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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1550页 > ADL5357
2300 MHz至2900 MHz的平衡混频器，
LO缓冲器和RF巴伦
ADL5363
特点
2300 MHz至2900 MHz的RF频率范围
直流到450MHz的IF频率范围
功率转换损耗： 7.7分贝
的7.6分贝SSB噪声系数
31 dBm的输入IP3
为0 dBm典型的LO驱动
单端50 Ω RF和LO输入端口
高隔离度SPDT LO输入开关
单电源供电： 3.3 V至5 V
裸露焊盘，五毫米×5毫米20引脚LFCSP封装
1500 V HBM / 1250 V FICDM ESD性能
功能框图
VCMI
20
IFOP
19
IFon
18
PWDN
17
COMM
16
ADL5363
VPMX
1
15
LOI2
RFIN
2
14
VPSW
RFCT
3
BIAS
发电机
COMM
4
13
VGS1
应用
蜂窝基站接收机
发射观测接收机
无线电链路下变频器
12
VGS0
COMM
5
6
7
8
9
10
11
LOI1
该
ADL5363
采用高线性度双平衡无源
以及集成的RF与本振混频器核（ LO ）
平衡电路，以允许单端操作。该
ADL5363
结合射频巴伦以提供最佳的
在2300 MHz至2900 MHz的输入频率性能
范围内。平衡的无源混频器提供良好
LO至RF泄漏，典型值优于-30 dBm的，和优秀的
互调性能。平衡混频器内核还
提供极高的输入线性度，使该器件能
在苛刻的蜂窝应用中使用，其中在带
阻塞信号，否则可能导致的劣化
动态性能。
NC =无连接
图1 。
该
ADL5363
提供了可用于两个开关LO路径
在TDD中的应用中，期望之间快速切换
两个本振。 LO电流可以通过外部设置
电阻器，以减少直流电流与所需的相称
的性能水平。对于低电压应用， ADL5363是
能工作在电压低至3.3 V基本上
降低电流。用于低电压操作时，一个额外的逻辑
销被设置在需要时断电（ <200 μA）的电路。
该
ADL5363
采用BiCMOS高性能的制作
IC工艺。该器件采用5 mm ×5毫米， 20引脚
LFCSP封装，工作在-40 ° C至+ 85 °C温度范围。
评估电路板也已经推出。
表1.无源混频器
射频频率（ MHz）的
500 1700
1200至2500年
2300年至2900年
单身
混频器
ADL5367
ADL5365
ADL5363
单调音台
和IF放大器
ADL5357
ADL5355
ADL5353
双通道混频器
和IF放大器
ADL5358
ADL5356
ADL5354
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2011 ADI公司保留所有权利。
09914-001
概述
VLO3
LGM3
VLO2
LOSW
NC
ADL5363
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
5 V性能............................................... ............................ 4
3.3 V性能............................................... ......................... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征............................................. 7
5 V性能............................................... ............................ 7
3.3 V性能............................................... ....................... 14
上转换................................................. ............................. 15
杂散性能................................................ ............... 16
电路说明................................................ ......................... 17
RF子系统................................................ .............................. 17
LO子系统................................................ ............................. 18
应用信息................................................ .............. 19
基本连接................................................ ...................... 19
IF端口................................................ .......................................... 19
偏置电阻的选择............................................... ................ 19
调音台VGS控制DAC .............................................. ............ 19
评估板................................................ ............................ 20
外形尺寸................................................ ....................... 23
订购指南................................................ .......................... 23
修订历史
7月11日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第24 2
ADL5363
特定网络阳离子
V
S
= 5 V，I
S
= 100毫安，吨
A
= 25 ° C，F
RF
= 2535兆赫，女
LO
= 2738 MHz的LO功率为0 dBm的，Z
O
= 50 Ω ，除非另有说明。
表2中。
参数
RF输入接口
回波损耗
输入阻抗
RF频率范围
输出接口
输出阻抗
IF频率范围
直流偏置电压
1
LO接口
LO功率
回波损耗
输入阻抗
LO频率范围
POWER- DOWN （ PWDN ）接口
2
PWDN门槛
逻辑0电平
逻辑1电平
PWDN响应时间
PWDN输入偏置电流
测试条件/评论
可调参数>20分贝在有限的带宽
2300
差分阻抗， F = 200 MHz的
外部产生
dc
3.3
6
33||-0.3
5.0
0
15
50
450
5.5
+10
民
典型值
16
50
2900
最大
单位
dB
Ω
兆赫
Ω|| pF的
兆赫
V
DBM
dB
Ω
兆赫
V
V
V
ns
ns
μA
μA
2330
1.0
3350
0.4
1.4
设备启用， IF输出到90％的最终水平
设备停用，电源电流<5毫安
设备启用
设备停用
160
220
0.0
70
1
2
通过扼流电感器应用从外部电路的电源电压。
该PWDN功能用于与V使用
S
≤ 3.6 V只。
第0版|第24 3
ADL5363
5 V性能
V
S
= 5 V，I
S
= 100毫安，吨
A
= 25 ° C，F
RF
= 2535兆赫，女
LO
= 2738 MHz的LO功率为0 dBm时， VGS0 = VGS1 = 0 V ，和Z
O
= 50 Ω ，除非
另有说明。
表3中。
参数
动态性能
电源转换损耗
SSB噪声系数
输入三阶截取（ IIP3 ）
输入二阶截取点（ IIP2 ）
输入1 dB压缩点（ IP1dB ）
1
LO至IF泄漏
LO至RF泄漏
RF至IF隔离
IF / 2杂散
IF / 3杂散
电源
正电源电压
静态电流
1
测试条件/评论
包括1 ： 1，如果端口变压器和PCB损失
f
RF1
= 2534.5兆赫，女
RF2
= 2535.5兆赫，女
LO
= 2738兆赫，
在0 dBm的RF每个音
f
RF1
= 2535兆赫，女
RF2
= 2585兆赫，女
LO
= 2738兆赫，
在0 dBm的RF每个音
超过20 dBm的RF功率会导致设备损坏
未过滤的中频输出
民
典型值
7.7
7.6
31
62
25
22
32
44
61
70
最大
单位
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
-10 dBm的输入功率
-10 dBm的输入功率
4.5
V
S
= 5 V
5
100
5.5
V
mA
超过20 dBm的RF功率会导致设备损坏。
3.3 V性能
V
S
= 3.3 V，I
S
= 60毫安，T
A
= 25 ° C，F
RF
= 2535兆赫，女
LO
= 2738 MHz的LO功率为0 dBm时， R9 = 226 Ω ， VGS0 = VGS1 = 0 V ，和Z
O
= 50 Ω,
除非另有说明。
表4 。
参数
动态性能
电源转换损耗
SSB噪声系数
输入三阶截取（ IIP3 ）
输入二阶截取点（ IIP2 ）
电源
正电源电压
静态电流
测试条件/评论
包括1 ： 1，如果端口变压器和PCB损失
f
RF1
= 2534.5兆赫，女
RF2
= 2535.5兆赫，女
LO
= 2738兆赫，
在0 dBm的RF每个音
f
RF1
= 2535兆赫，女
RF2
= 2585兆赫，女
LO
= 2738兆赫，
在0 dBm的RF每个音
民
典型值
7.4
6.8
26
56
最大
单位
dB
dB
DBM
DBM
V
S
= 5 V
3.3
60
V
mA
第0版|第24 4
ADL5363
绝对最大额定值
表5 。
参数
电源电压，V
S
RF输入电平
LO输入电平
IFOP ， IFON偏置电压
VGS0 ， VGS1 ， LOSW ， PWDN
内部功耗
热阻， θ
JA
温度
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
引线温度（焊接， 60秒）
等级
5.5 V
20 dBm的
13 dBm的
6.0 V
5.5 V
0.5 W
25°C/W
150°C
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
260°C
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
ESD警告
第0版|第24 5
500 MHz至1700 MHz的平衡混频器，
LO缓冲器， IF放大器和RF巴伦
ADL5357
特点
500 MHz至1700 MHz的RF频率范围
中频的30兆赫至450兆赫的频率范围内
功率转换增益： 8.6分贝
的9.1分贝SSB噪声系数
SSB噪声系数为5 dBm的阻断19.5分贝
26.6 dBm的输入IP3
10.2 dBm的P1dB为输入
为0 dBm典型的LO驱动
单端50 Ω RF和LO输入端口
高隔离度SPDT LO输入开关
单电源供电： 3.3 V至5 V
裸露焊盘5毫米× 5mm的20引脚LFCSP封装
1500 V HBM / 500 V FICDM ESD性能
功能框图
IFGM
20
IFOP
19
IFon
18
PWDN
17
LEXT
16
ADL5357
VPIF
1
15
LOI2
RFIN
2
14
VPSW
RFCT
3
BIAS
发电机
COMM
4
13
VGS1
12
VGS0
应用
蜂窝基站接收机
发射观测接收机
无线电链路下变频器
COMM
5
6
7
8
9
10
11
LOI1
NC =无连接
图1 。
概述
在ADL5357采用了高线性度双平衡无源
以及集成的RF和LO平衡电路混频器内核
允许单端操作。在ADL5357集成
射频巴伦，允许获得最佳性能超过500兆赫至
使用高端LO注入1700 MHz的RF输入频率范围
对于RF频率为500MHz到1200MHz的侧和低侧
注射频率从900 MHz到1700 MHz的。该
平衡的无源混频器提供良好的LO至RF
泄漏，通常比-46 dBm的更好，以及优良的间
调制性能。平衡混频器内核还提供了
极高的输入线性度，从而使该装置中所用
苛刻的蜂窝应用中，带内阻塞信号
否则可能导致动态性能的劣化。
高线性度IF缓冲放大器与无源混频器内核
以得到8.6 dB的典型功率转换增益，可用于
具有宽范围的输出阻抗。
在ADL5357提供两个切换的LO路径可以是
在TDD应用中使用，其中需要快速切换
两个本振之间。 LO电流可以通过外部设置
使用电阻器，以减少直流电流与相称
的性能所需的电平。对于低电压应用，中
ADL5357能够工作在电压降到3.3伏。
大幅降低电流。低电压下操作，一个
额外的逻辑引脚提供断电（ <200 μA ）的
需要时电路。
在ADL5357采用BiCMOS高性能的制作
IC工艺。该器件采用5 mm ×5毫米， 20引脚
LFCSP封装，工作在-40 ° C至+ 85 °C温度范围。
评估电路板也已经推出。
表1.无源混频器
RF频率
（兆赫）
500 1700
1200至2500年
单身
混频器
单调音台+
IF放大器
ADL5357
ADL5355
双通道混频器+
IF放大器
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2009 ADI公司保留所有权利。
08081-001
VLO3
LGM3
VLO2
LOSW
NC
ADL5357
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
5 V性能............................................... ............................ 4
3.3 V性能............................................... ......................... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征............................................. 7
5 V性能............................................... ............................ 7
3.3 V性能............................................... ....................... 14
支线表................................................ .................................. 15
电路说明................................................ ......................... 16
RF子系统................................................ .............................. 16
LO子系统................................................ ............................. 17
应用信息................................................ .............. 18
基本连接................................................ ...................... 18
IF端口................................................ .......................................... 18
偏置电阻的选择............................................... ................ 18
调音台VGS控制DAC .............................................. ............ 18
评估板................................................ ............................ 20
外形尺寸................................................ ....................... 23
订购指南................................................ .......................... 23
修订历史
7月9日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第24 2
ADL5357
特定网络阳离子
V
POS
= 5 V，I
S
= 190毫安，T
A
= 25 ° C，F
RF
= 900兆赫，女
LO
= 1103 MHz的LO功率为0 dBm的，Z
O
= 50 Ω ，除非另有说明。
表2中。
参数
RF输入接口
回波损耗
输入阻抗
RF频率范围
输出接口
输出阻抗
IF频率范围
直流偏置电压
1
LO接口
LO功率
回波损耗
输入阻抗
LO频率范围
POWER- DOWN （ PWDN ）接口
2
PWDN门槛
逻辑0电平
逻辑1电平
PWDN响应时间
PWDN输入偏置电流
条件
可调参数>20分贝在有限的带宽
500
差分阻抗， F = 200 MHz的
外部产生
30
3.3
6
240||0.4
5.0
0
12
50
450
5.5
+10
民
典型值
19
50
1700
最大
单位
dB
Ω
兆赫
Ω|| pF的
兆赫
V
DBM
dB
Ω
兆赫
V
V
V
ns
ns
μA
μA
730
1.0
1670
0.4
1.4
设备启用， IF输出到90％的最终水平
设备停用，电源电流< 5毫安
设备启用
设备停用
160
220
0.0
70
1
2
通过扼流电感器应用从外部电路的电源电压。
该PWDN功能用于与V使用
POS
≤ 3.6 V只。
第0版|第24 3
ADL5357
5 V性能
V
POS
= 5 V，I
S
= 190毫安，T
A
= 25 ° C，F
RF
= 900兆赫，女
LO
= 1103 MHz的LO功率为0 dBm时， VGS0 = VGS1 = 0 V ，和Z
O
= 50 Ω ，除非
另有说明。
表3中。
参数
动态性能
功率转换增益
电压转换增益
SSB噪声系数
SSB噪声系数在阻止
输入三阶截取（ IIP3 ）
输入二阶截取点（ IIP2 ）
输入1 dB压缩点（ IP1dB ）
LO至IF泄漏
LO至RF泄漏
RF至IF隔离
IF / 2杂散
IF / 3杂散
电源
正电源电压
静态电流
总静态电流
条件
包括4 ： 1 IF端口变压器和PCB损失
Z
来源
= 50 Ω ，差分
负载
= 200 Ω差分
从需要的RF输入5 dBm的拦截器目前的±10兆赫，
LO源过滤
f
RF1
= 899.5兆赫，女
RF2
= 900.5兆赫，女
LO
= 1103兆赫，
在-10 dBm的RF每个音
f
RF1
= 950兆赫，女
RF2
= 900兆赫，女
LO
= 1103兆赫，
在-10 dBm的RF每个音
未过滤的中频输出
民
7
典型值
8.6
14.9
9.1
19.5
26.6
62.8
10.2
7
46.7
35
69.2
83.4
4.5
LO电源，电阻可编程
中频电源，电阻可编程
V
POS
= 5 V
5
100
90
190
5.5
最大
9.5
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
V
mA
mA
mA
22
-10 dBm的输入功率
-10 dBm的输入功率
3.3 V性能
V
POS
= 3.3 V，I
S
= 125毫安，T
A
= 25 ° C，F
RF
= 900兆赫，女
LO
= 1103 MHz的LO功率为0 dBm时， R9 = 226 Ω ， R14 = 604 Ω ， VGS0 = VGS1 = 0 V ，
和Z
O
= 50 Ω ，除非另有说明。
表4 。
参数
动态性能
功率转换增益
电压转换增益
SSB噪声系数
输入三阶截取（ IIP3 ）
输入二阶截取点（ IIP2 ）
输入1 dB压缩点（ IP1dB ）
电源接口
电源电压
静态电流
掉电电流
条件
包括4 ： 1 IF端口变压器和PCB损失
Z
来源
= 50 Ω ，差分
负载
= 200 Ω差分
f
RF1
= 899.5兆赫，女
RF2
= 900.5兆赫，女
LO
= 1103兆赫，
在-10 dBm的RF每个音
f
RF1
= 950兆赫，女
RF2
= 900兆赫，女
LO
= 1103兆赫，
在-10 dBm的RF每个音
民
典型值
8.8
15.1
9.0
21.4
55.7
7.1
3.0
电阻可编程
设备停用
3.3
125
150
3.6
最大
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
V
mA
μA
第0版|第24 4
ADL5357
绝对最大额定值
表5 。
参数
电源电压，V
POS
RF输入电平
LO输入电平
IFOP ， IFON偏置电压
VGS0 ， VGS1 ， LOSW ， PWDN
内部功耗
θ
JA
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
铅温度范围（焊接， 60秒）
等级
5.5 V
20 dBm的
13 dBm的
6.0 V
5.5 V
1.2 W
25°C/W
150°C
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
260°C
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
ESD警告
第0版|第24 5
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