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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第502页 > ADG902BCP-REEL7
宽带40 dB的隔离在1 GHz ， CMOS
1.65 V至2.75 V，单刀单掷开关
ADG901/ADG902
特点
宽带开关： -3分贝@ 4.5 GHz的
吸收式/反射式开关
高关断隔离（40 dB的1千兆赫）
低插入损耗（0.8 dB的1千兆赫）
单1.65 V至2.75 V电源供电
CMOS / LVTTL控制逻辑
8引脚MSOP和纤巧3毫米3 mm LFCSP封装包
低功耗（ <1 A）
应用
无线通信
通用RF开关
双频段应用
高速过滤器选择
数码收发器前端开关
IF开关
调谐器模块
天线分集开关
功能方框图
ADG901
RF1
RF2
50
50
CTRL
ADG902
RF1
RF2
CTRL
概述
该ADG901 / ADG902是使用宽带交换机
CMOS工艺，提供高隔离度和低插入损耗，以
1千兆赫。该ADG901是一款吸收（匹配）开关
50
封端的分路腿，而ADG902是反射
开关。这些设备被设计成使得所述隔离
高在DC至1 GHz的频率范围内。它们具有板上
CMOS控制逻辑，从而消除了对外部
控制电路。控制输入是CMOS和
0
–10
T
A
= 25 C
LVTTL兼容。这些低功耗
CMOS器件使它们非常适合于无线应用
tions和通用型高频开关。
产品亮点
1. -40 dB的关断隔离@ 1 GHz的
2. 0.8分贝插入损耗@ 1 GHz的
3.采用纤巧8引线MSOP / LFCSP封装
–0.4
–0.6
–20
插入损耗（dB ）
–0.8
–1.0
–30
隔离度（dB ）
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
–2.0
–2.2
–2.4
–2.6
V
DD
= 2.5V
T
A
= 25 C
100k
1M
10M
100M
频率（Hz）
1G
10G
–40
–50
–60
–70
–80
–90
V
DD
= 1.8 V
V
DD
= 2.5 V
–2.8
10G
–100
10k
100k
1M
10M
100M
频率（Hz）
1G
–3.0
10k
图1.关断隔离与频率的关系
图2.插入损耗与频率
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2004 ADI公司保留所有权利。
ADG901/ADG902–SPECIFICATIONS
参数
AC电气特性
工作频率
3
-3dB频率
4
输入功率
4
插入损耗
S
21
, S
12
S
21
, S
12
S
21
, S
12
S
11
, S
22
S
11
, S
22
t
ON
t
关闭
t
上升
t
秋天
P
1分贝
IP
3
符号
条件
1
(V
DD
= 1.65 V至2.75 V， GND = 0 V ，输入功率为0 dBm时，
所有特定网络阳离子牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
B版本
民
典型值
2
最大
DC
2.5
4.5
7
16
0.7
0.8
1.25
单位
GHz的
GHz的
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
ns
ns
DBM
DBM
mV的P-P
V
V
V
V
A
pF
pF
隔离- RF1到RF2
（ CP包）
隔离- RF1到RF2
（ RM包）
回波损耗（通道）
4
回波损耗（关通道）
4
对开关时间
4
关闭开关时间
4
上升时间
4
下降时间
4
1 dB压缩
4
三阶交调截取
视频馈通
5
0 V直流偏置
+ 0.5V的直流偏置
直流到100MHz ; V
DD
= 2.5 V
±
10%
500 MHz的; V
DD
= 2.5 V
±
10%
1000兆赫; V
DD
= 2.5 V
±
10%
100兆赫
60
500兆赫
43
1000兆赫
34
100兆赫
51
500兆赫
37.5
1000兆赫
31
直流到100MHz
20
500兆赫
23
1000兆赫
25
直流到100MHz
18
500兆赫
17
1000兆赫
15
50 ％ CTRL 90 ％ RF
50 ％ CTRL至10 ％的RF
10 ％至90％的射频
九成-10％射频
1000兆赫
900兆赫/ 901兆赫， 4 dBm的
30
0.4
0.5
0.8
61
45
40
60
47
37
28
29
28
23
21
19
3.6
5.8
3.1
6.0
17
36
2.5
6
9.5
5.5
8.5
DC电气特性
输入高电压
V
INH
V
INH
输入低电压
V
INL
V
INL
输入漏电流
I
I
电容
4
RF1 / RF2 ， RF端口上的电容
CTRL输入电容
电源要求
V
DD
静态电源电流
C
RF
ON
C
CTRL
V
DD
= 2.25 V至2.75 V
V
DD
= 1.65 V至1.95 V
V
DD
= 2.25 V至2.75 V
V
DD
= 1.65 V至1.95 V
0
≤
V
IN
≤
2.75 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
1.7
0.65 V
CC
±
0.1
1.2
2.1
1.65
2.75
1
0.7
0.35 V
CC
±
1
I
DD
数字输入= 0 V或V
DD
0.1
V
A
笔记
1
温度范围B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
典型值是在V
DD
= 2.5 V和25 ℃，除非另有说明。
3
点处的插入损耗降低了1分贝。
4
通过设计保证，不受生产测试。
5
当控制电压从高切换到低或低到高在一50直流短暂在交换机的任何端口的输出
测试装置，测得
1纳秒脉冲上升时间和500 MHz的带宽。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADG901/ADG902
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至+4 V
投入到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
DD
+ 0.3 V
2
连续电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
输入功率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18 dBm的
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
MSOP封装
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
LFCSP封装
JA
热阻抗（ 2层板） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84 ° C / W
JA
热阻抗（ 4层板） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR回流焊，峰值温度（ <20秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 235℃
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1千伏
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
RF1 / 2关端口输入到地面................................... -0.5 V到V
DD
– 0.5 V
订购指南
模型
ADG901BRM
ADG901BRM-500RL7
ADG901BRM-REEL7
ADG901BCP-500RL7
ADG901BCP-REEL7
ADG902BRM
ADG902BRM-500RL7
ADG902BRM-REEL7
ADG902BCP-500RL7
ADG902BCP-REEL7
EVAL-ADG901EB
EVAL-ADG902EB
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
微型小外形封装（ MSOP ）
微型小外形封装（ MSOP ）
微型小外形封装（ MSOP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
微型小外形封装（ MSOP ）
微型小外形封装（ MSOP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
评估板
评估板
封装选项
RM-8
RM-8
RM-8
CP-8
CP-8
RM-8
RM-8
RM-8
CP-8
CP-8
BRANDING
W6B
W6B
W6B
W6B
W6B
W7B
W7B
W7B
W7B
W7B
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADG901 / ADG902具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
引脚配置
8引脚MSOP （ RM - 8 ）
8引脚3 mm 3 mm LFCSP封装（ CP - 8 ）
引脚功能描述
PIN号
1
助记符
V
DD
功能
电源输入。这些可以部分
从1.65 V操作，以2.75 V ;
V
DD
应去耦至GND 。
CMOS或TTL逻辑电平。
0
从RF1 RF2隔离
1
RF1到RF2
所有接地参考点
电路上的零件。
RF1端口。
RF2端口。
V
DD 1
CTRL
2
8
RF2
ADG901/
ADG902
7
GND
GND
3
6
GND
顶视图
（不按比例）
5
GND
RF1
4
2
CTRL
3, 5, 6, 7
表一，表真相
GND
RF1
RF2
4
8
CTRL
0
1
信道
从RF1 RF2隔离
RF1到RF2
REV 。一
–3–
ADG901/ADG902
术语
参数
V
DD
I
DD
GND
CTRL
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
C
IN
t
ON
t
关闭
t
上升
t
秋天
关断隔离
描述
最积极的供电潜力。
正电源电流。
接地（ 0 V ）参考。
逻辑控制输入。
最大输入电压为逻辑0 。
最小输入电压为逻辑1 。
输入电流的数字输入。
数字输入电容。
运用数字控制输入和输出开关上的延迟。
运用数字控制输入和输出开关关之间的延迟。
上升时间。时间的RF信号，以从10％上升到90％的接通电平的。
下降时间。时间的RF信号落入从90％到接通电平的10％。
开关的输入和输出端口之间的衰减，当开关控制电压是在
关断状态。
插入损耗
开关的输入和输出端口之间的衰减，当开关控制电压是在
具体条件。
1 dB压缩点。 RF输入功率电平，在该开关的插入损耗的增加1dB后在其
P
1分贝
低水平的价值。它的开闭器多少功率可以前的插入损耗增大处理的量度
1分贝。
三阶交调截取。这是衡量在虚假音调的功率发生时的间隔接近
IP
3
音通过一个开关，从而，开关的非线性导致生成这些虚假音调。
回波损耗
反射相对于入射功率在一个端口的功率量。大的回波损耗表示良好的匹配。
通过测量回波损耗驻波比可以从转换表来计算。 VSWR （电压驻波比）的
表示匹配出席某开关RF端口的程度。
视频馈通存在于交换机的RF端口的杂散信号，当控制电压从高切换到低
或由低到高无射频信号出现。
–4–
REV 。一
典型性能特征， ADG901 / ADG902
–0.4
–0.6
–0.40
–0.45
V
DD
= 2.5V
–0.4
–0.6
插入损耗（dB ）
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
–2.0
–2.2
–2.4
–2.6
–2.8
–0.50
插入损耗（dB ）
–0.8
V
DD
= 2.25V
–0.55
–0.60 V
DD
= 2.5V
–0.65
–0.70
–0.75
–0.80
–0.85
–0.90
T
A
= 25 C
100k
插入损耗（dB ）
V
DD
= 2.25V
V
DD
= 2.75V
–1.0 V
DD
= 1.8V
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
–2.0
–2.2
–2.4
–2.6
–2.8
T
A
= 25 C
100k
–3.0
10k
V
DD
= 1.95V
V
DD
= 2.75V
V
DD
= 1.65V
T
A
= 25 C
100k
1M
10M 100M
频率（Hz）
1G
10G
–0.95
–1.00
10k
–3.0
10k
1M
10M 100M
频率（Hz）
1G
10G
1M
10M 100M
频率（Hz）
1G
10G
TPC 1.插入损耗与频率
在耗材（ S12和S21 ）
TPC 2.插入损耗与频率
在耗材（ S12和S21 ）
（缩放TPC 1剧情）
TPC 3.插入损耗与频率
在耗材（ S12和S21 ）
–0.4
–0.6
–0.8
+25 C
–40 C
+85 C
隔离度（dB ）
插入损耗（dB ）
–1.0
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
–2.0
–2.2
–2.4
–2.6
–2.8
–3.0
10k
V
DD
= 2.5V
100k
1M
10M
100M
频率（Hz）
1G
10G
0
–5 T
A
= 25 C
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
–45
–50
–55
V
DD
= 2.5V
–60
–65
–70
–75
–80
–85
V
DD
= 1.8V
–90
–95
–100
10k 100k
1M
10M
100M 1G
频率（Hz）
10G
0
–5 V
DD
= 2.5V
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
–45
+85 C
–50
–55
–60
+25 C
–65
–70
–75
–80
–40 C
–85
–90
10k 100k
1M
10M
100M
频率（Hz）
隔离度（dB ）
1G
10G
TPC 4.插入损耗与频率
在整个温度范围（ S12和S21 ）
TPC 5.关断隔离与频率的关系
在耗材（ S12和S21 ）
TPC 6.关断隔离与频率的关系
在整个温度范围（ S12和S21 ）
0
T
A
= 25 C
–5 V
DD
= 2.5V
CH1
–10
回波损耗（分贝）
–15
开关
–20
CH2
CTRL
RFX
–25
–30
–35
10k
ON开关
CH1 = CTRL = 1V / DIV
CH2 =的RFx = 100mV的/ DIV
t
上升
= 2.8ns
t
秋天
= 5.1ns
100k
1M
10M
100M
频率（Hz）
1G
10G
CH2峰峰值
2.016mV
CH1为500mV
CH2 1mV的10.0ns
TPC 7.回波损耗与频率的关系
(S11)
TPC 8.定时开关
TPC 9.视频穿心
REV 。一
–5–
宽带40 dB的隔离在1 GHz ， CMOS
1.65 V至2.75 V，单刀单掷开关
ADG901/ADG902
特点
宽带开关： -3分贝@ 4.5 GHz的
吸收式/反射式开关
高关断隔离（40 dB的1千兆赫）
低插入损耗（0.8 dB的1千兆赫）
单1.65 V至2.75 V电源供电
CMOS / LVTTL控制逻辑
8引脚MSOP和纤巧3毫米3 mm LFCSP封装包
低功耗（ <1 A）
应用
无线通信
通用RF开关
双频段应用
高速过滤器选择
数码收发器前端开关
IF开关
调谐器模块
天线分集开关
功能方框图
ADG901
RF1
RF2
50
50
CTRL
ADG902
RF1
RF2
CTRL
概述
该ADG901 / ADG902是使用宽带交换机
CMOS工艺，提供高隔离度和低插入损耗，以
1千兆赫。该ADG901是一款吸收（匹配）开关
50
封端的分路腿，而ADG902是反射
开关。这些设备被设计成使得所述隔离
高在DC至1 GHz的频率范围内。它们具有板上
CMOS控制逻辑，从而消除了对外部
控制电路。控制输入是CMOS和
0
–10
T
A
= 25 C
LVTTL兼容。这些低功耗
CMOS器件使它们非常适合于无线应用
tions和通用型高频开关。
产品亮点
1. -40 dB的关断隔离@ 1 GHz的
2. 0.8分贝插入损耗@ 1 GHz的
3.采用纤巧8引线MSOP / LFCSP封装
–0.4
–0.6
–20
插入损耗（dB ）
–0.8
–1.0
–30
隔离度（dB ）
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
–2.0
–2.2
–2.4
–2.6
V
DD
= 2.5V
T
A
= 25 C
100k
1M
10M
100M
频率（Hz）
1G
10G
–40
–50
–60
–70
–80
–90
V
DD
= 1.8 V
V
DD
= 2.5 V
–2.8
10G
–100
10k
100k
1M
10M
100M
频率（Hz）
1G
–3.0
10k
图1.关断隔离与频率的关系
图2.插入损耗与频率
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2004 ADI公司保留所有权利。
ADG901/ADG902–SPECIFICATIONS
参数
AC电气特性
工作频率
3
-3dB频率
4
输入功率
4
插入损耗
S
21
, S
12
S
21
, S
12
S
21
, S
12
S
11
, S
22
S
11
, S
22
t
ON
t
关闭
t
上升
t
秋天
P
1分贝
IP
3
符号
条件
1
(V
DD
= 1.65 V至2.75 V， GND = 0 V ，输入功率为0 dBm时，
所有特定网络阳离子牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
B版本
民
典型值
2
最大
DC
2.5
4.5
7
16
0.7
0.8
1.25
单位
GHz的
GHz的
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
ns
ns
DBM
DBM
mV的P-P
V
V
V
V
A
pF
pF
隔离- RF1到RF2
（ CP包）
隔离- RF1到RF2
（ RM包）
回波损耗（通道）
4
回波损耗（关通道）
4
对开关时间
4
关闭开关时间
4
上升时间
4
下降时间
4
1 dB压缩
4
三阶交调截取
视频馈通
5
0 V直流偏置
+ 0.5V的直流偏置
直流到100MHz ; V
DD
= 2.5 V
±
10%
500 MHz的; V
DD
= 2.5 V
±
10%
1000兆赫; V
DD
= 2.5 V
±
10%
100兆赫
60
500兆赫
43
1000兆赫
34
100兆赫
51
500兆赫
37.5
1000兆赫
31
直流到100MHz
20
500兆赫
23
1000兆赫
25
直流到100MHz
18
500兆赫
17
1000兆赫
15
50 ％ CTRL 90 ％ RF
50 ％ CTRL至10 ％的RF
10 ％至90％的射频
九成-10％射频
1000兆赫
900兆赫/ 901兆赫， 4 dBm的
30
0.4
0.5
0.8
61
45
40
60
47
37
28
29
28
23
21
19
3.6
5.8
3.1
6.0
17
36
2.5
6
9.5
5.5
8.5
DC电气特性
输入高电压
V
INH
V
INH
输入低电压
V
INL
V
INL
输入漏电流
I
I
电容
4
RF1 / RF2 ， RF端口上的电容
CTRL输入电容
电源要求
V
DD
静态电源电流
C
RF
ON
C
CTRL
V
DD
= 2.25 V至2.75 V
V
DD
= 1.65 V至1.95 V
V
DD
= 2.25 V至2.75 V
V
DD
= 1.65 V至1.95 V
0
≤
V
IN
≤
2.75 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
1.7
0.65 V
CC
±
0.1
1.2
2.1
1.65
2.75
1
0.7
0.35 V
CC
±
1
I
DD
数字输入= 0 V或V
DD
0.1
V
A
笔记
1
温度范围B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
典型值是在V
DD
= 2.5 V和25 ℃，除非另有说明。
3
点处的插入损耗降低了1分贝。
4
通过设计保证，不受生产测试。
5
当控制电压从高切换到低或低到高在一50直流短暂在交换机的任何端口的输出
测试装置，测得
1纳秒脉冲上升时间和500 MHz的带宽。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADG901/ADG902
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V至+4 V
投入到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
DD
+ 0.3 V
2
连续电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
输入功率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18 dBm的
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
MSOP封装
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
LFCSP封装
JA
热阻抗（ 2层板） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84 ° C / W
JA
热阻抗（ 4层板） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR回流焊，峰值温度（ <20秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 235℃
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1千伏
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
RF1 / 2关端口输入到地面................................... -0.5 V到V
DD
– 0.5 V
订购指南
模型
ADG901BRM
ADG901BRM-500RL7
ADG901BRM-REEL7
ADG901BCP-500RL7
ADG901BCP-REEL7
ADG902BRM
ADG902BRM-500RL7
ADG902BRM-REEL7
ADG902BCP-500RL7
ADG902BCP-REEL7
EVAL-ADG901EB
EVAL-ADG902EB
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
微型小外形封装（ MSOP ）
微型小外形封装（ MSOP ）
微型小外形封装（ MSOP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
微型小外形封装（ MSOP ）
微型小外形封装（ MSOP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
引脚架构芯片级封装（ LFCSP ）
评估板
评估板
封装选项
RM-8
RM-8
RM-8
CP-8
CP-8
RM-8
RM-8
RM-8
CP-8
CP-8
BRANDING
W6B
W6B
W6B
W6B
W6B
W7B
W7B
W7B
W7B
W7B
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
ADG901 / ADG902具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
引脚配置
8引脚MSOP （ RM - 8 ）
8引脚3 mm 3 mm LFCSP封装（ CP - 8 ）
引脚功能描述
PIN号
1
助记符
V
DD
功能
电源输入。这些可以部分
从1.65 V操作，以2.75 V ;
V
DD
应去耦至GND 。
CMOS或TTL逻辑电平。
0
从RF1 RF2隔离
1
RF1到RF2
所有接地参考点
电路上的零件。
RF1端口。
RF2端口。
V
DD 1
CTRL
2
8
RF2
ADG901/
ADG902
7
GND
GND
3
6
GND
顶视图
（不按比例）
5
GND
RF1
4
2
CTRL
3, 5, 6, 7
表一，表真相
GND
RF1
RF2
4
8
CTRL
0
1
信道
从RF1 RF2隔离
RF1到RF2
REV 。一
–3–
ADG901/ADG902
术语
参数
V
DD
I
DD
GND
CTRL
V
INL
V
INH
I
INL
(I
INH
)
C
IN
t
ON
t
关闭
t
上升
t
秋天
关断隔离
描述
最积极的供电潜力。
正电源电流。
接地（ 0 V ）参考。
逻辑控制输入。
最大输入电压为逻辑0 。
最小输入电压为逻辑1 。
输入电流的数字输入。
数字输入电容。
运用数字控制输入和输出开关上的延迟。
运用数字控制输入和输出开关关之间的延迟。
上升时间。时间的RF信号，以从10％上升到90％的接通电平的。
下降时间。时间的RF信号落入从90％到接通电平的10％。
开关的输入和输出端口之间的衰减，当开关控制电压是在
关断状态。
插入损耗
开关的输入和输出端口之间的衰减，当开关控制电压是在
具体条件。
1 dB压缩点。 RF输入功率电平，在该开关的插入损耗的增加1dB后在其
P
1分贝
低水平的价值。它的开闭器多少功率可以前的插入损耗增大处理的量度
1分贝。
三阶交调截取。这是衡量在虚假音调的功率发生时的间隔接近
IP
3
音通过一个开关，从而，开关的非线性导致生成这些虚假音调。
回波损耗
反射相对于入射功率在一个端口的功率量。大的回波损耗表示良好的匹配。
通过测量回波损耗驻波比可以从转换表来计算。 VSWR （电压驻波比）的
表示匹配出席某开关RF端口的程度。
视频馈通存在于交换机的RF端口的杂散信号，当控制电压从高切换到低
或由低到高无射频信号出现。
–4–
REV 。一
典型性能特征， ADG901 / ADG902
–0.4
–0.6
–0.40
–0.45
V
DD
= 2.5V
–0.4
–0.6
插入损耗（dB ）
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
–2.0
–2.2
–2.4
–2.6
–2.8
–0.50
插入损耗（dB ）
–0.8
V
DD
= 2.25V
–0.55
–0.60 V
DD
= 2.5V
–0.65
–0.70
–0.75
–0.80
–0.85
–0.90
T
A
= 25 C
100k
插入损耗（dB ）
V
DD
= 2.25V
V
DD
= 2.75V
–1.0 V
DD
= 1.8V
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
–2.0
–2.2
–2.4
–2.6
–2.8
T
A
= 25 C
100k
–3.0
10k
V
DD
= 1.95V
V
DD
= 2.75V
V
DD
= 1.65V
T
A
= 25 C
100k
1M
10M 100M
频率（Hz）
1G
10G
–0.95
–1.00
10k
–3.0
10k
1M
10M 100M
频率（Hz）
1G
10G
1M
10M 100M
频率（Hz）
1G
10G
TPC 1.插入损耗与频率
在耗材（ S12和S21 ）
TPC 2.插入损耗与频率
在耗材（ S12和S21 ）
（缩放TPC 1剧情）
TPC 3.插入损耗与频率
在耗材（ S12和S21 ）
–0.4
–0.6
–0.8
+25 C
–40 C
+85 C
隔离度（dB ）
插入损耗（dB ）
–1.0
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
–2.0
–2.2
–2.4
–2.6
–2.8
–3.0
10k
V
DD
= 2.5V
100k
1M
10M
100M
频率（Hz）
1G
10G
0
–5 T
A
= 25 C
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
–45
–50
–55
V
DD
= 2.5V
–60
–65
–70
–75
–80
–85
V
DD
= 1.8V
–90
–95
–100
10k 100k
1M
10M
100M 1G
频率（Hz）
10G
0
–5 V
DD
= 2.5V
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
–45
+85 C
–50
–55
–60
+25 C
–65
–70
–75
–80
–40 C
–85
–90
10k 100k
1M
10M
100M
频率（Hz）
隔离度（dB ）
1G
10G
TPC 4.插入损耗与频率
在整个温度范围（ S12和S21 ）
TPC 5.关断隔离与频率的关系
在耗材（ S12和S21 ）
TPC 6.关断隔离与频率的关系
在整个温度范围（ S12和S21 ）
0
T
A
= 25 C
–5 V
DD
= 2.5V
CH1
–10
回波损耗（分贝）
–15
开关
–20
CH2
CTRL
RFX
–25
–30
–35
10k
ON开关
CH1 = CTRL = 1V / DIV
CH2 =的RFx = 100mV的/ DIV
t
上升
= 2.8ns
t
秋天
= 5.1ns
100k
1M
10M
100M
频率（Hz）
1G
10G
CH2峰峰值
2.016mV
CH1为500mV
CH2 1mV的10.0ns
TPC 7.回波损耗与频率的关系
(S11)
TPC 8.定时开关
TPC 9.视频穿心
REV 。一
–5–
宽带40 dB的隔离在1 GHz ， CMOS
1.65 V至2.75 V，单刀单掷开关
ADG901/ADG902
特点
宽带开关： -3分贝@ 4.5 GHz的
ADG901吸收开关
ADG902反射开关
高关断隔离： 40分贝@ 1 GHz的
低插入损耗为0.8 dB的1 GHz的
单1.65 V至2.75 V电源供电
CMOS / LVTTL控制逻辑
8引脚MSOP和纤巧3毫米× 3 mm LFCSP封装包
低功耗（ <1 μA ）
功能框图
ADG901
RF1
RF2
50Ω
50Ω
CTRL
ADG902
应用
无线通信
通用RF开关
双频段应用
高速过滤器选择
数码收发器前端开关
IF开关
调谐器模块
天线分集开关列表
RF1
RF2
图1 。
概述
该ADG901 / ADG902是使用的CMOS宽带交换机
过程，以提供高隔离度和低插入损耗，以
1千兆赫。该ADG901是一款吸收（匹配）开关
50Ω端接分流腿，而ADG902是反射
开关。这些设备被设计成使得所述隔离
高在DC至1 GHz的频率范围内。它们具有板上
CMOS控制逻辑，从而消除了对外部
控制电路。控制输入是CMOS和
0
T
A
= 25°C
–10
–20
LVTTL兼容。这些低功耗
CMOS器件使它们非常适合于无线
应用程序和通用型高频开关。
产品亮点
1.
2.
3.
-40 dB的关断隔离@ 1 GHz的
0.8分贝插入损耗@ 1 GHz的
纤巧8引线MSOP / LFCSP封装
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
插入损耗（dB ）
–30
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
–2.0
–2.2
–2.4
–2.6
–2.8
隔离度（dB ）
–40
–50
–60
–70
–80
03336-002
V
DD
= 2.5V
03336-001
CTRL
–90
–100
10k
V
DD
= 1.8V
–3.0
V
DD
= 2.5V
T
A
= 25°C
100k
1M
10M
100M
1G
–3.0
10k
10G
100k
1M
10M
100M
1G
10G
频率（Hz）
频率（Hz）
图3.插入损耗与频率
图2.关断隔离与频率的关系
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
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一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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www.analog.com
传真： 781.461.3113
2005 ADI公司保留所有权利。
03336-003
ADG901/ADG902
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 4
ESD注意事项................................................ .................................. 4
引脚配置和功能描述.............................. 5
典型性能特征.............................................. 6
术语................................................. ...................................... 8
测试电路................................................ ........................................ 9
应用................................................. .................................... 10
吸收与反射开关........................................... 10
ADG90x评估板............................................... ............ 11
外形尺寸................................................ ....................... 12
订购指南................................................ ............................... 13
修订历史
10月5日 - 修订版。 A到版本B
图1 ..............................................变化............................ 1
更改表1 .............................................. .............................. 3
更改订购指南.............................................. ............ 12
10/04 -REV 。 0到版本A.
更改功能............................................... .......................... 1
更改产品亮点.............................................. ........ 1
更改规格............................................... ................. 2
更改订购指南.............................................. .............. 3
更改为ADG9xx评估板科............................. 9
更改订购指南.............................................. ............ 10
8月3日 - 修订版0 ：初始版
版本B |第16页2
ADG901/ADG902
特定网络阳离子
V
DD
= 1.65 V至2.75 V， GND = 0 V ，输入功率为0 dBm时，所有规格牛逼
民
给T
最大
除非另有规定ED 。
1
表1中。
参数
AC电气特性
工作频率
3
-3dB频率
4
输入功率
4
插入损耗
符号
条件
民
DC
0 V直流偏置
0.5 V直流偏置
直流到100MHz ; V
DD
= 2.5 V ± 10%
500 MHz的; V
DD
= 2.5 V ± 10%
1000兆赫; V
DD
= 2.5 V ± 10%
100兆赫
500兆赫
1000兆赫
100兆赫
500兆赫
1000兆赫
直流到100MHz
500兆赫
1000兆赫
直流到100MHz
500兆赫
1000兆赫
50 ％ CTRL 90 ％ RF
50 ％ CTRL至10 ％的RF
10 ％至90％的射频
九成-10％射频
1000兆赫
900兆赫/ 901兆赫， 4 dBm的
B版本
典型值
2
最大
2.5
4.5
7
16
0.7
0.8
1.25
单位
GHz的
GHz的
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
ns
ns
ns
DBM
DBM
mV的P-P
V
V
V
V
μA
pF
pF
2.75
1
V
μA
S
21
, S
12
隔离- RF1到RF2
CP包
隔离- RF1到RF2
RM套餐
回波损耗（通道）
4
S
21
, S
12
S
21
, S
12
S
11
, S
22
回波损耗（关通道）
4
S
11
, S
22
60
43
34
51
37.5
31
20
23
25
18
17
15
对开关时间
4
关闭开关时间
4
上升时间
4
下降时间
4
1 dB压缩
4
三阶交调截取
视频馈通
5
DC电气特性
输入高电压
输入低电压
t
ON
t
关闭
t
上升
t
秋天
P
1分贝
IP3
B
28.5
0.4
0.5
0.8
61
45
40
60
47
37
28
29
28
23
21
19
3.6
5.8
3.1
6.0
17
36
2.5
6
9.5
5.5
8.5
V
INH
V
INH
V
INL
V
INL
I
I
C
RF
on
C
CTRL
V
DD
= 2.25 V至2.75 V
V
DD
= 1.65 V至1.95 V
V
DD
= 2.25 V至2.75 V
V
DD
= 1.65 V至1.95 V
0 ≤ V
IN
≤ 2.75 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
1.7
0.65 V
DD
0.7
0.35
V
DD
±1
输入漏电流
电容
4
RF1 / RF2 ， RF端口上的电容
CTRL输入电容
电源要求
V
DD
静态电源电流
1
2
±0.1
1.2
2.1
1.65
I
DD
数字输入= 0 V或V
DD
0.1
温度范围为B版： -40°C至+ 85°C 。
典型值是在V
DD
= 2.5 V和25℃ ，除非另有说明。
3
点处的插入损耗降低了1分贝。
4
通过设计保证，不受生产测试。
5
直流短暂在交换机的任何端口的输出时，控制电压从高切换到低或低到高在50Ω的测试设置，以1纳秒测量
脉冲上升时间和500 MHz的带宽。
版本B |第16页3
ADG901/ADG902
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
表2中。
参数
V
DD
到GND
投入到GND
连续电流
输入功率
工作温度范围
工业（B版）
存储温度范围
结温
MSOP封装
θ
JA
热阻抗
LFCSP封装
θ
JA
热阻抗（ 2层
板）
θ
JA
热阻抗（ 4层
板）
焊接温度，焊接（ 10秒）
IR回流焊，峰值温度（ <20秒）
ESD
1
等级
-0.5 V至+4 V
-0.5 V到V
DD
+ 0.3
V
1
30毫安
18 dBm的
40°C
至+ 85°C
65°C
至+ 150°C
150°C
206°C/W
84°C/W
48°C/W
300°C
235°C
1千伏
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
RF1 / RF2关闭端口输入对地： -0.5 V到V
DD
– 0.5 V
ESD警告
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
版本B |第16页4
ADG901/ADG902
引脚配置和功能描述
V
DD 1
CTRL
2
GND
3
8
RF2
GND
ADG901/
ADG902
7
图4. 8引脚MSOP （ RM - 8）和
8引脚3 mm × 3 mm LFCSP封装（ CP - 8 - 裸露焊盘连接到基板上， GND
表3.引脚功能描述
PIN号
1
2
助记符
V
DD
CTRL
描述
电源输入。这些部件可以从1.65 V操作，以2.75 V ; V
DD
应去耦至GND 。
CMOS或LVTTL逻辑电平。 CTRL输入不应超过V
DD.
0
→
从RF2 RF1隔离。
1
→
RF1到RF2 。
接地参考点在零件上的所有电路。
RF1端口。
RF2端口。
3, 5, 6, 7
4
8
GND
RF1
RF2
表4.真值表
CTRL
0
1
信道
从RF1 RF2隔离
RF1到RF2
版本B |第16页5
03336-004
6
GND
顶视图
（不按比例）
5
GND
RF1
4
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