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宽带4 GHz的43 dB的隔离在1 GHz ,
CMOS 1.65 V至2.75 V, 2 : 1多路复用器/ SPDT
ADG918/ADG919
特点
宽带开关: -3分贝@ 4GHz的
吸收式/反射式开关
高关断隔离(43 dB的1千兆赫)
低插入损耗(0.8 dB的1千兆赫)
单1.65 V至2.75 V电源供电
CMOS / LVTTL控制逻辑
8引脚MSOP和纤巧3毫米× 3 mm LFCSP封装包
低功耗( <1 μA )
功能方框图
ADG918
RF1
RFC
50
RF2
CTRL
50
应用
无线通信
通用RF开关
双频段应用
高速过滤器选择
数码收发器前端开关
IF开关
调谐器模块
天线分集开关
ADG919
RF1
RFC
RF2
CTRL
03335-001
图1 。
概述
该ADG918 / ADG919均采用CMOS宽带交换机
过程,以提供高隔离度和低插入损耗,以
1千兆赫。该ADG918是具有吸收(匹配)开关
50Ω端接分流腿,而ADG919是反射
开关。这些设备被设计成使得所述隔离
高在DC至1 GHz的频率范围内。它们具有板上
CMOS控制逻辑,从而消除了对外部
控制电路。控制输入是CMOS和
0
–10
V
DD
= 2.5V
T
A
= 25°C
LVTTL兼容。这些低功耗
CMOS器件使它们非常适合于无线和
通用型高频开关应用。
产品亮点
1.
2.
3.
-43 dB的关断隔离@ 1 GHz的。
0.8分贝插入损耗@ 1 GHz的。
纤巧8引线MSOP / LFCSP封装。
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
插入损耗(dB )
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
–2.0
–2.2
–2.4
–2.6
–2.8
–3.0
03335-003
–20
–30
隔离度(dB )
–40
–50
S12
–60
–70
–80
–90
S21
V
DD
= 2.5V
T
A
= 25°C
100k
1M
10M
100M
频率(Hz)
1G
10G
03335-004
–100
10k
100k
1M
10M
100M
频率(Hz)
1G
10G
–3.2
10k
图2.关断隔离与频率的关系
图3.插入损耗与频率
版本C
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获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
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一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
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www.analog.com
传真: 781.461.3113 2003-2008 ADI公司保留所有权利。
ADG918/ADG919
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... .............. 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征............................................. 7
术语................................................. ................................... 10
测试电路................................................ ..................................... 11
应用信息................................................ .............. 13
吸收与反射开关............................................. .. 13
无线计量................................................ ....................... 13
调谐器模块................................................ ............................ 13
过滤器选择................................................ ............................ 13
ADG9xx评估板............................................... ............ 14
外形尺寸................................................ ....................... 15
订购指南................................................ .......................... 16
修订历史
9月8日 - 修订版。 B到C版
更改订购指南.............................................. ............ 16
8月8日 - 修订版。 A到版本B
变化表1, AC电气特性,三阶
交调截取................................................ ............... 3
更新的外形尺寸............................................... ........ 15
更改订购指南.............................................. ............ 16
9月4日,改从版本0到版本A
更新格式................................................ ..................通用
切换到数据表标题............................................. .................. 1
更改为特色............................................... ............................. 1
更改为产品亮点.............................................. 1 ...........
更改规格............................................... .................. 3
更改为ADG9xx评估板节........................... 13
更改订购指南.............................................. ............ 14
8/03修订版0 :初始版
版本C | 16页2
ADG918/ADG919
特定网络阳离子
V
DD
= 1.65 V至2.75 V, GND = 0 V ,输入功率为0 dBm时,所有规格牛逼
给T
最大
中,除非另有说明。温度范围
B版本: -40 ° C至+ 85°C 。
表1中。
参数
AC电气特性
工作频率
2
3分贝频率
3
输入功率
3
插入损耗
符号
条件
dc
0 V直流偏置
0.5 V直流偏置
直流到100MHz ; V
DD
= 2.5 V ± 10%
500 MHz的; V
DD
= 2.5 V ± 10%
1000兆赫; V
DD
= 2.5 V ± 10%
100兆赫
500兆赫
1000兆赫
100兆赫
500兆赫
1000兆赫
100兆赫
500兆赫
1000兆赫
100兆赫
500兆赫
1000兆赫
直流到100MHz
500兆赫
1000兆赫
直流到100MHz
500兆赫
1000兆赫
50 % CTRL 90 % RF
50 % CTRL至10 %的RF
10 %至90%的射频
九成-10%射频
1000兆赫
900兆赫/ 901兆赫, 4 dBm的
B版本
典型值
1
最大
2
4
7
16
0.7
0.8
1.25
单位
GHz的
GHz的
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
S
21
, S
12
隔离RFC到RF1 / RF2
( CP包)
隔离RFC到RF1 / RF2
( RM包)
隔离- RF1到RF2 (串扰)
( CP包)
隔离- RF1到RF2 (串扰)
( RM包)
回波损耗(通道)
3
S
21
, S
12
S
21
, S
12
S
21
, S
12
S
21
, S
12
S
11
, S
22
回波损耗(关通道)
3
ADG918
对开关时间
3
关闭开关时间
3
上升时间
3
下降时间
3
1 dB压缩
3
三阶交调截取
视频馈通
4
DC电气特性
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
S
11
, S
22
57
46
36
55
43
34
55
41
31
54
39
31
21
22
22
18
17
16
t
ON
t
关闭
t
上升
t
秋天
P
1分贝
IP
3
28.5
0.4
0.5
0.8
60
49
43
60
47
37
58
44
37
57
42
33
27
27
26
23
21
20
6.6
6.5
6.1
6.1
17
36
2.5
10
9.5
9
9
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
ns
ns
DBM
DBM
mV的P-P
V
V
V
V
μA
V
INH
V
INH
V
INL
V
INL
I
I
V
DD
= 2.25 V至2.75 V
V
DD
= 1.65 V至1.95 V
V
DD
= 2.25 V至2.75 V
V
DD
= 1.65 V至1.95 V
0 V ≤ V
IN
≤ 2.75 V
1.7
0.65 V
CC
0.7
0.35 V
CC
±1
± 0.1
版本C |第16页3
ADG918/ADG919
参数
电容
3
射频导通电容
CTRL输入电容
电源要求
V
DD
静态电源电流
1
2
符号
C
RF
ON
C
CTRL
条件
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
B版本
典型值
1
1.6
2
最大
单位
pF
pF
1.65
I
DD
数字输入= 0 V或V
DD
0.1
2.75
1
V
μA
典型值是在V
DD
= 2.5 V和25 ℃,除非另有说明。
点处的插入损耗降低了1分贝。
3
通过设计保证,不受生产测试。
4
直流短暂在交换机的任何端口的输出时,控制电压从高切换到低或低到高在50Ω的测试设置,以1纳秒测量
脉冲上升时间和500 MHz的带宽。
版本C | 16页4
ADG918/ADG919
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
表2中。
参数
V
DD
到GND
投入到GND
连续电流
输入功率
工作温度范围
工业(B版)
存储温度范围
结温
MSOP封装
θ
JA
热阻抗
LFCSP封装
θ
JA
热阻抗( 2层板)
θ
JA
热阻抗( 4层板)
焊接温度,焊接( 10秒)
IR回流焊,峰值温度( <20秒)
ESD
1
等级
-0.5 V至+4 V
-0.5 V到V
DD
+ 0.3 V
1
30毫安
18 dBm的
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
206°C/W
84°C/W
48°C/W
300°C
235°C
1千伏
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
ESD警告
RF1和RF2关闭端口输入对地: -0.5 V到V
DD
– 0.5 V.
版本C |第16页5
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