1.3 Ω CMOS ， 1.8 V至5.5 V单SPDT
采用SOT - 66封装1 MUX ：开关/ 2
ADG859
特点
1.8 V至5.5 V单电源供电
微小1.65毫米× 1.65毫米包
低导通电阻： 1.3 Ω在5 V电源
高电流承载能力
300毫安连续电流
500毫安峰值电流在5 V
轨到轨工作
典型功耗： <0.01 μW
TTL / CMOS兼容输入
功能框图
ADG859
S2
D
S1
IN
05258-001
开关所
对于逻辑1输入
图1 。
应用
手机
掌上电脑
MP3播放器
电池供电系统
音频和视频信号路由
调制解调器
PCMCIA卡
硬盘驱动器
继电器更换
概述
该ADG859是一款单芯片， CMOS SPDT （单刀双
掷）开关，采用1.8 V至电源范围内工作
5.5 V.它的目的是提供低2.3 Ω马克西性
妈妈在-40 ° C至+ 125°C的整个温度范围内。
该ADG859也有随身携带大量的能力
目前，通常为300 mA的5 V工作电压。这些功能
使ADG859的理想解决方案对于那些应用
空间受限的，诸如手机，PDA和MP3播放器。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候打开。
该器件具有先开后合式开关动作，
从而防止短路瞬时切换时
通道。
该ADG859是采用微型6引脚SOT- 66封装。
产品亮点
1.
2.
3.
低导通电阻： 2.3 Ω最大，在整个
温度范围为-40 ° C至+ 125°C 。
高电流承载能力。
微型6引脚， 1.65毫米× 1.65毫米SOT- 66封装。
第0版
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ADG859
目录
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征............................................. 7
测试电路................................................ ..................................... 10
术语................................................. ................................... 12
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ .......................... 13
修订历史
6月5日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第16页2
ADG859
特定网络阳离子
V
DD
= 5伏±10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配通道间， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
3
dB带宽
插入损耗
总谐波失真（ THD + N）
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
25°C
40°C
to
+85°C
40°C
to
+125°C
0 V至V
DD
1.3
2.1
0.01
0.093
0.32
0.45
±0.02
±0.02
2
0.8
0.005
±0.1
4
8
10
4.5
6
4
±13
78
78
125
0.11
0.062
18
45
0.001
1
2.2
0.163
0.6
2.3
0.163
0.65
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
dB典型值
%
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 4.5 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -100毫安;
图16
V
DD
= 4.5 V, V
S
= 4.5V ，我
S
= -100毫安;
图16
V
DD
= 4.5 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -100毫安;
图16
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V / 4.5 V ;图17
V
S
= V
D
= 1 V或4.5 V ;图18
V
IN
= V
INL
或V
INH
11
6.5
12
7
1
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;图19
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;图19
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;图20
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;图21
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图22
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图23
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;图24
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;图24
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 3 V P-P ;图14
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
1
2
的温度范围是
40°C
至+ 125°C 。
通过设计保证;不受生产测试。
第0版|第16页3
ADG859
V
DD
= 2.7 V至3.6 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配通道间， ΔR
ON
R
ON
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
IN
数字输入电容，C
IN
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
插入损耗
总谐波失真（ THD + N）
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
1
2
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的典型值
测试条件/评论
3
4.3
0.03
0.11
±0.02
±0.05
4.5
0.15
4.7
0.15
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= -100毫安;
图16
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 1.2 V，I
S
= -100毫安;
图16
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 / 3V ;图17
V
S
= V
D
= 1或3V ;图18
2.0
0.8
0.7
0.005
±0.1
4
11
15
6
9.5
5
±7
78
78
125
0.11
0.1
18
46
0.001
1
±0.1
V分钟
V最大
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
dB典型值
%
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
V
DD
= 3 V至3.6 V
V
DD
= 2.7 V
V
IN
= V
INL
或V
INH
16
10
17
11
1
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图19
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图19
R
L
= 50 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;图20
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;图21
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图22
S1到S2 ;
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的，
F = 100千赫;图23
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;图24
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;图24
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 2 V P-P ;图14
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
的温度范围是
40°C
至+ 125°C 。
通过设计保证;不受生产测试。
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ADG859
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到GND
模拟输入
1
数字输入
1
峰值电流，S或D
5 V工作
3 V操作
连续电流，S或D
5 V工作
3 V操作
工作温度范围
汽车
存储温度范围
结温
SOT- 66封装（ 4层板）
θ
JA
热阻抗
无铅回流焊
峰值温度
在峰值温度的时间
1
等级
0.3 V至7.0 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安，以先到为准
500毫安
460毫安
300毫安
275毫安
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
191°C/W
260(+0/5)°C
10秒40秒
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。只有一个绝对最大额定值可能
在任一时间施加。
表4.真值表
逻辑（IN）的
0
1
开关2 （S2）的
关闭
On
开关1（S1）
On
关闭
过压S或D的内部钳位二极管。当前应
限于给出的最大额定值。
ESD警告
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
第0版|第16页5
QQ：2880707522 复制
