【初步的技术数据a宽带， 43分贝隔离@ 1GHz的，CMOS 1.65 V至2.75V ， 2 ：】,IC型号ADG919BRM,ADG919BRM PDF资料,ADG919BRM经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步的技术数据

宽带， 43分贝隔离@ 1GHz的，

CMOS 1.65 V至2.75V ， 2 ： 1多路复用器/ SPDT开关

ADG918/ADG919

初步的技术数据

功能框图

ADG918

RF1

射频共

RF2

控制

特点

宽带直流到2GHz

ADG918 / ADG919吸收式/反射式开关

高关断隔离（43 dB的1千兆赫）

低插入损耗（ 1分贝DC至900 MHz）的

单1.65 2.75 V电源

CMOS / LVTTL控制逻辑

8引脚MSOP &微小的3 x 3mm的CSP封装

低功耗（ 5μA ）

应用

无线通信

通用RF开关

双频应用

过滤器选择

天线开关

数字收发器前端开关

IF开关

概述

ADG919

RF1

射频共

RF2

控制

该ADG918 / ADG919是使用宽带交换机

CMOS工艺制造，提供高隔离，低插入

损失到1GHz 。该ADG918是一款吸收开关

具有50欧姆的端接分流腿，而ADG919

是反射开关。这些设备被设计成使得

隔离是高过直流到1GHz频率

范围内。他们在船上CMOS控制逻辑，从而

省去了外部控制电路。

控制输入是CMOS和LVTTL

兼容。这些CMOS的低功耗

设备使得它们非常适合于无线应用

和通用高频切换。

表1.真值表

控制

信道

RF2射频通用

RF1至RF通用

图1.隔离与频率

图2.损耗与频率

REV 。中国2002年9月

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式，P盒9106 ，诺伍德，MA 02062-9106 ， USA

.O.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2002年

初步的技术数据

ADG918/ADG919–SPECIFICATIONS

另有说明）

（V = 1.65 V至2.75 V， GND = 0 V ，所有规格牛逼到T ，除非

民

最大

参数

AC电气特性

工作频率

插入损耗

符号

条件

民

B版本

典型值

最大

单位

GHz的

DBM

, S

Isolation-射频到RF1 / RF2

, S

隔离 - RF1到RF2

, S

回波损耗（通道）

, S

对开关时间

关闭开关时间

1 dB压缩

三阶交调截取

DC电气特性

输入高电压

输入低电压

输入漏电流

电容

RF1 / RF2 ， RF端口上的电容

控制输入电容

电源要求

静态电源电流

关闭

-1dB

INH

INL

DC - 100 MHz的

500兆赫

900兆赫

1兆赫

100兆赫

500兆赫

1000兆赫

1兆赫

100兆赫

500兆赫

1000兆赫

DC - 100 MHz的

500兆赫

1000兆赫

50 ％对照，以90％的射频

50 ％对照，以10％的射频

DC至1000兆赫

900MHz的， 5dBm的

= 2.3 V至2.75 V

= 1.65 V至1.95 V

= 2.3 V至2.75 V

= 1.65 V至1.95 V

0 V

2.75 V

F = 1 MHz的

1.65

1.7

0.65V

0.4

0.65

1.0

100

0.7

0.35V

±1

2.75

数字输入= 0 V或V

笔记

温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

典型值为+ 25°C ，除非另有说明。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

REV 。中国

初步的技术数据

ADG918/ADG919

绝对最大额定值

= + 25 ° C除非另有说明）

引脚配置

到GND

-0.5 V至+4 V

投入到GND

-0.5 V到V

+ 0.3V

输入功率

TBD dBm的

工作温度范围

工业（B版）

-40 ° C至+ 85°C

存储温度范围

-65 ° C至+ 150°C

结温

+150°C

MSOP封装

206°C/W

热阻抗

CSP封装

TBD ° C / W

热阻抗

焊接温度，焊接（ 10秒）

300°C

IR回流焊，峰值温度（ <20秒）

+235°C

笔记

条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的

损坏设备。这是一个压力等级的设备只有和功能操作

在这些或以上的在这个业务部门所列出的条件

特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对最大额定值可能

在任一时刻被应用。

8引脚MSOP （ RM - 8 ）

采用3x3mm CSP （ CP - 8 ）

VDD

控制

GND

RF1

GND

ADG918/

ADG919

GND

顶视图

（不按比例）

RF2

RFCommon

订购指南

模型

ADG918BRM

ADG918BCP

ADG919BRM

ADG919BCP

温度范围

–40°C

+85°C

包装说明

MSOP封装（微小外形封装）

芯片级封装

MSOP封装（微小外形封装）

芯片级封装

BRANDING

封装选项

RM-8

CP-8

RM-8

CP-8

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然ADG919具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

REV 。中国

–3–

初步的技术数据

ADG918/ADG919

外形尺寸

尺寸以英寸（毫米）所示。

MSOP

(RM-8)

0.122 (3.10)

0.114 (2.90)

0.122 (3.10)

0.114 (2.90)

0.199 (5.05)

0.187 (4.75)

销1

0.0256 （ 0.65 ） BSC

0.120 (3.05)

0.112 (2.84)

0.006 (0.15)

0.002 (0.05)

0.018 (0.46)

座位0.008 （ 0.20 ）

飞机

0.043 (1.09)

0.037 (0.94)

0.011 (0.28)

0.003 (0.08)

0.120 (3.05)

0.112 (2.84)

0.028 (0.71)

0.016 (0.41)

芯片级封装

(CP-8)

3 x 3mm的

待定

–4–

REV 。中国

初步的技术数据

宽带， 43分贝隔离@ 1GHz的，

CMOS 1.65 V至2.75V ， 2 ： 1多路复用器/ SPDT开关

ADG918/ADG919

初步的技术数据

功能框图

ADG918

RF1

射频共

RF2

控制

特点

宽带直流到2GHz

ADG918 / ADG919吸收式/反射式开关

高关断隔离（43 dB的1千兆赫）

低插入损耗（ 1分贝DC至900 MHz）的

单1.65 2.75 V电源

CMOS / LVTTL控制逻辑

8引脚MSOP &微小的3 x 3mm的CSP封装

低功耗（ 5μA ）

应用

无线通信

通用RF开关

双频应用

过滤器选择

天线开关

数字收发器前端开关

IF开关

概述

ADG919

RF1

射频共

RF2

控制

该ADG918 / ADG919是使用宽带交换机

CMOS工艺制造，提供高隔离，低插入

损失到1GHz 。该ADG918是一款吸收开关

具有50欧姆的端接分流腿，而ADG919

是反射开关。这些设备被设计成使得

隔离是高过直流到1GHz频率

范围内。他们在船上CMOS控制逻辑，从而

省去了外部控制电路。

控制输入是CMOS和LVTTL

兼容。这些CMOS的低功耗

设备使得它们非常适合于无线应用

和通用高频切换。

表1.真值表

控制

信道

RF2射频通用

RF1至RF通用

图1.隔离与频率

图2.损耗与频率

REV 。中国2002年9月

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式，P盒9106 ，诺伍德，MA 02062-9106 ， USA

.O.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2002年

初步的技术数据

ADG918/ADG919–SPECIFICATIONS

另有说明）

（V = 1.65 V至2.75 V， GND = 0 V ，所有规格牛逼到T ，除非

民

最大

参数

AC电气特性

工作频率

插入损耗

符号

条件

民

B版本

典型值

最大

单位

GHz的

DBM

, S

Isolation-射频到RF1 / RF2

, S

隔离 - RF1到RF2

, S

回波损耗（通道）

, S

对开关时间

关闭开关时间

1 dB压缩

三阶交调截取

DC电气特性

输入高电压

输入低电压

输入漏电流

电容

RF1 / RF2 ， RF端口上的电容

控制输入电容

电源要求

静态电源电流

关闭

-1dB

INH

INL

DC - 100 MHz的

500兆赫

900兆赫

1兆赫

100兆赫

500兆赫

1000兆赫

1兆赫

100兆赫

500兆赫

1000兆赫

DC - 100 MHz的

500兆赫

1000兆赫

50 ％对照，以90％的射频

50 ％对照，以10％的射频

DC至1000兆赫

900MHz的， 5dBm的

= 2.3 V至2.75 V

= 1.65 V至1.95 V

= 2.3 V至2.75 V

= 1.65 V至1.95 V

0 V

2.75 V

F = 1 MHz的

1.65

1.7

0.65V

0.4

0.65

1.0

100

0.7

0.35V

±1

2.75

数字输入= 0 V或V

笔记

温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

典型值为+ 25°C ，除非另有说明。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

REV 。中国

初步的技术数据

ADG918/ADG919

绝对最大额定值

= + 25 ° C除非另有说明）

引脚配置

到GND

-0.5 V至+4 V

投入到GND

-0.5 V到V

+ 0.3V

输入功率

TBD dBm的

工作温度范围

工业（B版）

-40 ° C至+ 85°C

存储温度范围

-65 ° C至+ 150°C

结温

+150°C

MSOP封装

206°C/W

热阻抗

CSP封装

TBD ° C / W

热阻抗

焊接温度，焊接（ 10秒）

300°C

IR回流焊，峰值温度（ <20秒）

+235°C

笔记

条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的

损坏设备。这是一个压力等级的设备只有和功能操作

在这些或以上的在这个业务部门所列出的条件

特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间可能会影响器件的可靠性。只有一个绝对最大额定值可能

在任一时刻被应用。

8引脚MSOP （ RM - 8 ）

采用3x3mm CSP （ CP - 8 ）

VDD

控制

GND

RF1

GND

ADG918/

ADG919

GND

顶视图

（不按比例）

RF2

RFCommon

订购指南

模型

ADG918BRM

ADG918BCP

ADG919BRM

ADG919BCP

温度范围

–40°C

+85°C

包装说明

MSOP封装（微小外形封装）

芯片级封装

MSOP封装（微小外形封装）

芯片级封装

BRANDING

封装选项

RM-8

CP-8

RM-8

CP-8

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然ADG919具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

REV 。中国

–3–

初步的技术数据

ADG918/ADG919

外形尺寸

尺寸以英寸（毫米）所示。

MSOP

(RM-8)

0.122 (3.10)

0.114 (2.90)

0.122 (3.10)

0.114 (2.90)

0.199 (5.05)

0.187 (4.75)

销1

0.0256 （ 0.65 ） BSC

0.120 (3.05)

0.112 (2.84)

0.006 (0.15)

0.002 (0.05)

0.018 (0.46)

座位0.008 （ 0.20 ）

飞机

0.043 (1.09)

0.037 (0.94)

0.011 (0.28)

0.003 (0.08)

0.120 (3.05)

0.112 (2.84)

0.028 (0.71)

0.016 (0.41)

芯片级封装

(CP-8)

3 x 3mm的

待定

–4–

REV 。中国

宽带4 GHz的43 dB的隔离在1 GHz ，

CMOS 1.65 V至2.75 V， 2 ： 1多路复用器/ SPDT

ADG918/ADG919

特点

宽带开关： -3分贝@ 4GHz的

吸收式/反射式开关

高关断隔离（43 dB的1千兆赫）

低插入损耗（0.8 dB的1千兆赫）

单1.65 V至2.75 V电源供电

CMOS / LVTTL控制逻辑

8引脚MSOP和纤巧3毫米× 3 mm LFCSP封装包

低功耗（ <1 μA ）

功能方框图

ADG918

RF1

RFC

RF2

CTRL

应用

无线通信

通用RF开关

双频段应用

高速过滤器选择

数码收发器前端开关

IF开关

调谐器模块

天线分集开关

ADG919

RF1

RFC

RF2

CTRL

03335-001

图1 。

概述

该ADG918 / ADG919均采用CMOS宽带交换机

过程，以提供高隔离度和低插入损耗，以

1千兆赫。该ADG918是具有吸收（匹配）开关

50Ω端接分流腿，而ADG919是反射

开关。这些设备被设计成使得所述隔离

高在DC至1 GHz的频率范围内。它们具有板上

CMOS控制逻辑，从而消除了对外部

控制电路。控制输入是CMOS和

–10

= 2.5V

= 25°C

LVTTL兼容。这些低功耗

CMOS器件使它们非常适合于无线和

通用型高频开关应用。

产品亮点

-43 dB的关断隔离@ 1 GHz的。

0.8分贝插入损耗@ 1 GHz的。

纤巧8引线MSOP / LFCSP封装。

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

插入损耗（dB ）

–1.2

–1.4

–1.6

–1.8

–2.0

–2.2

–2.4

–2.6

–2.8

–3.0

03335-003

–20

–30

隔离度（dB ）

–40

–50

S12

–60

–70

–80

–90

S21

= 2.5V

= 25°C

100k

10M

100M

频率（Hz）

10G

03335-004

–100

10k

100k

10M

100M

频率（Hz）

10G

–3.2

10k

图2.关断隔离与频率的关系

图3.插入损耗与频率

版本C

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

ADG918/ADG919

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... .............. 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能说明............................. 6

典型性能特征............................................. 7

术语................................................. ................................... 10

测试电路................................................ ..................................... 11

应用信息................................................ .............. 13

吸收与反射开关............................................. .. 13

无线计量................................................ ....................... 13

调谐器模块................................................ ............................ 13

过滤器选择................................................ ............................ 13

ADG9xx评估板............................................... ............ 14

外形尺寸................................................ ....................... 15

订购指南................................................ .......................... 16

修订历史

9月8日 - 修订版。 B到C版

更改订购指南.............................................. ............ 16

8月8日 - 修订版。 A到版本B

变化表1， AC电气特性，三阶

交调截取................................................ ............... 3

更新的外形尺寸............................................... ........ 15

更改订购指南.............................................. ............ 16

9月4日，改从版本0到版本A

更新格式................................................ ..................通用

切换到数据表标题............................................. .................. 1

更改为特色............................................... ............................. 1

更改为产品亮点.............................................. 1 ...........

更改规格............................................... .................. 3

更改为ADG9xx评估板节........................... 13

更改订购指南.............................................. ............ 14

8/03修订版0 ：初始版

版本C | 16页2

ADG918/ADG919

特定网络阳离子

= 1.65 V至2.75 V， GND = 0 V ，输入功率为0 dBm时，所有规格牛逼

民

给T

最大

中，除非另有说明。温度范围

B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

表1中。

参数

AC电气特性

工作频率

3分贝频率

输入功率

插入损耗

符号

条件

民

0 V直流偏置

0.5 V直流偏置

直流到100MHz ; V

= 2.5 V ± 10%

500 MHz的; V

= 2.5 V ± 10%

1000兆赫; V

= 2.5 V ± 10%

100兆赫

500兆赫

1000兆赫

100兆赫

500兆赫

1000兆赫

100兆赫

500兆赫

1000兆赫

100兆赫

500兆赫

1000兆赫

直流到100MHz

500兆赫

1000兆赫

直流到100MHz

500兆赫

1000兆赫

50 ％ CTRL 90 ％ RF

50 ％ CTRL至10 ％的RF

10 ％至90％的射频

九成-10％射频

1000兆赫

900兆赫/ 901兆赫， 4 dBm的

B版本

典型值

最大

0.7

0.8

1.25

单位

GHz的

DBM

, S

隔离RFC到RF1 / RF2

（ CP包）

隔离RFC到RF1 / RF2

（ RM包）

隔离- RF1到RF2 （串扰）

（ CP包）

隔离- RF1到RF2 （串扰）

（ RM包）

回波损耗（通道）

, S

回波损耗（关通道）

ADG918

对开关时间

关闭开关时间

上升时间

下降时间

1 dB压缩

三阶交调截取

视频馈通

DC电气特性

输入高电压

输入低电压

输入漏电流

, S

关闭

上升

秋天

1分贝

28.5

0.4

0.5

0.8

6.6

6.5

6.1

2.5

9.5

DBM

mV的P-P

μA

INH

INL

= 2.25 V至2.75 V

= 1.65 V至1.95 V

= 2.25 V至2.75 V

= 1.65 V至1.95 V

0 V ≤ V

≤ 2.75 V

1.7

0.65 V

0.7

0.35 V

±1

± 0.1

版本C |第16页3

ADG918/ADG919

参数

电容

射频导通电容

CTRL输入电容

电源要求

静态电源电流

符号

CTRL

条件

F = 1 MHz的

民

B版本

典型值

1.6

最大

单位

1.65

数字输入= 0 V或V

0.1

2.75

μA

典型值是在V

= 2.5 V和25 ℃，除非另有说明。

点处的插入损耗降低了1分贝。

通过设计保证，不受生产测试。

直流短暂在交换机的任何端口的输出时，控制电压从高切换到低或低到高在50Ω的测试设置，以1纳秒测量

脉冲上升时间和500 MHz的带宽。

版本C | 16页4

ADG918/ADG919

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。

表2中。

参数

到GND

投入到GND

连续电流

输入功率

工作温度范围

工业（B版）

存储温度范围

结温

MSOP封装

热阻抗

LFCSP封装

热阻抗（ 2层板）

热阻抗（ 4层板）

焊接温度，焊接（ 10秒）

IR回流焊，峰值温度（ <20秒）

ESD

等级

-0.5 V至+4 V

-0.5 V到V

+ 0.3 V

30毫安

18 dBm的

-40 ° C至+ 85°C

-65 ° C至+ 150°C

150°C

206°C/W

84°C/W

48°C/W

300°C

235°C

1千伏

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

ESD警告

RF1和RF2关闭端口输入对地： -0.5 V到V

– 0.5 V.

版本C |第16页5