0.35 Ω CMOS 1.65 V至3.6 V
单SPDT开关/ 2 ： 1 MUX
ADG839
特点
1.65 V至3.6 V的操作
超低导通电阻：
0.35 Ω典型
0.5 Ω以下，在2.7 V电源
卓越的音频性能，超低失真：
0.055 Ω典型
0.09 Ω最大
ON
平整度
高载流能力：
300毫安连续
500毫安峰值电流在3.3 V
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
轨到轨开关工作
典型功耗（ <0.1 μW ）
功能框图
ADG839
S2
D
S1
IN
04449-001
开关所
对于逻辑1输入
图1 。
应用
手机
掌上电脑
MP3播放器
电源布线
电池供电系统
PCMCIA卡
调制解调器
音频和视频信号路由
通信系统
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
0.6 Ω在-40 ° C至+ 125°C的整个温度范围内。
兼容1.8 V CMOS逻辑。
高电流处理能力（300 mA连续
电流在3.3 V） 。
低THD + N（ 0.01 ％典型值） 。
微型SC70封装。
概述
该ADG839是含有单低电压CMOS器件
极双掷（ SPDT ）开关。该器件提供超低
在小于0.6 Ω ，在整个温度范围内性能。
该ADG839是1.8 V完全指定， 2.5 V和3.3 V电源
操作。
每个开关进行同样在两个方向开启时，
并具有延伸到电源的输入信号范围。该
ADG839展品先开后合式开关动作。
该ADG839是采用6引脚SC70封装。
表1. ADG839真值表
逻辑
0
1
开关2 （S2）的
关闭
On
开关1（S1）
On
关闭
第0版
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ADG839
目录
产品规格- 2.7 V至3.6 V ........................................... ............. 3
产品规格- 2.3 V至2.7 V ........................................... ............. 4
产品规格- 1.65 V至1.95 V ........................................... ......... 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征.............................................. 8
术语................................................. ................................... 11
测试电路................................................ ..................................... 12
外形尺寸................................................ ....................... 14
订购指南................................................ .......................... 14
修订历史
10月4日，初始版本：版本0
第0版|第16页2
ADG839
特定网络阳离子
1
= 2.7 V至3.6 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度
(R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时
(t
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真
（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
+25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
0.35
0.5
0.04
0.075
0.055
0.07
±0.2
±0.2
2
0.8
0.005
±0.1
3.2
12
16
6.5
8.5
5
70
57
57
0.013
0.01
25
74
120
0.003
1
4
0.56
0.085
0.082
0.61
0.095
0.09
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
V
DD
= 2.7 V
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;
图19
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0.9 V，I
S
= 100毫安
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 100毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 0.6 V/3.3 V, V
D
= 3.3 V / 0.6 V ;图20
V
S
= V
D
= 0.6 V或3.3 V ;图21
18
9
19
9.5
1
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的;图23
V
S1
= V
S2
= 1.5 V;
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图25
S1 S2;
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图26
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 3伏峰 - 峰值
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图27
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图27
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
1
2
温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证;不受生产测试。
第0版|第16页3
ADG839
特定网络阳离子
1
-2.3 V至2.7 V
V
DD
= 2.5 V± 0.2 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
+25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至VDD
0.35
0.5
0.04
0.075
0.045
0.55
0.085
0.13
±0.2
±0.2
1.7
0.7
0.005
±0.1
3.2
14.5
18
7.5
9.2
7
60
57
57
0.021
0.01
25
78
127
0.003
1
4
0.6
0.095
0.13
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 100毫安;图19
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0.95 V,
I
S
= 100毫安
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 100毫安
V
DD
= 2.7 V
V
S
= 0.6 V/2.4 V, V
D
= 2.4 V / 0.6 V ;图20
V
S
= V
D
= 0.6 V或2.4 V ;图21
20
9.5
21
9.8
1
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的;图23
V
S1
= V
S2
= 1.5 V;
V
S
= 1.25 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图25
S1S2;
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图26
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图27
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图27
V
DD
= 2.7 V
数字输入= 0 V或2.7 V
1
2
温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证;不受生产测试。
第0版|第16页4
ADG839
特定网络阳离子
1
-1.65 V至1.95 V
V
DD
= 1.65 V± 1.95 V， GND = 0V，除非另有说明。
表4 。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
+25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
0.5
0.8
1.3
0.04
0.075
0.3
±0.2
±0.2
0.65 V
DD
0.35 V
DD
0.005
±0.1
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
3.2
20
28
8
10.1
12
50
57
57
0.033
0.01
25
83
132
0.003
1
4
1.2
2.5
0.08
1.2
2.5
0.08
单位
V
= （典型值）
=最大
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
V
DD
= 1.8 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;
图19
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
DD
= 1.65 V, V
S
=待定，我
S
= 100毫安
I
S
= 100毫安
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安
V
DD
= 1.95 V
V
S
= 0.6 V/1.65 V, V
D
= 1.65 V/0.6 V;
图20
V
S
= V
D
= 0.6 V或1.65 V ;图21
30
10.5
31
10.7
1
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 Ω / 0 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1V ;图23
V
S
= 1 V ，R
S
= 0 V ，C
L
= 1 nF的;图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图25
S1 S2;
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图26
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 1V峰 - 峰值
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图27
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图27
V
DD
= 1.95 V
数字输入= 0 V或1.95 V
数字输入= 0 V或1.95 V
1
2
温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证;不受生产测试。
第0版|第16页5
QQ：2881677436 复制
