压
供应地
调制电流输出镜
偏置电流镜输出
–5–
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
ERCAP 9
PAVCAP 10
V
CC
1 11
大滩12
DATAP 13
14 GND1
15 CLKP
CLKN 16
TP1 1
LBWSET 2
ASET 3
ERSET 4
PSET 5
TP2 6
IMPD 7
IMPDMON 8
IMPDMON2 9
IMPD2 10
GND4 11
V
CC
4 12
销1
指标
ADN2847
顶视图
36 GND2
35 IDTONE
34 GND2
33 IBMON
32 IMMON
31 GND3
30 V
CC
3
29 ALS
28 FAIL
27 DEGRADE
26 CLKSEL
25 TP6
LBWSET 1
ASET 2
ERSET 3
PSET 4
IMPD 5
IMPDMON 6
GND4 7
V
CC
4 8
销1
指标
ADN2847
顶视图
24 IBMON
23 IMMON
22 GND3
21 V
CC
3
20 ALS
19 FAIL
18 DEGRADE
17 CLKSEL
a
特点
50 Mbps至3.3 Gbps的运行
采用3.3 V单操作
典型的上升/下降时间80 ps的
偏置电流范围2毫安为100 mA
调制电流范围5 mA至80毫安
监控光电二极管电流50 A至1200 A
双MPD功能的DWDM
50毫安电源电流在3.3 V
功率和消光比闭环控制
全电流参数监控
激光失效和激光降级报警
激光器自动关断, ALS
可选的定时数据
支持FEC速率
48引脚( 7毫米7毫米) LFCSP封装
32引脚( 5毫米
5毫米)的LFCSP封装
提供裸片形式
3 V双回路50 Mbps至3.3 Gbps的
激光二极管驱动器
ADN2847
应用
SONET OC -1 /3 / 48分之12
SDH STM- 0/1 /一十六分之四
光纤通道
千兆以太网
DWDM MPD双波长控制
概述
该ADN2847采用独特的控制算法来控制两个
平均功率和所述激光二极管的消光比,LD后
出厂初始设置。外部元件数量和PCB面积都
低功率和消光比的控制是完全集成。
提供激光可编程报警失败(寿命终结)和
激光降级(即将失效) 。
可选的双MPD电流监控设计成
ADN2847专门针对DWDM波长控制。
功能框图
IMPDMON2
DEGRADE
IMPDMON
IMMON
IBMON
V
CC
CLKSEL
GND
失败
ALS
V
CC
IMODN
V
CC
LD
IMODP
V
CC
MPD
IMPD
I
MOD
IMPD2
控制
GND
PSET
I
BIAS
GND ERSET
DATAP
数据N
CLKP
CLKN
I
BIAS
ASET
ADN2847
GND
GND
ERCAP
PAVCAP
IDTONE
LBWSET
GND
GND
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标是其各自公司的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
ADN2847–SPECIFICATIONS
参数
激光器偏置( BIAS )
输出电流I
BIAS
顺从电压
I
BIAS
在ALS
ALS响应时间
CCBIAS顺从电压
调制电流( IMODP , IMODN )
2
输出电流I
MOD
顺从电压
I
MOD
在ALS
上升时间(参见图4为典型分布)
3
下降时间(参见图5为典型分布)
3
随机抖动
3
脉冲宽度失真
3
MONITOR PD ( MPD , MPD2 )
当前
顺从电压
电源设置输入( PSET )
电容
监控光电二极管电流为RPSET电阻
电压
消光比设置输入( ERSET )
允许电阻范围
电压
ALARM SET ( ASET )
允许电阻范围
电压
迟滞
控制回路
时间常数
数据输入( DATAP ,大滩, CLKP , CLKN )
4
V P-P (单端,峰 - 峰)
输入阻抗(单端)
t
SETUP5
(参见图1)
t
HOLD5
(参见图1)
逻辑输入( ALS , LBWSET , CLKSEL )
V
IH
V
IL
报警输出(内部30 kΩ上拉)
V
OH
V
OL
IDTONE
顺从电压
I
OUT
I
IN
f
IN6
(V
CC
= 3.0 V至3.6 V.所有规格牛逼
给T
最大
除非
另有说明。
1
如在25℃规定的典型值)
2
1.2
典型值
最大
100
V
CC
0.1
5
V
CC
80
V
CC
0.1
120
120
1.5
单位
mA
V
mA
s
V
mA
V
mA
ps
ps
ps
ps
A
V
pF
A
V
k
V
k
V
%
s
s
500
50
50
100
2.4
0.8
2.4
0.8
V
CC
–1.5
2
0.01
100
1
0
2
V
CC
–1.2
1
兆赫
A/A
A/A
%
V
用户提供灌电流
在50的范围
A
为4 mA
mV
ps
ps
V
V
V
V
V
低环路带宽的选择
LBWSET = GND
LBWSET = V
CC
数据和时钟输入
AC耦合
条件/评论
I
BIAS
标称< 10 %
1.2
5
1.5
80
80
1
15
50
RMS
I
MOD
= 40毫安
平均电流
1200
1.65
80
1200
1.3
25
1.3
25
1.3
50
1.1
1.2
1.1
1.2
1.1
平均电流
1.2
1.2
1.2
5
0.22
2.25
100
IBMON , IMMON , IMPDMON , IMPDMON2
IBMON , IMMON分频比
IMPDMON , IMPDMON2
IMPDMON到IMPDMON2匹配
顺从电压
I
MPD
= 1200
A
–2–
第0版
ADN2847
参数
供应
I
CC7
V
CC8
典型值
50
3.3
最大
单位
mA
V
条件/评论
I
BIAS
= I
MOD
= 0
3.0
3.6
笔记
1
温度范围: -40 ° C至+ 85°C 。
2
可以用图3所示的键合图时,可以实现对ADN2847的模版的高速性能。
3
测到25
W
加载用11110000的模式,在2.5 Gbps的。
4
当上DATAP的电压大于对数据N的电压,所述调制电流流在IMODP销。
5
通过设计和特性保证。未经生产测试。
6
IDTONE可能会导致眼睛变形。
7
I
CCmin
对于功率计算第8页上是典型的我
CC
给出。
8
所有V
CC
引脚应短接在一起。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
订购指南
V
CC
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.2 V
数字输入( ALS , LBWSET , CLKSEL ) 。 。 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
IMODN , IMODP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
+ 1.2 V
工作温度范围
工业。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温(T
J
最大值)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
48引脚LFCSP封装
功耗
2
. . . . . . . . . . . . . . . . (T
J
马克斯 - T的
A
)/q
JA
W
q
JA
热阻抗
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25∞C / W
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300∞C
32引脚LFCSP封装
功耗
2
. . . . . . . . . . . . . . . . (T
J
马克斯 - T的
A
)/q
JA
W
q
JA
热阻抗
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32 ° C / W
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300∞C
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
提供了8页上的功耗的公式。
3
q
JA
定义为当部分被焊接在4层基板。
模型
ADN2847ACP-32
ADN2847ACP-48
ADN2847ACP-32-RL
ADN2847ACP-32-RL7
ADN2847ACP-48-RL
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
格局
描述
32引脚LFCSP封装
48引脚LFCSP封装
32引脚LFCSP封装
32引脚LFCSP封装
48引脚LFCSP封装
HOLD
t
S
t
H
DATAP /大潭
CLKP
图1.建立和保持时间
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
ADN2847具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
第0版
–3–
ADN2847
2620 m
2280 m
GND2
GND2
IMMON
GND3
V
CC
3
失败
CLKSEL
GND
IDTONE
IBMON
ALS
DEGRADE GND
DIE旋转90封装
GND2
V
CC
2
IMODN
IMODN
GND2
IMODP
IMODP
GND2
GND2
I
BIAS
I
BIAS
CCBIAS
GND
CLKN
CLKP
GND1
DATAP
数据N
GND1
V
CC
1
GND
PAVCAP
ERCAP
底部
2280 m
1
顶部
2620 m
GND
ASET
PSET
GND
IMPD
IMPDMON2
GND4
IMPD2
V
CC
4
LBWSET
ERSET
IMPDMON
图2.金属化照片
图3.键合图
模垫坐标系下*
盘数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
垫名称
TP1 (GND)的
LBWSET
ASET
ERSET
PSET
TP2 (GND)的
IMPD
IMPDMON
IMPDMON2
IMPD2
GND4
V
CC
4
ERCAP
PAVCAP
TP3 (GND)的
V
CC
1
GND1
数据N
DATAP
GND1
CLKP
CLKN
TP4 (GND)的
TP5 ( GND )
TP6 (GND)的
CLKSEL
DEGRADE
失败
ALS
X [ M]。
–996
–996
–996
–996
–996
–996
–996
–996
–996
–996
–996
–995
–925
–777
–606
–389
–200
–70
83
263
442
596
762
996
996
996
996
996
996
Y [ M]。
1026
853
679
506
332
159
–15
506
–361
–534
–724
–964
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1191
–1109
–935
–762
–589
–415
–242
–4–
盘数
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
垫名称
V
CC
3
GND3
IMMON
IBMON
GND2
IDTONE
GND2
GND2
V
CC
2
IMODN
IMODN
GND2
IMODP
IMODP
GND2
GND2
I
BIAS
I
BIAS
CCBIAS
X [ M]。
996
996
996
996
996
995
995
867
713
500
396
242
88
–16
–239
–443
–633
–772
–912
Y [ M]。
–19
251
441
614
804
993
1133
1191
1191
1191
1191
1191
1191
1191
1191
1191
1191
1191
1191
*带
在模具的中心的原点(参照图2)。
第0版
ADN2847
引脚配置
48引脚LFCSP封装
32引脚LFCSP封装
32 CCBIAS
31 I
BIAS
30 GND2
29 GND2
28 IMODP
27 GND2
26 IMODN
25 V
CC
2
48 CCBIAS
47 I
BIAS
46 I
BIAS
45 GND2
44 GND2
43 IMODP
42 IMODP
41 GND2
40 IMODN
39 IMODN
38 V
CC
2
37 GND2
ERCAP 13
PAVCAP 14
TP3 15
V
CC
1 16
17 GND1
大滩18
DATAP 19
20 GND1
CLKP 21
CLKN 22
TP4 23
TP5 24
引脚功能描述
引脚数
48-Lead
32-Lead
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
第0版
1
2
3
4
5
6
助记符
TP1
LBWSET
ASET
ERSET
PSET
TP2
IMPD
IMPDMON
IMPDMON2
IMPD2
GND4
V
CC
4
ERCAP
PAVCAP
TP3
V
CC
1
GND1
数据N
DATAP
GND1
CLKP
CLKN
TP4
TP5
TP6
CLKSEL
DEGRADE
失败
ALS
V
CC
3
GND3
IMMON
IBMON
功能
测试引脚。在正常操作中, TP1 = GND。
选择低环路带宽
报警电流门限设置引脚
消光比设置引脚
平均光功率设定引脚
测试引脚。在正常操作中, TP2 = GND。
监测光电二极管输入
镜像电流的监测光电二极管
镜像电流从监视器Photodiode2 (对于使用双MPDS)
监测光电二极管输入2 (用于使用双MPDS)
供应地
电源电压
消光比回路电容器
平均电源回路电容器
测试引脚。在正常操作中, TP3 = GND。
电源电压
供应地
数据显示,负微分终端
数据显示,正差分终端
供应地
数据时钟正差分终端,用于当CLKSEL = V
CC
数据时钟负微分终端,用于当CLKSEL = V
CC
测试引脚。在正常操作中, TP4 = GND。
测试引脚。在正常操作中, TP5 = GND。
测试引脚。在正常操作中, TP6 = GND。
时钟选择(活动= V
CC
) ,如果使用的数据移入芯片
DEGRADE报警输出
故障报警
激光器自动关断
电源电压
供应地
调制电流输出镜
偏置电流镜输出
–5–
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
ERCAP 9
PAVCAP 10
V
CC
1 11
大滩12
DATAP 13
14 GND1
15 CLKP
CLKN 16
TP1 1
LBWSET 2
ASET 3
ERSET 4
PSET 5
TP2 6
IMPD 7
IMPDMON 8
IMPDMON2 9
IMPD2 10
GND4 11
V
CC
4 12
销1
指标
ADN2847
顶视图
36 GND2
35 IDTONE
34 GND2
33 IBMON
32 IMMON
31 GND3
30 V
CC
3
29 ALS
28 FAIL
27 DEGRADE
26 CLKSEL
25 TP6
LBWSET 1
ASET 2
ERSET 3
PSET 4
IMPD 5
IMPDMON 6
GND4 7
V
CC
4 8
销1
指标
ADN2847
顶视图
24 IBMON
23 IMMON
22 GND3
21 V
CC
3
20 ALS
19 FAIL
18 DEGRADE
17 CLKSEL
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADN2847ACP-32-RL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1244719342 复制 点击这里给我发消息 QQ:735585398 复制

电话:18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人:朱小姐 刘小姐
地址:深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
ADN2847ACP-32-RL
ADI
18+
2000
32-LFCSP
原装现货特价销售/欢迎来电/可以开票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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