【0.4 Ω CMOS ，双路DPDT开关在WLCSP / LFCSP / TSSOP封装ADG888】,IC型号ADG888YCPZ-REEL7,ADG888YCPZ-REEL7 PDF资料,ADG888YCPZ-REEL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

0.4 Ω CMOS ，双路DPDT开关

在WLCSP / LFCSP / TSSOP封装

ADG888

特点

1.8 V至5.5 V操作

超低导通电阻

0.4 Ω典型

0.6 Ω最大为5 V电源

卓越的音频性能，超低失真

0.07 Ω典型

0.14 Ω最大R

平整度

高电流承载能力

400毫安连续

600毫安峰值电流在5 V

汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C

轨到轨开关工作

典型功耗（ <0.1 μW ）

功能框图

ADG888

S1A

S1B

S2A

S2B

IN1

S3A

S3B

S4A

S4B

IN2

05432-001

应用

手机

掌上电脑

MP3播放器

电源布线

电池供电系统

PCMCIA卡

调制解调器

音频和视频信号路由

通信系统

数据交换

开关所

对于逻辑1输入

图1 。

概述

该ADG888是一款低电压，双DPDT （双刀，

双掷） CMOS器件针对高性能优化

音频切换。其低功耗和小的物理尺寸，这是

适用于便携式设备。

该器件具有超低导小于0.8 Ω以上的电阻

在整个温度范围内，使之成为一个理想的解决方案

应用程序需要通过开关最小失真。

该ADG888也有随身携带大量的能力

目前，一般400毫安在5 V工作电压。

当打开时，每个开关导电性能相同，在两个方向

并具有延伸到电源的输入信号范围。该

ADG888展品先开后合式开关动作。

该ADG888采用16球WLCSP封装， 16引脚LFCSP封装，

和16引脚TSSOP封装。这些软件包使ADG888的

对于空间受限应用的理想解决方案。

产品亮点

<0.6 Ω在-40 ° C至+ 125°C的整个温度范围内。

高电流处理能力（400 mA连续

目前在5 V ）。

低THD + N （典型值0.008 ％）。

纤巧16引脚WLCSP ， 16引脚LFCSP封装，以及16引脚TSSOP封装。

REV 。一

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www.analog.com

传真： 781.461.3113

ADG888

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ ................................... 5

引脚配置和功能描述............................ 6

典型性能特征.............................................. 7

测试电路................................................ ........................................ 9

术语................................................. ................................... 11

外形尺寸................................................ ....................... 12

订购指南................................................ .......................... 13

修订历史

12月6日 - 修订版。 0到版本A

更新格式................................................ ..................通用

更改表2 .............................................. .............................. 4

更改表3 .............................................. .............................. 5

更改订购指南.............................................. ............ 13

7月5日 - 修订版0 ：初始版

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ADG888

特定网络阳离子

= 4.2 V至5.5 V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容

动态特性

关闭

突破前先延时（T

BBM

)

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

+25°C

B版本

版本

0到V

0.4

0.48

0.04

0.06

0.07

0.11

±0.2

2.0

0.8

0.005

±0.1

总谐波失真（ THD + N）

插入损耗

-3 dB带宽

（关闭）

, C

（上）

电源要求

0.008

0.03

110

0.003

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

测试条件/评论

0.55

0.6

= 4.2 V, V

= 0 V到V

, I

= 100毫安

见图16

= 4.2 V, V

= 2.2 V，I

= 100毫安

0.07

0.13

0.075

0.14

= 4.2 V, V

= 0 V到V

= 100毫安

= 5.5 V

= 1 V/4.5 V, V

= 4.5 V / 1 V ;参见图17

= V

= 1 V或4.5 V ;参见图18

= V

INL

或V

INH

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= 3 V / 0 V ;参见图19

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= 3 V / 0 V ;参见图19

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 3 V ;参见图20

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图21

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;参见图22

相邻信道;

= 50 Ω, C

= 5 pF的，

F = 100千赫;参见图25

相邻的开关;

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;

见图23

= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V

= 3伏峰 - 峰值

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图24

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图24

= 5.5 V

数字输入= 0 V或5.5 V

温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C的TSSOP和LFCSP ;温度范围为B版本为-40 ° C至+ 85°C的WLCSP 。

通过设计保证，但未经生产测试。

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ADG888

= 2.7 V至3.6 V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容

动态特性

关闭

突破前先延时（T

BBM

)

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

+25°C

B版本

版本

0到V

0.5

0.7

0.045

0.072

0.16

0.75

0.8

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

1.3

0.8

0.005

±0.1

总谐波失真（ THD + N）

插入损耗

-3 dB带宽

（关闭）

, C

（上）

电源要求

0.01

0.04

115

0.003

测试条件/评论

= 2.7 V, V

= 0 V到V

= 100毫安;参见图16

= 2.7 V, V

= 1 V

= 100毫安

= 2.7 V, V

= 0 V到V

= 100毫安

= 3.6 V

= 1 V/2.6 V, V

= 2.6 V / 1 V ;参见图17

= V

= 1 V或2.6 V ;参见图18

0.077

0.083

0.262

±0.2

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

= V

INL

或V

INH

= 50 Ω, C

= 35 pF的;参见图19

= 1.5 V/0 V

= 50 Ω, C

= 35 pF的;参见图19

= 1.5 V/0 V

= 50 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 1.5 V ;参见图20

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图21

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;参见图22

相邻信道;

= 50 V ，C

= 5 PF， F = 100千赫;

见图25

dB典型值

相邻的开关;

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 100千赫;

见图23

= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V

= 1V峰 - 峰值

dB典型值

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图24

MHz的典型

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图24

pF的典型值

= 3.6 V

μA （典型值）数字输入= 0 V或3.6 V

μA（最大值）

温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C的TSSOP和LFCSP ;温度范围为B版本为-40 ° C至+ 85°C的WLCSP 。

通过设计保证，但未经生产测试。

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ADG888

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。

表3中。

参数

到GND

模拟量输入，数字输入

峰值电流，S或D

5 V工作

连续电流，S或D

5 V工作

工作温度范围

汽车（Y版）

TSSOP和LFCSP封装

工业（B版）

WLCSP封装

存储温度范围

结温

16引脚TSSOP封装

热阻抗

（ 4层板）

热阻抗

16引脚WLCSP封装

热阻抗

（ 4层板）

16引脚LFCSP封装

热阻抗

（ 4层板）

回流焊接（无铅）

峰值温度

在峰值温度的时间

等级

0.3 V至6 V

0.3 V到V

+ 0.3 V或30 mA时，

以先到为准科幻RST

600毫安（脉冲为1毫秒，

10 ％占空比最大）

400毫安

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

只有一个绝对最大额定值可以在任何一个应用

时间。

ESD警告

-40 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

-65 ° C至+ 150°C

150°C

112°C/W

27.6°C/W

130°C/W

30.4°C/W

260(+0/5)°C

10秒40秒

过压IN ，S或D是由内部二极管钳位。限制电流

最高收视率给出。

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