CMOS开关电容
电压转换器
ADM660/ADM8660
特点
ADM660 ：后翻转或双打输入电源电压
ADM8660 ：反转输入电源电压
百毫安输出电流
关机功能（ ADM8660 ）
2.2 F或10μF电容器
0.3 V的压降为30 mA负载
+1.5 V至+7 V电源
低功耗CMOS ： 600静态电流
可选的电荷泵频率（ 25千赫/ 120千赫）
引脚兼容升级为MAX660 ， MAX665 ， ICL7660
采用16引脚TSSOP封装
应用
手持式仪器
手提电脑
远程数据采集
运算放大器电源
概述
典型的电路配置
+ 1.5V至+ 7V
输入
FC
V+
ADM660
OSC
LV
OUT
C2
倒
负
产量
CAP +
C1
+
10 F
GND
CAP-
+
10 F
电压型逆变器配置（ ADM660 ）
+ 1.5V至+ 7V
输入
FC
C1
+
10 F
关闭
控制
ADM8660
V+
CAP +
GND
CAP-
SD
LV
OUT
C2
倒
负
产量
在ADM660 / ADM8660是电荷泵电压转换器
可用于任一反转输入电源电压捐赠
V
OUT
= –V
IN
或加倍（ ADM660只）给予V
OUT
= 2 V
IN
.
输入电压范围为+ 1.5V至+ 7V可以反转成
负-1.5 V至-7 V输出电源。这种反相方案
非常适合用于在单个电源负轨
系统。有需要的只有两个小的外部电容器
电荷泵。输出电流高达50 mA的比
90 ％的效率是可以实现的，而100毫安实现更大
超过80 ％的效率。
频率控制（ FC ）输入引脚，用于选择
25 kHz或120 kHz的电荷泵操作。这是用来
优化电容大小和静态电流。 25千赫
选， 10
F
外部电容是合适的，而与120千赫
电容可以减小到2.2
F.
振荡器的频率
在ADM660也可以用一个外部电容控制
连接到OSC输入或通过驱动该输入与
外部时钟。在应用中，较高的电源电压
期望能够使用ADM660两倍的输入
电压。随着投入2.5 V电压为7 V ，输出电压
从5 V至14 V，但高达100 mA的输出电流。
该ADM8660具有低功耗关断（ SD ）引脚代替
外部振荡器（ OSC ）引脚。这可以用于禁用
该设备并降低静态电流为300 nA的。
+
10 F
电压型逆变器的配置，带有关断（ ADM8660 ）
该ADM660是引脚兼容的升级为MAX660 ，
MAX665 ， ICL7660和LTC1046 。
在ADM660 / ADM8660采用8引脚DIP和
窄体SOIC封装。该ADM660还提供16引脚
TSSOP封装。
ADM660 / ADM8660选项
选项
反相模式
加倍模式
外部振荡器
关闭
封装选项
R-8
N-8
RU-16
ADM660
Y
Y
Y
N
Y
Y
Y
ADM8660
Y
N
N
Y
Y
Y
N
启示录
C
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ADM660/ADM8660–SPECIFICATIONS
参数
输入电压，V +
3.5
1.5
2.5
电源电流
0.6
2.5
输出电流
输出电阻（ ADM660 ）
输出电阻（ ADM8660 ）
输出电阻（ ADM8660 ）
电荷泵频率
OSC输入电流
电源使用效率（ FC =开） （ ADM660 ）
电源使用效率（ FC =开） （ ADM8660 ）
电源使用效率（ FC =开） （ ADM8660 ）
电源使用效率（ FC =开） （ ADM660 ）
电源使用效率（ FC =开） （ ADM8660 ）
电源使用效率（ FC =开） （ ADM8660 ）
电源使用效率（ FC =开）
电压转换效率
关断电源电流，I
SHDN
关断输入电压，V
SHDN
关闭退出时间
*C1
和C2为低ESR （ <0.2
W)
电解电容器。
高ESR会降低性能。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
（V + = + 5V ， C1 ， C2 = 10楼* T
A
= T
民
给T
最大
除非
另有说明）。
单位
V
V
V
mA
mA
mA
W
W
W
千赫
千赫
mA
mA
%
%
%
测试条件/评论
R
L
= 1千瓦
反相模式下， LV =打开
反相模式下，LV = GND
加倍模式， LV = OUT
空载
FC =公开赛（ ADM660 ） ， GND （ ADM8660 ）
FC = V + ， LV =开
I
L
= 100毫安
I
L
= 100毫安，吨
A
= 25∞C
I
L
= 100毫安，吨
A
= -40 ° C至+ 85°C
FC =公开赛（ ADM660 ） ， GND （ ADM8660 ）
FC = V +
FC =公开赛（ ADM660 ） ， GND （ ADM8660 ）
FC = V +
R
L
= 1千瓦的V +连接到OUT
R
L
= 1千瓦的V +连接到输出，
T
A
= +25∞C
R
L
= 1千瓦的V +连接到输出，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
R
L
= 500
W
连接从OUT到GND
R
L
= 500
W
从OUT到GND相连，
T
A
= +25∞C
R
L
= 500
W
从OUT到GND相连，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
I
L
= 100 mA至GND
空载
ADM8660 ， SHDN = V +
SHDN高=禁用
SHDN低=启用
I
L
= 100毫安
民
典型值
最大
7.0
7.0
7.0
1
4.5
15
15
16.5
100
9
9
25
120
±
5
±
25
90
90
88.5
90
90
88.5
81.5
99
2.4
0.8
500
99.96
0.3
5
93
93
94
94
%
%
%
%
%
mA
V
V
ms
–2–
启示录
C
ADM660/ADM8660
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
输入电压（V +至GND ， GND为OUT） 。 。 。 。 。 。 。 。 +7.5 V
LV的输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （OUT - 0.3 V）至（ V + 0.3 V）的
FC和OSC输入电压
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （OUT - 0.3 V）或（ V + ，-6 V）至（ V + 0.3 V）的
OUT ，V +输出电流（连续） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120毫安
输出短路持续时间至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10秒
功耗，N - 8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 625毫瓦
（减免8.3毫瓦/ ° C以上+ 50 ° C）
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120 ° C / W
功耗， R- 8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
（减免6毫瓦/ ° C以上+ 50 ° C）
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 170 ° C / W
功耗， RU- 16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
（减免6毫瓦/ ° C以上+ 50 ° C）
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 158 ° C / W
工作温度范围
工业（A版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2000 V
*本
是一个额定值;该器件在这些或任何其他功能操作
上面那些操作部表示条件本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADM660 / ADM8660具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
启示录
C
–3–
QQ：2881677436 复制
