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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1009页 > ADM202EARW
a
EMI / EMC标准， 15千伏ESD保护，
RS - 232线路驱动器/接收器
ADM202E/ADM1181A
功能方框图
+ 5V输入
0.1F
10V
0.1F
10V
+ 5V至+ 10V V
CC 16
电压
3
C1–
V+
2
倍
1
C1+
4
C2+
特点
符合89/336 / EEC电磁兼容指令
ESD保护IEC1000-4-2 （ 801.2 ）
8千伏：接触放电
15千伏：气隙放电
15千伏：人体模型
EFT快速瞬变脉冲群抗扰度（ IEC1000-4-4 ）
低EMI辐射（ EN55022 ）
230千比特/ s的数据速率保证
TSSOP封装选项
升级MAX202E ， 232E ， LT1181A
应用
通用的RS - 232数据链
便携式仪器
掌上电脑
C3
0.1F
6.3V
C4
0.1F
10V
T1
OUT
C5
0.1F
+ 10V至-10V V-
6
电压
5
C2–
逆变器
T1
T2
14
T1
IN
CMOS
输入
T2
IN
R1
OUT
R2
OUT
11
10
7
EIA/TIA-232
输出
T2
OUT
R1
IN
R2
IN
EIA/TIA-232
输入
*
12
R1
13
CMOS
输出
9
R2
8
GND
15
ADM202E
概述
该ADM202E和ADM1181A是稳健，高速， 2-
从一个单一的操作信道的RS232 / V.28接口的设备
+ 5V电源。这两种产品都适合于操作
恶劣的电气环境，并符合欧盟二
rective对EMC （ 89/336 / EEC ） 。的electromag-无论是水平
NETIC发射和抗扰度均符合。电磁抗扰度
包括在过量的ESD保护
±
15千伏的所有I / O线，
快速瞬变脉冲保护（ 1000-4-4 ），以及辐射映象中
社区（ 1000-4-3 ） 。 EM排放包括辐射和
所要求的信息技术进行发射
设备EN55022 ， CISPR22 。
该ADM202E和ADM1181A符合EIA- 232E和
CCITT V.28规范，并在数据速率高达操作
230 kbps的。
四个外部0.1
F
电荷泵电容被用于
倍压器/逆变器允许操作从+5 V单
供应量。
该ADM202E提供了一个强大的引脚兼容升级
现有ADM202 ， ADM232L或MAX202E / MAX232E sock-
ETS 。它采用16引脚DIP ，宽与窄SO和也
节省空间的TSSOP封装。 TSSOP封装提供了一个
44％的节省空间的SOIC以上。
该ADM1181A提供了一个强大的引脚兼容升级
该LTC1181A ，这是16引脚DIP和16引脚
SO封装。
记
*
内部5kΩ的下拉电阻对每个RS - 232输入
+ 5V输入
0.1F
10V
0.1F
10V
+ 5V至+ 10V V
CC 16
电压
3
C1–
V+
2
倍
1
C1+
4
C2+
+ 10V至-10V V-
6
电压
5
C2–
逆变器
T1
T2
14
C4
0.1F
10V
T1
OUT
C3
0.1F
10V
C5
0.1F
10V
T1
IN
CMOS
输入
T2
IN
R1
OUT
R2
OUT
11
10
7
EIA/TIA-232
输出
T2
OUT
R1
IN
R2
IN
EIA/TIA-232
输入
*
12
R1
13
CMOS
输出
9
R2
8
GND
15
ADM1181A
记
*
内部5kΩ的下拉电阻对每个RS - 232输入
订购指南
模型
ADM202EAN
ADM202EARW
ADM202EARN
ADM202EARU
ADM1181AAN
ADM1181AARW
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
封装选项
N-16
R-16W
R-16N
RU-16
N-16
R-16W
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
ADI公司， 1996年
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
ADM202E/ADM1181A–SPECIFICATIONS
参数
DC特性
工作电压范围
V
CC
电源电流
逻辑
输入逻辑阈值低，V
INL
输入逻辑阈值高，V
INH
CMOS输出电压低，V
OL
CMOS输出电压高，V
OH
输入漏电流
RS - 232接收器
EIA- 232输入电压范围
EIA- 232输入阈值低
EIA- 232输入阈值高
EIA- 232输入滞后
EIA- 232输入电阻
RS - 232发射器
输出电压摆幅
发射机输出电阻
RS - 232输出短路电流
时序特性
最大数据速率
接收器传输延迟
的TPH1
TPLH
发射器传输延迟
过渡区转换率
民
4.5
典型值
5.0
2.0
15
最大
5.5
3.0
18
0.8
2.4
0.4
3.5
0.01
–30
0.4
±
10
+30
0.8
1.1
0.7
5
±
9.0
±
15
±
60
2.4
7
(V
CC
= + 5.0V的10％ ， C 1 -C 4 = 0.1 F.所有规格
T
民
给T
最大
除非另有说明）。
测试条件/评论
单位
伏
mA
mA
V
V
V
V
A
V
V
V
V
k
伏
mA
Kbps的
空载
R
L
= 3 kΩ到GND
T
IN
T
IN
I
OUT
= 3.2毫安
I
OUT
= -1毫安
T
IN
= GND到V
CC
3
±
5.0
300
所有发送器输出
装有3 kΩ接地
V
CC
= 0 V, V
OUT
=
±
2 V
230
0.3
0.6
1.2
10
1
1
1.5
30
R
L
= 3 kΩ至7千欧，C
L
= 50 pF至2500 pF的
3
s
s
s
V / μs的
R
L
= 3千欧，C
L
= 2500 pF的
R
L
= 3千欧，C
L
= 2500 pF的
从+3 V测量到-3 V或
-3 V至+3 V
人体模型
IEC1000-4-2气隙放电
IEC1000-4-2接触放电
IEC1000-4-4
IEC1000-4-3
EM IMMUNITTY
ESD保护（ I / O引脚）
EFT保护（ I / O引脚）
EMI抗扰性
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
±
15
±
15
±
8千伏
±
2
10
kV
kV
kV
kV
V / M
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V
CC
- 0.3 V ）至14 V
V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-14 V
输入电压
T
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至（V + ， + 0.3V ）
R
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
30 V
输出电压
T
OUT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
15 V
R
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至（V
CC
+ 0.3 V)
短路持续时间
T
OUT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
功耗
功耗N-16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
（减免6毫瓦/ ° C以上+ 50 ° C）
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117 ° C / W
功率耗散R- 16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
（减免6毫瓦/ ° C以上+ 50 ° C）
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 158 ° C / W
功耗RU- 16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
（减免6毫瓦/ ° C以上+ 50 ° C）
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 158 ° C / W
工作温度范围
工业（A版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
ESD额定值（ MIL -STD- 883B ） （ I / O引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
15千伏
ESD额定值MIL- STD- 883B （除I / O） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
3千伏
ESD额定值（ IEC1000-4-2气隙） （ I / O引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
15千伏
ESD额定值（ IEC1000-4-2接触） （ I / O引脚） 。 。 。 。 。 。 。
±
8千伏
EFT评级（ IEC1000-4-4 ） （ I / O引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
2千伏
*这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何
上述其他条件本规范的操作部分显示
化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
时间周期会影响其可靠性。
–2–
第0版
ADM202E/ADM1181A
引脚功能说明
引脚连接
C1+ 1
16 V
CC
15 GND
助记符
V
CC
V+
V–
GND
C1+, C1–
功能
电源输入：+ 5V
±
10%.
内部产生的正电源
（ +9 V标称值） 。
内部产生负电源
（ -9 V标称值） 。
接地引脚。必须连接到0V。
外部电容器1之间的连接
这些引脚。 0.1
F
电容建议
但更大的电容高达47
F
可被使用。
外部电容2之间连接
这些引脚。 0.1
F
电容建议
但更大的电容高达47
F
可被使用。
发射器（驱动器）输入。这些输入AC-
CEPT TTL / CMOS电平。
发射器（驱动器）输出。这些都是RS-
232信号电平（典型地
±
9 V).
接收器输入端。这些输入接受RS- 232
信号电平。一个内部5 kΩ的下拉电阻
器到GND连接在每个输入。
接收器的输出。这是CMOS输出
逻辑电平。
V+ 2
C1– 3
C2+ 4
C2– 5
ADM202E
14
ADM1181A
13
T1
OUT
R1
IN
TOP VIEW 12 R1
OUT
（不按比例）
V– 6
11 T1
IN
10 T2
IN
9 R2
OUT
T2
OUT
7
R2
IN
8
NC =无连接
C2+, C2–
T
IN
T
OUT
R
IN
R
OUT
+ 5V输入
0.1F
10V
0.1F
10V
+ 5V至+ 10V V
CC 16
电压
3
C1–
V+
2
倍
1
C1+
4
C2+
+ 5V输入
0.1F
10V
0.1F
10V
+ 5V至+ 10V V
CC 16
电压
3
C1–
V+
2
倍
1
C1+
4
C2+
C3
0.1F
6.3V
C4
0.1F
10V
T1
OUT
C5
0.1F
+ 10V至-10V V-
6
电压
5
C2–
逆变器
T1
T2
14
+ 10V至-10V V-
6
电压
5
C2–
逆变器
T1
T2
14
C4
0.1F
10V
T1
OUT
C3
0.1F
10V
C5
0.1F
10V
T1
IN
CMOS
输入
T2
IN
R1
OUT
R2
OUT
11
T1
IN
EIA/TIA-232
输出
11
10
7
T2
OUT
R1
IN
R2
IN
EIA/TIA-232
输入
*
CMOS
输入
T2
IN
R1
OUT
R2
OUT
10
7
EIA/TIA-232
输出
T2
OUT
R1
IN
R2
IN
EIA/TIA-232
输入
*
12
R1
13
12
R1
13
CMOS
输出
CMOS
输出
9
R2
8
9
R2
8
GND
15
ADM202E
GND
15
ADM1181A
记
*
内部5kΩ的下拉电阻对每个RS - 232输入
记
*
内部5kΩ的下拉电阻对每个RS - 232输入
ADM202E典型工作电路
ADM1181A典型工作电路
第0版
–3–
ADM202E/ADM1181A
概述
该ADM202E / ADM1181E是坚固耐用的RS - 232线路驱动器/
接收器。再加电平转换的升压电压转换器
发射器和接收器允许开发RS- 232电平
而从+5 V单电源供电。
特性包括低功耗，高传输
率和兼容性上electromag-欧盟指令
NETIC兼容性。电磁兼容性包括保护
针对辐射和传导干扰，包括高
静电放电的电平。
所有输入和输出含有防静电
排放达
±
15千伏及电快速瞬变达
±
2千伏。这样可以确保符合IE1000-4-2和IEC1000-4-4
要求。
该器件非常适合于运行在恶劣的电
环境或者RS - 232电缆经常被
插入/拔出。他们也躲不开高射频场
优势无需特殊的屏蔽措施。
CMOS技术被用来保持功率耗散到一个
绝对最低允许最大电池寿命的便携式
应用程序。
该ADM202E / ADM1181A是一个修改，增强
并改善了AD230 ， AD241系列及其衍生
表3-6 。它基本上是插件兼容和不具有马
terially不同的应用。
电路描述
和V
CC
，同时它连接在V +和GND上
ADM1181A 。可以接受的是使用任一构造与
无论是ADM202E和ADM1181A 。如果需要的话，更大的电容
器（最多47个
F)
可以用于电容器C1C4 。这个设施
大老直接代换与老一代的电荷泵
RS - 232收发器。
S1
V
CC
C1
S2
GND
S4
V
CC
C3
S3
V+ = 2V
CC
国内
振荡器
注： C3连接在V +和GND ON THE ADM1181A
图1.电荷泵电压倍增
S1
V+
从
电压
倍
GND
C2
S2
S4
V– = –(V+)
C4
S3
GND
国内
振荡器
图2.电荷泵电压型逆变器
发射器（驱动程序）第
内部电路包括四个主要部分。这些都是：
1.电荷泵电压转换器
2. 5 V逻辑EIA- 232发射器
3. EIA- 232至5 V逻辑接收器。
在所有I / O线4.瞬态保护电路
电荷泵DC - DC电压转换器
该驱动程序转换成5 V输入逻辑电平转换成RS -232输出
的水平。随着V
CC
= + 5V和驱动一个RS-232负载时，输出
电压摆幅通常是
±
9 V.
接收器部分
电荷泵电压转换器由一个200千赫兹的骨质
cillator和开关矩阵。该转换器产生一个
±
10 V
从电源输入+ 5V电平。这是在两个阶段中完成的US-
荷兰国际集团的开关电容技术，如下图所示。首先，
5 V输入电源采用电容C1为一倍至10 V
的电荷存储元件。在10 V电平，然后倒到
生成使用C2作为存储元件-10 V 。
电容器C3和C4被用来减小输出纹波。
它们的值不是关键的，如果需要可以增加。上
该ADM202E ，电容器C3被示为连接在V +
该接收器反相电平转换器而接受RS- 232
输入电平并将其转化为5 V逻辑输出电平。
该引脚内部都有5 kΩ的上拉或下拉电阻到地
并且也防止了对过压
±
30五联合国人
连接的输入端通过内部5kΩ的上拉拉至0 V
下拉电阻。因此，这导致了一个逻辑1的输出电平
对于未连接的输入或连接到GND输入。
该接收器具有施密特触发器输入与滞后水平
为0.5V这确保两个嘈杂输入无差错接收
并与缓慢的过渡时间的投入。
–4–
第0版
ADM202E/ADM1181A
高波特率
该ADM202E / ADM1181A功能的高摆率允许
速率大大超过了EIA / RS-232 -E的数据传输
规格。的RS-232电压电平被保持在数据速率
高达230 kb / s的，即使在最坏的情况下负载条件。这
允许两个端子或确实之间的高速数据链路
它适用于新一代我
SDN
调制解调器的标准，
要求230 kbps的数据速率。转换速度在国内CON-
受控于小于30 V /μs的，以减少EMI干扰。
ESD / EFT瞬态保护方案。
保护结构，实现ESD保护达
±
15千伏
和EFT保护达
±
2千伏的所有RS - 232 I / O线。该
用于测试保护方案的方法将在后面讨论。
接收器
输入
R1
D1
R
IN
D2
RX
该ADM202E / ADM1181A使用钳位保护结构
对所有的输入和输出该钳位电压到一个安全水平
和消散本在ESD（静电）的能量和
EFT （电快速瞬变）的排放。简化原理图
保护结构的马蒂奇示于图3中的每个不同
投入和产出包含两个背到后面高速合模
二极管。中具有最大的RS-232信号正常操作
水平时，二极管不会产生任何影响的一种或另一种是反向双
ASED根据信号的极性。然而，如果电压
年龄在任一方向上超过约50V，反向击穿
发生，并且电压被钳位在这个水平。该二极管
被设计来处理instanta-大pn结
充电电流浪涌能超过几安培。
发送器输出和接收器输入具有相似的亲
tection结构。接收器输入端还可以消散一些
通过内部5 kΩ电阻到GND的能量以及
通过保护二极管。
图3a。接收器输入保护方案
T
OUT
D1
D2
RX
发射机
产量
图3b 。变送器输出保护方案
典型性能曲线
80
70
60
50
80
70
60
50
极限
极限
dBμV的
40
30
20
10
0
START 30.0兆赫
STOP 200.0兆赫
dBμV的
40
30
20
10
0
0.3
0.6
1
3
6
数频率 - 兆赫
10
30
图4. EMC辐射发射
图5. EMC传导辐射
第0版
–5–
EMI / EMC兼容， ± 15 kV的ESD保护
RS - 232线路驱动器/接收器
ADM202E/ADM1181A
特点
符合89/336 / EEC电磁兼容指令
ESD保护IEC1000-4-2 （ 801.2 ）
± 8 kV的：接触放电
±15千伏：气隙放电
±15 kV的：人体模型
EFT快速瞬变/脉冲群抗扰度（ IEC1000-4-4 ）
低EMI辐射（ EN55022 ）
230千比特/ s的数据速率保证
TSSOP封装选项
升级MAX202E ， 232E ， LT1181A
功能方框图
5V输入
0.1F
10V
0.1F
10V
C1+
C1–
C2+
C2–
+ 5V至+ 10V V
CC
电压
V+
倍
+ 10V至-10V V-
电压
逆变器
T1
T2
R1
R2
C3
0.1F
6.3V
C4
0.1F
10V
T1
OUT
T2
OUT
R1
IN
R2
IN
EIA/TIA-232
输出
C5
0.1F
T1
IN
CMOS
输入
T2
IN
R1
OUT
R2
OUT
CMOS
输出
应用
通用的RS-232数据链路
便携式仪器
掌上电脑
EIA/TIA-232
输入
*
GND
ADM202E
00066-001
00066-002
*
内部5kΩ的下拉电阻对每个RS - 232输入
图1 。
5V输入
0.1F
10V
0.1F
10V
C1+
C1–
+ 5V至+ 10V V
CC
电压
V+
倍
C4
0.1F
10V
T1
OUT
T2
OUT
R1
IN
R2
IN
EIA/TIA-232
输入
*
C5
0.1F
10V
C2 + + 10V至-10V V-
电压
C2–
逆变器
T1
T2
R1
R2
C3
0.1F
10V
概述
该ADM202E和ADM1181A是稳健，高速，
2通道的RS-232 ，从一个操作/ V.28接口的设备
采用5 V单电源供电。这两款产品都适合操作
在恶劣的电气环境，并符合欧盟
指令对EMC （ 89/336 / EEC ） 。电磁无论是水平
发射和抗扰度均符合。电磁抗扰度
包括超过± 15 kV ESD保护上的所有I / O线，
快速瞬变/脉冲保护（ 1000-4-4 ） ，以及辐射
抗扰度（ 1000-4-3 ） 。 EM排放包括辐射和
所要求的信息技术进行发射
设备EN55022 ， CISPR22 。
该ADM202E和ADM1181A符合EIA- 232E
和CCITT V.28规范和数据传输速率高达操作
以230 kbps的。
四个外部0.1 μF电荷泵电容被用于
电压倍增器/逆变器，允许操作由单一
5 V电源。
T1
IN
CMOS
输入
T2
IN
R1
OUT
R2
OUT
EIA/TIA-232
输出
CMOS
输出
GND
ADM1181A
*
内部5kΩ的下拉电阻对每个RS - 232输入
图2中。
该ADM202E提供了一个强大的引脚兼容升级
现有ADM202 ， ADM232L或MAX202E / MAX232E插口。
它是在一个16引脚PDIP ，宽体SOIC ，窄SOIC两种封装，
和节省空间的TSSOP封装是比小44％的
SOIC封装。
该ADM1181A提供了一个强大的引脚兼容升级
该LTC1181A ，这是采用16引脚PDIP封装
和宽16引脚SOIC封装。
版本C
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ADM202E/ADM1181A
目录
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 4
ESD注意事项................................................ .................................. 4
引脚配置和功能说明............................. 5
概述................................................ ......................... 6
电路说明................................................ ....................... 6
电荷泵DC- DC电压转换器....................... 6
发射器（驱动程序）第............................................. 6 .....
接收器部分................................................ ....................... 6
高波特率............................................... .............................. 6
ESD / EFT瞬态保护方案.................................... 7
典型性能特征.............................................. 8
ESD测试（ IEC1000-4-2 ） ......................................... ............. 10
快速瞬变/脉冲测试（ IEC1000-4-4 ） ........................... 11
IEC1000-4-3辐射抗扰度........................................... 12
辐射/干扰............................................... ............... 12
传导辐射................................................ ................ 12
辐射发射................................................ .................... 13
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 15
修订历史
2月5日 - 修订版。 B到C.牧师
更新格式................................................ ..................通用
改变的滞后等级...............................................通用...
更改为规格............................................... ................... 3
增加了ESD注意事项............................................... .......................... 4
切换到接收器部分.............................................. ............... 6
更新的外形尺寸............................................... ........ 14
更改订购指南.............................................. ............ 15
2月1日，修订版。 A到版本B.
一个ESD额定值的缺失
绝对最大额定值............................................. 4
在表II中除去一个列........................................... 8 .....
版本C | 16页2
ADM202E/ADM1181A
特定网络阳离子
V
CC
= 5.0伏± 10％ ， C1至C4 = 0.1μF的。所有规格牛逼
民
给T
最大
中，除非另有说明。
表1中。
参数
DC特性
工作电压范围
V
CC
电源电流
逻辑
输入逻辑阈值低，V
INL
输入逻辑阈值高，V
INH
CMOS输出电压低，V
OL
CMOS输出电压高，V
OH
逻辑上拉电流
RS - 232接收器
EIA- 232输入电压范围
EIA- 232输入阈值低
EIA- 232输入阈值高
EIA- 232输入滞后
EIA- 232输入电阻
RS - 232发射器
输出电压摆幅
发射机输出电阻
RS - 232输出短路电流
时序特性
最大数据速率
接收器传输延迟
T
PHL
T
PLH
发射器传输延迟
过渡区转换率
电磁抗扰度
ESD保护（ I / O引脚）
民
4.5
典型值
5.0
2.5
13
最大
5.5
6.0
18
0.8
2.4
0.4
3.5
+12
30
0.4
±25
+30
1.2
1.6
0.65
5
±9.0
2.4
7
单位
V
mA
mA
V
V
V
V
A
V
V
V
V
k
V
mA
Kbps的
0.1
0.3
1.0
8
1
1
1.5
30
s
s
s
V / μs的
测试条件/评论
空载
R
L
= 3 kΩ到GND
T
IN
T
IN
I
OUT
= 3.2毫安
I
OUT
= -1毫安
T
IN
= 0 V
3
±5.0
300
T
A
= 0 ° C至85°C
所有发送器输出满载3 kΩ到
地
V
CC
= 0 V, V
OUT
= ±2 V
±10
230
±60
R
L
= 3 kΩ至7千欧，C
L
= 50 pF至1000 pF的
3
R
L
= 3千欧，C
L
= 1000 pF的
R
L
= 3千欧，C
L
= 1000 pF的
从+3 V测到-3 V或-3 V至+3 V
人体模型
IEC1000-4-2气隙放电
IEC1000-4-2接触放电
IEC1000-4-4
IEC1000-4-3
EFT保护（ I / O引脚）
EMI抗扰性
±15
±15
± 8千伏
±2
10
kV
kV
kV
kV
V / M
版本C |第16页3
ADM202E/ADM1181A
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表2中。
参数
V
CC
V+
V–
输入电压
T
IN
R
IN
输出电压
T
OUT
R
OUT
短路持续时间
T
OUT
功耗N-16
（减免6毫瓦/ ° C以上50 ° C）
θ
JA
，热阻抗
功率耗散R- 16
（减免6毫瓦/ ° C以上50 ° C）
θ
JA
，热阻抗
功耗RU- 16
（减免6毫瓦/ ° C以上50 ° C）
θ
JA
，热阻抗
工作温度范围
工业（A版）
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
ESD额定值（ MIL -STD- 883B ） （ I / O引脚）
ESD额定值（ IEC1000-4-2气隙） （ I / O引脚）
ESD额定值（ IEC1000-4-2接触）
（ I / O引脚）
EFT评级（ IEC1000-4-4 ） （ I / O引脚）
值
0.3 V至6 V
(V
CC
- 0.3 V ）至14 V
+0.3 V至-14 V
0.3 V至（V + ， + 0.3V ）
±30 V
±15 V
-0.3 V至（V
CC
+ 0.3 V)
连续
450毫瓦
117°C/W
450毫瓦
158°C/W
500毫瓦
158°C/W
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
300°C
± 15千伏
± 15千伏
± 8千伏
± 2千伏
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分将得不到保证。接触
绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
ESD警告
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
版本C | 16页4
ADM202E/ADM1181A
引脚配置和功能描述
C1+ 1
V+ 2
C1– 3
C2+ 4
C2– 5
16 V
CC
15 GND
ADM202E
14 T1
OUT
ADM1181A
13 R1
IN
TOP VIEW 12 R1
OUT
（不按比例）
V– 6
11 T1
IN
00066-003
T2
OUT
7
R2
IN
8
10 T2
IN
9 R2
OUT
图3.引脚配置
表3.引脚功能描述
PIN号
16
2
6
15
1, 3
4, 5
10, 11
7, 14
8, 13
9, 12
助记符
V
CC
V+
V
GND
C1+, C1
C2+, C2
T
IN
T
OUT
R
IN
R
OUT
描述
电源输入： 5 V± 10 ％ 。
内部产生的正电源（ + 9V标称值） 。
内部产生负电源（ -9 V标称值） 。
接地引脚。必须连接到0V。
外部电容器1之间连接这两个引脚。 0.1μF电容建议，但较大
高达47 μF电容都可以使用。
外部电容2之间连接这两个引脚。 0.1μF电容建议，但较大
高达47 μF电容都可以使用。
发射器（驱动器）输入。这些输入接收TTL / CMOS电平。
发射器（驱动器）输出。这些是RS-232信号电平（一般为± 9 V） 。
接收器输入端。这些输入接受RS-232信号电平。内部5 kΩ的上拉下拉电阻到GND是
连接上的每个输入端。
接收器的输出。这是CMOS输出逻辑电平。
5V输入
0.1F
10V
+ 5V至+ 10V V
CC
16
电压
3
C1–
V+
2
倍
1
C1+
4
C2+
5V输入
0.1F
10V
0.1F
10V
+ 5V至+ 10V V
CC
16
电压
3
C1–
V+
2
倍
1
C1+
4
C2 + + 10V至-10V V-
5
C2–
6
C3
0.1F
6.3V
C4
0.1F
10V
T1
OUT
T2
OUT
R1
IN
R2
IN
C5
0.1F
0.1F
10V
T1
IN
CMOS
输入
T2
IN
R1
OUT
R2
OUT
+ 10V至-10V V-
6
电压
5
C2–
逆变器
T1
T2
R1
R2
14
电压
逆变器
T1
T2
R1
R2
14
C4
0.1F
10V
T1
OUT
T2
OUT
R1
IN
R2
IN
C3
0.1F
10V
C5
0.1F
10V
11
10
7
EIA/TIA-232
输出
T1
IN
CMOS
输入
T2
IN
R1
OUT
R2
OUT
11
10
7
EIA/TIA-232
输出
12
13
12
13
CMOS
输出
9
EIA/TIA-232
输入
*
CMOS
输出
8
9
8
EIA/TIA-232
输入
*
GND
15
ADM202E
00066-004
GND
15
ADM1181A
00066-005
*
内部5kΩ的下拉电阻对每个RS - 232输入
*
内部5kΩ的下拉电阻对每个RS - 232输入
图4. ADM202E典型工作电路
图5. ADM1181A典型工作电路
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