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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第977页 > ADM3311
a
特点
绿色空闲省电模式
全RS - 232合规
工作在3 V逻辑
低EMI
超低功耗CMOS ： 450操作
低功耗关断模式： 20 nA的
460千比特/ s的数据速率
0.1μF至1μF电荷泵电容
单+2.7 V至3.6 V电源
一个接收器活跃在关机
ESD >15千伏
引脚兼容于DS14C335
应用
笔记本电脑
笔记本电脑
打印机
外设
调制解调器
15千伏ESD保护， + 2.7V至+ 3.6V
串行口收发器与绿色空闲
ADM3311E*
功能框图
C1
0.1 F
C4
0.1 F
1
V+
C2+
C3+
28
C3
0.1 F
0.1 F
陶瓷的
V
CC
1 F
启用
输入
C2
0.1 F
GND
27
电压
三倍频/
C3–
26
3
V
CC
逆变器
+ 3V到9V
4
C2–
V–
25
2
5
6
C5
0.1 F
EN
C1+
T1
T2
T3
R1
R2
R3
R4
C1–
24
SD
23
22
21
20
19
18
关闭
输入
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
R1
IN
R2
IN
R3
IN
R4
IN
R5
IN
EIA/TIA-232
输入
**
EIA/TIA-232
输出
T1
IN
CMOS
输入*
T2
IN
T3
IN
R1
OUT
R2
OUT
CMOS
输出
R3
OUT
R4
OUT
R5
OUT
7
8
9
10
11
12
13
14
17
16
概述
该ADM3311E是三驱动器/接收器5的产品设计
完全满足EIA- 232标准，而跟单操作
+2.7 V至3.6 V电源。该器件具有一个板上，
电荷泵式DC- DC转换器，省去了双
电源供应器。这种直流 - 直流转换器包括一个电压三
后将其和高压变频器，其内部会产生积极的
负电源从输入+3 V电源。直流 -
到直流转换器工作在绿色空闲模式，由此
电荷泵振荡器被选通和关断，以保持输出
把电压
±
7.25V的不同的负载条件下。这
最大限度地减少了功率消耗，使这些产品
非常适合电池供电的便携式设备。
该ADM3311E是适合于在恶劣的电气操作
环境中，并且包含ESD保护达
±
在所有15千伏
I- O线。
该ADM3311E包含三个驱动器和五个接收器和
适用于对笔记本电脑/笔记本电脑的串口应用
计算机。
R5
15
ADM3311E
注意事项：
*
内部400K上拉电阻对每一个CMOS输入
**
内部5K下拉电阻对每个RS - 232输入
关断工具还提供了降低功耗
消耗3
W.
关断时，一个接收器仍
活性，从而允许监测的外围设备。这
特征允许装置被关闭，直到外围设备
开始通信。有源接收器可以提醒处理器
然后可以把ADM3311E了关机
模式。
该ADM3311E是采用CMOS工艺进行制造的
最低的功耗。它的特点是过高水平
电压保护和闭锁免疫力。
该ADM3311E封装在一个28引脚SSOP / TSSOP
封装。
*受专利号5606491 。
绿色的空闲是ADI公司的商标。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2000
ADM3311E–SPECIFICATIONS
参数
工作电压范围
V
CC
电源电流
民
+2.7
(V
CC
= + 2.7V至+ 3.6V ， C1-C5 = 0.1 F.所有规格牛逼
民
给T
最大
除非
另有说明）。
最大
+3.6
1
4.5
35
1
25
±
1
0.8
0.4
0.4
单位
V
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
A
V
V
V
V
V
V
k
V
V
mA
Kbps的
s
ns
ns
ns
V / μs的
kV
kV
kV
kV
V / M
测试条件/评论
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ，T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，
空载
V
CC
= 2.7 V至3.6 V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，
空载
R
L
= 3 kΩ到GND上的所有T
前前后后
T
IN
= GND
T
IN
,
EN ，
SD
T
IN
,
EN ，
SD ，V
CC
= 2.7 V
T
IN
,
EN ，
SD
I
OUT
= 1.6毫安
I
OUT
= –200
A
EN
= V
CC
， 0 V <
OUT
＆ LT ; V
CC
空载
空载
典型值
+3.3
0.45
0.45
关断电源电流
输入上拉电流
输入漏电流， SD ，
EN
输入逻辑阈值低，V
INL
输入逻辑阈值高，V
INH
CMOS输出电压低，V
OL
CMOS输出电压高，V
OH
CMOS输出漏电流
电荷泵输出电压，V +
电荷泵输出电压，V
EIA- 232输入电压范围
EIA- 232输入阈值低
EIA- 232输入阈值高
EIA- 232输入滞后
EIA- 232输入电阻
输出电压摆幅（V
CC
= 3.0 V)
输出电压摆幅（V
CC
= 2.7 V)
发射机输出电阻
RS - 232输出短路电流
最大数据速率
接收器传输延迟，T
PHL
, T
PLH
接收器输出使能时间，t
ER
接收器输出禁止时间，t
DR
发射器传输延迟，T
PHL
, T
PLH
过渡区转换率
ESD保护（ I- O引脚）
ESD保护（所有其他引脚）
EFT保护（ I- O引脚）
EMI抗扰性
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
0.02
10
2.0
V
CC
– 0.6
0.05
7.25
–7.25
–25
0.4
1.3
2.0
0.14
5
±
6.4
±
5.5
±
15
460
0.3
100
300
500
18
±
8
±
15
±
3.0
±
4
10
±
5
+25
2.4
7
3
±
5.0
300
±
60
所有发送器输出
装有3 kΩ接地
V
CC
= 0 V, V
OUT
=
±
2 V
R
L
= 3 kΩ至7千欧，C
L
= 50 pF至1000 pF的
C
L
= 150 pF的
6
R
L
= 3千欧，C
L
= 1000 pF的
R
L
= 3千欧，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
从+3 V测量到-3 V或-3 V至+3 V
IEC1000-4-2接触放电
IEC1000-4-2气隙放电
人体模型， MIL -STD- 883B
IEC1000-4-4
IEC1000-4-3
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+4 V
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
CC
-0.3 V）至+8 V
V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-8 V
输入电压
T
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
R
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
30 V
输出电压
T
OUT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
15 V
R
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至（V
CC
+0.3 V)
短路持续时间
T
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
功耗
RU- 28 TSSOP （减免12毫瓦/ ° C以上+ 70 ° C） 。 。 900毫瓦
RS - 28 SSOP （减免10毫瓦/ ° C以上+ 70 ° C） 。 。 。 。 900毫瓦
工作温度范围
工业（A版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
ESD额定值（ MIL -STD- 883B ） （I -O引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
15千伏
ESD额定值（ MIL -STD- 883B ） （除I- O） 。 。 。 。 。 。 。
±
3.0千伏
ESD额定值（ IEC1000-4-2接触） （I -O引脚） 。 。 。 。 。 。
±
8千伏
ESD额定值（ IEC1000-4-2气隙） （I -O引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
15千伏
EFT评级（ IEC1000-4-4 ） （I -O引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
4千伏
*这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何
上述其他条件本规范的操作部分显示
化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
时间周期会影响其可靠性。
–2–
REV 。一
ADM3311E
引脚功能描述
助记符
V
CC
V+
V–
GND
C1+, C1–
C2+, C2–
C3+, C3–
T
IN
T
OUT
R
IN
R
OUT
EN
SD
功能
电源输入+2.7 V至3.6 V.需要1个电容器
F
以上至GND 。
内部产生的正电源（ 7.25 V标称值）电容C4连接V之间
CC
和V + 。
内部产生负电源（ -7.25 V标称值）电容器C5连接V-和GND之间。
接地引脚。必须连接到0V。
外部电容器1之间连接这两个引脚。 A 0.1
F
电容建议，但较大的电容器
截至1
F
可被使用。
外部电容2之间连接这两个引脚。 A 0.1
F
电容建议，但较大的电容器
截至1
F
可被使用。
外部电容3之间连接这两个引脚。 A 0.1
F
电容建议，但较大的电容器
截至1
F
可被使用。
发射器（驱动器）输入。这些输入接收TTL / CMOS电平。内部400 kΩ上拉电阻到V
CC
被连接在每个输入端。
发送器（司机）输出， （通常
±
6.4 V).
接收器输入端。这些输入接受RS-232信号电平。内部5 kΩ的上拉下拉电阻到GND是
连接在每个这些输入。
接收器的输出。这些都是TTL / CMOS电平。
接收器使能。高水平的三州所有的接收器输出。
关断控制。高级别会禁用电荷泵，减少静态电流为20 nA的。
所有的发射器和接收器R1 - R4将被禁用。接收器R5仍然活跃在关断模式。
表一，表真相
引脚配置
SD
0
0
1
1
EN
0
1
0
1
状态
正常
手术
接收机
残
关闭
关闭
T
OUT
1–3
启用
启用
残
残
R
OUT
1–4
启用
残
残
残
R
OUT
5
启用
残
启用
残
V+
1
C2+
2
V
CC 3
C2–
4
EN
5
28
27
26
25
24
C3+
GND
C3–
V–
C1–
SD
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
R1
IN
R2
IN
R3
IN
R4
IN
C1+
6
T1
在7
T2
在8
T3
9
R1
10
R2
OUT 11
R3
OUT 12
R4
OUT 13
R5
OUT 14
ADM3311E
顶视图
（不按比例）
23
22
21
20
19
18
17
16
15
R5
IN
订购指南
模型
ADM3311EARS卷盘2.5
ADM3311EARU卷盘2.5
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
说明
28引脚小外形封装（ SSOP ）
28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
包
选项
RS-28
RU-28
REV 。一
–3–
ADM3311E - 典型性能特征
90
80
70
EN 55022 B类
传导准峰值分贝V
TX O / P - 伏
10
8
6
4
2
0
–2
–4
T
OUT
低
–6
–8
1M
频率 - 赫兹
10M
T
OUT
高
LEVEL - 分贝V
60
50
40
30
20
10
100k
0
500
1500
1000
负载电容 - pF的
2000
2500
图1. EMC传导辐射
图4.变送器输出高/低与负载
电容
70
0.57
0.56
0.55
EN 55022 B类
电磁辐射分贝伏/米（ EUT在3M）
I
CC
- 毫安
60
50
LEVEL - 分贝伏/米
40
0.54
0.53
0.52
0.51
0.50
2.7
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120
140
频率 - 兆赫
160
180
200
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
V
CC
- 伏特
3.3
3.4
3.5
3.6
图2. EMC辐射发射
图5.电源电流与电源电压
（空载）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–8
0
2
4
6
8
10
12
I
负载
- 毫安
14
16
18
20
V+
25
20
电压 - V
I
CC
- 毫安
15
10
5
V–
0
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
V
CC
- 伏特
3.3
3.4
3.5
3.6
图3.电荷泵V + ， V-与负载电流
图6.电源电流与电源电压
(R
L
= 3 k
)
–4–
REV 。一
ADM3311E
40
35
12
10
负载电流 - 毫安
30
压摆率 - V / S
8
25
20
15
10
6
4
2
5
0
0
150
470
1000
1500
负载电容 - pF的
2000
2500
0
0
50
100
150
200
振荡器频率 - 千赫
250
300
图7.摆率与负载电容
图10.负载电流与振荡器频率
40
35
30
泰克停止500KS / s的
[
429 Acqs
T
]
T
25
1
SD
I
CC
- 毫安
20
15
10
5
TX O / P高
2
T
CH1 5.00V
0
0
500
1000
1500
负载电容 - pF的
2000
2500
Ch2
5.00V
M 100秒
Ch1
0V
图8.电源电流与负载电容（R
L
= 3 k
)
图11.发射机输出（高）退出关闭
30
泰克停止500KS / s的
[
247 Acqs
T
]
25
T
SD
20
I
CC
- 毫安
1
15
2
T
TX O / P LOW
10
5
CH1 5.00V
Ch2
5.00V
M 100秒
Ch1
0V
0
0
500
1000
1500
负载电容 - pF的
2000
2500
图9.电源电流与负载电容（R
L
=
∞
)
图12.发射机输出（低）退出关闭
REV 。一
–5–
a
15千伏ESD保护， 2.7 V至3.6 V
串行口收发器与绿色空闲
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
*
有源接收器可以提醒处理器，其可再取
该ADM33xxE设备从关断模式。
该ADM3307E包含五个驱动器和三个接收器，是
用于移动电话的数据块状的电缆和便携式的COM
思想促进应用。
该ADM3311E包含三个驱动器和五个接收器，是
设计用于笔记本电脑/笔记本电脑的串行端口的应用程序。
该ADM3310E是ADM3311E的低电流版本。这
器件还允许两个接收器活跃在关断模式。
该ADM3312E包含三个驱动器和三个接收器，是
用于串行端口的应用程序，PDA，移动电话数据
肿块电缆和其他手持设备。
该ADM3315E是ADM3312E的低电流版本，
一个22千瓦的接收器输入阻抗，减少驱动器
DTE设备的要求。其主要应用于掌上电脑，
掌上电脑和手机的数据线疙瘩。
该ADM33xxE器件采用CMOS工艺制造
对于最小的功率消耗。所有部件具有很高的水平
过电压保护和闭锁免疫力。
所有ADM33xxE器件采用32引脚5毫米可用
5 mm
LFCSP封装和TSSOP封装（ ADM3307E ，
ADM3310E和ADM3311E采用28引脚TSSOP封装; ADM3312E
和ADM3315E采用24引脚TSSOP封装） 。该ADM3311E还
是在一个28引脚SSOP封装。
该ADM33xxE设备坚固耐用的RS - 232线路驱动器/
从2.7 V单电源供电，以3.6 V接收器
升压电压转换器加上电平移位发射器
和接收器可以同时经营有待开发的RS - 232电平
从单电源。特性包括低功耗，
绿色的空闲动作，高传输速率，和兼容性
对电磁兼容性的欧盟指令。这EM
兼容性指令包括防止辐射和
传导干扰，包括高水平的静电
放电。
所有的RS -232（和CMOS ，SD和
EN
对于ADM3307E ）输入和
输出保护，防止静电放电（最多
±
15千伏） 。
这可确保符合IEC 1000-4-2要求。
这些器件非常适用于运行在恶劣的电
环境或者RS - 232电缆经常被
插入/拔出。他们也躲不开高射频场
优势无需特殊的屏蔽措施。
排放量也控制在非常严格的限制。 CMOS
技术被用来保持功耗为绝对
最小，从而最大限度地延长电池寿命的便携式应用。
特点
绿色待机省电模式
采用2.7 V至3.6 V电源
工作在3 V逻辑
0.1μF至1μF电荷泵电容
低EMI
低功耗关断模式： 20 nA的
全RS - 232合规
460千比特/ s的数据速率
1接收机活跃在关断（ 2 ADM3310E ）
ESD >15千伏IEC 1000-4-2对RS - 232的I / O （ ADM33xxE ）
ESD >15千伏IEC 1000-4-2的CMOS和RS - 232 I / O的
(ADM3307E)
应用
移动电话手机/数据线
笔记本电脑和笔记本电脑
打印机
外设
调制解调器
掌上电脑/手持设备/掌上电脑
概述
该ADM33xxE线驱动器/接收器的产品被设计成
完全满足EIA-232标准，同时与单个操作
2.7 V至3.6 V电源供电。该器件具有一个板上
电荷泵式DC- DC转换器，省去了双
电源供应器。这种直流 - 直流转换器包括一个电压
三倍频和电压逆变器内部产生积极的
和负电源从输入3 V电源。直流 -
到直流转换器工作在绿色空闲模式，由此电荷
泵振荡器被选通和关断，以保持输出
电压
±7.25
不同的负载条件下， V 。这最大限度地减小
的功率消耗，使这些产品的理想
电池供电的便携式设备。
该ADM33xxE设备适合于恶劣elec-操作
Trical公司环境以及包含ESD保护达
±
15千伏
在他们的RS-232线（ ADM3310E ， ADM3311E ， ADM3312E ，
和ADM3315E ） 。该ADM3307E包含ESD保护
最多
±
15千伏上的所有I / O线（ CMOS ， RS - 232 ，
EN ，
和SD ） 。
关断的设施，降低了功耗，
66纳瓦也被提供。关断时，一个接收器仍
活性（两个接收机活性与ADM3310E ） ，由此允许
监测的外围设备。此功能允许器件
被关闭，直到外围设备开始通信。
*受保护
由美国专利号5606491 。
启摹
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
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ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
功能方框图
C1
C1
0.1 F
C2
0.1 F
0.1 F
0.1 F
陶瓷的
C4
0.1 F
电压C2 +
V
CC
三倍频/ C3 +
逆变器
3V至C1 +
C2
9V
C1
C3–
V
EN
SD
关闭
输入
T1
IN
T2
IN
CMOS
输入
1
T3
IN
T4
IN
T5
IN
R1
OUT
CMOS
输出
R2
OUT
R3
OUT
T1
T2
C4
0.1 F
V
CC
C3
0.1 F
V
C2+
C3+
GND
V
CC
C3
0.1 F
C5
0.1 F
C2
0.1 F
0.1 F
陶瓷的
启用
输入
T1
IN
CMOS
输入
1
T2
IN
T3
IN
R1
OUT
R2
OUT
CMOS
输出
R3
OUT
R4
OUT
R5
OUT
10 F
钽
启用
输入
10 F
钽
V–
GND
电压
V
CC
三倍频/
C3–
逆变器
V–
C2
3V至
9V
C1–
EN
C5
0.1 F
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
T4
OUT
T5
OUT
EIA/TIA-232
输出
C1+
T1
T2
SD
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
R1
R2
R3
R4
R5
关闭
输入
EIA/TIA-232
输出
T3
T3
T4
R1
IN
R2
IN
R3
IN
R4
IN
R5
IN
EIA/TIA-232
输入
2
T5
R1
R2
R3
R1
OUT
R2
OUT
R3
OUT
EIA/TIA-232
输入
2
ADM3307E
笔记
1
内部400K上拉电阻对每一个CMOS输入。
2
内部5K下拉电阻对每个RS - 232输入。
ADM3310E/
ADM3311E
笔记
1
内部400K上拉电阻对每一个CMOS输入。
2
内部5K下拉电阻对每个RS - 232输入。
C1
0.1 F
C4
0.1 F
V
CC
10 F
钽
0.1 F
陶瓷的
启用
输入
T1
IN
CMOS
输入
1
T2
IN
T3
IN
R1
OUT
CMOS
输出
R2
OUT
R3
OUT
C2
0.1 F
V
C2+
C3+
GND
C3
0.1 F
C5
0.1 F
EN
电压
V
CC
三倍频/
C3–
逆变器
V–
3V至
C2
9V
C1–
SD
关闭
输入
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
EIA/TIA-232
输出
C1+
T1
T2
T3
R1
R2
R3
R1
IN
R2
IN
R3
IN
EIA/TIA-232
输入
2
ADM3312E/
ADM3315E
笔记
1
内部400K上拉电阻对每一个CMOS输入。
2
内部5K （ 22K FOR ADM3315E ）下拉电阻
对每一个RS - 232输入。
–2–
启摹
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
特定网络阳离子
(V
参数
工作电压范围
V
CC
电源电流
ADM3307E
ADM3311E ， ADM3312E
CC
= 2.7 V至3.6 V ， C1-C5 = 0.1 F.所有规格牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
民
2.7
典型值
3.3
0.75
0.75
0.45
0.45
最大
3.6
1.5
4.5
1
4.5
0.85
35
1
25
±
1
0.8
0.4
0.4
V
CC
– 0.6
0.04
0.05
+7.25
–7.25
+6.5
–6.5
–25
0.4
+25
1.3
2.0
0.14
5
22
2.4
±
1
±
5
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
kW
kW
T
IN
= GND
T
IN
,
EN ，
SHDN
T
IN
,
EN ，
SHDN ; V
CC
= 2.7 V
T
IN
,
EN ，
SHDN
I
OUT
= 1.6毫安
I
OUT
= –200
mA
EN
= V
CC
， 0 V <
OUT
＆ LT ; V
CC
EN
= V
CC
， 0 V <
OUT
＆ LT ; V
CC
空载
空载
空载
空载
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ;空载
V
CC
= 2.7 V至3.6 V ;空载
无负载; V
CC
= 3.0 V至3.6 V ;牛逼
A
= 0∞C
至85℃
无负载; V
CC
= 2.7 V至3.6 V ;牛逼
A
= – 40∞C
至+ 85°C
V
CC
= 2.7 V至3.6 V ;空载
R
L
= 3千瓦至GND上的所有T
前前后后
测试条件/评论
ADM3310E ， ADM3315E
ADM3310E ， ADM3311E ，
ADM3312E ， ADM3315E
关断电源电流
输入上拉电流
输入漏电流， SD ，
EN
输入逻辑阈值低，V
INL
输入逻辑阈值高，V
INH
CMOS输出电压低，V
OL
CMOS输出电压高，V
OH
CMOS输出漏电流
ADM3307E
ADM3310E ， ADM3311E
ADM3312E ， ADM3315E
电荷泵输出电压，V +
ADM3307E ， ADM3311E ， ADM3312E
电荷泵输出电压，V
ADM3307E ， ADM3311E ， ADM3312E
电荷泵输出电压，V +
ADM3310E ， ADM3315E
电荷泵输出电压，V
ADM3310E ， ADM3315E
EIA- 232输入电压范围
EIA- 232输入阈值低
EIA- 232输入阈值高
EIA- 232输入滞后
EIA- 232输入电阻
ADM3307E ， ADM3310E ， ADM3311E ，
ADM3312E
ADM3315E
2.0
0.35
0.02
10
0.02
3
14
7
31
启摹
–3–
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
特定网络阳离子
（续）
参数
输出电压摆幅
ADM3310E ， ADM3315E
ADM3307E ， ADM3311E ， ADM3312
±
5.0
民
典型值
±
5.0
±
6.4
±
5.5
最大
±
5.5
单位
V
V
V
W
mA
Kbps的
Kbps的
Kbps的
ms
ms
ns
ns
ns
V / ms的
kV
kV
kV
测试条件/评论
满载着所有发送器输出
3千瓦至地面
(V
CC
= 3.0 V)
(V
CC
= 2.7 V)
满载着所有发送器输出
3千瓦至地面
V
CC
= 0 V, V
OUT
=
±
2 V
发射机输出电阻
RS-232
输出短路电流
最大数据速率
ADM3307E
300
±
15
720
920
460
0.3
0.17
100
300
500
18
±
15
±
15
±
8
±
60
250
460
ADM3310E ， ADM3311E ， ADM3312E
ADM3315E
接收器传输延迟，T
PHL
, T
PLH
接收器输出使能时间，t
ER
接收器输出禁止时间，t
DR
发射器传输延迟，T
PHL
, T
PLH
过渡区转换率
ESD保护（ I / O引脚）
250
R
L
= 3千瓦7千瓦，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
V
CC
= 2.7 V
R
L
= 3千瓦7千瓦，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
V
CC
= 3.0 V
R
L
= 3千瓦7千瓦，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
V
CC
= 3.0 V
C
L
= 150 pF的
C
L
= 150 pF的; ADM3307E只有
R
L
= 3千瓦，C
L
= 1000 pF的
R
L
= 3千瓦，C
L
= 50 pF至1000 pF的
1
人体模型
IEC 1000-4-2气隙放电
IEC 1000-4-2接触放电
2
1
3
笔记
1
测量+3 V至-3 V或-3 V至3 V.
2
包括CMOS I / O ，SD和
EN
为ADM3307E 。
改变特定网络阳离子恕不另行通知。
绝对最大额定值*
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+4 V
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
CC
- 0.3 V ）至+9 V
V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-9 V
输入电压
T
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
R
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
30 V
输出电压
T
OUT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
15 V
R
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至（V
CC
+ 0.3 V)
短路持续时间
T
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
热阻抗，
q
JA
CP- 32 LFCSP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32.5 ° C / W
RU- 28 TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68.0 ° C / W
RU- 24 TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68.0 ° C / W
RS - 28 SSOP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .76.0 ° C / W
工作温度范围
工业（A版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
ESD额定值（ IEC 1000-4-2空气） （ RS - 232 I / O的） 。 。 。 。 。 。 。
±
15千伏
ESD额定值（ IEC 1000-4-2接触） （ RS - 232 I / O的） 。 。 。 。
±
8千伏
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
–4–
启摹
ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
产品选择指南
通用
ADM3307E
供应
电压
2.7 V至3.6 V
Tx
5
Rx
3
接收号
活跃
在SD
1
速度
1 Mbps的
15千伏
ESD
I
CC
最大
I
CC
关闭
马克斯*
1
mA
附加功能
±
15 kV ESD保护
在RS-232和CMOS
CMOS I / O的含
SD和
EN
销。
2 RXS活跃在关断。
绿色空闲模式
6级五，低功耗
ADM3311E.
RS-232
1.5毫安
CMOS
EN
和SD
RS-232
ADM3310E
2.7 V至3.6 V
3
5
2
460 kbps的
0.85毫安1
mA
ADM3311E
ADM3312E
ADM3315E
2.7 V至3.6 V
2.7 V至3.6 V
2.7 V至3.6 V
3
3
3
5
3
3
1
1
1
460 kbps的RS- 232
460 kbps的RS- 232
460 kbps的RS- 232
1毫安
1
mA
1毫安
1
mA
0.85毫安1
mA
22千瓦的Rx I / P
性。绿色空闲
模电平6 V.低功耗
ADM3312E.
*I
CC
关机是20 nA的典型。
订购指南
模型
ADM3307EARU
ADM3307EARU-REEL
ADM3307EARU-REEL7
ADM3307EACP
ADM3307EACP-REEL
ADM3307EACP-REEL7
ADM3310EARU
ADM3310EARU-REEL
ADM3310EARU-REEL7
ADM3310EACP
ADM3310EACP-REEL
ADM3310EACP-REEL7
ADM3311EARS
ADM3311EARS-REEL
ADM3311EARS-REEL7
ADM3311EARZ*
ADM3311EARZ-REEL*
ADM3311EARZ-REEL7*
ADM3311EARU
ADM3311EARU-REEL
ADM3311EARU-REEL7
ADM3311EACP
ADM3312EARU
ADM3312EARU-REEL
ADM3312EARU-REEL7
ADM3312EACP
ADM3312EACP-REEL
ADM3312EACP-REEL7
ADM3315EARU
ADM3315EARU-REEL
ADM3315EARU-REEL7
ADM3315EARUZ*
ADM3315EARUZ-REEL*
ADM3315EARUZ-REEL7*
ADM3315EACP
ADM3315EACP-REEL
ADM3315EACP-REEL7
*
Z =无铅一部分。
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
28引脚小外形封装（ SSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
28引脚小外形封装（ SSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
24引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
24引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
24引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
32引脚5毫米
5毫米引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
磁带和卷轴
磁带和卷轴
封装选项
RU-28
RU-28
RU-28
CP-32-2
RU-28
RU-28
RU-28
RU-28
RU-28
CP-32-2
CP-32-2
CP-32-2
RS-28
RS-28
RS-28
RS-28
RS-28
RS-28
RU-28
RU-28
RU-28
CP-32-2
RU-24
RU-24
RU-24
CP-32-2
CP-32-2
CP-32-2
RU-24
RU-24
RU-24
RU-24
RU-24
RU-24
CP-32-2
CP-32-2
CP-32-2
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADM33xxE配备专用ESD保护电路，永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
启摹
–5–
a
特点
绿色空闲省电模式
全RS - 232合规
工作在3 V逻辑
低EMI
超低功耗CMOS ： 450操作
低功耗关断模式： 20 nA的
460千比特/ s的数据速率
0.1μF至1μF电荷泵电容
单+2.7 V至3.6 V电源
一个接收器活跃在关机
ESD >15千伏
引脚兼容于DS14C335
应用
笔记本电脑
笔记本电脑
打印机
外设
调制解调器
15千伏ESD保护， + 2.7V至+ 3.6V
串行口收发器与绿色空闲
ADM3311E*
功能框图
C1
0.1 F
C4
0.1 F
1
V+
C2+
C3+
28
C3
0.1 F
0.1 F
陶瓷的
V
CC
1 F
启用
输入
C2
0.1 F
GND
27
电压
三倍频/
C3–
26
3
V
CC
逆变器
+ 3V到9V
4
C2–
V–
25
2
5
6
C5
0.1 F
EN
C1+
T1
T2
T3
R1
R2
R3
R4
C1–
24
SD
23
22
21
20
19
18
关闭
输入
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
R1
IN
R2
IN
R3
IN
R4
IN
R5
IN
EIA/TIA-232
输入
**
EIA/TIA-232
输出
T1
IN
CMOS
输入*
T2
IN
T3
IN
R1
OUT
R2
OUT
CMOS
输出
R3
OUT
R4
OUT
R5
OUT
7
8
9
10
11
12
13
14
17
16
概述
该ADM3311E是三驱动器/接收器5的产品设计
完全满足EIA- 232标准，而跟单操作
+2.7 V至3.6 V电源。该器件具有一个板上，
电荷泵式DC- DC转换器，省去了双
电源供应器。这种直流 - 直流转换器包括一个电压三
后将其和高压变频器，其内部会产生积极的
负电源从输入+3 V电源。直流 -
到直流转换器工作在绿色空闲模式，由此
电荷泵振荡器被选通和关断，以保持输出
把电压
±
7.25V的不同的负载条件下。这
最大限度地减少了功率消耗，使这些产品
非常适合电池供电的便携式设备。
该ADM3311E是适合于在恶劣的电气操作
环境中，并且包含ESD保护达
±
在所有15千伏
I- O线。
该ADM3311E包含三个驱动器和五个接收器和
适用于对笔记本电脑/笔记本电脑的串口应用
计算机。
R5
15
ADM3311E
注意事项：
*
内部400K上拉电阻对每一个CMOS输入
**
内部5K下拉电阻对每个RS - 232输入
关断工具还提供了降低功耗
消耗3
W.
关断时，一个接收器仍
活性，从而允许监测的外围设备。这
特征允许装置被关闭，直到外围设备
开始通信。有源接收器可以提醒处理器
然后可以把ADM3311E了关机
模式。
该ADM3311E是采用CMOS工艺进行制造的
最低的功耗。它的特点是过高水平
电压保护和闭锁免疫力。
该ADM3311E封装在一个28引脚SSOP / TSSOP
封装。
*受专利号5606491 。
绿色的空闲是ADI公司的商标。
REV 。一
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ADM3311E–SPECIFICATIONS
参数
工作电压范围
V
CC
电源电流
民
+2.7
(V
CC
= + 2.7V至+ 3.6V ， C1-C5 = 0.1 F.所有规格牛逼
民
给T
最大
除非
另有说明）。
最大
+3.6
1
4.5
35
1
25
±
1
0.8
0.4
0.4
单位
V
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
A
V
V
V
V
V
V
k
V
V
mA
Kbps的
s
ns
ns
ns
V / μs的
kV
kV
kV
kV
V / M
测试条件/评论
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ，T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，
空载
V
CC
= 2.7 V至3.6 V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，
空载
R
L
= 3 kΩ到GND上的所有T
前前后后
T
IN
= GND
T
IN
,
EN ，
SD
T
IN
,
EN ，
SD ，V
CC
= 2.7 V
T
IN
,
EN ，
SD
I
OUT
= 1.6毫安
I
OUT
= –200
A
EN
= V
CC
， 0 V <
OUT
＆ LT ; V
CC
空载
空载
典型值
+3.3
0.45
0.45
关断电源电流
输入上拉电流
输入漏电流， SD ，
EN
输入逻辑阈值低，V
INL
输入逻辑阈值高，V
INH
CMOS输出电压低，V
OL
CMOS输出电压高，V
OH
CMOS输出漏电流
电荷泵输出电压，V +
电荷泵输出电压，V
EIA- 232输入电压范围
EIA- 232输入阈值低
EIA- 232输入阈值高
EIA- 232输入滞后
EIA- 232输入电阻
输出电压摆幅（V
CC
= 3.0 V)
输出电压摆幅（V
CC
= 2.7 V)
发射机输出电阻
RS - 232输出短路电流
最大数据速率
接收器传输延迟，T
PHL
, T
PLH
接收器输出使能时间，t
ER
接收器输出禁止时间，t
DR
发射器传输延迟，T
PHL
, T
PLH
过渡区转换率
ESD保护（ I- O引脚）
ESD保护（所有其他引脚）
EFT保护（ I- O引脚）
EMI抗扰性
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
0.02
10
2.0
V
CC
– 0.6
0.05
7.25
–7.25
–25
0.4
1.3
2.0
0.14
5
±
6.4
±
5.5
±
15
460
0.3
100
300
500
18
±
8
±
15
±
3.0
±
4
10
±
5
+25
2.4
7
3
±
5.0
300
±
60
所有发送器输出
装有3 kΩ接地
V
CC
= 0 V, V
OUT
=
±
2 V
R
L
= 3 kΩ至7千欧，C
L
= 50 pF至1000 pF的
C
L
= 150 pF的
6
R
L
= 3千欧，C
L
= 1000 pF的
R
L
= 3千欧，C
L
= 50 pF至1000 pF的，
从+3 V测量到-3 V或-3 V至+3 V
IEC1000-4-2接触放电
IEC1000-4-2气隙放电
人体模型， MIL -STD- 883B
IEC1000-4-4
IEC1000-4-3
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+4 V
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
CC
-0.3 V）至+8 V
V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-8 V
输入电压
T
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
R
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
30 V
输出电压
T
OUT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
15 V
R
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至（V
CC
+0.3 V)
短路持续时间
T
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
功耗
RU- 28 TSSOP （减免12毫瓦/ ° C以上+ 70 ° C） 。 。 900毫瓦
RS - 28 SSOP （减免10毫瓦/ ° C以上+ 70 ° C） 。 。 。 。 900毫瓦
工作温度范围
工业（A版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
ESD额定值（ MIL -STD- 883B ） （I -O引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
15千伏
ESD额定值（ MIL -STD- 883B ） （除I- O） 。 。 。 。 。 。 。
±
3.0千伏
ESD额定值（ IEC1000-4-2接触） （I -O引脚） 。 。 。 。 。 。
±
8千伏
ESD额定值（ IEC1000-4-2气隙） （I -O引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
15千伏
EFT评级（ IEC1000-4-4 ） （I -O引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
4千伏
*这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何
上述其他条件本规范的操作部分显示
化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
时间周期会影响其可靠性。
–2–
REV 。一
ADM3311E
引脚功能描述
助记符
V
CC
V+
V–
GND
C1+, C1–
C2+, C2–
C3+, C3–
T
IN
T
OUT
R
IN
R
OUT
EN
SD
功能
电源输入+2.7 V至3.6 V.需要1个电容器
F
以上至GND 。
内部产生的正电源（ 7.25 V标称值）电容C4连接V之间
CC
和V + 。
内部产生负电源（ -7.25 V标称值）电容器C5连接V-和GND之间。
接地引脚。必须连接到0V。
外部电容器1之间连接这两个引脚。 A 0.1
F
电容建议，但较大的电容器
截至1
F
可被使用。
外部电容2之间连接这两个引脚。 A 0.1
F
电容建议，但较大的电容器
截至1
F
可被使用。
外部电容3之间连接这两个引脚。 A 0.1
F
电容建议，但较大的电容器
截至1
F
可被使用。
发射器（驱动器）输入。这些输入接收TTL / CMOS电平。内部400 kΩ上拉电阻到V
CC
被连接在每个输入端。
发送器（司机）输出， （通常
±
6.4 V).
接收器输入端。这些输入接受RS-232信号电平。内部5 kΩ的上拉下拉电阻到GND是
连接在每个这些输入。
接收器的输出。这些都是TTL / CMOS电平。
接收器使能。高水平的三州所有的接收器输出。
关断控制。高级别会禁用电荷泵，减少静态电流为20 nA的。
所有的发射器和接收器R1 - R4将被禁用。接收器R5仍然活跃在关断模式。
表一，表真相
引脚配置
SD
0
0
1
1
EN
0
1
0
1
状态
正常
手术
接收机
残
关闭
关闭
T
OUT
1–3
启用
启用
残
残
R
OUT
1–4
启用
残
残
残
R
OUT
5
启用
残
启用
残
V+
1
C2+
2
V
CC 3
C2–
4
EN
5
28
27
26
25
24
C3+
GND
C3–
V–
C1–
SD
T1
OUT
T2
OUT
T3
OUT
R1
IN
R2
IN
R3
IN
R4
IN
C1+
6
T1
在7
T2
在8
T3
9
R1
10
R2
OUT 11
R3
OUT 12
R4
OUT 13
R5
OUT 14
ADM3311E
顶视图
（不按比例）
23
22
21
20
19
18
17
16
15
R5
IN
订购指南
模型
ADM3311EARS卷盘2.5
ADM3311EARU卷盘2.5
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
说明
28引脚小外形封装（ SSOP ）
28引脚超薄紧缩小型封装（TSSOP ）
包
选项
RS-28
RU-28
REV 。一
–3–
ADM3311E - 典型性能特征
90
80
70
EN 55022 B类
传导准峰值分贝V
TX O / P - 伏
10
8
6
4
2
0
–2
–4
T
OUT
低
–6
–8
1M
频率 - 赫兹
10M
T
OUT
高
LEVEL - 分贝V
60
50
40
30
20
10
100k
0
500
1500
1000
负载电容 - pF的
2000
2500
图1. EMC传导辐射
图4.变送器输出高/低与负载
电容
70
0.57
0.56
0.55
EN 55022 B类
电磁辐射分贝伏/米（ EUT在3M）
I
CC
- 毫安
60
50
LEVEL - 分贝伏/米
40
0.54
0.53
0.52
0.51
0.50
2.7
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120
140
频率 - 兆赫
160
180
200
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
V
CC
- 伏特
3.3
3.4
3.5
3.6
图2. EMC辐射发射
图5.电源电流与电源电压
（空载）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–8
0
2
4
6
8
10
12
I
负载
- 毫安
14
16
18
20
V+
25
20
电压 - V
I
CC
- 毫安
15
10
5
V–
0
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
V
CC
- 伏特
3.3
3.4
3.5
3.6
图3.电荷泵V + ， V-与负载电流
图6.电源电流与电源电压
(R
L
= 3 k
)
–4–
REV 。一
ADM3311E
40
35
12
10
负载电流 - 毫安
30
压摆率 - V / S
8
25
20
15
10
6
4
2
5
0
0
150
470
1000
1500
负载电容 - pF的
2000
2500
0
0
50
100
150
200
振荡器频率 - 千赫
250
300
图7.摆率与负载电容
图10.负载电流与振荡器频率
40
35
30
泰克停止500KS / s的
[
429 Acqs
T
]
T
25
1
SD
I
CC
- 毫安
20
15
10
5
TX O / P高
2
T
CH1 5.00V
0
0
500
1000
1500
负载电容 - pF的
2000
2500
Ch2
5.00V
M 100秒
Ch1
0V
图8.电源电流与负载电容（R
L
= 3 k
)
图11.发射机输出（高）退出关闭
30
泰克停止500KS / s的
[
247 Acqs
T
]
25
T
SD
20
I
CC
- 毫安
1
15
2
T
TX O / P LOW
10
5
CH1 5.00V
Ch2
5.00V
M 100秒
Ch1
0V
0
0
500
1000
1500
负载电容 - pF的
2000
2500
图9.电源电流与负载电容（R
L
=
∞
)
图12.发射机输出（低）退出关闭
REV 。一
–5–
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