a
特点
在一个芯片上的两个独立的控制器
1.515 V和1.818 V输出端
关断输入，以控制每个通道
兼容PC主板TYPEDET信号
2.5 ％的准确度，电压，负载和温度
低静态电流
低关断电流
可与外部N沟道MOSFET，以低成本
“打嗝模式”故障保护
无需外部电压或电流设置电阻
1.8 V / 3.3 V ICH被排序的上电上ADM1051A
小型8引脚SOIC封装
应用
台式电脑
服务器
工作站
精密双电压
稳压控制器
ADM1051/ADM1051A
概述
该ADM1051 / ADM1051A是双，精度，电压调整
适用于电源轨生成和有源总线器控制器
终端个人电脑主板。它们含有
精密1.2 V带隙基准和两个通道组成的
控制放大器驱动外部功率器件。每个通道
有一个关断输入，关闭放大器输出和打嗝
模式的保护电路，用于将外部电源设备。该
在1.5V的通道关断输入，也可以与所使用的
在PC主板上TYPEDET信号来选择输出电压。
从12 V电源供电， ADM1051 / ADM1051A经营这
提供足够的裕量放大器来驱动外部
N沟道MOSFET ，经营为源的追随者，作为
外部串联调整管。这具有正的优点
沟道器件比同类的P沟道器件是便宜
性能，且电路更简单。使用多于一个稳定
P-沟道器件中的共源极配置。
功能框图
V
CC
控制
扩音器
带隙
参考
力1
V
IN
3.3V
100 F
ADM1051/ADM1051A
V
CC
50 A
SHDN1
关闭
控制
嗝
比较
某种意义上1
2 100 F
V
OUT1
V
IN
3.3V
控制
扩音器
FORCE 2
100 F
V
CC
50 A
SHDN2
V
CC
POWER- ON
RESET
无连接
ON ADM1051A
感2
2 100 F
V
OUT2
关闭
控制
嗝
比较
CLK / DELAY
发电机
时钟
振荡器
GND
第0版
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ADM1051/ADM1051A–SPECIFICATIONS
参数
输出电压
通道1
通道2
输出电压精度
负载调整率
线路调整
所需的5 VSB电源电压为
通道2规则
控制放大器
控制放大器的开环增益
控制放大器的转换速率
闭环稳定时间
开启时间
检测输入阻抗
1
强制输出电压摆幅，V
F
（高）
强制输出电压摆幅，V
F
（低）
打嗝模式
打嗝模式拖延时间
打嗝模式门槛
打嗝比较抗干扰性
打嗝模式开启时间
打嗝模式关断时间
上电复位门限
关机，
SHDN1
模式1 （关机）
模式2 （ 1.5 V输出）
模式3 （ 3.3 V输出）
模式4 （ 1.5 V输出）
关机，
SHDN2
关断输入低电压，V
IL
关断输入高电压，V
IH
电源电流，正常工作
电源电流，关断模式
30
–2.5
–5
–5
4.6
民
典型值
1.515
1.818
+2.5
+5
+5
最大
V
V
(V
CC
= 12 V 6%, V
IN
= 3.3 V ，T
A
= 0 ℃至70℃，两
信道，除非另有说明。见测试电路）。
测试条件/评论
SHDN1
漂浮的
V
IN
= 3.0 V至3.6 V，I
OUT
= 10 mA至1
V
IN
= 3.3 V，I
OUT
= 10 mA至1
1
V
IN
= 3.0 V至3.6 V，I
OUT
= 1 A
1
测试电路如图7 。
2
I
负载
= 500毫安
单位
%
mV
mV
V
100
3
5
5
50
10
2
60
100
1.0
40
90
0.8
×
V
OUT
1.5
60
9
0.8
3.9
5.3
12
0.8
2.0
2.4
600
4.0
1000
dB
V / μs的
s
s
k
V
V
ms
V
s
ms
ms
V
V
V
V
V
V
V
mA
A
I
O
= 10 mA至2将
90％的力高输出电平（C
L
= 470 pF的）
R
L
= 10 kΩ到GND
R
L
= 10 kΩ到V
CC
参见图4
0.5
20
6
2
4.3
6.2
关断输入浮动
两个通道关闭
笔记
1
通过设计保证。
2
5 VSB电源被连接到，并在肖特基二极管的阳极进行测量。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
ADM1051/ADM1051A
绝对最大额定值*
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
引脚功能描述
V
CC
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14 V
SHDN1 ， SHDN2
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至（V
CC
+ 0.3 V)
SENSE 1 ， SENSE 2至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+5.5 V
FORCE 1 ， FORCE 2 。 。 。 。 。 。 。短路到GND或V
CC
连续功率耗散（T
A
= 70 ℃）。 。 。 。 。 。 。 650毫瓦
8引脚SOIC （减额8.3毫瓦/°C， 70°C以上）
工作温度范围
商业（J版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*本
是一个额定值;该器件在这些或任何其他功能操作
上面那些操作部分指定条件的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
时间周期会影响其可靠性。
针
号
1
2
助记符
FORCE 2
感2
功能
通道2控制放大器的输出
到外部的N沟道MOSFET的栅极。
输入从外部MOSFET的源
以反相通道2的控制输入端
放大器中，通过输出电压设定
反馈电阻网络。
数字输入。低电平有效关断
50控制
A
内部上拉。该
通道2控制放大器的输出变
接地时，
SHDN2
被拉低。
设备的接地引脚。
数字输入。低电平有效关断控
控制50
A
内部上拉。见文字
的更多细节
SHDN1
功能。
输入从外部MOSFET的源
的通道1控制反相输入端扩增
费里，通过输出电压设定反馈
电阻网络。
通道1控制放大器的输出
外部N沟道MOSFET栅极。
12 V电源。
3
SHDN2
4
5
GND
SHDN1
热特性
8引脚小外形封装：
θ
JA
= 150 ° C / W
订购指南
6
某种意义上1
模型
ADM1051JR
ADM1051AJR
温度
范围
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
包
描述
8引脚SOIC
8引脚SOIC
包
选项
R-8
R-8
7
8
力1
V
CC
12V
V
IN
3.3V
PHD55N03LT
100 F
力1
某种意义上1
SHDN1
悬空或
连接
逻辑信号
如果关闭
需要
V
IN
3.3V
MTD3055VL
FORCE 2
感2
100 F
引脚配置
1 F
V
CC
FORCE 2
1
感2
2
SHDN2
3
V
OUT1
8
V
CC
力1
2 100 F
6
某种意义上1
顶视图
GND
4
（不按比例）
5
SHDN1
ADM1051/
ADM1051A
7
ADM1051/
ADM1051A
SHDN2
V
OUT2
2 100 F
图1.测试电路
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADM1051 / ADM1051A具有专用ESD保护电路，永久
破坏可能发生在经受高能量静电放电设备。因此，
适当的ESD防范措施建议，以避免性能下降或丧失
功能。
警告！
ESD敏感器件
第0版
–3–
ADM1051 / ADM1051A - 典型性能特征
泰克
S
顶部
:
单次序列50.0ms /
S
1.55
1.54
输出 - V
1.53
1.52
1.51
2
1
通道1
500mV
Ch2
Ch4
500mV
500mV
M 1.00 s通道1
3.46 V
1.50
0
CURRENT - 一个
1
TPC 1.线路瞬态响应，通道1和
通道2
TPC 4.负载调整率，通道1
1.514
25 C
1.512
1.825
1.820
1.510
1.815
1.508
输出 - V
V
OUT
– V
1.810
1.506
1.504
1.502
85 C
1.805
1.800
1.500
3.0
3.1
3.2
3.3
V
IN
– V
3.4
3.5
3.6
1.795
0
CURRENT - 一个
1
TPC 2.线路调整，通道1
TPC 5.负载调整率，通道2
1.8205
1.8200
1.8195
1.8190
25 C
10
IL = 10毫安
0
纹波抑制 - 分贝
–10
–20
–30
–40
通道1
–50
–60
–70
通道2
V
OUT
– V
1.8185
1.8180
1.8175
1.8170
1.8165
1.8160
1.8155
3.0
3.1
3.2
3.3
V
IN
– V
3.4
3.5
3.6
85 C
10
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
10M
TPC 3.线路调整，通道2
TPC 6 V
CC
电源纹波抑制
–4–
第0版
ADM1051/ADM1051A
1.85
1.80
1.75
1.70
输出 - V
泰克
单次序列50.0ms /
S
1.8V通道
1.65
1.60
1.55
1.50
1.5V通道
1.45
1.40
Ch2
20.0mV
BW
0
25
温度 - C
85
M 1.00 s通道2
-16.8 mV的
TPC 7.稳压器输出电压与温度的关系
TPC 10.瞬态响应通道2，10 mA至2将
输出负载阶跃
泰克
S
顶部
:
单次序列50.0ms /
S
泰克
单次序列50.0ms /
S
20.0mV
BW
M 1.00 s通道2
-13.6 mV的
Ch2
20.0mV
BW
M 1.00 s通道2
10.4毫伏
TPC 8.瞬态响应通道1 10 mA至2将
输出负载阶跃
TPC 11.瞬态响应通道2 ，2 A 10 mA的
输出负载阶跃
泰克
单次序列50.0ms /
S
泰克
10.0kS/
S
4 Acqs
Ch2
20.0mV
BW
M 1.00 s通道2
14.8毫伏
Ch1
10.0 V
M 5.00ms CH1
1.0 V
TPC 9.瞬态响应通道1 ，2 A 10 mA的
输出负载阶跃
TPC 12.强制输出在打嗝模式，通道1
第0版
–5–
QQ：2880707522 复制
