a
特点
在一个芯片上的两个独立的控制器
两个2.525 V输出
关断输入，以控制每个通道
2.5％的精度整个电压，负载和温度
低静态电流
低关断电流
可与外部N沟道MOSFET，以低成本
“打嗝模式”故障保护
无需外部电压或电流设置电阻
小型8引脚SO封装
应用
台式电脑
服务器
工作站
精密双电压
DC控制器
ADM1052
概述
该ADM1052是一款双通道，精密，稳压控制器
适用于电源轨的生成和活动的总线终端
在个人电脑主板。它包含了一个精确
1.2 V带隙基准和两个通道组成的CON-
控制放大器驱动外部功率器件。每个通道都有一个
关断输入，关闭放大器输出和“打嗝模式”
保护电路，用于将外部电源设备。
该ADM1052工作在12 V电源。这给suffi-
cient净空放大器来驱动外部N沟道
的MOSFET ，经营为源跟随，作为外部串联
传设备。这具有这样的优点，即N沟道器件
比同类性能的P-沟道器件便宜，并且
电路更容易在使用P-沟道器件比1 ，以稳定
一个共源极组态。
功能框图
3.3V
V
CC
控制
扩音器
带隙
参考
力1
100 F
ADM1052
V
CC
某种意义上1
50 A
2
V
OUT1
100 F
SHDN1
关闭
控制
嗝
比较
3.3V
控制
扩音器
FORCE 2
V
CC
感2
50 A
100 F
V
OUT2
2
100 F
SHDN2
V
CC
关闭
控制
嗝
比较
POWER- ON
RESET
CLK / DELAY
发电机
时钟
振荡器
GND
REV 。一
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ADI公司， 2001
ADM1052
绝对最大额定值*
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
引脚功能描述
V
CC
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14 V
SHDN1 ， SHDN2
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至（V
CC
+ 0.3 V)
SENSE1 ， SENSE2至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+5.5 V
FORCE1 ，武力37 。 。 。 。 。 。 。 。短路到GND或V
CC
连续功率耗散（T
A
= 70 ℃）。 。 。 。 。 。 。 650毫瓦
8引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （减免8.3毫瓦/
°
C以上70 ° C）
工作温度范围
商业（J版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*本
是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何
上述其他条件本规范的操作部分显示
化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
时间周期会影响其可靠性。
针
号
1
2
助记符
FORCE 2
感2
功能
通道2控制放大器的输出
外部N沟道MOSFET栅极。
输入从外部MOSFET的源
通道2控制的反相输入端
放大器中，通过输出电压设定馈
回到电阻网络。
数字输入。低电平有效关断控制
50
A
内部上拉。输出
通道2控制放大器进入
地上的时候
SHDN2
被拉低。
设备的接地引脚。
数字输入。低电平有效关断控制
50
A
内部上拉。输出
通道1控制放大器进入
地上的时候
SHDN1
被拉低。
输入从外部MOSFET的源
要反转的通道1控制输入
放大器中，通过输出电压设定
反馈电阻网络。
通道2控制放大器的输出
外部N沟道MOSFET栅极。
12 V电源。
引脚配置
3
SHDN2
4
5
GND
SHDN1
热特性
8引脚小外形封装：
JA
= 150 ° C / W
6
包
选项
SO-8
7
8
力1
V
CC
某种意义上1
订购指南
模型
ADM1052JR
温度
范围
0 ° C至70℃
包
描述
8引脚SOIC
12V
3.3V
1 F
V
CC
PHD55N03LT
力1
100 F
FORCE 2
1
感2
2
8
V
CC
7
力1
顶视图
SHDN2
3
（不按比例）
6
某种意义上1
ADM1052
GND
4
某种意义上1
2
SHDN1
悬空或
连接
逻辑信号
如果关闭
需要
3.3V
V
OUT1
100 F
5
SHDN1
ADM1052
SHDN2
MTD3055VL
FORCE 2
100 F
感2
GND
2
V
OUT2
100 F
图1.测试电路
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在ADM1052具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生
器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
REV 。一
–3–
ADM1052
2.544
2.542
2.540
输出 - V
泰克停止：单次序列50.0MS /秒
[ T
]
2.538
2.536
2.534
2.532
2.530
2.528
0
10
20
30
40
50
60
温度 - C
70
80
90
CH1 20.0mV
B
W
M 1.00 s通道1
–40mV
1
T
t
t
TPC 7.稳压器输出电压与温度的关系
TPC 10.瞬态响应通道2，10 mA至2将
输出负载阶跃
泰克停止：单次序列50.0MS /秒
[ T
]
泰克
停止：
单次序列50.0MS /秒
[ T
]
t
1
1
T
t
t
T
t
CH1 20.0mV
B
W
M 1.00 s通道1
37.6mV
CH1 20.0mV
B
W
M 1.00 s通道1
–45.0mV
TPC 8.瞬态响应通道1 10 mA至2将
输出负载阶跃
TPC 11.瞬态响应通道2 ，2 A 10 mA的
输出负载阶跃
泰克
停止：
单次序列50.0MS /秒
[ T
]
泰克
停止：
10.0kS/s
[ T
0Acqs
]
T
T
t
t
1
1
t
CH1 20.0mV
B
W
M 1.00 s通道1
5.2mV
t
CH1 10.0mV
B
W
M 5.00 s通道1
800mV
TPC 9.瞬态响应通道1 ，2 A 10 mA的
输出负载阶跃
TPC 12.强制输出在打嗝模式，通道1
REV 。一
–5–
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