0.5 Ω CMOS 1.65 V至3.6 V
双路SPDT / 2 ： 1 MUX
ADG836
特点
0.5 Ω典型导通电阻
0.8 Ω最大导通电阻在125°C
1.65 V至3.6 V的操作
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
高载流能力：300 mA连续
轨到轨开关工作
快速开关时间<20 NS
典型功耗（ <0.1 μW ）
S1A
D1
S1B
IN1
IN2
S2A
D2
S2B
04308-001
ADG836
应用
手机
掌上电脑
MP3播放器
电源布线
电池供电系统
PCMCIA卡
调制解调器
音频和视频信号路由
通信系统
开关所对于逻辑1输入
图1 。
概述
该ADG836是含有两个低电压CMOS器件
独立可选的单刀双掷（ SPDT ）
开关。该器件具有超低的不足性
0.8 Ω ，在整个温度范围内。该ADG836是完全
对于3.3 V指定， 2.5 V和1.8 V电源供电。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并具有延伸到电源的输入信号范围。该
ADG836展品先开后合式开关动作。
该ADG836是采用10引脚MSOP和3毫米× 3毫米
12引脚LFCSP封装。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
6.
<0.8 Ω在-40 ° C至+ 125°C的整个温度范围内。
单1.65 V至3.6 V的操作。
兼容1.8 V CMOS逻辑。
高电流处理能力（300 mA连续
电流在3.3 V） 。
低THD + N（ 0.02 ％典型值） 。
3毫米×3 mm LFCSP封装和10引线MSOP封装。
REV 。一
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ADG836
目录
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置................................................ ........................... 7
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 11
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ .......................... 13
修订历史
4月5日 - 修订版。 0到版本A
更新格式................................................ ..................通用
更改表1 .............................................. .............................. 3
更改表2 .............................................. .............................. 4
更改表3 .............................................. .............................. 5
更改订购指南.............................................. ............ 13
修订版0 ：初始版
版本A |第16页2
ADG836
特定网络阳离子
V
DD
= 2.7 V至3.6 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配
通道之间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时
(t
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
+25°C
温度
1
-40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
0.5
0.65
0.04
0.1
0.15
±0.2
±0.2
2
0.8
0.005
±0.1
4
21
26
4
7
17
40
67
90
67
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.02
0.05
57
25
75
0.003
1
1
2
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
%
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
0.75
0.075
0.8
0.08
0.16
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;
图19
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0.65 V，I
S
= 100毫安
V
DD
= 2.7 V, V
S
= 0 V到V
DD
I
S
= 100毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 0.6 V/3.3 V, V
D
= 3.3 V/0.6 V;
图20
V
S
= V
D
= 0.6 V或3.3 V ;图21
V
IN
= V
INL
或V
INH
28
8
29
9
5
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;图23
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图25
S1A ， S2A / S1B - S2B ，R
L
= 50 ,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图28
S1A ， S1B / S2A - S2B ，R
L
= 50 ,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图27
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
4
温度范围Y的版本为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页3
ADG836
V
DD
= 2.5 V± 0.2 V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
温度
1
+ 25 ° C -40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C单位
0 V至V
DD
0.65
0.72
0.04
0.16
0.23
±0.2
±0.2
1.7
0.7
0.005
±0.1
4
0.24
0.8
0.08
0.88
0.085
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD,
I
S
= 100毫安;
图19
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0.7 V，I
S
= 100毫安
V
DD
= 2.3 V, V
S
= 0 V到V
DD,
I
S
= 100毫安
V
DD
= 2.7 V
V
S
= 0.6 V/2.4 V, V
D
= 2.4 V / 0.6 V ;图20
V
S
= V
D
= 0.6 V或2.4 V ;图21
23
29
t
关闭
5
7
突破前先延时（T
BBM
) 17
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
30
67
90
67
30
8
31
9
5
总谐波失真（ THD + N）
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.022
0.06
57
25
75
0.003
1
4
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;图23
V
S
= 1.25 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 nF的;图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图25
S1AS2A/S1BS2B,
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图28
dB典型值
S1AS1B/S2AS2B,
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;图27
%
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，V
S
= 1.5 V P-P
dB典型值
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
MHz的典型
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
pF的典型值
pF的典型值
V
DD
= 2.7 V
μA （典型值）
数字输入= 0 V或2.7 V
μA（最大值）
1
2
温度范围Y的版本为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页4
ADG836
V
DD
= 1.65 V± 1.95 V， GND = 0V，除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
+25°C
温度
1
-40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
1
1.4
2
0.1
2.2
4
2.2
4
单位
V
= （典型值）
=最大
=最大
= （典型值）
测试条件/评论
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时（T
BBM
)
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
V
DD
= 1.8 V, V
S
= 0 V到V
DD
, I
S
= 100毫安;
图19
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0 V到V
DD
,
I
S
= 100毫安;图19
V
DD
= 1.65 V, V
S
= 0.7 V，I
S
= 100毫安
V
DD
= 1.95 V
V
S
= 0.6 V/1.65 V, V
D
= 1.65 V/0.6 V;
图20
V
S
= V
D
= 0.6 V或1.65 V ;图21
±0.2
±0.2
0.65 V
DD
0.35 V
DD
0.005
±0.1
4
28
37
7
9
21
20
67
90
nA的典型值
nA的典型值
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
38
10
39
11
5
67
dB典型值
总谐波失真THD
插入损耗
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
0.14
0.08
57
25
75
0.003
1.0
4
%
dB典型值
兆赫
典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V / 0 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V ;图22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 1V ;图23
V
S
= 1 V ，R
S
= 0 V ，C
L
= 1 nF的;图24
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图25
S1AS2A/S1BS2B;
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图28
S1AS1B/S2AS2B;
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫;
图27
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
V
S
= 1.2 V P-P
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的;图26
V
DD
= 1.95 V
数字输入= 0 V或1.95 V
1
2
温度范围Y的版本为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本A |第16页5
QQ：2880707522 复制
