【a+5 V固定，可调微功耗线性稳压器ADM663/ADM666功能方框图ADM663VINVOUT2】,IC型号ADM666AN,ADM666AN PDF资料,ADM666AN经销商,ic,电子元器件-51电子网

+5 V固定，可调

微功耗线性稳压器

ADM663/ADM666

功能方框图

ADM663

OUT2

OUT1

0.5V

SENSE

特点

5 V固定或1.3 V至16 V可调

低功耗CMOS ： 12

最大静态电流

40毫安输出电流

限流

引脚兼容MAX663 / 666

2 V至16.5 V工作范围

低电池电压检测ADM666

上电时无过冲

应用

手持式仪器

LCD显示系统

寻呼机

远程数据采集

50mV

SET

SHDN

概述

在ADM663 / ADM666是精密稳压器featur-

荷兰国际集团12的最大静态电流

它们可以用于

给一个固定的+ 5V输出，无需额外的外部元件

堂费，或者可以从1.3 V至16 V使用两个外部调整

电阻器。固定或可调操作时自动选择

通过V

SET

输入。低静态电流，使这些描述

恶习特别适用于电池供电系统。输入

电压范围为2 V至16.5 V和输出电流高达

提供40毫安。在ADM663可直接驱动外部

通过晶体管超过40 mA之间的电流。其他为特色的

Tures的包括限流和低功耗关断。热敏

MAL关断电路还包括额外的安全性。

在ADM666提供额外的电池电量不足的监控

电路来检测低电池电压。

在ADM663 / ADM666是引脚兼容的替代品

该MAX663 / 666 。两者都提供8引脚DIP和狭隘

行表面贴装（ SOIC ）封装。

订购指南

1.3V

REF

GND

0.9V

OUT

ADM666

0.5V

SENSE

50mV

SET

SHDN

LBI

LBO

模型

ADM663AN

ADM663AR

ADM666AN

ADM666AR

温度范围

-40 ° C至+ 85°C

封装选项

N-8

R-8

N-8

R-8

GND

1.3V

REF

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德。 MA 02062-9106 ， U.S.A.

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ADM663/ADM666–SPECIFICATIONS

参数

输入电压V

静态电流，I

输出电压V

OUT

线路调整，

OUT

负载调整率，

OUT

参考电压，V

SET

参考温度系数，

SET

内部阈值，V

F / A

SET

输入电流I

SET

关断输入电压，V

SHDN

关断输入电流，I

SHDN

SENSE输入阈值，V

OUT

–V

SENSE

SENSE输入电阻，R

SENSE

输入输出饱和电阻，R

SAT

ADM663 V

OUT1

从V输出电流

OUT(2)

, I

OUT

最小负载电流，I

L（ MIN）的

LBI输入阈值，V

LBI

LBI输入电流，I

LBI

LBO输出饱和电阻，R

SAT

LBO输出漏电流

开路电压，V

灌电流，我

温度COEF网络cient

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

= +9 V, V

OUT

= + 5 V ，T

= + 25 ° C除非另有说明）

单位

%/V

PPM /°C的

毫伏/°C的

测试条件/评论

= T

民

给T

最大

无负载，V

= +16.5 V

= +25°C

= T

民

给T

最大

= T

民

给T

最大

, V

SET

= GND

+2 V

≤

+15 V, V

OUT

= V

REF

ADM663 ，以1mA

≤

OUT2

≤

20毫安

ADM663 ， 50

A ≤

OUT1

≤

5毫安

ADM666 ，以1mA

≤

OUT

≤

20毫安

OUT

= V

SET

= T

民

给T

最大

SET

＆ LT ; V

F / A

为+5 V输出;

SET

＆ GT ; V

F / A

为形容词。出

= T

民

给T

最大

SHDN

高=输出关闭

SHDN

LOW =输出ON

电流限制阈值

民

2.0

典型值

最大

16.5

4.75

5.0

0.03

3.0

1.0

3.0

100

0.01

1.4

0.01

0.5

200

1.27

5.25

0.35

7.0

5.0

7.0

1.33

0.3

500

150

1.0

5.0

1.37

100

1.21

2.0

1.28

0.01

0.9

8.0

+2.5

= 2 V，I

OUT

= 1毫安

= 9 V，I

OUT

= 2毫安

= 15 V，I

OUT

= 5毫安

+3 V

≤

+16.5 V, V

–V

OUT

= +1.5 V

= +25°C

= T

民

给T

最大

ADM666

ADM666 ，我

SAT

= 2毫安

ADM666 ， LBI = 1.4 V

ADM663

绝对最大额定值*

(

= + 25 ° C除非另有说明）

输入电压V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +18 V

端电压

（ ADM663 ）引脚1 ， 3 ， 5 ， 6 ， 7

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。端（GND - 0.3 V）至（Ⅴ

+ 0.3 V)

（ ADM666 ）引脚1 ， 2 ， 3 ， 5 ， 6

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。端（GND - 0.3 V）至（Ⅴ

+ 0.3 V)

（ ADM663 ）引脚2 。。。。。。。端（GND - 0.3 V）至（Ⅴ

OUT1

+ 0.3 V)

（ ADM666 ）引脚7 。。。。。。。。。。。。（ GND - 0.3 V ）至16.5 V

输出源电流

（ ADM663 ， ADM666 ）引脚2 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 50毫安

（ ADM663 ）引脚3 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 25毫安

输出灌电流，

（ ADM663 ， ADM666 ）引脚7 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -20毫安

功耗，N - 8 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 625毫瓦

（减免8.3毫瓦/ ° C以上+ 50 ° C）

，热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 120 ° C / W

功耗R- 8 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 450毫瓦

（减免6毫瓦/ ° C以上+ 50 ° C）

，热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 170 ° C / W

工作温度范围

工业（A版）。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

引线温度（焊接， 10秒）。。。。。。。。。。。。。 + 300℃

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 220℃

ESD额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.>5000 V

*这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何

上述其他条件本规范的操作部分显示

化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作

时间周期会影响其可靠性。

–2–

第0版

ADM663/ADM666

DIP & SOIC引脚配置

引脚功能说明

指令码功能

SENSE

OUT2

OUT1

GND

SET

SHDN

ADM663

顶视图

（不按比例）

OUT （1）（ 2）

SENSE

OUT

LBI

GND

LBO

SET

SHDN

ADM666

顶视图

（不按比例）

GND

LBI

LBO

SHDN

SET

稳压器的输出（S ）

稳压器输入

限流检测输入。（参考

OUT(2).

）如果不使用它应连接到

OUT(2)

接地引脚。必须连接到0V

低电池电压检测输入。与1.3 V相比

低电池电压检测输出。开漏输出

数字输入。可用于禁用设备

使电力消耗最小化

电压设定输入。连接至GND + 5V

输出或连接到电阻分压器进行调整

能够输出

温度成比例的电压为负

TC输出

一般信息

在ADM663 / ADM666包含一个微隙为参考

EnCE的电压源，一个误差放大器A1中，两个比较器

C1，C2和一个串联通路输出晶体管。 P沟道FET

和NPN晶体管上的ADM663而使用

ADM666采用NPN输出晶体管。

内部带隙基准修剪到1.3 V

30毫伏。

此被用作参考输入到误差放大器A1中。该

来自调节器输出的反馈信号被提供给

通过芯片上的分压器或由两个外部重新其它输入

电阻取值。当V

SET

是在地面上，内部分压器提供

误差放大器的反馈信号给一个+ 5V输出。当

SET

是在超过50毫伏地上时，误差放大器的

输入被直接切换至V

SET

销，和外部电阻

用于设置输出电压。外部电阻

选择，以使所希望的输出电压给出1.3 V在V

SET

比较器C1的监控输出电流经由SENSE

输入。这个输入，参考V

OUT(2)

，监控电压

在负载检测电阻下降。如果电压降超过

0.5 V ，则误差放大器A

禁用和输出

电流被限制。

该ADM663具有一个附加的放大器，A 2，它提供了一个

温度成比例的输出，V

。如果这是在总结成

误差放大器的反相输入端，一个负温度

系数的结果被输出。当供电，这是很有用

液晶显示器在很宽的温度范围内。

该ADM666具有附加比较器，其中C 3的COM

剥的低电池输入， LBI的电压，以脚在 -

ternal 1.3 V基准电压源。从比较器驱动器的输出

电路描述

漏极开路FET连接到电池电量低输出引脚，

LBO 。在低电池电压阈值可以用合适的设置

分压器连接至LBI 。当在LBI的电压下降

低于1.3 V时，开漏输出LBO被拉低。

无论是ADM663和ADM666包含关闭

（ SHDN）输入可用于禁用该误差放大器

因此，电压的输出。在关断模式下的静态电流

下是小于12

ADM663

OUT2

OUT1

0.5V

SENSE

50mV

SET

SHDN

1.3V

REF

GND

0.9V

图1. ADM663功能框图

第0版

–3–

ADM663/ADM666

OUT

+ 2V至+ 16V

输入

SENSE

ADM666

0.5V

SENSE

+ 1.3V至+ 15V

产量

ADM663

ADM666

SHDN

GND

OUT(2)

SET

50mV

SET

SHDN

LBI

LBO

图4. ADM663 / ADM666可调输出

限流

1.3V

REF

GND

电流限制可以通过使用外部电流来实现

串联V感测电阻

OUT(2)

。当两端的电压

检测电阻超过内部0.5 V阈值，电流

限制被激活。因此，检测电阻的选择应

它两端的电压将是0.5伏时所需的电流

达到极限。

图2. ADM666功能框图

电路配置

0.5

对于一个固定的+ 5V输出的V

SET

输入端接地，并没有EX-

外接电阻是必要的。这个基本结构示

在图中没有被利用，以便将SENSE 3.限流

输入端被连接到V

OUT(2)

。输入电压的范围可以从

可+6 V至+16 V ，输出电流高达40毫安

所提供的最大功率为不

超标。

其中R

是电流检测电阻，我

为最大

电流限制。

选择的R值

还应确保当前是

限制为小于所述50毫安绝对最大额定值和

也消耗功率也将在包装内

最大额定值。

如果电流限制的情况下，会有额外的电压

检测电阻两端的压降年龄必须考虑

当确定监管压差。

+ 6V至+ 16V

输入

SENSE

OUT(2)

+5V

产量

SHDN

ADM663

ADM666

GND

SET

如果电流限制不使用时，将SENSE输入应CON

连接至V

OUT(2)

关断输入（ SHDN ）

图3. ADM663 / ADM666固定+5 V输出

输出电压设定

如果V

SET

未连接到GND ，输出电压被设定AC-

盘带到下面的等式。

OUT

SET

其中，V

SET

1. 30V

SHDN输入允许稳压器被关闭了

逻辑电平信号。这将禁用输出并降低

漏电流对低静态（12

最大）电流。

这是针对低功耗应用中非常有用。 SHDN输入

由于输入应该被驱动的CMOS逻辑电平信号

阈值是0.3 V.在TTL系统，集电极开路驱动器

带有上拉电阻器可被使用。

如果关机功能没有被使用，那么SHDN应

连接到GND 。

低电源或低电池电量检测

电阻值可以通过首先选择一个被选择

选择按下列R2的值R1和然后

方程。

OUT

– 1

1. 30

在ADM666包含片内电路的低功耗电源

或电池检测。如果LBI引脚上的电压低于

内部1.3 V基准电压，则开漏输出LBO会

变为低电平。低阈值电压可以被设置为任何电压

上述1.3 V通过适当的电阻分压器的选择。

BATT

– 1

1. 30

在V输入漏电流

SET

为10 nA（最大值）。这AL-

对于R 1和R 2被选择很少低点大的电阻值

退化的准确性。例如，一个1兆欧电阻器可以是

选择R 1和R 2则可以相应地进行计算。

在V公差

SET

保证在小于

30毫伏所以在

大多数应用中，固定电阻器将是合适的。

其中R3和R4是电阻分压器电阻器和第五

BATT

所需的低电压阈值。

–4–

第0版

ADM663/ADM666

由于LBI输入漏电流小于10 nA的，较大的数值

的UE可以以最小化加载选择R3和R4 。

例如，一个6伏的低阈值时，可以使用10兆欧姆为设置

R3和2.7 MΩ为R4。

+ 2V至+ 16V

输入

SENSE

+ 1.3V至+ 15V

产量

SENSE

OUT2

OUT

SET

ADM663

ADM666

LBI

OUT

图7. ADM663温度比例输出

SET

GND

LBO

低

电池

产量

SHDN

OUT

SET

(

SET

–V

)

TCV

OUT

–

TVC

= +0.9V

TCV

= +2.5

/°C

图5. ADM666可调输出与低电池

发现

高电流操作

其中，V

SET

= +1.

3V ,

在ADM663包含一个附加的输出信号V

OUT1

，适合

用于直接驱动一个外部NPN晶体管的基极。图 -

茜6示出了可用于提供+ 5V的结构

以提高电流驱动。 A 1

电流传感电阻限制

电流在0.5A。

应用提示

输入输出（压差）

10 F

OUT1

OUT2

100

2N4237

ADM663

SHDN

关闭

SET

GND

1.0

监管机构的最小输入 - 输出电压差或差

电压确定的最低输入电压为某一特定输出

把电压。在ADM663 / ADM666压差电压为0.8 V时

它的额定输出电流。例如作为固定的+ 5V时使用

调节器的最小输入电压是5.8 V.在较低的输出

电流（I

OUT

< 5毫安），对ADM663 ，V

OUT1

也可以使用

作为以达到较低的压降电压的输出驱动器。

请参考图9。在这种情况下，压差DE-

暂时搁置在整个内部FET晶体管上的电压降。

这可以通过乘以FET的饱和度来计算重

由输出电流电阻。由于限流电路是

参考V

OUT2

, V

OUT2

应连接到V

OUT1

。为

高电流操作V

OUT2

应单独和V使用

OUT1

悬空。

旁路电容

SENSE

10F

+ 5V ， 0.5A

产量

在ADM663 / ADM666的高频性能

可以通过使用一个过滤器去耦的输出得到改善电容

器。 10个电容值

是合适的。

输入电容有助于降低噪音和提高动态

性能。 0.1合适的输入电容

或更大

可被使用。

图6. ADM663升压输出电流（ 0.5 A ）

温度比例输出

该ADM663包含V

具有正温度输出

的2.5毫伏/°C的TURE系数。这可以被连接到所述

误差放大器（求和结点V

SET

）通过一个电阻

器产生的输出是负的温度系数

的调节器。

这是复用的LCD显示器的COM特别有用

借以补偿供的固有负温度系数

LCD门槛。在25 ℃，职训局的输出电压为典型

美云0.9 V的公式来设置二者的输出电压

和温度系数在下面给出。如果该函数不存在

使用，那么V

应悬空。

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