电荷泵稳压器
彩色TFT面板
ADM8830
特点
3输出电压（ 5.1 V， 15.3 V， -10.2 V）的
一个3 V输入电源
电源效率最佳的使用与TFT的
手机
低静态电流
低关断电流（ <1
A)
快速瞬态响应
关机功能
在消隐期间的节电
选择使用外部LDO
应用
手持式仪器
TFT LCD面板
手机
功能框图
C5
2.2F
电压
倍
C1+
C1–
VOUT
CLKIN
振荡器
LDO
电压
调节器
控制
逻辑
双
在LDO
C6
2.2F
+5VOUT
+5VIN
C2+
C2–
定时
发电机
电压
三倍
SHDN
关闭
控制
放电
电压
逆变器
三重
C3+
C3–
C2
1F
C3
1F
+15.3V
C8
1F
V
CC
ADM8830
C1
2.2F
SCAN / BLANK
LDO_ON / OFF
+5.1V
C7
2.2F
+15VOUT
C4+
C4–
C4
1F
概述
–10VOUT
GND
该ADM8830是用于彩色薄电荷泵调节器
薄膜晶体管（TFT）液晶显示器（LCD） 。运用
电荷泵技术，该装置可以用来产生三个
从一个单一的输出电压（ 5.1伏± 2％ ， 15.3伏， -10.2 V）的
3 V输入电源。这些输出随后被用于提供
供给LCD控制器（5.1 V）和栅极驱动器
在面板中的晶体管（ 15.3 V和-10.2 Ⅴ） 。只有少数
都需要电荷泵外部电容。一个有效的
低压差稳压器也确保了电源
效率是高的，并提供了一个低纹波5.1伏输出。这
LDO可被关闭，并且外部的LDO用于调节
该5V电压倍增器输出，并驱动输入到电荷泵
部分，它产生15.3 V和-10.2 V输出，如果是的话
用户所需。
该ADM8830具有一个内部100 kHz振荡器用于
扫描方式，但部件的时钟必须由一个外部时钟
源消隐（低电流）模式。内部振荡器
在扫描模式下时钟的电荷泵哪里
当前是最高的。在消隐周期中， ADM8830
开关使用外部，较低频率的时钟。这允许
用户可以改变频率，并在提高电源效率
消隐期。对输出电压的公差
–10.2V
C9
1F
从切换扫描模式时保持无缝
冲裁模，反之亦然。
该ADM8830具有许多节能特性，包括
低功耗关断及降低静态电流消耗
在上面提到的消隐期。 5.1 V的输出
消耗的最大功率，因此电源效率也最大化
与振荡器实现方案（绿空闲 ）这个输出。
这有效地检测负载电流，流过和匝
电荷泵仅当电荷需要被传递到
在5 V泵倍增输出。
该ADM8830是采用CMOS工艺为最小的制造
功耗。该器件采用20引脚LFCSP封装
和TSSOP封装。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或oth-
在ADI公司的任何专利或专利权erwise 。商标
和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式，P盒9106 ，诺伍德，MA 02062-9106 ， USA
.O.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
ADM8830–SPECIFICATIONS
参数
输入电压V
CC
电源电流，我
CC
民
2.6
150
70
典型值
(V
CC
= 2.6 V至3.6 V ，T
A
= -40C至+ 85C ，除非另有说明，C1， C5，C6
C7 = 2.2
F,
C2, C3, C4, C8, C9 = 1
F,
CLKIN = 1千赫的消隐模式。 ）
最大
3.6
400
140
1
5.2
5
8
200
单位
V
A
A
A
V
mA
mA
A
%
%
mV的P-P
s
V
A
A
mV的P-P
V
A
A
mV的P-P
%
%
140
千赫
卸载，扫描周期
卸载，消隐期
关断模式，T
A
= 25°C
I
L
= 10 μA至8毫安
扫描周期
扫描期间，V
CC
> 2.7 V
消隐期
V
CC
= 3 V，I
L
= 5 MA（扫描）
V
CC
= 3 V，I
L
= 200 μA （冲裁）
8毫安负载
I
L
从10 μA走到8毫安
I
L
= 1 μA至100 μA
扫描周期
消隐期
I
L
= 100 A
I
L
= -1 μA至-100 μA
扫描周期
消隐期
I
L
= –100 A
相对于5.1 V输出，我
L
= 100 μA （扫描）
相对于5.1 V输出，我
L
= 10 μA （冲裁）
扫描周期
测试条件
5.1 V输出
输出电压
输出电流
功率英法fi效率
输出纹波
瞬态响应
15.3 V输出
输出电压
输出电流
输出纹波
-10.2 V输出
输出电压
输出电流
输出纹波
功率英法fi效率
（ 15.3 V和-10.2 V输出）
电荷泵频率
控制引脚
SHDN
输入电压V
SHDN
数字输入电流
数字输入电容*
SCAN / BLANK
输入电压
数字输入电流
数字输入电容*
LDO_ON / OFF
输入电压
数字输入电流
数字输入电容*
CLKIN
最小频率
输入电压
V
IL
V
IH
数字输入电流
数字输入电容*
5.0
5.1
4
5
50
80
70
10
5
15.3
50
1
50
–10.2
–50
–1
50
90
80
14.4
15.6
100
10
–10.4
–100
–10
–9.6
60
100
0.7 V
CC
0.3 V
CC
±1
10
0.3 V
CC
±1
10
0.3 V
CC
±1
10
1
0.3 V
CC
±1
10
V
V
A
pF
V
V
A
pF
V
V
A
pF
千赫
V
V
A
pF
SHDN
低=关断模式
SHDN
高=普通模式
0.7 V
CC
低=
空白
期
高=扫描周期
0.7 V
CC
低=外部LDO
高=内部LDO
0.9
0.7 V
CC
占空比= 50 ％ ，上升/下降时间= 20 ns的
*保证
由设计。不是100 ％生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本B
ADM8830
时序特定网络阳离子
参数
上电顺序
+ 5V上升时间，t
R5V
+ 15V上升时间，t
R15V
-10 V下降时间，t
F10V
-10 V秋季延迟
和+15 V，T
延迟
断电顺序
+ 5V下降时间，t
F5V
+ 15V下降时间，t
F15V
-10 V上升时间，t
R10V
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
(V
CC
= 2.6 V至3.6 V ，T
A
= -40C至+ 85C ，除非另有说明，C1， C5，C6
C7 = 2.2
F,
C2, C3, C4, C8, C9 = 1
F,
CLKIN = 1千赫的消隐模式。 ）
民
典型值
300
8
12
3
75
40
40
最大
单位
s
ms
ms
ms
ms
ms
ms
测试条件
10 ％至90％ ，图2
10 ％至90％ ，图2
90 ％至10％ ，图2
图2
90 ％至10％ ，图2
90 ％至10％ ，图2
10 ％至90％ ，图2
绝对最大额定值*
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
热特性
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至4.0 V
输入电压为数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至4.0 V
输出短路持续时间至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10秒
输出电压
5.1 V输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
-10.2 V输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 12 V至0.3 V
15.3 V输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+17 V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.55 W
（减免33毫瓦/ ° C以上25 ° C）
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类
*本
是一个额定值;该器件在这些或任何其他功能操作
超过上述业务部门所标明的条件本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
时间会影响其可靠性。
20引脚TSSOP封装：
J
A
= 72_C / W
20引脚LFCSP封装：
J
A
= 31 ° C / W
订购指南
模型
ADM8830ACP
ADM8830ACP-REEL7
ADM8830ARU
ADM8830ARU-REEL
ADM8830ARU-REEL7
EVAL-ADM8830EB
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
引脚架构芯片级封装
引脚架构芯片级封装
超薄紧缩小型封装
超薄紧缩小型封装
超薄紧缩小型封装
评估板
封装选项
CP-20-1
CP-20-1
RU-20
RU-20
RU-20
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000V容易堆积
对人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然ADM8830
具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能受到高设备发生
能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
版本B
–3–
ADM8830
销刀豆网络gurations
TSSOP
C1–
1
C1+
2
V
CC 3
VOUT
4
LDO_IN
5
+5VOUT
6
+5VIN
7
LDO_ON / OFF
8
SHDN
9
SCAN / BLANK
10
20
GND
19
–10VOUT
18
C4+
17
C4–
LFCSP
20 C1+
19 C1–
18 GND
17 -10VOUT
16 C4+
V
CC
1
VOUT 2
LDO_IN 3
+ 5VOUT 4
5VIN + 5
销1
指标
ADM8830
16
C2+
顶视图
15
C2–
（不按比例）
14
C3+
13
C3–
12
+15VOUT
11
CLKIN
ADM8830
顶视图
15 C4–
14 C2+
13 C2–
12 C3+
11 C3–
引脚功能描述
引脚数
TSSOP
1, 2
3
4
5
6
7
8
LFCSP
19, 20
1
2
3
4
5
6
助记符
C1–, C1+
V
CC
VOUT
LDO_IN
+5VOUT
+5VIN
LDO_ON / OFF
功能
外部电容器C1连接在这些引脚之间。一个2.2 μF的电容。
正电源电压输入。该引脚连接到3 V电源与2.2 μF去耦电容。
倍压输出。这是通过加倍的3 V电源获得。一个2.2 μF电容
地面上需要该引脚。
稳压器的输入。用户具有使用绕过此电路的选择
LDO_ON / OFF引脚。
5.1 V输出引脚。这是通过加倍和规范3 V电源获得。一个2.2 μF钙
pacitor地需要在这个引脚，以稳定调节器。
5.1 V输入引脚。这是将输入到电压三倍器和倍压变换器电荷泵
电路。
控制逻辑输入。 3 V CMOS逻辑。逻辑高电平选择内部LDO的调控
在5 V电压倍增输出。一个逻辑低电平隔离内部LDO从装料的休息
泵电路。这允许使用一个外部的LDO调节的5伏电压倍增
输出。此LDO的输出然后被反馈到电压三倍器和倍频器/逆变器
在ADM8830的电路。
数字输入。 3 V CMOS逻辑。低电平有效关断控制。这将关闭定时
发生器和使所述放电电路以消散电荷的电压输出，
因此，车驾至0 V.
驱动方式输入。 3 V CMOS逻辑。逻辑高处的部分扫描（大电流）模式
和电荷泵由内部振荡器驱动。一个逻辑低电平时，部分消隐
（低电流）模式和电荷泵由（更慢）的外部振荡器驱动。这是
省电功能的ADM8830 。
外部时钟输入。在消隐期间，振荡电路选择引脚驱动
电荷泵电路。这是在较低的频率高于内部振荡，导致
更低的静态电流消耗，从而节省电力。
15.3 V输出引脚。这是由两倍的5.1 V稳压输出得到的。一个1μF电容
需要在该引脚。
外接电容C3连接这些引脚之间。一个1μF电容。
外部电容器C2连接在这些引脚之间。一个1μF电容。
外部电容C4连接这些引脚之间。一个1μF电容。
-10.2 V输出引脚。这是通过加倍和反相5.1 V稳压输出得到的。
一个1μF电容必须在此引脚上。
设备的接地引脚。
–4–
版本B
9
7
SHDN
10
8
SCAN / BLANK
11
9
CLKIN
12
13, 14
15, 16
17, 18
19
20
10
11, 12
13, 14
15, 16
17
18
+15VOUT
C3–, C3+
C2–, C2+
C4–, C4+
–10VOUT
GND
LDO_ON / OFF 6
SHDN
7
SCAN / BLANK 8
CLKIN 9
+ 15VOUT 10
典型性能特征， ADM8830
80
70
LDO输出电压 - V
60
50
40
30
20
10
5.0752
5.0750
5.0748
LDO O / P - V
5.0746
5.0744
5.0742
5.0740
5.0738
5.0736
10
30
50 70 90 110 130 150 170 190
输出电流=
A
5.0734
100
1000
消隐频率 - 赫兹
10000
5.092
5.090
5.104
5.102
5.100
5.098
5.096
5.094
LDO电源效率 - ％
0
1
2
3
5
4
I
负载
- 毫安
6
7
8
在消隐TPC 1. LDO效率
模式与V
CC
= 3 V
TPC 2. LDO输出电压（空载）
与消隐模式频率
TPC 3. LDO O / P电压与负载
目前在扫描模式下，V
CC
= 3.3 V
85
84
100
100
90
80
70
60
50
40
LDO电源效率 - ％
+ 15V / -10V效率 - ％
83
82
81
80
79
78
90
80
70
0
1
3
5
2
4
6
输出电流 - 毫安
7
8
60
2
4
6
8
输出电流=
A
10
+ 15V / -10V效率 - ％
0
20
40
60
80
输出电流=
A
100
在扫描TPC 4. LDO的效率
模式与V
CC
= 3 V
TPC 5. +15 V / -10 V效率与输出
目前在消隐模式下，V
CC
= 3 V
TPC 6. +15 V / -10 V效率与输出
目前在扫描模式下，V
CC
= 3 V
5.30
5.25
电源电流 -
A
5.20
5.0V O / P - V
5.15
5.10
5.05
5.00
4.95
4.90
2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6
V
CC
– V
DEVICE 1 @ + 85C
DEVICE 1 @ + 25C
300
250
200
I
CC
（扫描）
150
100
50
0
2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6
V
CC
– V
5V输出纹波
V
OUT
DEVICE 1 @ -40C
V
CC
纹波
I
CC
（空）
TPC 7. LDO变化超过供应
和温度
TPC 8.电流和电压
在LDO TPC 9.输出纹波
（ 5 V输出）
版本B
–5–
电荷泵稳压器
彩色TFT面板
ADM8830
特点
3输出电压（ 5.1 V， 15.3 V， -10.2 V）的
一个3 V输入电源
电源效率最佳的使用与TFT的
手机
低静态电流
低关断电流（ <1
A)
快速瞬态响应
关机功能
在消隐期间的节电
选择使用外部LDO
应用
手持式仪器
TFT LCD面板
手机
功能框图
C5
2.2F
电压
倍
C1+
C1–
VOUT
CLKIN
振荡器
LDO
电压
调节器
控制
逻辑
双
在LDO
C6
2.2F
+5VOUT
+5VIN
C2+
C2–
定时
发电机
电压
三倍
SHDN
关闭
控制
放电
电压
逆变器
三重
C3+
C3–
C2
1F
C3
1F
+15.3V
C8
1F
V
CC
ADM8830
C1
2.2F
SCAN / BLANK
LDO_ON / OFF
+5.1V
C7
2.2F
+15VOUT
C4+
C4–
C4
1F
概述
–10VOUT
GND
该ADM8830是用于彩色薄电荷泵调节器
薄膜晶体管（TFT）液晶显示器（LCD） 。运用
电荷泵技术，该装置可以用来产生三个
从一个单一的输出电压（ 5.1伏± 2％ ， 15.3伏， -10.2 V）的
3 V输入电源。这些输出随后被用于提供
供给LCD控制器（5.1 V）和栅极驱动器
在面板中的晶体管（ 15.3 V和-10.2 Ⅴ） 。只有少数
都需要电荷泵外部电容。一个有效的
低压差稳压器也确保了电源
效率是高的，并提供了一个低纹波5.1伏输出。这
LDO可被关闭，并且外部的LDO用于调节
该5V电压倍增器输出，并驱动输入到电荷泵
部分，它产生15.3 V和-10.2 V输出，如果是的话
用户所需。
该ADM8830具有一个内部100 kHz振荡器用于
扫描方式，但部件的时钟必须由一个外部时钟
源消隐（低电流）模式。内部振荡器
在扫描模式下时钟的电荷泵哪里
当前是最高的。在消隐周期中， ADM8830
开关使用外部，较低频率的时钟。这允许
用户可以改变频率，并在提高电源效率
消隐期。对输出电压的公差
–10.2V
C9
1F
从切换扫描模式时保持无缝
冲裁模，反之亦然。
该ADM8830具有许多节能特性，包括
低功耗关断及降低静态电流消耗
在上面提到的消隐期。 5.1 V的输出
消耗的最大功率，因此电源效率也最大化
与振荡器实现方案（绿空闲 ）这个输出。
这有效地检测负载电流，流过和匝
电荷泵仅当电荷需要被传递到
在5 V泵倍增输出。
该ADM8830是采用CMOS工艺为最小的制造
功耗。该器件采用20引脚LFCSP封装
和TSSOP封装。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或oth-
在ADI公司的任何专利或专利权erwise 。商标
和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式，P盒9106 ，诺伍德，MA 02062-9106 ， USA
.O.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
ADM8830–SPECIFICATIONS
参数
输入电压V
CC
电源电流，我
CC
民
2.6
150
70
典型值
(V
CC
= 2.6 V至3.6 V ，T
A
= -40C至+ 85C ，除非另有说明，C1， C5，C6
C7 = 2.2
F,
C2, C3, C4, C8, C9 = 1
F,
CLKIN = 1千赫的消隐模式。 ）
最大
3.6
400
140
1
5.2
5
8
200
单位
V
A
A
A
V
mA
mA
A
%
%
mV的P-P
s
V
A
A
mV的P-P
V
A
A
mV的P-P
%
%
140
千赫
卸载，扫描周期
卸载，消隐期
关断模式，T
A
= 25°C
I
L
= 10 μA至8毫安
扫描周期
扫描期间，V
CC
> 2.7 V
消隐期
V
CC
= 3 V，I
L
= 5 MA（扫描）
V
CC
= 3 V，I
L
= 200 μA （冲裁）
8毫安负载
I
L
从10 μA走到8毫安
I
L
= 1 μA至100 μA
扫描周期
消隐期
I
L
= 100 A
I
L
= -1 μA至-100 μA
扫描周期
消隐期
I
L
= –100 A
相对于5.1 V输出，我
L
= 100 μA （扫描）
相对于5.1 V输出，我
L
= 10 μA （冲裁）
扫描周期
测试条件
5.1 V输出
输出电压
输出电流
功率英法fi效率
输出纹波
瞬态响应
15.3 V输出
输出电压
输出电流
输出纹波
-10.2 V输出
输出电压
输出电流
输出纹波
功率英法fi效率
（ 15.3 V和-10.2 V输出）
电荷泵频率
控制引脚
SHDN
输入电压V
SHDN
数字输入电流
数字输入电容*
SCAN / BLANK
输入电压
数字输入电流
数字输入电容*
LDO_ON / OFF
输入电压
数字输入电流
数字输入电容*
CLKIN
最小频率
输入电压
V
IL
V
IH
数字输入电流
数字输入电容*
5.0
5.1
4
5
50
80
70
10
5
15.3
50
1
50
–10.2
–50
–1
50
90
80
14.4
15.6
100
10
–10.4
–100
–10
–9.6
60
100
0.7 V
CC
0.3 V
CC
±1
10
0.3 V
CC
±1
10
0.3 V
CC
±1
10
1
0.3 V
CC
±1
10
V
V
A
pF
V
V
A
pF
V
V
A
pF
千赫
V
V
A
pF
SHDN
低=关断模式
SHDN
高=普通模式
0.7 V
CC
低=
空白
期
高=扫描周期
0.7 V
CC
低=外部LDO
高=内部LDO
0.9
0.7 V
CC
占空比= 50 ％ ，上升/下降时间= 20 ns的
*保证
由设计。不是100 ％生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本B
ADM8830
时序特定网络阳离子
参数
上电顺序
+ 5V上升时间，t
R5V
+ 15V上升时间，t
R15V
-10 V下降时间，t
F10V
-10 V秋季延迟
和+15 V，T
延迟
断电顺序
+ 5V下降时间，t
F5V
+ 15V下降时间，t
F15V
-10 V上升时间，t
R10V
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
(V
CC
= 2.6 V至3.6 V ，T
A
= -40C至+ 85C ，除非另有说明，C1， C5，C6
C7 = 2.2
F,
C2, C3, C4, C8, C9 = 1
F,
CLKIN = 1千赫的消隐模式。 ）
民
典型值
300
8
12
3
75
40
40
最大
单位
s
ms
ms
ms
ms
ms
ms
测试条件
10 ％至90％ ，图2
10 ％至90％ ，图2
90 ％至10％ ，图2
图2
90 ％至10％ ，图2
90 ％至10％ ，图2
10 ％至90％ ，图2
绝对最大额定值*
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
热特性
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至4.0 V
输入电压为数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至4.0 V
输出短路持续时间至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10秒
输出电压
5.1 V输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
-10.2 V输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 12 V至0.3 V
15.3 V输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+17 V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.55 W
（减免33毫瓦/ ° C以上25 ° C）
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类
*本
是一个额定值;该器件在这些或任何其他功能操作
超过上述业务部门所标明的条件本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
时间会影响其可靠性。
20引脚TSSOP封装：
J
A
= 72_C / W
20引脚LFCSP封装：
J
A
= 31 ° C / W
订购指南
模型
ADM8830ACP
ADM8830ACP-REEL7
ADM8830ARU
ADM8830ARU-REEL
ADM8830ARU-REEL7
EVAL-ADM8830EB
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
引脚架构芯片级封装
引脚架构芯片级封装
超薄紧缩小型封装
超薄紧缩小型封装
超薄紧缩小型封装
评估板
封装选项
CP-20-1
CP-20-1
RU-20
RU-20
RU-20
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000V容易堆积
对人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然ADM8830
具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能受到高设备发生
能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
版本B
–3–
ADM8830
销刀豆网络gurations
TSSOP
C1–
1
C1+
2
V
CC 3
VOUT
4
LDO_IN
5
+5VOUT
6
+5VIN
7
LDO_ON / OFF
8
SHDN
9
SCAN / BLANK
10
20
GND
19
–10VOUT
18
C4+
17
C4–
LFCSP
20 C1+
19 C1–
18 GND
17 -10VOUT
16 C4+
V
CC
1
VOUT 2
LDO_IN 3
+ 5VOUT 4
5VIN + 5
销1
指标
ADM8830
16
C2+
顶视图
15
C2–
（不按比例）
14
C3+
13
C3–
12
+15VOUT
11
CLKIN
ADM8830
顶视图
15 C4–
14 C2+
13 C2–
12 C3+
11 C3–
引脚功能描述
引脚数
TSSOP
1, 2
3
4
5
6
7
8
LFCSP
19, 20
1
2
3
4
5
6
助记符
C1–, C1+
V
CC
VOUT
LDO_IN
+5VOUT
+5VIN
LDO_ON / OFF
功能
外部电容器C1连接在这些引脚之间。一个2.2 μF的电容。
正电源电压输入。该引脚连接到3 V电源与2.2 μF去耦电容。
倍压输出。这是通过加倍的3 V电源获得。一个2.2 μF电容
地面上需要该引脚。
稳压器的输入。用户具有使用绕过此电路的选择
LDO_ON / OFF引脚。
5.1 V输出引脚。这是通过加倍和规范3 V电源获得。一个2.2 μF钙
pacitor地需要在这个引脚，以稳定调节器。
5.1 V输入引脚。这是将输入到电压三倍器和倍压变换器电荷泵
电路。
控制逻辑输入。 3 V CMOS逻辑。逻辑高电平选择内部LDO的调控
在5 V电压倍增输出。一个逻辑低电平隔离内部LDO从装料的休息
泵电路。这允许使用一个外部的LDO调节的5伏电压倍增
输出。此LDO的输出然后被反馈到电压三倍器和倍频器/逆变器
在ADM8830的电路。
数字输入。 3 V CMOS逻辑。低电平有效关断控制。这将关闭定时
发生器和使所述放电电路以消散电荷的电压输出，
因此，车驾至0 V.
驱动方式输入。 3 V CMOS逻辑。逻辑高处的部分扫描（大电流）模式
和电荷泵由内部振荡器驱动。一个逻辑低电平时，部分消隐
（低电流）模式和电荷泵由（更慢）的外部振荡器驱动。这是
省电功能的ADM8830 。
外部时钟输入。在消隐期间，振荡电路选择引脚驱动
电荷泵电路。这是在较低的频率高于内部振荡，导致
更低的静态电流消耗，从而节省电力。
15.3 V输出引脚。这是由两倍的5.1 V稳压输出得到的。一个1μF电容
需要在该引脚。
外接电容C3连接这些引脚之间。一个1μF电容。
外部电容器C2连接在这些引脚之间。一个1μF电容。
外部电容C4连接这些引脚之间。一个1μF电容。
-10.2 V输出引脚。这是通过加倍和反相5.1 V稳压输出得到的。
一个1μF电容必须在此引脚上。
设备的接地引脚。
–4–
版本B
9
7
SHDN
10
8
SCAN / BLANK
11
9
CLKIN
12
13, 14
15, 16
17, 18
19
20
10
11, 12
13, 14
15, 16
17
18
+15VOUT
C3–, C3+
C2–, C2+
C4–, C4+
–10VOUT
GND
LDO_ON / OFF 6
SHDN
7
SCAN / BLANK 8
CLKIN 9
+ 15VOUT 10
典型性能特征， ADM8830
80
70
LDO输出电压 - V
60
50
40
30
20
10
5.0752
5.0750
5.0748
LDO O / P - V
5.0746
5.0744
5.0742
5.0740
5.0738
5.0736
10
30
50 70 90 110 130 150 170 190
输出电流=
A
5.0734
100
1000
消隐频率 - 赫兹
10000
5.092
5.090
5.104
5.102
5.100
5.098
5.096
5.094
LDO电源效率 - ％
0
1
2
3
5
4
I
负载
- 毫安
6
7
8
在消隐TPC 1. LDO效率
模式与V
CC
= 3 V
TPC 2. LDO输出电压（空载）
与消隐模式频率
TPC 3. LDO O / P电压与负载
目前在扫描模式下，V
CC
= 3.3 V
85
84
100
100
90
80
70
60
50
40
LDO电源效率 - ％
+ 15V / -10V效率 - ％
83
82
81
80
79
78
90
80
70
0
1
3
5
2
4
6
输出电流 - 毫安
7
8
60
2
4
6
8
输出电流=
A
10
+ 15V / -10V效率 - ％
0
20
40
60
80
输出电流=
A
100
在扫描TPC 4. LDO的效率
模式与V
CC
= 3 V
TPC 5. +15 V / -10 V效率与输出
目前在消隐模式下，V
CC
= 3 V
TPC 6. +15 V / -10 V效率与输出
目前在扫描模式下，V
CC
= 3 V
5.30
5.25
电源电流 -
A
5.20
5.0V O / P - V
5.15
5.10
5.05
5.00
4.95
4.90
2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6
V
CC
– V
DEVICE 1 @ + 85C
DEVICE 1 @ + 25C
300
250
200
I
CC
（扫描）
150
100
50
0
2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6
V
CC
– V
5V输出纹波
V
OUT
DEVICE 1 @ -40C
V
CC
纹波
I
CC
（空）
TPC 7. LDO变化超过供应
和温度
TPC 8.电流和电压
在LDO TPC 9.输出纹波
（ 5 V输出）
版本B
–5–
QQ：2880707522 复制
