【低频至4 GHz高线性度Y型混频器ADL5350特点宽带射频（RF ），中频（IF ），和本地振】,IC型号ADL5350-EVALZ,ADL5350-EVALZ PDF资料,ADL5350-EVALZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

低频至4 GHz

高线性度Y型混频器

ADL5350

特点

宽带射频（RF ），中频（IF ），

和本地振荡器（LO ）端口

转换损耗： 6.8分贝

噪声系数： 6.5分贝

高输入IP3 ： 25 dBm的

高输入P1dB为19 dBm的

低LO驱动电平

单端设计：无需巴伦

单电源供电： 3 V @ 19毫安

微型，为2mm× 3mm时， 8引脚LFCSP封装

符合RoHS

功能框图

GND

RF

输入或

产量

RF

ADL5350

IF

输出或

输入

3V

VPOS

GND

LO

输入

05615-001

应用

蜂窝基站

点至点无线电链路

射频仪器

图1 。

概述

在ADL5350是高线性度，向上和向下转换

混频器可工作在较宽的输入频率范围。

它非常适合于高要求的蜂窝基站混频器设计

需要高灵敏度和有效的抗阻塞性能。基于

在GaAs pHEMT制，单端混频器架构， ADL5350

提供了出色的输入线性度和低噪声系数不

需要高功率电平LO驱动。

在850兆赫/ 900 MHz的接收应用中， ADL5350

提供了一个典型的转换损耗仅为6.7分贝。输入IP3

通常小于25 dBm的更大，具有输入压缩

点19 dBm的。集成的LO放大器允许低LO

驱动电平，通常仅4 dBm的大多数应用中。

在ADL5350的高输入线性度，使该设备的

优秀的调音台适用于要求较高的通信系统

抗阻塞性能，诸如GSM的850MHz / 900 MHz和

800兆赫CDMA2000 。在2 GHz ，一个稍大供应

当前需要获得相似的性能。

单端宽带RF / IF端口允许该设备是

定制操作使用简单的外部所需的带宽

滤波网络。的LO至RF隔离是基于LO

抑制RF端口滤波器网络。更大的隔离可以

如上述通过使用更高阶的滤波器网络来实现，

应用信息部分。

在ADL5350被制成在GaAs pHEMT的，高性能

IC工艺。在ADL5350可在2毫米×3毫米， 8引线

LFCSP封装。它工作在-40 ° C至+ 85 °C温度范围。

评估电路板也已经推出。

第0版

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传真： 781.461.3113

ADL5350

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

850 MHz的接收性能.............................................. 3 ....

1950年MHz的接收性能.............................................. 3 ..

支线表................................................ ......................................... 4

850 MHz的支线表.............................................. ....................... 4

1950兆赫支线表.............................................. ..................... 4

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能说明............................. 6

典型性能特征.............................................. 7

850 MHz的特点............................................... ............... 7

1950年MHz的特点............................................... .......... 12

功能说明................................................ .................. 17

电路说明................................................ .................... 17

执行程序................................................ ....... 17

应用信息................................................ .............. 19

低频应用............................................... ..... 19

高频应用............................................... .... 19

评估板................................................ ............................ 21

外形尺寸................................................ ....................... 22

订购指南................................................ .......................... 22

修订历史

2月8日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第24 2

ADL5350

特定网络阳离子

850 MHz的接收性能

V

S

= 3 V ，T

A

= 25 ° C， LO功率= 4 dBm时，回复： 50 Ω ，除非另有说明。

表1中。

参数

RF频率范围

LO频率范围

IF频率范围

转换损耗

SSB噪声系数

输入三阶截取点（ IP3 ）

输入1dB压缩点（ P1dB为）

LO至IF泄漏

LO至RF泄漏

RF至IF泄漏

IF / 2杂散

电源电压

电源电流

民

750

500

30

典型值

850

780

70

6.7

6.4

25

19.8

29

13

19.5

50

3

16.5

最大

975

945

250

单位

兆赫

dB

DBM

dBc的

V

mA

条件

低端LO

f

RF

= 850兆赫，女

LO

= 780兆赫，女

IF

± 70兆赫

f

RF

= 850兆赫，女

LO

= 780兆赫，女

IF

± 70兆赫

f

RF1

= 849兆赫，女

RF2

= 850兆赫，女

LO

= 780兆赫，女

IF

= 70 MHz的;

每个RF音调为0 dBm

f

RF

= 820兆赫，女

LO

= 750兆赫，女

IF

± 70兆赫

LO功率= 4 dBm的，女

LO

= 780兆赫

LO功率= 4 dBm的，女

LO

= 780兆赫

RF功率= 0 dBm的，女

RF

= 850兆赫，女

LO

= 780兆赫

RF功率= 0 dBm的，女

RF

= 850兆赫，女

LO

= 780兆赫

LO功率= 4 dBm的

2.7

3.5

1950年MHz的接收性能

V

S

= 3 V ，T

A

= 25 ° C， LO功率= 6 dBm时，回复： 50 Ω ，除非另有说明。

表2中。

参数

RF频率范围

LO频率范围

IF频率范围

转换损耗

SSB噪声系数

输入三阶截取点（ IP3 ）

输入1dB压缩点（ P1dB为）

LO至IF泄漏

LO至RF泄漏

RF至IF泄漏

IF / 2杂散

电源电压

电源电流

民

1800

1420

50

典型值

1950

1760

190

6.8

6.5

25

19

13.5

10.5

11.5

54

3

19

最大

2050

2000

380

单位

兆赫

dB

DBM

dBc的

V

mA

条件

低端LO

f

RF

= 1950兆赫，女

LO

= 1760兆赫，女

IF

= 190兆赫

f

RF

= 1950兆赫，女

LO

= 1760兆赫，女

IF

= 190兆赫

f

RF1

= 1949兆赫，女

RF2

= 1951兆赫，女

LO

= 1760兆赫，女

IF

= 190 MHz的;

每个RF音调为0 dBm

f

RF

= 1950兆赫，女

LO

= 1760兆赫，女

IF

= 190兆赫

LO功率= 6 dBm的，女

LO

= 1760 MHz的

LO功率= 6 dBm的，女

LO

= 1760 MHz的

RF功率= 0 dBm的，女

RF

= 1950兆赫，女

LO

= 1760 MHz的

RF功率= 0 dBm的，女

RF

= 1950兆赫，女

LO

= 1760 MHz的

LO功率= 6 dBm的

2.7

3.5

第0版|第24 3

ADL5350

SPUR TABLES

所有的骨刺表是（N ×

f

RF

) (M ×

f

LO

，）混合器假产物为0 dBm的输入功率，除非另有说明。 N.M.表示一个

直没有由于它是在一个频率>6 GHz的测量。

850 MHz的SPUR表

表3中。

M

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

0

≤–100

–21.6

–50.0

–74.8

≤–100

N.M.

1

–20.6

–5.6

–69.2

–66.0

–92.6

≤–100

N.M.

2

–19.2

–23.6

–50.5

–71.8

–91.6

≤–100

N.M.

3

–15.3

–19.6

–59.8

–68.1

–96.1

≤–100

N.M.

4

–16.7

–31.9

–49.1

–70.2

–92.7

≤–100

N.M.

5

–38.4

–28.7

–57.5

–67.4

–98.7

≤–100

N.M.

6

–26.6

–46.1

–51.0

–66.9

–90.2

≤–100

N.M.

7

–22.1

–48.5

–77.7

–70.8

–91.7

≤–100

N.M.

8

N.M.

–33.2

–65.8

–85.2

–88.8

–99.5

≤–100

N.M.

9

N.M.

–60.8

–87.3

≤–100

10

N.M.

–72.2

≤–100

11

N.M.

–91.7

≤–100

12

N.M.

–88.6

≤–100

13

N.M.

≤–100

14

N.M.

≤–100

15

N.M.

≤–100

N

1950年兆赫SPUR表

表4 。

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

0

≤–100

–10.8

–48.2

–72.3

N.M.

1

–13.1

–7.0

–61.2

–71.4

N.M.

2

–32.8

–25.3

–41.2

–83.6

–91.4

N.M.

3

–22.4

–27.7

–44.6

–64.5

–84.2

–90.8

N.M.

4

N.M.

–33.9

–47.0

–62.4

–78.3

–82.3

≤–100

N.M.

5

N.M.

–74.6

–64.3

–76.5

–77.1

≤–100

N.M.

6

N.M.

–83.7

–80.0

–79.5

–93.4

≤–100

N.M.

M

7

N.M.

–92.0

–83.8

–94.5

–94.0

≤–100

N.M.

8

N.M.

–95.2

≤–100

–96.4

≤–100

N.M.

9

N.M.

–99.2

≤–100

N.M.

10

N.M.

≤–100

N.M.

11

N.M.

≤–100

N.M.

12

N.M.

≤–100

N.M.

13

N.M.

≤–100

N.M.

14

N.M.

≤–100

15

N.M.

≤–100

N

第0版|第24 4

05615–069

05615–068

ADL5350

绝对最大额定值

表5 。

参数

电源电压，V

S

RF输入电平

LO输入电平

内部功耗

θ

JA

最高结温

工作温度范围

存储温度范围

等级

4.0 V

23 dBm的

20 dBm的

324毫瓦

154.3°C/W

135°C

-40 ° C至+ 85°C

-65 ° C至+ 150°C

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

ESD警告

第0版|第24 5