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500 MHz至1700 MHz的,
双平衡
混频器, LO缓冲器, IF放大器和RF巴伦
ADL5358
特点
500 MHz至1700 MHz的RF频率范围
中频的30兆赫至450兆赫的频率范围内
功率转换增益: 8.3分贝
的9.9分贝SSB噪声系数
SSB噪声系数为5 dBm的阻断23分贝
25.2 dBm的输入IP3
10.6 dBm的P1dB为输入
为0 dBm典型的LO驱动
单端50 Ω RF和LO输入端口
高隔离度SPDT LO输入开关
单电源供电: 3.3 V至5 V
裸露焊盘的6 mm ×6毫米, 36引脚LFCSP封装
功能框图
MNGM
COMM
MNON
MNOP
MNLG
MNLE
VPOS
VPOS
NC
MNIN
MNCT
COMM
VPOS
COMM
VPOS
COMM
dVCT
DVIN
LOI2
VGS2
VGS1
VGS0
LOSW
PWDN
VPOS
应用
蜂窝基站接收机
发射观测接收机
无线电链路下变频器
ADL5358
COMM
LOI1
COMM
概述
在ADL5358采用了高线性度双平衡无源
以及集成的RF与本振混频器核( LO )
平衡电路来实现单端工作。该
ADL5358集成了RF巴伦,允许优化
在500 MHz至1700 MHz的RF输入频率的性能
范围内。表现为500MHz优化的RF频率
以使用从高侧LO和RF频率1200兆赫
1200 MHz至1700 MHz的使用低端LO 。平衡
无源混频器提供良好的LO至RF泄漏,
典型值优于-20 dBm的,和出色的互调
性能。平衡混频器内核还提供了非常
高输入线性,从而允许该设备在苛刻的使用
手机应用中,带内阻塞信号可能会
导致动态性能的劣化。高线性度
中频缓冲放大器与无源混频器核心,得到
8.3 dB的典型功率转换增益,并且可以与使用
宽范围的输出阻抗。
在ADL5358提供了可以使用的两个切换LO路径
在TDD中的应用中,期望之间乒乓
两个本振。 LO电流可以通过外部设置
电阻器,以减少直流电流与所需的相称
的性能水平。对于低电压应用, ADL5358是
能工作在电压低至3.3 V基本上
降低电流。低电压下操作,附加的逻辑
销被设置在需要时断电( <300 μA)的电路。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
图1 。
在ADL5358采用BiCMOS高性能的制作
IC工艺。该器件采用6毫米×6毫米, 36引脚
LFCSP封装,工作在-40 ° C至+ 85 °C温度范围。
评估电路板也已经推出。
表1.无源混频器
RF频率
(兆赫)
500 1700
1200至2500年
单身
混频器
ADL5367
ADL5365
单调音台
和IF放大器
ADL5357
ADL5355
双通道混频器
和IF放大器
ADL5358
ADL5356
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113
2009 ADI公司保留所有权利。
07885-001
VPOS
DVOP
DVGM
VPOS
DVLE
DVON
DVLG
NC
ADL5358
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
5 V性能............................................... ............................ 4
3.3 V性能............................................... ......................... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征............................................. 7
5 V性能............................................... ............................ 7
3.3 V性能............................................... ....................... 15
杂散性能................................................ ............... 16
电路说明................................................ ......................... 17
RF子系统................................................ .............................. 17
LO子系统................................................ ............................. 18
应用信息................................................ .............. 19
基本连接................................................ ...................... 19
IF端口................................................ .......................................... 19
偏置电阻的选择............................................... ................ 19
调音台VGS控制DAC .............................................. ............ 19
评估板................................................ ............................ 21
外形尺寸................................................ ....................... 23
订购指南................................................ .......................... 23
修订历史
11月9日 - 修订版0 :初始版
第0版|第2页
24
ADL5358
特定网络阳离子
V
S
= 5 V,I
S
= 350毫安,T
A
= 25 ° C,F
RF
= 900兆赫,女
LO
= 1103 MHz的LO功率为0 dBm时, RF功率= -10 dBm时, R1 = R4 = 1.3千欧, R2 = R5 = 1 kΩ的,
Z
O
= 50 Ω , VGS0 = VGS1 = VGS2 = 0V时,除非另有说明。
表2中。
参数
RF输入接口
回波损耗
输入阻抗
RF频率范围
输出接口
输出阻抗
IF频率范围
直流偏置电压
1
LO接口
LO功率
回波损耗
输入阻抗
LO频率范围
POWER- DOWN ( PWDN )接口
2
PWDN门槛
逻辑0电平
逻辑1电平
PWDN响应时间
PWDN输入偏置电流
条件
可调参数>20分贝在有限的带宽
500
差分阻抗, F = 200 MHz的
外部产生
30
3.3
6
230||0.75
5.0
0
13
50
450
5.5
+10
典型值
20
50
1700
最大
单位
dB
Ω
兆赫
Ω|| pF的
兆赫
V
DBM
dB
Ω
兆赫
V
V
V
ns
ns
μA
μA
530
1.0
1670
0.4
1.4
设备启用, IF输出到90%的最终水平
设备停用,电源电流< 5毫安
设备启用
设备停用
160
230
0
70
1
2
通过扼流电感应用来自外部电路的电源电压。
PWDN功能旨在与V使用
S
≤ 3.6 V只。
第0版|第3页
24
ADL5358
5 V性能
V
S
= 5 V,I
S
= 350毫安,T
A
= 25 ° C,F
RF
= 900兆赫,女
LO
= 1103 MHz的LO功率为0 dBm时, RF功率= -10 dBm时, R1 = R4 = 1.3千欧, R2 = R5 = 1 kΩ的,
VGS0 = VGS1 = VGS2 = 0 V ,和Z
O
= 50 Ω ,除非另有说明。
表3中。
参数
动态性能
功率转换增益
电压转换增益
SSB噪声系数
SSB噪声系数在阻止
输入三阶截取( IIP3 )
输入二阶截取点( IIP2 )
输入1 dB压缩点( IP1dB )
LO至IF泄漏
LO至RF泄漏
RF至IF隔离
IF / 2杂散
IF / 3杂散
IF通道至通道隔离
电源
正电源电压
静态电流
总静态电流
条件
包括4 : 1 IF端口变压器和PCB损失
Z
来源
= 50 Ω ,差分
负载
= 200 Ω差分
从需要的RF输入5 dBm的拦截器目前的±10兆赫,
LO源过滤
f
RF1
= 899.5兆赫,女
RF2
= 900.5兆赫,女
LO
= 1103兆赫,
在-10 dBm的RF每个音
f
RF1
= 900兆赫,女
RF2
= 950兆赫,女
LO
= 1103兆赫,
在-10 dBm的RF每个音
未过滤的中频输出
7.6
典型值
8.3
14.6
9.9
23
25.2
57
10.6
33
31
43
72
79
54
4.75
LO供应
如果电源
5
170
180
350
5.25
最大
8.6
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dB
V
mA
mA
mA
22
-10 dBm的输入功率
-10 dBm的输入功率
3.3 V性能
V
S
= 3.3 V,I
S
= 200毫安,T
A
= 25 ° C,F
RF
= 900兆赫,女
LO
= 1103 MHz的LO功率为0 dBm时, RF功率= -10 dBm时, R1 = R4 = 1.2 kΩ的,
R2 = R5 = 400 Ω , VGS0 = VGS1 = VGS2 = 0 V ,和Z
O
= 50 Ω ,除非另有说明。
表4 。
参数
动态性能
功率转换增益
电压转换增益
SSB噪声系数
输入三阶截取( IIP3 )
输入二阶截取点( IIP2 )
输入1 dB压缩点( IP1dB )
电源接口
电源电压
静态电流
总静态电流
条件
包括4 : 1 IF端口变压器和PCB损失
Z
来源
= 50 Ω ,差分
负载
= 200 Ω差分
f
RF1
= 899.5兆赫,女
RF2
= 900.5兆赫,女
LO
= 1103兆赫,
在-10 dBm的RF每个音
f
RF1
= 950兆赫,女
RF2
= 900兆赫,女
LO
= 1103兆赫,
在-10 dBm的RF每个音
典型值
8.3
14.6
8.9
19.3
47.2
6.75
3.0
电阻可编程
设备停用
3.3
200
300
3.6
最大
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
V
mA
μA
第0版|页4
24
ADL5358
绝对最大额定值
表5 。
参数
电源电压,V
S
RF输入电平
LO输入电平
MNOP , MNON , DVOP , DVON偏差
VGS2 , VGS1 , VGS0 , LOSW , PWDN
内部功耗
θ
JA
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
引线温度(焊接, 60秒)
等级
5.5 V
20 dBm的
13 dBm的
6.0 V
5.5 V
2.2 W
22°C/W
150°C
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
260°C
ESD警告
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
第0版|第5
24
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