【10.7 Gbps有源反向端接，差分激光二极管驱动器ADN2525特点高达10.7 Gbps的操作极】,IC型号ADN2525ACPZ-R2,ADN2525ACPZ-R2 PDF资料,ADN2525ACPZ-R2经销商,ic,电子元器件-51电子网

10.7 Gbps有源反向端接，

差分激光二极管驱动器

ADN2525

特点

高达10.7 Gbps的操作

极低功耗： 670毫瓦（ IBIAS = 40 mA时， IMOD = 40 mA）的

典型24 ps的上升/下降时间

全背向端接的输出传输线

驱动器的TOSA与电阻为5 Ω至50 Ω

PECL- / CML兼容的数据输入

偏置电流范围：10 mA至100毫安

差分调制电流范围：10 mA至80毫安

激光器自动关断（ ALS ）

3.3 V工作电压

紧凑型3毫米×3 mm LFCSP封装

偏置电流和调制电流电压输入控制

XFP兼容的偏置电流监控器

光学评估板可用

概述

该ADN2525激光二极管驱动器设计用于直接调制

有一个微分电阻封装激光二极管化

范围为5 Ω到50 Ω 。主动背向端接技术

提供了极好的匹配与输出传输线

同时减少在输出级中的功耗。该

背向端接在ADN2525吸收信号反射

从输出传输线的TOSA端，使

可即使在取得了优异的光学眼图质量

输出传输线的TOSA端是显著误

终止。小型封装提供了最佳的解决方案

对于在激光二极管封装在低紧凑型模块

引脚数的光学组件。

调制和偏置电流通过可编程

MSET和BSET控制引脚。通过驱动这些引脚

控制电压时，用户必须实现灵活性

各种平均功率和消光比控制方案，

包括闭环控制和查找表。自动

激光关断功能使用户可以打开/关闭的偏压

电流和调制电流通过驱动ALS销与

正确的逻辑电平。

该产品可在一个节省空间的3毫米× 3 mm LFCSP封装

从-40 ° C至+ 85 ° C温度范围封装。

应用

SONET OC -192光纤收发器

SDH STM- 64光收发器

10 Gb以太网光纤收发器

XFP / X2 / XENPAK / XPAK / 300 MSA光模块

SR和VSR光链路

功能框图

VCC

ALS

ADN2525

IMODP

IMOD

VCC

IMODN

GND

DATAP

数据N

IBMON

IBIAS

800

200

02461-001

MSET

GND

BSET

图1 。

第0版

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ADN2525

规格................................................. .................................... 3

热指标................................................ ................ 4

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能说明............................. 6

典型性能特征............................................. 7

工作原理............................................... ......................... 9

输入级................................................ ..................................... 9

偏置电流................................................ .................................. 9

自动激光关断（ ALS ） ........................................... 10

调制电流................................................ ................... 10

负载误终止.............................................. ................. 12

功耗................................................ .................. 12

应用信息................................................ .............. 13

典型应用电路............................................... ........ 13

布局指南................................................ ....................... 13

设计实例................................................ .......................... 14

净空计算................................................ ........ 14

BSET和MSET引脚电压计算.......................... 14

外形尺寸................................................ ....................... 15

订购指南................................................ .......................... 15

修订历史

3月5日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第16页2

ADN2525

特定网络阳离子

VCC = VCC

民

到Vcc

最大

, T

= -40° C到+ 85 ℃，50 Ω差分负载电阻，除非另有说明。

典型值是在25℃下指定， IMOD = 40毫安。

表1中。

参数

偏置电流（ IBIAS ）

偏置电流范围

偏置电流而ALS断言

顺从电压

调制电流（ IMODP ， IMODN ）

调制电流范围

调制电流，而ALS断言

上升时间（ 20 ％80％）

2, 3

下降时间（20 ％80％）

随机抖动

确定性抖动

3, 4

差| S

民

0.6

典型值

最大

100

VCC - 1.2

VCC - 0.8

0.5

32.5

0.9

单位

mA的差异

ps的均方根

PS P-P

Gbps的

V P-P的Diff

毫安/ V

μA / mA的

测试条件/评论

ALS =高

IBIAS = 100毫安

IBIAS = 10毫安

负载

= 5 Ω至50 Ω差分

ALS =高

0.4

7.2

VCC - 1.1

5 GHz的< F < 10千兆赫，Z

= 50 Ω差分

F < 5GHz的，Z

= 50 Ω差分

顺从电压

数据输入（ DATAP ，大滩）

输入数据速率

差分输入摆幅

差| S

输入端接电阻

偏置控制输入（ BSET ）

BSET电压为IBIAS增益

BSET输入电阻

调制控制输入（ MSET ）

MSET电压为IMOD增益

MSET输入电阻

BIAS MONITOR （ IBMON ）

IBMON到IBIAS比

IBIAS到IBMON准确率

VCC + 1.1

10.7

1.6

16.8

100

1000

115

120

1200

110

1200

0.4

800

NRZ

差分交流耦合

F < 10千兆赫，Z

= 100 Ω差分

迪FF erential

见图29

5.0

4.0

2.5

+5.0

+4.0

+2.5

10毫安

≤

IBIAS < 20毫安，R

IBMON

= 1 k

20毫安

≤

IBIAS < 40毫安，R

IBMON

= 1 k

40毫安

≤

IBIAS < 70毫安，R

IBMON

= 1 k

70毫安

≤

IBIAS < 100毫安，R

IBMON

= 1 k

激光器自动关断（ ALS ）

ALS断言时间

ALS取反时间

电源

CC5

SUPPLY6

2.4

0.8

+20

200

ALS的上升沿下降IBIAS和IMOD以下

标称的10％ ;参见图2

ALS的下降沿上升IBIAS和IMOD以上

90％的标称;参见图2

3.07

3.3

157

3.53

176

BSET

= V

MSET

= 0 V

BSET

= V

MSET

= 0 V.我

供应

= I

+ IMODP + IMODN

是指用于规定的合规性电压的引脚与GND之间的电压。

所使用的模式是由8 1秒接着8 0 10.7 Gbps的重复序列组成。

使用图3中示出的高速特性的电路测量的。

所使用的模式是K28.5 （ 00111110101100000101 ），在10.7 Gbps的速率。

仅包括当前在ADN2525的VCC管脚。

包括目前在ADN2525 VCC引脚和IMODP直流电流和IMODN上拉电感。请参阅总电源电流计算功耗部分。

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ADN2525

热规格

表2中。

参数

J- PAD

J- TOP

IC结点温度

民

2.6

典型值

5.8

72.2

最大

10.7

79.4

125

单位

° C / W

°C

条件/评论

从结热阻裸焊盘的底部。

热阻结到封装的顶部。

ALS

否定时间

IBIAS

与IMOD

90%

10%

02461-002

ALS

断言时间

图2. ALS时序图

VEE

GND

10nF

GND

VBSET

TP1

TP2

BSET IBMON IBIAS

GND

= 50Ω 10nF的

= 50

GND

= 50Ω 10nF的

= 50

GND

VCC

GND

MSET

NC1

ALS

数据N

VCC

GND

VCC

GND

= 25

GND

= 25

GND

偏置T恤

Z = 50

GND

偏置T恤

GND

适配器

衰减器

GND

适配器

衰减器

示波器

GND

ADN2525

DATAP

IMODP

IMODN

GND

VCC

GND

VMSET

VEE

GND

VEE

10nF

GND

VEE

BIAS TEE ：皮秒脉冲实验室型号5542-219

适配器：帕斯特纳克PE- 9436 2.92毫米母对母适配器

衰减器：帕斯特纳克PE- 7046 2.92毫米20dB衰减

02461-003

22F

GND

图3.高速特性电路

第0版|第16页4

ADN2525

绝对最大额定值

表3中。

参数

电源电压VCC和GND

IMODP ， IMODN到GND

DATAP ，打探到GND

所有其他引脚

结温

储存温度

焊接温度

（小于10秒）

民

0.3

VCC - 1.5

VCC - 1.8

0.3

最大

+4.2

4.75

VCC - 0.4

VCC + 0.3

150

+150

240

单位

°C

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

ESD警告

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在

人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点

专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置

静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能

下降或功能丧失。

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